JPS6143419A - 荷電粒子ビ−ム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム描画装置Info
- Publication number
- JPS6143419A JPS6143419A JP59164835A JP16483584A JPS6143419A JP S6143419 A JPS6143419 A JP S6143419A JP 59164835 A JP59164835 A JP 59164835A JP 16483584 A JP16483584 A JP 16483584A JP S6143419 A JPS6143419 A JP S6143419A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- patterning
- pretreatment
- chip
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＬＳＩ等の半導体回路パターンを荷電粒子ビ
ームを使ってウェーハやマスクに高精度 ′で描画を行
なう荷電粒子ビーム描画装置に関する。
ームを使ってウェーハやマスクに高精度 ′で描画を行
なう荷電粒子ビーム描画装置に関する。
通常電子ビーム露光装置でシまＣＡＤシステムから出力
されたデータを矩形や台形に分割してディスク等の記憶
装置≦二格納しておく。描画時はこれらのデータを記憶
装置から読み出して前処理を施してから描画回路に送っ
て描画を行なう。ディスク等の記憶装置に格納されたデ
ータは前処理後始めて描画回路に受入粘られ、電子ビー
ム露光装置で描画可能となる。この前処理１：は、図形
データを更に細かい図形単位に分割したり、電子ビーム
偏向時の歪補正を行つたり、近接効果補正情報を付加し
たり、といった処理が含まれる。しかしながら、ＬＳＩ
の高集積化伴なう図形数の急激な増加と、この図形をよ
り高精度で描画する必要性から、上記の前処理（２要す
る時間が急増している。
されたデータを矩形や台形に分割してディスク等の記憶
装置≦二格納しておく。描画時はこれらのデータを記憶
装置から読み出して前処理を施してから描画回路に送っ
て描画を行なう。ディスク等の記憶装置に格納されたデ
ータは前処理後始めて描画回路に受入粘られ、電子ビー
ム露光装置で描画可能となる。この前処理１：は、図形
データを更に細かい図形単位に分割したり、電子ビーム
偏向時の歪補正を行つたり、近接効果補正情報を付加し
たり、といった処理が含まれる。しかしながら、ＬＳＩ
の高集積化伴なう図形数の急激な増加と、この図形をよ
り高精度で描画する必要性から、上記の前処理（２要す
る時間が急増している。
この結果、最近の平均的ＬＳＩパターンに於いては、前
処理時間が描画時間の数倍〜数１０倍ζ：膨れ上がり、
このため描画スループントが低下するという問題があっ
た。
処理時間が描画時間の数倍〜数１０倍ζ：膨れ上がり、
このため描画スループントが低下するという問題があっ
た。
本発明は従来技術の上述のような問題点１；遁みて行わ
ｎたもので、ＬＳＩパターン数の増加や描Ｉ［！ｌｌ精
度の向上によっても、スループットの低下をさほど来た
さずパターン描画を行なう機能を持つ荷電粒子ビーム描
画装置を提供することを目的と′ する。
ｎたもので、ＬＳＩパターン数の増加や描Ｉ［！ｌｌ精
度の向上によっても、スループットの低下をさほど来た
さずパターン描画を行なう機能を持つ荷電粒子ビーム描
画装置を提供することを目的と′ する。
本発明は予めチップレイアウトの情報をチェノ〉 りし
、２回以上描画に使われるデータは、ディスク等の記憶
装置から読み出して最初に前処理を施したあと描画回路
に転送するのと並行して、記憶装置に格納する。この記
憶装置は高速のアクセスタイムを持つ半導体メモリ素子
で構成する大容１穢メモリパンクでもよいし、またはデ
ィスク装置でもよい。そして次（二同じチップデータを
使ってパターン描画を行なう際は、矩形や台形の図形デ
ータに前処理を施すこと無く、既に前処理が済んだデー
タを記憶装置から直接読み出して描画回路に送り、パタ
ーン描画を行なう。こうすることにより、描画時間に較
べて数倍〜数ｌＯ倍の時間を要する前処理が各チップ区
；つき最初の１回だけで済み、描画のスループットが大
幅（二部上できることになる。
、２回以上描画に使われるデータは、ディスク等の記憶
装置から読み出して最初に前処理を施したあと描画回路
に転送するのと並行して、記憶装置に格納する。この記
憶装置は高速のアクセスタイムを持つ半導体メモリ素子
で構成する大容１穢メモリパンクでもよいし、またはデ
ィスク装置でもよい。そして次（二同じチップデータを
使ってパターン描画を行なう際は、矩形や台形の図形デ
ータに前処理を施すこと無く、既に前処理が済んだデー
タを記憶装置から直接読み出して描画回路に送り、パタ
