JPS5957427A - 電子ビ−ム描画デ−タ作成方法 - Google Patents

電子ビ−ム描画デ−タ作成方法

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JPS5957427A
JPS5957427A JP57168001A JP16800182A JPS5957427A JP S5957427 A JPS5957427 A JP S5957427A JP 57168001 A JP57168001 A JP 57168001A JP 16800182 A JP16800182 A JP 16800182A JP S5957427 A JPS5957427 A JP S5957427A
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JP
Japan
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JP57168001A
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Kiyomi Koyama
清美 小山
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. program control
    • H01J37/3023Program control

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、1■子ビームを利用して試料上に微細パター
ンを描画する16子ビ一ム描画技術に係わシ、特に電子
ビーム描ip+」装置に入力する電子ビーム描画データ
の作成方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近時、半解体ウェーハやマスク等の試料上に微細パター
ン(集積回路のパターンデータ)を描画するものとして
、各種の電子ビーム描画装置が用いられている。また、
LSIの急激な進歩と共に、そのパターンデータは益々
複雑かつ微細になってきている。このため、1チツプを
構成する図形の数も膨大な数(〜数1000万個)に増
えてきている。そして、この図形数の増加は次の2つの
問題を誘起している。
(1)w子ビーム描画装置はCADシステムから出力さ
れたパターンデータを直接人力することはできず、この
ため上記パターンデータを装置の描画方式や構成等に強
く依存したデータ(EBフォーマットデータ)にデータ
変換してやる必要があるが、図形数の増加に伴いこのデ
ータ変換に要する時間が急増してきた。パターンの種類
によって1はデータ変換に要する時間が、そのデータを
使って描画を行う時間の数10〜数100倍にも達する
ことがある。
(2)  データ変換処理に長時間を要することから変
換処理を描画前に実行し、変換して作成したEBフォー
マットデータを適当な記憶装置に格納しておく必要があ
る。しかし、図形数の増加と共に変換データの攬も数メ
ガ−数10メガバイトまで膨長するので、記憶装置に格
納できる、テップが極く小数に限定された)、或いはオ
ーバフローして格納し切れない等のケースも発生してい
石。
このような開動は、今後のLSIの進歩によって一層深
刻化さiすると予想される。電子ビーム描画装置はマス
クパターン作成の工期短縮で、或いはマスクパターン作
成工程そのもののバイパスでLSIデバイスの開発及び
製造期間を大幅に短縮するものとして登場してきたが、
上述した間順によってその利点が失われる虞れすらでて
きている′。
第1図は従来の電子ビーム描画データ作成方法に係わる
データ処理系を示すブロック図である。CADシステム
1から出力されたチップパターンデータ2はMTファイ
ルやディスクファイル等のデータファイルに格納される
。データ変換処理システム3では、上記チップパターン
データを入力してデータ変換を行う。そして、チップ全
体の変換データファイル4はディスク等の配憶装置に格
納される。このとき、チップ領域全面にペタに展開され
たパターンは、第2図に示す如く一定幅で機械的にフレ
ーム分割される。ここで、第2図中F、f〜e”?は第
1乃至第7のフレームをそれぞれ示している。なお、前
1COADシステム1ではチップパターンデータを繰シ
返しによシ作成する。メモリパターンのように同一形状
のメモリセルがチップの大半を占めるパターンの設計で
は尚更のことである。、修正を行う場合でもメモリセル
1個を修正し、それを展開すると云う手法がとられる。
このような方法で作成したデータ(BBフォーマットデ
ータ)は第3図に示す如くなる。すなわち、前半に各フ
レームの格納アドレスを記録したインデックス部があフ
、そのあとにフレーム単位でデータが格納さ九ることに
なる。そしてこの場合、各フレームにおけるデータがそ
れぞれ膨大なものとなり、前述した問題を招くのである
〔発明の目的〕
本発明の目的は、図形数の多いパターンデータでも短時
間にデ7タ作成を行うことができ、かつ変換データの量
を大幅に低減し得る電子ビーム描画データ作成方法を提
供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、パターン設計段階では明確に意識され
ていた繰り返しの考えを、フレーム分割から変換データ
ファイル作成に至る処理に採シ込んだことにある。
す々わち本発明は、メモリセル等の繰り返し要素を複数
個配列してなる反復性領域及び非反復性領域から々るチ
