JPS595719A - 酸化亜鉛薄膜の電極構造 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の電極構造Info
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- JPS595719A JPS595719A JP11444482A JP11444482A JPS595719A JP S595719 A JPS595719 A JP S595719A JP 11444482 A JP11444482 A JP 11444482A JP 11444482 A JP11444482 A JP 11444482A JP S595719 A JPS595719 A JP S595719A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は安定な特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造に
関する。
関する。
酸化亜鉛薄膜は弾性表面波装置、音叉振動子、音片振動
子などの圧電体として使用されている。
子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛薄膜の使用例を音叉撮動子にもとづいて説
明する。
明する。
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図である。
図において、1は音叉振動子の本体、2.3はこの本体
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a、3aには酸化
亜鉛薄膜4.5が形成されている。
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a、3aには酸化
亜鉛薄膜4.5が形成されている。
この酸化亜鉛薄膜4.5は真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7は酸化亜鉛N1層4.5の上に形成された0r−A
u系またはTi−Au系からなる電極を示1゜ この電極6.1は第2図にその詳細な構造を示すように
、第1層電極8としてCrまたはT;、第2層電極9と
してAUからなるものが用いられていた。ここでCr、
Tiは密着性を向上させるためのものであり、またAU
はワイヤボンディングや半田付けができるように選ばれ
たものである。
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7は酸化亜鉛N1層4.5の上に形成された0r−A
u系またはTi−Au系からなる電極を示1゜ この電極6.1は第2図にその詳細な構造を示すように
、第1層電極8としてCrまたはT;、第2層電極9と
してAUからなるものが用いられていた。ここでCr、
Tiは密着性を向上させるためのものであり、またAU
はワイヤボンディングや半田付けができるように選ばれ
たものである。
図示したほか、Cr−Au系電極としてはCr−Auの
ほか、Cr−Pt−Au、Cr−Pd−Au、Cr:N
1−Au、Cr−Cu−N t−八u、 Cr−Cu
−Auなどがあり、またTi−AU系電極としてはTi
−Auのほか、T i −Cu−AUlTi−Pt−A
U、Ti−Pd−Auなどがある。上記した電極構成の
うち、TiまたはCrは200〜500A 、 A U
は3000〜5000Aの膜厚の範囲に抵抗加熱法、電
子ビーム蒸着法などにより形成される。
ほか、Cr−Pt−Au、Cr−Pd−Au、Cr:N
1−Au、Cr−Cu−N t−八u、 Cr−Cu
−Auなどがあり、またTi−AU系電極としてはTi
−Auのほか、T i −Cu−AUlTi−Pt−A
U、Ti−Pd−Auなどがある。上記した電極構成の
うち、TiまたはCrは200〜500A 、 A U
は3000〜5000Aの膜厚の範囲に抵抗加熱法、電
子ビーム蒸着法などにより形成される。
しかしながら、上記したような酸化亜鉛m膜の電極構造
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Orが高い親和性を示すため、酸化亜鉛1膜中に
TiまたはOrが拡散覆るか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化させるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
では次のような欠点が見られた。つまり、第1層電極の
Ti、Orが高い親和性を示すため、酸化亜鉛1膜中に
TiまたはOrが拡散覆るか、酸化亜鉛から酸素を奪い
、酸化亜鉛薄膜の電気的特性、たとえば振動周波数を大
きく変化させるという現象が認められた。また高温負荷
寿命試験を行うと、さらに上記した現象が促進され、電
気的特性の劣化が一層大きなものとなった。
したがって、酸化亜鉛薄膜を形成づるに当っては、電極
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施さなければならなかった。
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施さなければならなかった。
この発明はかかる背景からなされたものであり、安定な
特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を提供することを目
的とする。
特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を提供することを目
的とする。
以下この発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
第3図はこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を音
叉振動子に適用した例を示す側面図である。
叉振動子に適用した例を示す側面図である。
11はエリンバなどからなる金属音叉、12は酸化亜鉛
薄膜、13はNi層、14は0r−ALJ系電極電極は
Ti−Au系電極である。このうちNi層13は電子ビ
ーム法、スパッタリング法、イオンビーム法、抵抗加熱
蒸着法などによって形成される。
薄膜、13はNi層、14は0r−ALJ系電極電極は
Ti−Au系電極である。このうちNi層13は電子ビ
ーム法、スパッタリング法、イオンビーム法、抵抗加熱
蒸着法などによって形成される。
