JPS5956774A - 粒子線等の入射位置検出用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ある伝導型の半導体基板の一方の面にそれと
は逆の伝導型の抵抗層を設り、前記抵抗層に入射した粒
子線によって生成された変換電流を前記抵抗層により分
割し複数の電極から取り出し粒子線等の入射位置を検出
する粒子線等の入射位置検出用半導体装置に関する。

光スボノｌ・や粒子線の入射位置を計測する装置として
ダレビジョン技術を用いた走査型のものが広く知られて
いる。

近時、前記走査によらないで粒子線等の入射位置を検出
できる粒子線等の入射位置検出用半導体装置が開発され
、使用ざれるに至っている。

まずこの粒子線等の入射位置検出用半導体装置の基本的
な構成と動作を節単に説明する。

第１図は従来の入射位置検出用半導体装置の構成を説明
するための略図である。

第１図ｔａｇ．　（ｂ）、および（Ｃｌは、それぞれ表
面分割型の人！１１位置検出用半導体装置の斜視図．断
面図，および平面図である。従来の表面分割型の入射位
置検出用半導体装置は各図に示されているようにある伝
導型を示す半導体基板１の片面に反対の伝導型の抵抗屓
２を形成してある。抵抗Ｐｉ２の形状は正方形または長
方形であり、その抵抗層２の辺に沿って辺の長さの一定
の割合の部分に電極３が形成されている。

また第１図（ｄ＋．　＋［！）．　（ｆｌは、それぞれ
両面分割型の入射位置検出用半導体装置の斜視図，断面
図，および平面図である。半導体基板１上に形成された
、基板とは反対の伝導型を持つ正方形または長方形の抵
抗層２の一組の向かい合う辺に沿って電極３が形成され
、また半導体基板１裏面には全面に基板と同じ伝導型の
抵抗層５が形成されている。そして裏面には前記表面の
電極３と直交する対辺に沿って電極５が形成されている
。

座標軸を第１図の（Ｃｌおよび（ｆｌのように正方形ま
たは長方形の抵抗層の中心点を通り、抵抗層の辺と平行
になるように取り、重極と交わる点を±１とする。

表面分割型人躬位置検出用半導体装置の電極３の■，３
の■，３の■，３の■を接地し、電極５の■にｐ−ｎ接
合が逆ハイアスとなるように電圧をかけておく。

また両面分割型入射位置検出用半導体装置の電極３の■
，３の■と、電極３の■，３の■との間にｐ−ｎ接合が
逆ハイアスとなるようにハイアスをかりておく。

抵抗層の」−の仕息の座標（ｘ．ｙ）の点に光スボッ１
−や粒子線か照射されると内部効果によって発生した励
起キャリアはｐ−ｎ接合で分離され、表面分割型の入射
位置検出用半導体装置ではその一方のキーｌ・リアが抵
抗ＪＰｉ２で分割され、電極３の■〜■に流れ込む。３
の■の電流を１１，３の■の電流を１２，３の■の電流
をＩ３，３の■の電流をＩ４とずると、 Ｘ＝　（１３　　ＩＩ）／　（＋３　千１１）Ｙ＝　（
＋２　　　１４　）／　（１２　＋１４　）のａ１算を
することにより　（ｘ，ｙ）に対応した位置出力を得る
ことかできる。

両面分割型の入射位置検出用半導体装置ではｐ−ｎ接合
で分離されたキャリアのうち一方は表面に設シノられた
１１（抗層２で分Ａｌｌされ電極３の■と■に流れ込み
、他方は裏面の抵抗屓５で分割され電極４の■と■に流
れる。

Ｘ−（＋３　　　ＩＩ　）／　＜Ｉ３＋Ｉ＋　）Ｙ−　
（＋２　　　１４　）／　（＋２　１−１４）の計算を
することにより　（ｘ．ｙ）に苅応した位置出力を得る
ことができる。

表面分割型の入射位置検出用半導体装置と両面分割型の
入射位置検出用半導体装置は互いに他方にはない長所と
短所を持っている。

次に両入射位置検出用半導体装置の位置出力特性を説明
する。第２図は両入射位置検出用半導体装置の位置出力
特性を示すグラフであって同図（Ａ）は表面分割型の入
射位置検出用半導体装置の位置出力特性、同図（Ｂ）は
両面分割型の入射位置検出用半導体装置の位置出力特性
を示している。