ーン描画を行なう。こうすることにより、描画時間に較
べて数倍〜数ｌＯ倍の時間を要する前処理が各チップ区
；つき最初の１回だけで済み、描画のスループットが大
幅（二部上できることになる。
本発明では、−回前処理したデータが反復して使えるた
め、ＬＳＩパターンの固形数が増加し、またパターン描
画が高精度化した場合でも、図形の細分割、偏向歪補正
、近接効果補正といった複雑で処理１２時間がかかる前
処理によって大幅にスループットを低下させることなく
、パターン描画が行えるようになる。これｌ二よって、
パターンｌ二もよるが２〜５倍の描画速度向上が図れる
。
め、ＬＳＩパターンの固形数が増加し、またパターン描
画が高精度化した場合でも、図形の細分割、偏向歪補正
、近接効果補正といった複雑で処理１２時間がかかる前
処理によって大幅にスループットを低下させることなく
、パターン描画が行えるようになる。これｌ二よって、
パターンｌ二もよるが２〜５倍の描画速度向上が図れる
。
本発明の一実施例の構成図を第１図：二示す。計算ｍｌ
はディスク装置２から矩形や台形のデータを読み出して
前処理プロセッサ３で前処理を施して描画回路５に供給
してパターン描ｌ１ｉｆ１″４Ｉ−行なう、２回以上描
画に使うデータは前処理プロセッサ３で前処理後、メモ
リパンク４に送って記憶させる。
はディスク装置２から矩形や台形のデータを読み出して
前処理プロセッサ３で前処理を施して描画回路５に供給
してパターン描ｌ１ｉｆ１″４Ｉ−行なう、２回以上描
画に使うデータは前処理プロセッサ３で前処理後、メモ
リパンク４に送って記憶させる。
実施例で描画するパターンのチンプレイアウトｌ第２図
１：示す。ここではＡ、Ｂ、Ｃ３［（のテップデータが
描画に使われる。Ａ、Ｃのチップデータは２回以上使わ
３．Ｈのチップデータのみが１回だけ使われる。縦の列
１：ｌ−Ｉ 、 ＩＩ 、 Ｉ 、 ＩＶと番号付（す
、また描画の順序ｌ矢印で示しである。
１：示す。ここではＡ、Ｂ、Ｃ３［（のテップデータが
描画に使われる。Ａ、Ｃのチップデータは２回以上使わ
３．Ｈのチップデータのみが１回だけ使われる。縦の列
１：ｌ−Ｉ 、 ＩＩ 、 Ｉ 、 ＩＶと番号付（す
、また描画の順序ｌ矢印で示しである。
第３図はデータの記憶状態！示す。第３図（ａｌはディ
スク装置２（；於ける前処理的のデータ、即ち矩形や台
形のデータの格納状態を示す。ＬＡ、 ＬＢ、Ｌｃはそ
れぞれチップデータＡ、Ｂ、Ｃの格納＃地である。
スク装置２（；於ける前処理的のデータ、即ち矩形や台
形のデータの格納状態を示す。ＬＡ、 ＬＢ、Ｌｃはそ
れぞれチップデータＡ、Ｂ、Ｃの格納＃地である。
第３図（ｂ）は前処理後のデータのメモリパンク４（；
於ける格納状態を示す。ＭＡ、 Ｍｅはそれぞれチップ
データＡ、Ｃの前処理後のデータの格納番地である、第
４図はアドレステーブルでチップデータＡ、Ｂ、Ｃの格
納番地を示す。各々のアドレス情報から格納場所がディ
スク装置かメモリパンク４かもわかるようになっている
。第４図（ａｌでは描画開始前のアドレステーブルを示
し、Ａ、Ｂ、Ｃのチップデータは全てディスク装置Ｃ；
格納されている。
於ける格納状態を示す。ＭＡ、 Ｍｅはそれぞれチップ
データＡ、Ｃの前処理後のデータの格納番地である、第
４図はアドレステーブルでチップデータＡ、Ｂ、Ｃの格
納番地を示す。各々のアドレス情報から格納場所がディ
スク装置かメモリパンク４かもわかるようになっている
。第４図（ａｌでは描画開始前のアドレステーブルを示
し、Ａ、Ｂ、Ｃのチップデータは全てディスク装置Ｃ；
格納されている。
第２図で１列上方から描画？始めて、最初のチップ人が
終了した時点でこのチップは２回以上描画されるため、
第３因（ｂｌで格納番地ＭＡから人の前処理済みデータ
が格納され、更に第４図（ｂｌのよう区二チップ人のア
ドレスデータがＬＡからＭＡに変わる。
終了した時点でこのチップは２回以上描画されるため、
第３因（ｂｌで格納番地ＭＡから人の前処理済みデータ
が格納され、更に第４図（ｂｌのよう区二チップ人のア
ドレスデータがＬＡからＭＡに変わる。
次いでテップＢの描画が終了しても、このチップは以後
描画１；使われることがないにめ、ｖＩ３゛図（ｂｌの
記憶状態も、第４図のアドレステーブルの内容も変化が
ない。３＃目のチップ人を描画するときは第４図（ｂ）
のアドレステーブルからアドレスデータＭＡが参照され
、これにより第１図のメモリパンク４から直接前処理済
みデータが描画回路５に読み出される。メモリパンク４
のアクセスタイムは描画速度に比べて２〜３倍速いため
、純粋に描画速度だけで描画時間が決まることになる。
描画１；使われることがないにめ、ｖＩ３゛図（ｂｌの
記憶状態も、第４図のアドレステーブルの内容も変化が
ない。３＃目のチップ人を描画するときは第４図（ｂ）
のアドレステーブルからアドレスデータＭＡが参照され
、これにより第１図のメモリパンク４から直接前処理済
