JPS5957433A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPS5957433A JPS5957433A JP57168187A JP16818782A JPS5957433A JP S5957433 A JPS5957433 A JP S5957433A JP 57168187 A JP57168187 A JP 57168187A JP 16818782 A JP16818782 A JP 16818782A JP S5957433 A JPS5957433 A JP S5957433A
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- absorber
- ray mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路製造のための微細、＋タン転
写技術であるＸ線無光技術のうち、＾コントラスト・高
傾斜角・高精度とサブミクロンの・９ノを有するＸ線マ
スクおよびその製造方法に関するものである。
写技術であるＸ線無光技術のうち、＾コントラスト・高
傾斜角・高精度とサブミクロンの・９ノを有するＸ線マ
スクおよびその製造方法に関するものである。
周知のとおり、Ｘ線露光は波長が４〜ＩＯＸの軟Ｘ線を
線源として用い、サブミクロンの微細ノくタンを転写す
る技術である。Ｘ線マスクは、軟Ｘ線を吸収する吸収体
バタンとそれを支えるＸ線マスク基板から成る。
線源として用い、サブミクロンの微細ノくタンを転写す
る技術である。Ｘ線マスクは、軟Ｘ線を吸収する吸収体
バタンとそれを支えるＸ線マスク基板から成る。
吸収体バタンの相質については、軟Ｘ線を良く吸収する
Ａｕが広汎に利用されてきた。吸収体にＡｕヲ用いる場
合、マスクコントラストとして１０ｄＢを得るには、Ａ
ｔ−ＫｔＸ＠ （８，３４＾）に対して、Ａｕの膜厚ｄ
＝０．５２μｍいまだ、Ｓｔ−にα線（７，１３人）に
対してはｄ≧０．６８μｍの厚さが必要となる。ノ（り
７幅が０５μｍの場合には、アスペクト比が１以上とな
る。一般に、Ａｕ吸収体バタンの形成には、Ｔ１１Ｔａ
＋ Ｃｒ ＋ Ｍｏ等の金属マスクを用いて、Ａｒ等
の不活性ガスのイオンでエツチングするイオンエツチン
グ法が採用されている。この場合には、エツチングされ
たＡｕ粒子がマスク側壁等に再付着することやＴｉ ＋
Ｔａ等のマスクのエツチングによる後退が大きいこと
などのために第１図に示すようにＡｕ吸収体２の断面の
傾斜角は７５°程度になる。このため、イオンエツチン
グ法によるバタン形成法では、サブミクロンＡｕ吸収体
の形成は困難であった。
Ａｕが広汎に利用されてきた。吸収体にＡｕヲ用いる場
合、マスクコントラストとして１０ｄＢを得るには、Ａ
ｔ−ＫｔＸ＠ （８，３４＾）に対して、Ａｕの膜厚ｄ
＝０．５２μｍいまだ、Ｓｔ−にα線（７，１３人）に
対してはｄ≧０．６８μｍの厚さが必要となる。ノ（り
７幅が０５μｍの場合には、アスペクト比が１以上とな
る。一般に、Ａｕ吸収体バタンの形成には、Ｔ１１Ｔａ
＋ Ｃｒ ＋ Ｍｏ等の金属マスクを用いて、Ａｒ等
の不活性ガスのイオンでエツチングするイオンエツチン
グ法が採用されている。この場合には、エツチングされ
たＡｕ粒子がマスク側壁等に再付着することやＴｉ ＋
Ｔａ等のマスクのエツチングによる後退が大きいこと
などのために第１図に示すようにＡｕ吸収体２の断面の
傾斜角は７５°程度になる。このため、イオンエツチン
グ法によるバタン形成法では、サブミクロンＡｕ吸収体
の形成は困難であった。
本発明は、Ｘ線マスク基板上にＲｅ膜を形成し、レジス
ト、５ｉ０２膜、耐ドライエツチ性の高い高分子膜等を
微細バタン形成のマスクとし、ＣＢｒＦ３ガスを用いる
反応性スパッタエツチングでＲｅ吸収体を形成するＸｌ
ｌ１！マスクの製造方法と、マスク基板上にＲｅ吸収体
、 ５ｉＯｚ／Ｒｅ吸収体または高分子／Ｒｅ吸収体が
あることを特徴とし、製造工程が少なく蓋産性の良い徽
細制楕度のＸ線マスクを提供することを目的とする。
ト、５ｉ０２膜、耐ドライエツチ性の高い高分子膜等を
微細バタン形成のマスクとし、ＣＢｒＦ３ガスを用いる
反応性スパッタエツチングでＲｅ吸収体を形成するＸｌ
ｌ１！マスクの製造方法と、マスク基板上にＲｅ吸収体