いずれの型のものも、１３＋ｉｍｘｌ３ｍｍの抵抗屓２
内のｌＱｍｍｘｌＱ＋＋ｍの領域内をＸ軸，ｙ軸にそれ
ぞれ平行に一定ピンチで光スボソトを移動させて得られ
た前述のＸ．Ｙの出力特性をグラフ化したものである。

第２図（Δ）に示す表面分割型の入射位置検出用半導体
装置では、測定のための光スボソｌ一は碁盤の目を形成
するように一定ピンチで移動させているのに、出力図形
のピッチは一定ではなく周辺部においてピンチが狭くな
っている。これに対して第２１ＷＩ（Ｂ）に示す両面分
割型の入則位置検出用半導体装置の出力特性ばビソチは
ほほ一定となっていて歪が少ない。

両面分割型の入射位置検出用半導体装置は、前述のよう
に出力特性が優れているが、基板１の裏面に抵抗屓５を
形成する必要があるため、基板内１にある結晶欠陥をゲ
ソタリングずるのが困叩である。そのため、表面分割型
の入射位置検出用半導体装置に比較して接合もれ電流が
はるかに大きくなり、接合もれ電流は１０倍〜１００倍
に達する。

また、この種の入射位置検出用半導体装置において入力
（光パルス，粒子など）の位置変動が速い場合、もしく
は入力がパルスである時には出力波形の応答を速くする
ためｐ−’ｎ接合の逆バイアス電圧を大きくずる必要が
ある。表面分割型の入射位置検出用半導体装置ではバイ
アスを基板の裏面電極（第１図ｆａｌ図■）から加えて
いるため、抵抗順側の電極に接続された増幅器と無関係
に任意に大きなハイアス電圧の印加が可能である。

これに対し、両面分割型の入射位置検出用半導体装置は
表と裏の信号電極間にハイアス電圧を加えるために信号
電極から得られる出力は信号十ハイアス電圧が重なった
ものとなる。この出力から信号分だけを抜き出す第１の
方法として、増幅器でハイアス電圧分だり引算する方法
がある。このとき、ハイアス電圧と出力信号の振幅との
和が増幅器の動作電圧よりも低くなげればならないので
、ハイアス電圧の設定可能な範囲は制限される。

例えばオペアンプを用いているときにハイアス電圧は１
５Ｖ以下に制限され、出力信号の振幅も同様に制限され
る。

第２の方法として、入射位置検出用半導体装置の信号電
極と増幅器をコンデンザ結合としてハイアス電圧の直流
分をカノトし、信号のパルス成分だけを抜き出す方法が
ある。ハイアス電圧を自由に高く設定できるという利点
があるがパルスの繰返し周期または信号強度の変動（信
号の入力位置によっても出力信号の強度は変動する）に
より、取り出された信号の平均レヘルが変動し、位置の
演算を行う場合の精度を損なう膚がある。位置の精度を
犠牲にしても応答速度を上げる必要がある場合にはこの
方式が適している。

以上を要約すると、位置出力の歪は両面分割型の入射位
置検出用半導体装置の方が少ないが、両面分割型の入射
位置検出用半導体装置はもれ電流が人き＜ｐ−ｎ接合の
逆バイアスの印加方式が複雑であると言うことになる。

本発明は前述の問題点を解決するためになされたもので
あって、その目的は、もれ電流か小さく３１ハイアス電
圧の印加が容易でかつ位置出力の歪の小さい粒子線等の
入射位置検出用半導体装置を｛κ供するごとにある。

前記目的を達成するために本発明による粒子線等の入１
・｝位置を検出する入射位置検出用半導体装置は、ある
伝導型の半導体基板の一方の面にそれとは逆の伝導型の
抵抗層を設ｂ）、前記抵抗層に入射した粒子線によって
生成された変換電流を前記抵抗層により分割し複数の電
極から取り出し粒子線等の入射位置を検出する粒子線等
の入射位置検出用半導体装置において、前記抵抗層を４
つの円弧状の抵抗線でその抵抗線の接続点が正方形また
は矩形の各角に位置するように囲め前記抵抗線の接続点
から電流を取り出し、取り出した電流を演算して粒子線
等の入射位置に関する出力を得る演算回路を有し、前記
抵抗層のシート抵抗値と円弧体の抵抗線との間に Ｒｉ＝ｒ口／ｒ　ｉ　　（ｉ＝１，　　・・４）ただし
　Ｒｉは円弧状抵抗線の線抵抗率ｒ口は抵抗層のシート
抵抗値 ｒｉは円弧状抵抗線の曲率半径 の関係を与えて構成されている。

