JPS5956767A - 光検知方式 - Google Patents
光検知方式Info
- Publication number
- JPS5956767A JPS5956767A JP57167130A JP16713082A JPS5956767A JP S5956767 A JPS5956767 A JP S5956767A JP 57167130 A JP57167130 A JP 57167130A JP 16713082 A JP16713082 A JP 16713082A JP S5956767 A JPS5956767 A JP S5956767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control pulse
- substrate
- high level
- impressed
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＦＬ） 発明の技術分野
本発明は赤外・紫外・Ｘ線などの検知方式にかかり、特
に多素子からなる光検知素子（ダイオードアレイ）と並
列入力直列出力形電荷転送素子（に ＣＩ）マルチプレ
クサ′）ヲ組み合わせたハイブリッド型光検グ］１器の
改善された検知方式に関する。
に多素子からなる光検知素子（ダイオードアレイ）と並
列入力直列出力形電荷転送素子（に ＣＩ）マルチプレ
クサ′）ヲ組み合わせたハイブリッド型光検グ］１器の
改善された検知方式に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
近年、赤外光・紫外光・Ｘ線の利用が盛んにな１）、検
知タイオードアレイとりＣＩＪマルチブレクザとを組み
合わせたハイフリット型検知器は物体の検出など広い分
野で使用されるようになってきｊこ。
知タイオードアレイとりＣＩＪマルチブレクザとを組み
合わせたハイフリット型検知器は物体の検出など広い分
野で使用されるようになってきｊこ。
このような検知器の構成図を第１図に示しており、■は
検知タイオードアレイで多元半導体基板１０上に設けら
れ、２はＣＯＤマルチブレクづでシリコン（８ｉ）基板
上（２０）に設けられている。
検知タイオードアレイで多元半導体基板１０上に設けら
れ、２はＣＯＤマルチブレクづでシリコン（８ｉ）基板
上（２０）に設けられている。
ダイオードアレイ１の各検知素子１１からの導出端子１
２とＣＯＤマルチプレクサ２の入力端子２１とは導電ワ
イヤー８で接続される。第２図はその構成断面図を示し
ており、解り易くする１こめダイオードアレイはダイオ
ード記号で示している。
２とＣＯＤマルチプレクサ２の入力端子２１とは導電ワ
イヤー８で接続される。第２図はその構成断面図を示し
ており、解り易くする１こめダイオードアレイはダイオ
ード記号で示している。
その動作の概要を第２図を参照して説明すると、ダイオ
ードアレイ１が入射光を受光すれば、それ１こより発生
した電荷がＣＣ、ｌＪマルチプレクサ２の入力端子２１
に送られる。ＣＣＩ）マルチプレクサ？においでは、８
１基板上に絶縁膜を介して設けられた入力ゲート２２に
制御パルス３０が加えられて、電荷が入力ゲート下の基
板を通過して蓄積ゲート２３の下に溜まり、次いで一定
の時間経過毎に転送ゲート２４が開き、電荷は７フトレ
ジスタの転送ゲート２５直ドの基板内の転送部に送り込
まれて、１ｉＩＱ ？’Ｒ，に７フ１される。電荷は各
検知素子１１から並列に入力されるが、ン７トレジスタ
ではこれを直列に変換して転送される構造でありこれを
マルチプレクサと称している。
ードアレイ１が入射光を受光すれば、それ１こより発生
した電荷がＣＣ、ｌＪマルチプレクサ２の入力端子２１
に送られる。ＣＣＩ）マルチプレクサ？においでは、８
１基板上に絶縁膜を介して設けられた入力ゲート２２に
制御パルス３０が加えられて、電荷が入力ゲート下の基
板を通過して蓄積ゲート２３の下に溜まり、次いで一定
の時間経過毎に転送ゲート２４が開き、電荷は７フトレ
ジスタの転送ゲート２５直ドの基板内の転送部に送り込
まれて、１ｉＩＱ ？’Ｒ，に７フ１される。電荷は各
検知素子１１から並列に入力されるが、ン７トレジスタ
ではこれを直列に変換して転送される構造でありこれを
マルチプレクサと称している。
ところで、このように入力ゲート２２に制御パルス３（
）を加えている理由は次のようである。すなわち蓄積ゲ
ート２３の電荷蓄積許容Ｊ１け一定であり、入力ゲルト
２２をＯＮ状態に長くしておくと蓄積ゲート下の電荷が
あふれ誤動作をする。これを防く１こめ入力ゲートに制
御パルスを加え蓄積ｎも机下にだくわえられる電荷量を
適切なｌノベルにしている。
）を加えている理由は次のようである。すなわち蓄積ゲ
ート２３の電荷蓄積許容Ｊ１け一定であり、入力ゲルト
２２をＯＮ状態に長くしておくと蓄積ゲート下の電荷が
あふれ誤動作をする。これを防く１こめ入力ゲートに制