、 ５ｉＯｚ／Ｒｅ吸収体または高分子／Ｒｅ吸収体が
あることを特徴とし、製造工程が少なく蓋産性の良い徽
細制楕度のＸ線マスクを提供することを目的とする。
以下本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の製造工程図の１例であって、ｌはマス
ク基板、２ａはＲｅ吸収体となるＲｅ膜、５はウェハ、
６はレジスト膜である。
ク基板、２ａはＲｅ吸収体となるＲｅ膜、５はウェハ、
６はレジスト膜である。
具体的には、１ず、Ｓｉウェノ・５土にＸ線マスク基板
１を形成し、その上に吸収体となるＲｅ膜２ａを蒸着・
スパッタ・イオンブレーティング法のいずれかの方法で
、８０００Ｘ程度の厚さに形成する（］）。
１を形成し、その上に吸収体となるＲｅ膜２ａを蒸着・
スパッタ・イオンブレーティング法のいずれかの方法で
、８０００Ｘ程度の厚さに形成する（］）。
次に、このＲｅ膜２ａ８上にレジスト６をスピンコート
シ（２）、紫外線露光・電子線露光・イオンビーム露光
等で微細パタンを形成する（３）。続いて、このレジス
トの微細バタン６をマスクに、ＣＢｒＦ３ガスを用いる
反応性スパッタエツチングで吸収体となるＲｅ膜２ａを
エツチングし、Ｒｅ吸収体バタンを形成する（４）。最
後に、Ｓｉウェノ・５を所望の部分だけエツチングして
Ｘ線マスクとする（５）。
シ（２）、紫外線露光・電子線露光・イオンビーム露光
等で微細パタンを形成する（３）。続いて、このレジス
トの微細バタン６をマスクに、ＣＢｒＦ３ガスを用いる
反応性スパッタエツチングで吸収体となるＲｅ膜２ａを
エツチングし、Ｒｅ吸収体バタンを形成する（４）。最
後に、Ｓｉウェノ・５を所望の部分だけエツチングして
Ｘ線マスクとする（５）。
上記のＣＢｒＦ３を用いるエツチング工程において、エ
ツチングマスクとしてレジストバタンを用いたが第３図
に示すように、５ｉ０２膜４ａをまずレジストパタン６
を用いてＣ２Ｆ６ ＋ Ｃ４Ｆ８ ＊ ＣＦ４ ＋Ｈ２
等のガスで平行平板形エツチング装置等により反応性ス
パッタエツチングしく４）（５）、この５ｉ０２膜４ａ
の微細パタンをマスクに上記と同様の方法でＲｅ吸収体
２ａを形成することも可能である。
ツチングマスクとしてレジストバタンを用いたが第３図
に示すように、５ｉ０２膜４ａをまずレジストパタン６
を用いてＣ２Ｆ６ ＋ Ｃ４Ｆ８ ＊ ＣＦ４ ＋Ｈ２
等のガスで平行平板形エツチング装置等により反応性ス
パッタエツチングしく４）（５）、この５ｉ０２膜４ａ
の微細パタンをマスクに上記と同様の方法でＲｅ吸収体
２ａを形成することも可能である。
また、マスクのポジ・ネガ反転を行なうためには、第４
図に示すように、レジストバタン６上にＴ ｉ＋ Ｃｒ
７等の金槙膜を蒸着し、リフトオフを行ない、Ｔｉ膜
等の金属バタン７を形成しく５）、この金属パタンをマ
スクに０２ガスを用いる反応性スハンタエッチングによ
り、耐ドライエ、チ性に優れた高分子膜４ｂのバタンを
形成する（６）。この高分子膜バタン４ｂをエツチング
マスクに、第２図で示したと同様にＣＢｒＦ３ガスを用
いる反応性スバッタエソチノグでＲｅ吸収体２ａを形成
する（７）。この方法では、第２図で示す工程で得られ
るマスク吸収体バタンとポジ・ネガ反転したＸ線マスク
が得られる。
図に示すように、レジストバタン６上にＴ ｉ＋ Ｃｒ
７等の金槙膜を蒸着し、リフトオフを行ない、Ｔｉ膜
等の金属バタン７を形成しく５）、この金属パタンをマ
スクに０２ガスを用いる反応性スハンタエッチングによ
り、耐ドライエ、チ性に優れた高分子膜４ｂのバタンを
形成する（６）。この高分子膜バタン４ｂをエツチング
マスクに、第２図で示したと同様にＣＢｒＦ３ガスを用
いる反応性スバッタエソチノグでＲｅ吸収体２ａを形成
する（７）。この方法では、第２図で示す工程で得られ
るマスク吸収体バタンとポジ・ネガ反転したＸ線マスク
が得られる。
以上述べたように、本発明のマ、スク形成工程では、膜
形成後の主要工程にすべて反応性スパッタエツチングを
用いているため、従来のＡｕ膜のイオンエツチング法に
比べ、エツチング選択比が太き〈とれること、マスクの
後退によるバタン寸法のずれが小さいこと、被エツチン
グ拐が揮発性ガスの形で排気されて除去されるので、再