以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。

第３図は本発明による装置の実施例を示す平面図および
縦断面図である。

この実施例装置は光スポソトの位置を検出対象とするも
のである。

半導体基板１１としてｎ型シリコン（Ｓｊ）ウエーハ，
比抵抗３〜５ｋΩｃｍのものを使用する。この半導体基
板１１の一方の面は鏡面研摩．他方の面（３ｌサンｌ−
フラスｌ・ずる。

半専体基板１１のザン｝・プラスｌ−　Ｌ．てある方の
面にリンを拡ａをして、深さ３０μｍのｎ型拡散層２を
形成ずる。

次に、半導体基板１１を熱拡散し、全面に次のホウ素拡
ｉ＆のマスクとなる厚いＳｉ０２を成長さゼる。

次に鏡面研摩側の半導体基Ｆｊ．］上のＳｉ０２に１辺
の長さ１４朋の正方形の頂点を結ふ半）冬ａ　ｃｍの促
の部分に沿って幅１５０μｍの線状に、フォＩ・リソグ
ラフィーによってＳｉ０２を除去ずる。そしてこの゛部
分にホウ素を熱拡散により拡散し、弧の部分の長さの方
向の単位長さ（］Ｃｍ）当りの抵抗が全工程終了後Ｒ〔
Ω／ｃｍ〕　となるよ・うに調節した。

この線状の弧の部分の抵抗をボーダー抵抗部１３と言・
うことにする。再び半導体基板１１を酸化し、ボーダー
抵抗部１３の−ｌ二にＳｉ０２を５０００人成長さーＵ
る。次にポ１−リソグラフィーによりボーダー抵抗１３
で囲まれている領域のＳｉ０２を孔明けする。この時、
ボーダー抵抗部１３にもオーハラノプしてＳｉ０２を取
り除くようにする。オーハラノプの中畠は５０μｆｉｌ
である。

この半導体基！ｆｊ．１１を熱酸化し、孔明げ部の」二
にＳｉ０２　ヲ１　５　０　０　人成長さ−（ｉた。

次に半導体基板の前記パターンの側に加速エネルキ−７
５ｋｅＶでボロンイオンを注入した。

注入後、基板をＮ２雰囲気中でアニールずる。アニール
後のイオン注入部（前記ボーダー抵抗１３によって凹ま
れた内側部分）のシー１・抵抗値ｒ口（Ω／口）はＲ−
ｒ口／ａとなるように調整されノこ。

ボーダー抵抗部１３によって囲まれたイオン注入部を受
光部１４と言うことにする。ボーダー抵抗部１３の四隅
の頂点の部分にボーダー抵抗部１３からはみ出さないよ
うにして１００μｍφのＡｆｆ電極１５が同心円状に形
成された。半導体基板１１の裏面（パターンの無い側）
には金（／ｌｕ）が蒸着され、半導体基板と合金して裏
面の電極とした。

半導体基板はダイシングによって千ノプとされ、５ピン
セラミックケースにグイボンティングとワイヤーホンデ
ィング接続する。チップの寸法ば１５ｍｍＸ３５ｍｍで
あり、ボーダー抵抗部１３の線抵抗率Ｒは］．　２　ｋ
Ω／ｃｍ．弧の半ｉ１　ａは２．５ＣＩｌ＋，受光部の
シー１−１１Ｅ抗は３０ｋΩ／口であった。

第４図は以上のごとき方法で製作された素子を使って位
置検出をする演算回路のブロソク図である。

１／Ｖ，〜Ｉ／Ｖ４！；Ｉ電流−電圧変換器である。

この電流−電圧変換器入力の電位は接地電位となってい
て、光電変換された光電流信号が流れ込み、電圧に変換
された信号Ｖ，〜■４をそれぞれ出力する。

Δ１〜八５は加算器である。加算器△１にば前記電流一
電圧変換器の出力Ｖ２と■３が接続されその和の信号Ｖ
２＋■３が出力される。加算器八２に乙，１前記電流一
電圧変換器の出力■，と■４が接続されその和の信号Ｖ
ｌ　　−トＶ４が出力される。