第4図は屈曲振動モードの音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例を示した斜視図
である。
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例を示した斜視図
である。
図において、21は振動子本体を示し、振動子22とこ
れを支持部24で支持している枠体23から構成されて
いる。25は酸化亜鉛薄膜で振動子22の表面に形成さ
れている。26は酸化亜鉛薄膜25の上に形成されたN
i層、27はNi層26の上に形成された0r−Au系
電極またはTi−Au系電極である。
れを支持部24で支持している枠体23から構成されて
いる。25は酸化亜鉛薄膜で振動子22の表面に形成さ
れている。26は酸化亜鉛薄膜25の上に形成されたN
i層、27はNi層26の上に形成された0r−Au系
電極またはTi−Au系電極である。
第5図は同じくこの発明を他の屈曲振動モードの振動子
に適用した例の側面図である。
に適用した例の側面図である。
図において、31はセラミクス、プラスデック、ゴムな
どの基板、この基板31表面には、Cr−Au系電極ま
たはTi−Au系電極32、N1層33、酸化亜鉛薄膜
34、N1層35、および0r−Au系電極またはTi
−Au系電極36が順次形成されている。
どの基板、この基板31表面には、Cr−Au系電極ま
たはTi−Au系電極32、N1層33、酸化亜鉛薄膜
34、N1層35、および0r−Au系電極またはTi
−Au系電極36が順次形成されている。
第6図は同じくこの発明を拡がり振動モードの振動子に
適用した例を示す側面図である。
適用した例を示す側面図である。
図において、41は酸化亜鉛薄膜、42は酸化亜鉛薄膜
41の両面に形成されたNi層、43はNi層42の上
に形成されたCr−Au系電極またはTi−Au系電極
である。
41の両面に形成されたNi層、43はNi層42の上
に形成されたCr−Au系電極またはTi−Au系電極
である。
第7図は同じくこの発明を厚み振動モードの振動子に適
用した例を示す側面図である。
用した例を示す側面図である。
図において、51は3i、5i02などからなる基板、
基板51の上には0r−Au系電極またはTi−Au系
電極52、N1層53が順次形成されCいる。さらにN
1層53の上には酸化亜鉛薄膜54が形成されている。
基板51の上には0r−Au系電極またはTi−Au系
電極52、N1層53が順次形成されCいる。さらにN
1層53の上には酸化亜鉛薄膜54が形成されている。
この酸化亜鉛N膜54が形成されている位置に相当する
基板51には空部51aが形成されている。酸化亜鉛薄
膜54の上にはNi層55、および0r−Au系電極ま
たはTi−Au系電極56が順次積層して形成されてい
る。
基板51には空部51aが形成されている。酸化亜鉛薄
膜54の上にはNi層55、および0r−Au系電極ま
たはTi−Au系電極56が順次積層して形成されてい
る。
次に具体的な実施例とんで、第3図に示した音叉振動子
についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適
用した例を説明する。
についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適
用した例を説明する。
第3図を参照して説明すれば、撮動子11の上にスパッ
タリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上に
V203層13を抵抗加熱法により250Aの厚みで形
成し、さらにその上にTiが300A 。
タリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上に
V203層13を抵抗加熱法により250Aの厚みで形
成し、さらにその上にTiが300A 。
Auが3000Aの厚みからなるT’i −Au系電極
14を電子ビーム法により形成した。このようにして振
動周波数32K Hzの振動子を作成した。
14を電子ビーム法により形成した。このようにして振
動周波数32K Hzの振動子を作成した。
この振動子に直流電圧20Vを印加し、100℃の温度
に10000時間放置した。このときの振動周波数の経
時変化特性を試料数20個について測定したところ第8
図に示すような結果が得られた。図中実線はこの実施例
によるものである。また破線は従来例のTi−Au系電
極のみからなるものについて、同様にして測定した結果
を示したものである。
に10000時間放置した。このときの振動周波数の経
時変化特性を試料数20個について測定したところ第8
図に示すような結果が得られた。図中実線はこの実施例
によるものである。また破線は従来例のTi−Au系電
極のみからなるものについて、同様にして測定した結果
を示したものである。
また直列共振抵抗(Ro )についても同様に測定し、
その結果を第9図に示した。
その結果を第9図に示した。
第8図〜第9図から明らかなように、この発明にかかる
ものは、従来例にくらべて、IRについては経時変化が
小さく、Roについては変化幅が小さいという結果を示
1゜ ここでIR<Roを測定したのは次のような理由による
。
ものは、従来例にくらべて、IRについては経時変化が
小さく、Roについては変化幅が小さいという結果を示
1゜ ここでIR<Roを測定したのは次のような理由による
。
まず、酸化亜鉛薄膜についてその等両回路を示せば第1
0図のようになる。図中、cdは並列容置を示し、酸化
亜鉛薄膜をコンデンサとして考えた場合の静電容量に近
い値である。Roは直列共振抵抗、Coは等価容量、L
oは等価インダクタンスである。またI R4,を酸化
亜鉛薄膜の絶縁抵抗である。
0図のようになる。図中、cdは並列容置を示し、酸化
亜鉛薄膜をコンデンサとして考えた場合の静電容量に近
い値である。Roは直列共振抵抗、Coは等価容量、L
oは等価インダクタンスである。またI R4,を酸化
亜鉛薄膜の絶縁抵抗である。
ここで、酸化亜鉛薄膜のIRは圧電体としての特性を備
える上で高い値を示づことが必要とされることから、I
Rの劣化が生じることは不都合なこととされている。と
ころが、第9図から明らかなように、この発明の実施例
によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さくな
っており、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極構造である
と云える。
える上で高い値を示づことが必要とされることから、I
Rの劣化が生じることは不都合なこととされている。と