刊着が少ないことなどの点で従来のイオンエツチング法
と異なり、微細バタン形成が容易に行なえる。このため
、茜アスペクト比を有するザブミクロン吸収体バタンか
、寸法精朋良くかつ垂直なバタン側壁をもつ形状で形成
できる利点がある。
形成後の主要工程にすべて反応性スパッタエツチングを
用いているため、従来のＡｕ膜のイオンエツチング法に
比べ、エツチング選択比が太き〈とれること、マスクの
後退によるバタン寸法のずれが小さいこと、被エツチン
グ拐が揮発性ガスの形で排気されて除去されるので、再
刊着が少ないことなどの点で従来のイオンエツチング法
と異なり、微細バタン形成が容易に行なえる。このため
、茜アスペクト比を有するザブミクロン吸収体バタンか
、寸法精朋良くかつ垂直なバタン側壁をもつ形状で形成
できる利点がある。
さらに、第１図のイオンエツチングによるＡｕ吸収体の
場合に、マスク基板との利殖性を確保するため、下地膜
３を必要とした。この下地膜３がアライメントマークと
して使用されてきたが、非常に薄いため膜質にばらつき
を生じ易く、マークエツジの品質低下を招き、自動アラ
イメントを行なう場合のミスアライメントの原因となる
等問題となっていた。しかし、本方法の場合、付着性確
保のための下地膜３を必要とせず、Ｒｅのみで良いため
、品質が安定しており、自動アライメントが容易に行な
える。
場合に、マスク基板との利殖性を確保するため、下地膜
３を必要とした。この下地膜３がアライメントマークと
して使用されてきたが、非常に薄いため膜質にばらつき
を生じ易く、マークエツジの品質低下を招き、自動アラ
イメントを行なう場合のミスアライメントの原因となる
等問題となっていた。しかし、本方法の場合、付着性確
保のための下地膜３を必要とせず、Ｒｅのみで良いため
、品質が安定しており、自動アライメントが容易に行な
える。
本発明のマスク形成工程はドライ化されており、耐薬訂
性′Ｖｃ劣る高分子マスク基板等にも容易に適用できる
。
性′Ｖｃ劣る高分子マスク基板等にも容易に適用できる
。
第５図の１．２．３にＭｏ−ＬαＩＩＭ（５，４ｔ＾）
＋Ｓｌ−にα線げ、１３Ｘ） 、 ｈｔ−にα線（８３
４＾）を用いた場合のＲｅ吸収体のマスクコントラス）
（ａ） ヲ、Ａｕ ｅ酸体のマスクコノトラスト（ｂ
）と比較して示す。マスクコントラスト：１０ｄＢを得
るためには、いずれの場合もＲｅ膜厚を０．８μｍ程度
にすれば十分であることがわかる。また、第３図と第４
図で示した５ｉ０２／Ｒｅ吸収体と高分子膜／１Ｅｔｅ
吸収体の２層構造吸収体では、Ｒｅ膜で発生したオージ
ェ電子・光電子等が、５ＩＯ２膜または高分子膜で吸収
される効果があるため、実効的にマスクコントラストは
さらに向上するという利点がある。さらに、Ｒｅ吸収体
を用いることにより、Ａｕ吸収体に比べＸ線マスクを低
価格化できる。
＋Ｓｌ−にα線げ、１３Ｘ） 、 ｈｔ−にα線（８３
４＾）を用いた場合のＲｅ吸収体のマスクコントラス）
（ａ） ヲ、Ａｕ ｅ酸体のマスクコノトラスト（ｂ
）と比較して示す。マスクコントラスト：１０ｄＢを得
るためには、いずれの場合もＲｅ膜厚を０．８μｍ程度
にすれば十分であることがわかる。また、第３図と第４
図で示した５ｉ０２／Ｒｅ吸収体と高分子膜／１Ｅｔｅ
吸収体の２層構造吸収体では、Ｒｅ膜で発生したオージ
ェ電子・光電子等が、５ＩＯ２膜または高分子膜で吸収
される効果があるため、実効的にマスクコントラストは
さらに向上するという利点がある。さらに、Ｒｅ吸収体
を用いることにより、Ａｕ吸収体に比べＸ線マスクを低
価格化できる。
以上説明したように、本発明は、Ｒｅ吸収体を用イルコ
トニより、反応性スパッタエツチングが利用できること
から、微細パタ７が寸法精度良く、垂直なバタン側壁を
もつ形状に形成できる利点がある。１だ、工程がドライ
化しているため、マスク基板に耐薬品性の弱い畠分イ膜
が使用できることや欠陥高置の低減化が期待できる利点
がある。
トニより、反応性スパッタエツチングが利用できること
から、微細パタ７が寸法精度良く、垂直なバタン側壁を
もつ形状に形成できる利点がある。１だ、工程がドライ
化しているため、マスク基板に耐薬品性の弱い畠分イ膜
が使用できることや欠陥高置の低減化が期待できる利点
がある。
さ・ちに、従来のＡｕ吸収体と異なり、付着性確保のだ