御パルスを加え蓄積ｎも机下にだくわえられる電荷量を
適切なｌノベルにしている。
しかし、このような方式はＣＯＤマルチプレク→ノ基板
内に制７ｉ＋ｌｌパルス３０を供給することになるため
に、ＣＯＩ）の出力信号と制御パルスが容量的に結合し
て、いわゆるカップリングを生ずる欠点がある。それ１
′ｉ、例えば制御パルスが高レベル（電荷が流入するレ
ベル）の時、画仰面のそのパルスに対応する部分に帯状
のノイスがあられ７！１、るなど、品質−ヒ好ましくな
い影響を勾えるもので２＞る。
内に制７ｉ＋ｌｌパルス３０を供給することになるため
に、ＣＯＩ）の出力信号と制御パルスが容量的に結合し
て、いわゆるカップリングを生ずる欠点がある。それ１
′ｉ、例えば制御パルスが高レベル（電荷が流入するレ
ベル）の時、画仰面のそのパルスに対応する部分に帯状
のノイスがあられ７！１、るなど、品質−ヒ好ましくな
い影響を勾えるもので２＞る。
（ｅ） 発明の目的
本発明はこの、Ｌうなカップリンクを消滅させる構成の
光検知方式を提供するものである。
光検知方式を提供するものである。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、上記のようなハイフリット型光検知器にお
いて、光検知素子（タイオードアレイ）基板と電荷転送
素子（（： ＣＩＪマルチブレク→〕）基板とをＨ気的
に分離し、両ｐｚ板問に時間的に変化するｆｆｊＪ ？
１ｌｌｌ パルスを加えるようにした光検知方式によっ
て達成することができる。
いて、光検知素子（タイオードアレイ）基板と電荷転送
素子（（： ＣＩＪマルチブレク→〕）基板とをＨ気的
に分離し、両ｐｚ板問に時間的に変化するｆｆｊＪ ？
１ｌｌｌ パルスを加えるようにした光検知方式によっ
て達成することができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下、光検知器の実施例を図によって詳記する。
第３図は本発明にかかる検知方式を示す図で、従来の第
２図の枯成断面図に対応するものである。
２図の枯成断面図に対応するものである。
第３図において、ＣＯＤマルヂブレクサ２０Ｐ型基板２
０を接地し、入力ゲート２２に電源３１により直流電圧
→−ｖＩ を常時印加１−る。クイオード７ レイ１
． Ｕ、） ！ＡｉＷ ２０ （２ｉ”、 １図参照）
ト接地＃Ｉ７ ｉコｎｒす１１１Ｊ ハ／ｌ／ ！４８
０を加え、制御パルスが高レベルになった時のめ電荷が
流入オろように才ろ。制御パル、７．８０１；ｊ ／ｌ
（Ｌ−パルの七さ負出力とし、高レベルのときに正出力
としで、その高レベル値を例えば０．１〜０．２Ｖに′
「る。
０を接地し、入力ゲート２２に電源３１により直流電圧
→−ｖＩ を常時印加１−る。クイオード７ レイ１
． Ｕ、） ！ＡｉＷ ２０ （２ｉ”、 １図参照）
ト接地＃Ｉ７ ｉコｎｒす１１１Ｊ ハ／ｌ／ ！４８
０を加え、制御パルスが高レベルになった時のめ電荷が
流入オろように才ろ。制御パル、７．８０１；ｊ ／ｌ
（Ｌ−パルの七さ負出力とし、高レベルのときに正出力
としで、その高レベル値を例えば０．１〜０．２Ｖに′
「る。
このようにしで、絶えず入力ゲー ト２２を開けでおき
、グイオー ドアレ・イの基板２ｏと接地間の制［１１
１ハＪｖ ７．３ＱによってＣＯＤマルチプレクサ２へ
の電荷流入を制御すると、ＯＣＩ）の出力信号と制御用
パルスとのカップリングを回避才ろことができる３、 尚、このよ・）ｌｒ検知方式は励起電荷量の小さい赤外
線・紫外線検知器に特に有効であるが、可視光にも適用
できることは占゛うまでもない。
、グイオー ドアレ・イの基板２ｏと接地間の制［１１
１ハＪｖ ７．３ＱによってＣＯＤマルチプレクサ２へ
の電荷流入を制御すると、ＯＣＩ）の出力信号と制御用
パルスとのカップリングを回避才ろことができる３、 尚、このよ・）ｌｒ検知方式は励起電荷量の小さい赤外
線・紫外線検知器に特に有効であるが、可視光にも適用
できることは占゛うまでもない。
（１’Ｊ 発明の効、眼
以」ユの説明から明らかなように、本発明によれば出カ
イ２−）号−・のカップリングが防什されて、高品質化
しｆ、ｌ検知器を得るζ４とができ、固体撮像装置のＱ
＋Ｚ Ｈに役）Ｌつものである□ ４．１面Ｑ）簡単７ｔ？説明 第１図はハイフリット型光検知器の構成図、第２図は従
来の光検力１万式の構成１ｉ、ｌｉ ｔｆｎ図、第３図
は本発明にかかる光検知方式の１１“Ｊ成所曲図である
。
イ２−）号−・のカップリングが防什されて、高品質化
しｆ、ｌ検知器を得るζ４とができ、固体撮像装置のＱ
＋Ｚ Ｈに役）Ｌつものである□ ４．１面Ｑ）簡単７ｔ？説明 第１図はハイフリット型光検知器の構成図、第２図は従
来の光検力１万式の構成１ｉ、ｌｉ ｔｆｎ図、第３図
は本発明にかかる光検知方式の１１“Ｊ成所曲図である
。
図中、１は赤外線検知ダイオ−ドアレイ、２はりＣＪＪ
マルチプレクサ、３は専心ツイヤ−１１０はＬＩｇｏｌ