ップパターンデータを基にπj子ビーム描画装置固有の
電子ビーム描画データを作成するに際し、まずチップパ
ターンな所足のX方向幅でX方向に沿ってフレーム分割
し次いで分割された各フレームにおける非反復性領域に
ついては該領域に相当するチップパターンデータをデー
タ変換して非反復性EBフォーマットデータを作シ、か
つ反復性領域については該領域のフレーム幅及び上記繰
〃返し要素のX方向幅で規定される反復性部分に相当す
るチップパターンデータなデータ変換して反復性DBフ
ォーマットデータを作〃、しがるのち上記作成された非
反復性BBフォーマットデータを記憶装置に格納し、か
つ上記作成された反復性EBフォーマットデータを前記
各フレーム中での反復性部分のy方向縁シ返し回数と共
に記憶装置に格納するようにした方法である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、反復性部分な複棗9個含むフレームに
ついては、その非反復性領域と反復性部分1個に相対す
るデータ変換を行うのみでEBフォーマットデータを作
成することができる。このため、データ変換に要する時
間を大幅に短くすることができる。しかも、変換データ
量が極めて少々く(従来の数分の1〜数10分の1)な
るので、今後のLSIの進歩にも十分対応できる等の効
果を奏する。
〔発明の実施例〕
第4図は本発明の一実施例方法に係わるデータ作成処理
系を示すブロック図である。なお、第1図と同一部分に
は同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。OA
Dシステム1で設計したチップパターンデータ2m、2
bは、その非反復性領域と反復性領域の繰シ返し要素と
をそれぞれ別のファイル(図では分シ易いようにMTを
分けて示しているが同一のMTであってもよい)として
作成する。さらに、繰シ返し要素の繰り返しがチップの
ど・の位置から開始されるかを示すxtyP’i’、標
(X s 、 Y s )、X。
y7j向の配列i1y (n 、 m )及び各々のピ
ッチPが付属情報としてデータファイルに付く。なお、
付属情報の受渡しは設計者からのメモの形でもよい。デ
ータ変換処理システム3では、これらの付属情報を基に
第5図に示す如(フレーム分割を行う。なお、第5図中
Flv〜+FTは第1乃至第7のフレームをそれぞれ示
し、11はチップパターン、12は非反復性領域、13
は反復性領域、14はメモリセル等の繰り返し要素、1
5は反復性部分を示している。
フレーム分割に際しては、繰多返し要素14がある領域
、つまり反復性領域13が存在するところでは、フレー
ムの分割絹jが繰υ返しの開始点を通るように決める。
また、フレームの分割幅は繰り返し要素14のX方向ピ
ッチのに倍(k:ii)に決める。使用する電子ビーム
描画装置で規定されるフレームの最大許容幅をW、繰シ
返し要素14のX方向ピッチをPとするときk(≦0)
は k −Inte (W/k ) で与えられる。ただし、Inteは整敞部分を表わす。
このときのフレーム幅ωは ω = kP である。反復性領域13をωのフレーム幅で分割したと
き 1−(n、/k)−In te(n/k)へ0の場合、
最終フレーム、すなわち第1nte(n/k)+1フレ
ームのフレーム幅ω′は al−(n−に′*Inte(n、/k))Pと設定す
る。I!−0の場合(第5図の場合)、反復性領域13
の全てのフレーム幅は等しくなる。また、全体のフレー
ム分割はチップ原点(図の左下点)から繰F)返し開始
点まで(0〜X s ) 、反復性領域(X s〜X 
s+np) 、反復性領鐵以降(XS+np〜)の3つ
に分けて行う。
フレーム分割後、非反復性領域(図のの■〜■)のデー
タ変換を行い、これを変換データファイルに格納する。
また、反復性領ジの反復性部分(図の0)は繰り返し要
紫14として入力したファイルから、これをに個(図で
は2個)X方向に並べたものを作ってデータ変換を行い
、これを変換データファイルに格納する。この際、各フ
レームの伺番目の格納データがy方向に何個並ぶかを示
す情報もレイアウトテーブルに配録する。
作成データは第6図(blに示す如く、番号づけらJl
だ変換データと各データの格納番地テーブルとからなる
。格納番地テーブルはデータアクセスの際のインデック
スとして使われる。また、レイアウトテーブルは第6図
ta+に示す如く、フレーム毎のレイアウト情報の格納
番地テーブルとレイアウト情報とから構成される。ここ
で、レイアウト情報は各フレームのフレーム幅、フレー
ムを構成するデータ番号及びそのy方向反復回むからな
るものである。
次に、このようにして作成されたデータのアクセス方法
を述べる。レイアウトテーブル、作成データの先頭番地
をそれぞれAL、A’Dとする。また、レイアウトテー
ブルのフレーム格納番地、フレーム幅の各情報の長さを
それぞれVlevl とし、作成データの格納番地の情
報の長さをv3とする。いま、C6n t (A)をA
番地から格納されているデータの内容であると定義する
と、第iフレームのフレーム幅を取シ出すには 0ont  (AI、+(i  t)vl)をアクセス
すればよい。第iフレームの構成データ番号を取シ出す
には 0ont (AL+(1−1)v1+v4 )をアクセ
スすればよい。また、q K 0ont(A)をA番地
に格納されているデータの内容をq回参照することであ
ると定義し、レイアウトテーブルのデータ番号の情報の
長さをV4.反復回数の情報の長さをV、とすると、第