めの薄い下地膜を必要としないため、アライメントマー
２品質が向上するという利点がある。吸収体拐料にＲ６
を用いることによ’Ｉ 、Ａｕ吸収体に比べ低価格でで
きる利点がある。また、５ｊ０２／Ｒｅ吸収体と高分子
膜／Ｒｅ吸収体から成るＸ線マスクでは、Ｒｅから発生
するオージェ電子・光電子等をＳｉ ０２膜・高分子膜
で吸収するため、実効的にマスクコントラストはさらに
向上するという利点がある。
めの薄い下地膜を必要としないため、アライメントマー
２品質が向上するという利点がある。吸収体拐料にＲ６
を用いることによ’Ｉ 、Ａｕ吸収体に比べ低価格でで
きる利点がある。また、５ｊ０２／Ｒｅ吸収体と高分子
膜／Ｒｅ吸収体から成るＸ線マスクでは、Ｒｅから発生
するオージェ電子・光電子等をＳｉ ０２膜・高分子膜
で吸収するため、実効的にマスクコントラストはさらに
向上するという利点がある。
第１図は従来のイオンエツチング法で形成したＡｕ吸収
体を有するＸ線マスクの断面図、第２図は本発明の製作
工程図、第３図は中間層に５ｉＯｚ膜を用いる場合の本
発明の製作工程図、第４図はＴ１等の金稙膜のリフトオ
フ法を用いてポジ・ネガ反転した場合の製作工程図、第
５−１図はＭｏ−Ｌα線（ｓ、４ｘｉ）での本発明とＡ
ｕ吸収体を用いた時のマスクコ／トラストの比較を示す
特性図、第５−２図はＳｉ−にα線（７，１３Ｘ）での
本発明とＡｕ吸収体を用いた時のマスクコントラスト比
較を示す特性図、第５−３図はＡＡ−にα線（８３４人
）での本発明とＡｕ吸収体を用いた時のマスクコントラ
スト比較を示す特性図である。 １・・・マスク基板、 ２・・・Ａｕ吸収体、２ａ・
・・Ｒｅ吸収体、 ３・・・Ａｕ吸収体の付着性向上
のだめの下地膜、 ４・・・イオンエツチング用マス
ク、４ａ・・・ＳｉＯ□膜、４ｂ・・・耐ドライエツチ
性の高い高分子膜、 ５・・・ウェハ、 ６・・・
レジス）Ｉｌｌ、７・・・Ｔ１等の金檎膜、 ａ・・
・Ｒｅ吸収体、 ｂ・・・Ａｌｌ吸収体。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 白水常雄 外１名 粥 １ 図 躬 ２ 又 暦３図 粥 ４ 目 扇５−１ 図 崩５−２図 膜 厚（、ＬＪｍ）
体を有するＸ線マスクの断面図、第２図は本発明の製作
工程図、第３図は中間層に５ｉＯｚ膜を用いる場合の本
発明の製作工程図、第４図はＴ１等の金稙膜のリフトオ
フ法を用いてポジ・ネガ反転した場合の製作工程図、第
５−１図はＭｏ−Ｌα線（ｓ、４ｘｉ）での本発明とＡ
ｕ吸収体を用いた時のマスクコ／トラストの比較を示す
特性図、第５−２図はＳｉ−にα線（７，１３Ｘ）での
本発明とＡｕ吸収体を用いた時のマスクコントラスト比
較を示す特性図、第５−３図はＡＡ−にα線（８３４人
）での本発明とＡｕ吸収体を用いた時のマスクコントラ
スト比較を示す特性図である。 １・・・マスク基板、 ２・・・Ａｕ吸収体、２ａ・
・・Ｒｅ吸収体、 ３・・・Ａｕ吸収体の付着性向上
のだめの下地膜、 ４・・・イオンエツチング用マス
ク、４ａ・・・ＳｉＯ□膜、４ｂ・・・耐ドライエツチ
性の高い高分子膜、 ５・・・ウェハ、 ６・・・
レジス）Ｉｌｌ、７・・・Ｔ１等の金檎膜、 ａ・・
・Ｒｅ吸収体、 ｂ・・・Ａｌｌ吸収体。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 白水常雄 外１名 粥 １ 図 躬 ２ 又 暦３図 粥 ４ 目 扇５−１ 図 崩５−２図 膜 厚（、ＬＪｍ）
Claims (5)
- （１）ＸＩｆ＃露光用マスクにおいて、Ｘ線マスク基板
上にＲｅ吸収体パタンか形成されていることを特徴とす
るＸ線マスク。 - （２）前記Ｒｅ膜の吸収体パタン上に５ｉ０２膜または
高分子膜があり、５ｉ０２膜または高分子膜とＲｅ吸収
体パタンの２層構造から成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のＸ線マスク。 - （３）Ｘ線マスク基板上に真空蒸着・スパッタ・イオン
ブレーティング法等の膜形成法により■ζｅ膜を形成し
、前記Ｒｅ膜上にレジストで微細パタンを形成し、この
レジストパタンをマスクとしてＣＢｒＦ３ガスによる反
応性スパッタエツチングでＲｅ吸収体パタンを形成する