加算器Δ３には前記電流一電圧変換器の出力Ｖ１とＶ２
が接続されその和の信号Ｖ１→−■２を出力ずる。加算
器Δ４には前記電流一電圧変換器の出力■３とＶ４が接
続されその和の信号Ｖ，＋Ｖ４が出力される。

加算器Ａ５には前記加算器Δ３と△４の出力が接続され
その和の信号（Ｖ，　十Ｖ２！−Ｖ３−１−Ｖ４　）が
出力されている。

減算器Ｓ１には前記加算器Δ１とＡ２の出力が接続され
、（■２→一Ｖ３　）　　　（Ｖｌ　→−Ｖ４）を出力
している。同様に減算器Ｓ２には前記加算器Δ３とΔ４
の出力が接続され、（Ｖ１　４−Ｖ２　）　　　（▽３
＋Ｖ４）を出力している。

減算器Ｄ１は前記減算器Ｓ，と加算器Ａ４の出力から、
入射点のＸ座標に対応ずる下記のＸ信号出力を送出する
・ Ｘ＝　（　（Ｖ２　＋Ｖ３　）　　　（Ｖｌ　　十Ｖ４
　））／（Ｖ１＋■２＋■３→−Ｖ４） 減算器Ｄ２は前記減算器Ｓ２と加算器Δ４の出力から、
入射点のＹ庄標にタ１応ずる下記のＹ信号山力を送出す
る。

Ｙ−（　（Ｖｌ　＋Ｖ２　）−　（Ｖ３　＋Ｖ４．））
／　（Ｖ．＋Ｖ２→−■３→−Ｖ４．）前記装置の素子
面」二受光部ｌ４の中央１０龍×１　（ｌ　ｍｍ内を一
定ピノチで光スボノＩ・を照射させながら移動し、前述
した第４図の構成の回１洛を用いて位置演算をさせた結
果を第５図に示す。

第５図から明らかなように位ｉＪ算出力のピノチはほぼ
一定で、直線の歪も小さい。

同一の基４ｆｉの厚め方向構造を持つ従来の表面分割型
の入削位置検出用半導体装置と比へて、位置出力特性が
改善されていることは明らかである。

次に本発明により、表面分割型の入射位置検出用半導体
装置の位置出力特性が改善される理由を説明する。

第６図に示すように無限大の長さに延びた２つのｑｚ行
な電極の間に均一な抵抗層が形成されている場合を想定
して、レＩのようにＸ座標軸を取る。

電極６１と電極６２を接池ずる。ｘ＝ｘ１の点に電流源
ｌが接続されれば電極６１と６２に流入ずる電流Ｉ１と
Ｉ２とｘ１との関係は Ｘ＝　（＋２　−１＋　）／　（＋２→−ｉ＋）となる
。

したがって、このような状態の電極を作れば、位置の直
線性は最良となり、位置誤差は零となるはずである。

ところで第７図のように均一で無限の広さの抵抗層３の
中に半ｉ￥ａ（ｃｍ）の孔があいていて、円弧に沿って
線抵抗７ｌが付目られているとする。線抵抗７１の抵抗
率をＲ（Ω／　ｃｍ　）とし、抵抗層７３のシー１・抵
抗をｒ　（Ω／口）とする。円の中心Ｏを通るようにＸ
軸を取り、−Ｘ軸から角度θを取る。均一な電流ＪがＸ
方向に流れていてその電流が円形の孔によって乱されな
いとするとθ一〇からθ一θ１の間の線抵抗にはＪａｓ
目１θの電流が流れる。

この電流がθ一θ１とθ一θ，＋ｄθの線抵抗に起こす
電位降下はｄθのＸと直角方向の投影をｄＸとし、その
電位降下をｄＶｘとするとｄ　ｘ　＝　ａｓｉｎθｄθ
だからｄＶｘ＝Ｊａｓｉｎθ・ｒ−ｄθとなる。

線抵抗７２上の電位降下と抵抗層上の電位降下か等しい
時、電流が乱されていないという仮定を満足するために
は 、ノａｓｉｎθ・ａＩ冫ｄθ一Ｊａｓｉｎθ’ｒ’ｄθ
’．　　　Ｒ　＝　ｒ　／　ａ が専き出される。

さて第８図のように一辺の長さａ，とｅ２の長方形のｍ
点を通る半径ａ　１２，　ａ　２３，　ａ　３４，　　
ａ　１４の円弧によって囲まれた抵抗屓７５があり、円
弧に沿っーζ線抵抗率Ｒ１２．　　Ｒ２３．　　Ｒ３４
，　　Ｒｌ４の綿抵抗が伺りられているとずる。