iフレームを描画する場合 Cont  (AL+(i   1)vl+v、+v、
))1.oont((Oont (AL+(i−1)V
1+V2 )  1)v、+AD)+Oon t (A
L+(i −1) V1+v2+(V4 +V、 )+
v、 )+0ont(AL+(i 1)vl+v、+(
v4+v6Xv 1)+v4)のデータを電子ビーム描
画装置に転送すればよい。例えば、第5図の餓3フレー
ムを描画する場合 1*0ont (B4)+113Cont (BlB 
)→−IJOont (B5 )で表わされるデータの
転送を行えばよい。なお、上式において十で表わされる
加算はフレームの構成データ番号が尽きたことを示すタ
ーミネータが現れる迄行う。
かくして本実施例によれば、7子ビ一ム描画データの作
成が短時間で行えるようにな力、しかも変換データの量
を大幅に圧縮できることになる。例えば第5図に示す第
2フレームに着目すると、データ変換を要するのは該フ
レームの非反復性領域(■■の部分)と前記繰シ返し要
素14を2個並べた反復性部分(0の部分)とになシ、
反復性部分の10個分のデータ変換が不要となる。さら
に変換データの量も上記■■Oに相当する量のみ&xJ
、反復性部分の10個分に相当する量だけ変換データが
少なくて済む。これは、第3乃至第6フレームについて
も同様に云えることであシ、本実施例方法による効果は
絶大なものである。
第7図及び第8図fat (h)は他の実施例を説明す
るためのもので第7図はフレーム分割状態を示す模式図
、第8図ta+はレイアウトテーブルを示す模式図、同
図tblは作成データを示す模式図である。なお、第5
図と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は
省略する。この実施例が先に説明した実施例と異なる点
は、前記フレーム分割を反復性領域13の位置に関係な
く一定のX方向幅で行ったことにある。すなわち、チッ
プパターンを第7図に示す如くフレームの最大許容幅W
と略等しい幅で6つのフレームに分割している。なお、
このフレーム分割に際しては第7図に示す如くフレーム
分割線と反復性領域13のy方向辺とが一致していない
が、好ましくは一致させた方がよい。
フレーム分割後は、先の実施例と同様に非反復性領域(
図の■■〜の、ただし■@ では反復性領域を一部含む
)のデータ変換を行い、これを変換データファイルに格
納する。また、反復性領域の反復性部分15m、〜、1
5d(図の@−9)については各フレーム毎にデータ変
換を行い、これを変換データファイルに格納する。ここ
で、上記反復性部分15a、〜、15dは各フレーム毎
にフレーム幅W及び繰シ返し要素14のX方向幅で規定
されるものである。また、レイアウトテーブル及び作成
データは第8図(al fblに示す如く先の実施例と
略同様に構成される。
このような実施例では、データ変換に要する時間及び新
換データ量については先の実施例に劣るが、次のような
特屯すべき効果が得られる。
すなわち、フレーム方向(y方向)に2つ以上の繰シ返
しパターンがあシそのピッチが異っても適用することが
可能である。また、フレーム数を少なくできる等の効果
が得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記反復性領域がチップの被数個所に分
かれているような場合(多くのメモリパターンは2乃至
4個所に分かれている)でも、フレーム分割を各々の反
復性領域で繰り返し要素の繰り返し開始点を基準に行う
と云う原則を守れば、最初に説明した実施例と同様に処
理することが可能である。また、描画実行時にデータの
転送を制御してフレームデータを再構成する代りに、描
画笑行前に全フレームのデータを予め記憶装置に再結成
してふ・くか、或いはフレーム描画実行前に1フレーム
のf −タな記憶装置に再構成しておくことも可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、砕々変
形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図はそれぞれ従来の11子ビ一ム描画デ
ータ作成方法を説明するためのもので第1図はデータ作
成処理系を示すブロック図、第2図はフレーム分割状態
を示す杼弐図、第3図は作成データを示す模式図、第4
図乃至第6図+a) (blは本発明の一実施例方法を
説明するためのもので第4図はデータ作成処理系を示す
ブロック図、第5図はフレーム分割状態を示す模式図、
第6図(alはレイアウトテーブルを示す模式図、柩6
図(blは作成データを示す模式図、第7図及び第8図
+al tb)は他の実施例方法を説明するためのもの
で第7図はフレーム分割状態をボす模式図、第8図(a
lはレイアウトテーブルを示す模式図、第8図1b+は
作成データを示すオ)b式図である。 I・・・CADシステム、2,2a、2b・・・チップ
パターンデータ、3・・・データ変換処丹システム、4
.4a、4b・・・変換データファイル、1ノ・・・チ
ップパターン、12・・・非反復性領域、13・・・反
復性領域、14・・・繰シ返し要素、15.15a、〜
、15d−反復性部分。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 @2図       第3図 134− 第4図 第5図 第6図 (a)        (b)  7− 第8図 (a)               (b)13F