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - （４）前記Ｒｅ膜上にスパッタ・プラズマＣＶＤ 法等
によす５ｉ０２膜を堆積し、この５ｉ０２膜をレジスト
パタンをマスクに平行平板形エツチング装置にフレオン
系ガスを導入し、５ｉ０２膜の微細パタンを形成し、つ
ぎにこの５１０２バタンをマスクトシてＲｅをＣＢｒＦ
ａガスによる反応性スパッタエツチングし、Ｒｅの吸収
体パタンを形成することを特徴とする特許請求のｌｌｌ
１λ囲第３項記載のＸ線マスクの製造方法。 - （５）前記Ｒｅ膜上に耐ドライエツチ性に優れた高分子
膜をスピンコードしその烏分子膜上に微細なレジストパ
タンを形成し、このレジストパタン上にＴｉ 、 Ｃｒ
等を蒸着し、さらにリフトオンすることによりＴｉ膜等
から成る金属パタンを形成し、つぎに、とのＴｉ等の金
属パタンをマスクに０２ガスによる反応性スパッタエツ
チングし上記の耐ドライエツチ性に優れた高分子膜のパ
タンを形成し、つづいてこの＾分子膜バタンをマスクに
ＲｅをＣＢｒＦ３ガスによる反応性スパッタエツチング
し前記Ｒｅの吸収体パタンを形成することを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168187A JPS5957433A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168187A JPS5957433A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957433A true JPS5957433A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0115136B2 JPH0115136B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=15863391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168187A Granted JPS5957433A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957433A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279069U (ja) * | 1975-12-09 | 1977-06-13 | ||
| JPS52139375A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-21 | Toshiba Corp | Mask for x-ray exposure |
| JPS5347663A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | Hall indicator system for elevator |
| JPS5616137A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57168187A patent/JPS5957433A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279069U (ja) * | 1975-12-09 | 1977-06-13 | ||
| JPS52139375A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-21 | Toshiba Corp | Mask for x-ray exposure |
| JPS5347663A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | Hall indicator system for elevator |
| JPS5616137A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0115136B2 (ja) | 1989-03-15 |
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