Ｔ（！基板、１１は検知素子、１２は導出端子、２０は
ＳＩ基板、２１は入力端子、２２は入力ゲート、２３は
￥４積ゲート、２４・２５は転送つ−１・、；３０は利
ス１１１．１１パルス、３１はｆ萌原を示す。
マルチプレクサ、３は専心ツイヤ−１１０はＬＩｇｏｌ
Ｔ（！基板、１１は検知素子、１２は導出端子、２０は
ＳＩ基板、２１は入力端子、２２は入力ゲート、２３は
￥４積ゲート、２４・２５は転送つ−１・、；３０は利
ス１１１．１１パルス、３１はｆ萌原を示す。
Claims (1)
- 光検知素子と電荷転送素子とを組み合わせたハイブリッ
ド型光検知器において、光検知素子基板と電荷転送素子
基板とを電気的に分離し、両基板の間に時間的に変化す
る制御パルスを加えるように構成したことを特徴とする
光検知方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167130A JPH065728B2 (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 光 検 知 方 式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167130A JPH065728B2 (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 光 検 知 方 式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956767A true JPS5956767A (ja) | 1984-04-02 |
| JPH065728B2 JPH065728B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=15843983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167130A Expired - Lifetime JPH065728B2 (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 光 検 知 方 式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065728B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-13 | Shimadzu Corporation | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148942A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-26 | Philips Nv | Charge transfer element |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57167130A patent/JPH065728B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148942A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-26 | Philips Nv | Charge transfer element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-13 | Shimadzu Corporation | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| JPWO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2008-05-15 | 株式会社島津製作所 | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| US7728899B2 (en) | 2004-10-07 | 2010-06-01 | Shimadzu Corporation | Image sensor, and image pickup apparatus using same, and manufacturing method for manufacturing image sensor |
| JP4807259B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-11-02 | 株式会社島津製作所 | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065728B2 (ja) | 1994-01-19 |
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