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)繰り返し要素を複数個配列して々る反復性領域及
    び非反復性領域からなるチップパターンデータな基に電
    子ビーム描画データを作成する方法において、チップパ
    ターンを所定のX方向幅でy方向に沿ってフレーム分割
    したのち、上記分割された各フレームにおける非反復性
    領域については該領域に相当するチップパターンデータ
    をデータ変換して非反復性EBフォーマットデータを作
    成し、かつ反復性領域については該領域のフレーム幅及
    び前記繰シ返し要素のy方向幅で規定される反復性部分
    に相当するチップパターンデータをデータ変換して反復
    性EBフォーマットデータを作成し、次いで上記作成さ
    れた非反復性BBフォーマットデータを記憶装置に格納
    し、かつ上記作成された反復性BBフォーマットデータ
    を前記各フレーム中での反復性部分の繰殴返し回数と共
    に記憶装置に格納することを特徴とする電子ビーム描画
    データ作成方法。
  2. (2)  前記フレーム分割手段として、電子ビーム描
    画装置に規定されるフレームの最大許容幅と略等しいX
    方向幅で前記チップパターンをフレーム分割することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム描画
    データ作成方法。
  3. (3)  前記フレーム分割手段として、前記反復性領
    域におけるフレーム分割を該領域のX方向開始点を基準
    に行い、電子ビーム描画装置で規定されるフレームの最
    大許容幅をW、前記繰シ返し要素のX方向ピッチをpb
     X方向繰夛返し回数をnとした場合 彦るk(<n)を用い、フレーム幅ω(最終フレームを
    除く)を ω−kp と設定し、前記反復性領域を上記フレーム幅ωで分割し
    たとき J=(n/k)−In te(n/k)40なるときは
    最終フレームの幅ω′を に’wn−に来Inte(n/k) なるに′を用い 叡−に’ p と設定し、またl!−0なるときは全てのフレーム幅を
    kpと設定することを特徴とする特許請求の範1fI第
    1項記載の重子ビーム描画デ〒り作成方法。
  4. (4)  前記データ作成手段として、前記各・フレー
    ムにおりる反復性領域については前記繰り返し要紫をX
    方向にに個(最終フレームではに′個)、X方向に1個
    並べてなる反復性部分に相当するチップパターンデータ
    のデータ変換のみを行うことを特徴とする特許請求の範
    囲第3項記載の電子ビーム描画データ作成方法。
JP57168001A 1982-09-27 1982-09-27 電子ビ−ム描画デ−タ作成方法 Granted JPS5957427A (ja)

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JPH056338B2 JPH056338B2 (ja) 1993-01-26

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS614228A (ja) * 1984-06-18 1986-01-10 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法
JPS62156816A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Toshiba Corp パタ−ン描画方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5483773A (en) * 1977-12-16 1979-07-04 Fujitsu Ltd Electron-beam exposure unit
JPS5734334A (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Toshiba Corp Pattern forming

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5483773A (en) * 1977-12-16 1979-07-04 Fujitsu Ltd Electron-beam exposure unit
JPS5734334A (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Toshiba Corp Pattern forming

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS614228A (ja) * 1984-06-18 1986-01-10 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法
JPS62156816A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Toshiba Corp パタ−ン描画方法

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