ころが、第9図から明らかなように、この発明の実施例
によれば、従来のものにくらべてIRの低下が小さくな
っており、実用上有用な酸化亜鉛薄膜の電極構造である
と云える。
また、この発明の実施例によれば、Roは小さな値を示
している。このRoは第11図に示したインピーダンス
と周波数の関係から、直列共振周波数(fo )に対応
し、このRoが大きくなれば発振に大ぎな増幅度が必要
となり、発振条件の低下をもたらすことになることが伺
える。したがってRoの値の小さなこの発明のものによ
ればかがる問題がなく、高温負荷の条件においても実用
上十分な特性を示すものであると理解することができる
。なお、Cr−Au系電極についてこの発明を適用して
も同様の効果が得られることを確認した。
している。このRoは第11図に示したインピーダンス
と周波数の関係から、直列共振周波数(fo )に対応
し、このRoが大きくなれば発振に大ぎな増幅度が必要
となり、発振条件の低下をもたらすことになることが伺
える。したがってRoの値の小さなこの発明のものによ
ればかがる問題がなく、高温負荷の条件においても実用
上十分な特性を示すものであると理解することができる
。なお、Cr−Au系電極についてこの発明を適用して
も同様の効果が得られることを確認した。
以上この発明によれば、酸化亜鉛薄膜と0r−Au系電
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
止層としてNt層を介在させたものであり、従来のもの
にくらべて実用上十分な特性を示す酸化亜鉛薄膜を提供
することができる。特にこの発明によれば、高温負荷寿
命試験に対してIRの変化が小さく、またRoの値の変
化も小さいなど信頼性の高い酸化亜鉛薄膜が得られる。
極またはTi−Au系電極との間にOr、Tiの拡散防
止層としてNt層を介在させたものであり、従来のもの
にくらべて実用上十分な特性を示す酸化亜鉛薄膜を提供
することができる。特にこの発明によれば、高温負荷寿
命試験に対してIRの変化が小さく、またRoの値の変
化も小さいなど信頼性の高い酸化亜鉛薄膜が得られる。
第1図は音叉振動子の一例を承り側面図、第2図は第1
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉振動子
にこの発明にががる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した
例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明にがが
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、第5
図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図はこの
発明の具体的実施例にもとづ<IRの経時変化特性図、
第9図は同じ<Roの経時変化特性図、第10図は酸化
亜鉛N膜の等両回略図、第11図はインピーダンスと周
波数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・N1層、14・・・・・・Cr−A
u系電極またはTi−Au系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 5 第 5 図 躬 乙 図 躬 7図 77−1とρプDial?ノ TIP7H(HO(/R)
図における電極部分の部分拡大図、第3図は音叉振動子
にこの発明にががる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した
例を示す側面図、第4図は音片振動子にこの発明にがが
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例の斜視図、第5
図〜第7図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電
極構造を各振動子に適用した例の側面図、第8図はこの
発明の具体的実施例にもとづ<IRの経時変化特性図、
第9図は同じ<Roの経時変化特性図、第10図は酸化
亜鉛N膜の等両回略図、第11図はインピーダンスと周
波数の関係特性図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・N1層、14・・・・・・Cr−A
u系電極またはTi−Au系電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 5 第 5 図 躬 乙 図 躬 7図 77−1とρプDial?ノ TIP7H(HO(/R)
Claims (1)
- 酸化亜鉛薄膜表面とCr−AU系電極またはTi−AL
J系電極電極間にN1層を介在させたことを特徴とする
酸化亜鉛薄膜の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444482A JPS595719A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444482A JPS595719A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595719A true JPS595719A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14637882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11444482A Pending JPS595719A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252682A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Rohm Co Ltd | 圧電発振子 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11444482A patent/JPS595719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252682A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Rohm Co Ltd | 圧電発振子 |
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