抵抗層のシー１・抵抗をｒ　　（ｒλ／口）とずると、
Ｒｉｊ−Ｒ／ａｉｊ　（ｉ＝ｉ　　・・・４，ｊ＝　ｉ
　＋１）となっている。電極７１と７４を接続し、接地
して、電極７２と７３を１゛妾続してヤ妾ｔｔｈ−＋−
る。これを第６図と比べると、第７図のような関係から
第８図と第６図Ｇ，Ｌ等価であると考えられる。

このようにして、第８図のような電極構造を使・うこと
によって位置誤差のない位置出力が得られることＣこな
る。

本発明による装置は以」一のように構成されりＪ作する
ものであるから、以下の効果がある。

両面分割型の人！｛１位置検出用半導体装置は基板の結
晶欠陥のケノタリングか困ゲ１ｆであり暗電流が大きか
ったのにタ−１し、本発明の装置は、”基板の厚さ方向
の構造が表面分割型位置検出器と同一であるため、１１
１？電流も同一接合面を持つ表面分割型位置検出器と同
程度となった。

さらに、信号の情報量として、表面分割型位置検出器で
は光電流をＸ演算用．Ｙ演算用に分ｉＪて使用していた
のに対し、本発明の装置では、Ｘ演算，Ｙ演算共に、金
光電流を用いて演算されるため表面分割型位置検出器に
比べＳ／Ｎの点で有利である。

また、両面分割型位置検出器と比べ、裏面に抵抗層を形
成しないため全工程一面のめに半導体ブレーナプロセス
を用いて製作できるため量産性および歩留りが良い。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の入射位置検出用半導体装置の構成を説明
するための概略図である。 第２図は入射位置検出用半一〃体装置の位置出力Ｉ１〒
性を示すグラフであって同図（Δ）番Ｊ表面分割型の入
ＵＪ位置検出用半導体装置の位置出力特性、同レｌ（１
３）は両面分割型の入射位置検出用半導体装置の位置出
力特性を示している。 第３図は本発明による粒子線等の入射位置検出用゛１′
導体装置の実施例装置を示す平面図および縦断面図であ
る。 第４図は前記実施例装置の出力を演算する回路の実施例
を示す回路図である。 第５図は前記実施例装置の出力特性を示すグラフである
。 第６図，第７図および第８図は本発明の原理を説明する
だめの説明図である。 １１・・・半導体基板 １２・・・ｎ十拡散層 １３・・・ボーダー抵抗部 １４・・・受光部 ｌ５・・・アルミニューム電極 ｌ６・・・反射防止用酸化珪素（Ｓｉ０２）闇１７・・
・酸化珪素（ＳｉＯ２）屓 Ｉ／ｖ　１〜■／■４　　・・電流一電圧変換器Δ１〜
Ａ５　・・・加算器 Ｓ，，Ｓ２　・・・減算器 Ｄ，．Ｄ２　・・・除算器 −３６９− ］＝一糸売辛ｄ１正凹： ＝．；ｊ？・ 昭和５νＷ＼１月　５日 特許庁長官　若　杉　和　夫　　殿 １．事件の表示 昭ｆ［Ｊ５７年特　許　願第１　６　７　０　７　９号
２．発明の名称 粒了刺１等のス町・Ｊ｛ｓ’７置検出ＪＩ］′Ｉ請体装
置３，特許出願人 住　　所 浜松テレビ株式会社 名　　称 ４．代理人 住　　所　　◎１６０東京都新宿区歌ｎ伎町２丁目４５
番７号大喜ヒル４Ｆ　霧（０３）　２０９−７０寒氏　
　名　　（７５１４）弁理士　　ノ１　ノ　ロ　　壽ｌ
″；：　　　″力？・　　　　１ ５．補正命令の日イ・ｊ　　　　自　　発　　　　　　
　　　　１　−　．’一．Ｊ６．補正の対象　　　　　
　明細書および図面７．？鉦の内容　　　　　　別ＩＥ
のとおり　゛冗λ゛一一も人、へ′ ／−？＼ 補正の内容（特願昭５７〜１　６　７　（１　７　９号
）（１）明細書第４頁第８行目の（−電極５　ｊを１電
極４１に補正する。 （２）明イ■１書第１１頁第３行「１から同第４行１」
の１−　ｎ型拡ｔｔＪ＜層２　Ｊをｌ　ｎ型拡１１ｋｌ
’５　１　２　Ｊ　ニ袖正ずる。 （３）明細着第１３頁第７行目の１月／　Ｖ　＋〜Ｉ／
ｖ４」をｒｃ，−Ｃ４　Ｊに冫ｆｆｉ正ずる。 （４）明細』第１４頁第１０行目の［減勢′器Ｉ）ｊＪ
を「除算器Ｄ，Ｊに補正する。 （５）明細書第１４頁第１５行目の１減算器Ｉ〕２」を
［除算器Ｄ２Ｊに補正する。 （６）明細７１′第１５頁第１８行目の「ｘ−（　１　
２−　Ｉ　＋　）　／　（　１　２　４−　１　＋　）
　Ｊを１’Ｘｌ−（１２−１＋）／（１２　→−■，）
」に補正する。 （７）明細Ｐ１第１６頁第３行目から同第４行目の「抵
抗屓３」を「抵抗層７２Ｊに補正する。 （８）明細書第１６頁第４行目の「円弧」を［−円周」
に補正する。 （９）明細舊第１６頁第６行目から同第７行目の］抵抗
ＩＨ　７　３　ｊを１−低抗ｊ昔７２−１に袖止ずる。 （１０）明細害第１６訂第１２行目の１−流れる。 −１を１−流れ込む。ｊに冫市正ずる。 （１１）明細』第１６頁第１８行目の｛゛線抵抗７２」
をＦ線抵抗７１」に補正する。 （１２）明細書第１７頁第６行目の「抵抗層７５］を｛
抵抗ｒ？４８　．５　Ｊに補正する。 （１３）明細四第１７頁第１０行目（７）　「Ｒ　ｉｊ
＝　Ｒ／２ｉｊ（ｉ＝１，　　・・　４，ｊ＝ｉ−１−
１）ＪをｒＲｉｊ−ｒ／ａｉｊ（ｉ　＝１，　　・　・
４．ｊ＝ｉ　｛−］）」にｒ市正ずる。 （１イ）明細書第１７頁第１ｊ行目から同第１２行「１
０「電極７１と７４を接続し、接地して、電極７２と７
３を接続して接地する。」を［電極■と■を接続し、接
地して、電極■と■を接続して接池ずる。」に補正ずる
。 （１５）明細Ｐ１第１９頁第２０行目の［Ｉ／■ｌ−ｌ
／Ｖ４−Ｊをｌ−Ｃ，−Ｃ，Ｊに７ｉ１ｉ正ずる。 （１６）添伺図面の第１図（ｅ），第３図，第４図を別
添の第１１図（ｅ），第３図，第４図にそれぞれ補正す
る。 以　　　上 −３７１−