みデータが描画回路５に読み出される。メモリパンク４
のアクセスタイムは描画速度に比べて２〜３倍速いため
、純粋に描画速度だけで描画時間が決まることになる。
このように描Ｉｉ！１１時間の数倍〜数１０倍かかつて
いた前処理 ′時間を各チン１１回考えれば良い。以
降チップＡの描画はこのよう（二行える、次に１列から
■列目へ折り返しに最初のテップＣを描画するとき、同
様に第３図（ｂｌのごとく格納番地Ｍｅから前処理デー
タが格納される。そして第４図（ｃｌのよう１ニチツプ
ＣのアドレスデータがＬｃからＭｃに書き換えられる。
いた前処理 ′時間を各チン１１回考えれば良い。以
降チップＡの描画はこのよう（二行える、次に１列から
■列目へ折り返しに最初のテップＣを描画するとき、同
様に第３図（ｂｌのごとく格納番地Ｍｅから前処理デー
タが格納される。そして第４図（ｃｌのよう１ニチツプ
ＣのアドレスデータがＬｃからＭｃに書き換えられる。
以後はチップＣもメモリパンク４から前処理後データが
読み出されて描画回路５に送られ、描画が行われる。
読み出されて描画回路５に送られ、描画が行われる。
以上の方法で平均的に従来の描画時間の１／３〜１１５
の時間で描画が行えに、 〔発明の他の実施例〕 本発明は第５図のごとく、メモリパンク全ディスク装置
に置き換えた変形応用例が考えられる。
の時間で描画が行えに、 〔発明の他の実施例〕 本発明は第５図のごとく、メモリパンク全ディスク装置
に置き換えた変形応用例が考えられる。
また効率は若干低下するがディスク装置を共用して、矩
形や台形データを格納するディスクに前処理済みデータ
を格納しても良い。
形や台形データを格納するディスクに前処理済みデータ
を格納しても良い。
第１区は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
実施例で描画するチップのレイアウトを示す説明図、第
３図はディスク装置とメモリノくンクに於けるデータの
記憶状態を示す説明図、ｆｆ１４図はアドレステーブル
！示す説明図、第５図は本発明の変形実施例を示す構成
図である。 （７３１７）弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第２図 第３図
実施例で描画するチップのレイアウトを示す説明図、第
３図はディスク装置とメモリノくンクに於けるデータの
記憶状態を示す説明図、ｆｆ１４図はアドレステーブル
！示す説明図、第５図は本発明の変形実施例を示す構成
図である。 （７３１７）弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第２図 第３図
Claims (1)
- ＣＡＤ等のＬＳＩパターン設計システムから出力された
パターンデータを予め矩形や台形等の比較的粗い図形に
分割してディスク等の記憶装置に格納し、描画時に該記
憶装置から読み出して描画に適した形に前処理を施し、
これを描画装置に送つて試料に対しＬＳＩのパターン描
画を行なう形式の荷電粒子ビーム描画装置に於いて、前
記試料の描画を行なう際、チップのレイアウト情報を予
めチェックし、２回以上描画に使うデータは最初に前処
理を施した後、描画装置に送るのと同時にこれを記憶装
置にも送つて格納し、２回目以降同じデータの描画を行
なう際は前処理済みデータを直接に前記記憶装置から読
み出し、前処理をスキップして描画する機能を持たせた
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164835A JPS6143419A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164835A JPS6143419A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143419A true JPS6143419A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15800831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164835A Pending JPS6143419A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133525A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59164835A patent/JPS6143419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133525A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
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