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　ある伝導型の半導体基板の一方の面にそれと
   （：ｌ逆の伝導型のＩＪＥ抗層を設け、前記抵抗層に入
   射した粒子線Ｑこよって生成された変換電流を前記抵抗
   層により分割し複数の電極から取り出し粒子線等の入射
   位置を検出する粒子線等の入射位置検出用十導体装置に
   おいて、前記４つの円弧状の抵抗線でその抵抗線の接続
   点が正方形または矩形の各角に位置するように囲め、前
   記抵抗線の接続点から電流を取り出し、取り出した電流
   を演算して粒子線等の入射位置に関する出力を得る演算
   回路を自し、前記抵抗層シート抵抗値と円弧状の抵抗線
   との間に以下の関係を与えて構成したことを特徴とする
   粒子線等の入射位置検出用半導体装置。 記 Ｒｉ＝ｒ口／ｒ　ｉ　　（ｉ＝１，　　・・４）ただし
   　Ｒ　ｉは円弧状抵抗線の線抵抗率ｒ口は抵抗層のシー
   １〜抵抗値 ｒｉは円弧状抵抗線の曲率半径
2. （２）前記半導体基板はｎ型である特許請求の範囲第１
   項記載の粒子線等の入射位置検出用半導体装置。
3. （３）　　前記粒子線等の入射位置検出用半導体装置は
   プレーナ工程で製造された特許請求の範囲第１項記載の
   粒子線等の入射位置検出用半導体装置。
4. （４）前記演算回路は粒子線の入射位置を前記接続点の
   対角線を原点とする座標の点のデータとして出力する特
   許請求の範囲第１項記載の粒子線等の入射位置検出用半
   導体装置。