JPS6146821B2 - - Google Patents
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- JPS6146821B2 JPS6146821B2 JP55180409A JP18040980A JPS6146821B2 JP S6146821 B2 JPS6146821 B2 JP S6146821B2 JP 55180409 A JP55180409 A JP 55180409A JP 18040980 A JP18040980 A JP 18040980A JP S6146821 B2 JPS6146821 B2 JP S6146821B2
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- JP
- Japan
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- film
- chromium
- layer
- chromium oxide
- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
- Y10T428/24868—Translucent outer layer
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- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子、IC、LSI等の製造に用い
られるフオトマスク及びフオトマスク基板に関す
る。
られるフオトマスク及びフオトマスク基板に関す
る。
きわめて微細な回路画像等を精度よく、繰り返
し、半導体等のウエハー上に焼き付けるための原
版であるフオトマスクとしては、安価な高解像力
乾板を用いるエマルジヨンマスクの他、耐久性に
すぐれたハードマスクとしてクロムマスク、片面
低反射クロムマスク、両面低反射クロムマスク、
シリコンマスク等がある。
し、半導体等のウエハー上に焼き付けるための原
版であるフオトマスクとしては、安価な高解像力
乾板を用いるエマルジヨンマスクの他、耐久性に
すぐれたハードマスクとしてクロムマスク、片面
低反射クロムマスク、両面低反射クロムマスク、
シリコンマスク等がある。
一般に、高精度用としては、解像力にすぐれた
ハードマスクが用いられているが、この中で、単
層のクロムマスクは表面反射率が高いため、マス
ク、ウエハー間で多重反射を生じ易く、これを防
ぐために、表面に酸化クロムからなる反射防止層
を設けた片面低反射クロムマスクが、さらに、オ
ートマスクアライナーの作動のためには裏面にも
反射防止層を設けた両面低反射クロムマスクが多
層構造マスクとして実用されている。
ハードマスクが用いられているが、この中で、単
層のクロムマスクは表面反射率が高いため、マス
ク、ウエハー間で多重反射を生じ易く、これを防
ぐために、表面に酸化クロムからなる反射防止層
を設けた片面低反射クロムマスクが、さらに、オ
ートマスクアライナーの作動のためには裏面にも
反射防止層を設けた両面低反射クロムマスクが多
層構造マスクとして実用されている。
ところで、この多層構造マスクは、上記のよう
に、ウエハー上へのパターン焼付けに際して露光
ラチチユードが広いこと、カスパー社タイプのオ
ートアライナーを作動させうることなどの利用が
ある反面、それ自身、マスクとしての画像形成時
に、単層型のクロムマスクに比較して、画像品質
や耐久性にすぐれたものを作成し難いという欠点
を有している。
に、ウエハー上へのパターン焼付けに際して露光
ラチチユードが広いこと、カスパー社タイプのオ
ートアライナーを作動させうることなどの利用が
ある反面、それ自身、マスクとしての画像形成時
に、単層型のクロムマスクに比較して、画像品質
や耐久性にすぐれたものを作成し難いという欠点
を有している。
この問題は、具体的には、その多層構造の遮光
層を周知のフオトリングラフイー・プロセスによ
りエツチングしてパターン化するに際して、クロ
ム層とその上面もしくは下面に積層された酸化ク
ロム層とのエツチング速度が異なることに起因す
るものである。通常の場合、酸化クロム層のエツ
チング速度がクロム層に比して数倍遅い。このた
め、２層構造の片面低反射クロムマスク及び３層
構造両面低反射クロムマスクの場合、第１図にそ
れぞれａ，ｂで示すように、最上部の酸化クロム
層１より、その下層のクロム層２の方がエツチ速
度が早いため、クロム層２のアンダーカツト量が
大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ画像
周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じること
になる。同時において、３は透明基板である。
層を周知のフオトリングラフイー・プロセスによ
りエツチングしてパターン化するに際して、クロ
ム層とその上面もしくは下面に積層された酸化ク
ロム層とのエツチング速度が異なることに起因す
るものである。通常の場合、酸化クロム層のエツ
チング速度がクロム層に比して数倍遅い。このた
め、２層構造の片面低反射クロムマスク及び３層
構造両面低反射クロムマスクの場合、第１図にそ
れぞれａ，ｂで示すように、最上部の酸化クロム
層１より、その下層のクロム層２の方がエツチ速
度が早いため、クロム層２のアンダーカツト量が
大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ画像
周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じること
になる。同時において、３は透明基板である。
一方、エツチング速度が膜の途中で大きく変化
するため、膜全体が不均一にエツチングされ易く
なり、このため、画像のシヤープさが損われ、例
えば、第２図に示すように、平面画像４にびりつ
きや虫くい状のエツジを生じ易い。また、パター
ン周囲にひさしを生じることが大きな問題である
理由は、このひさしが厚さ数百Åの膜としてパタ
ーンエツジにつき出ているため非常にもろく、か
け易いことにある。実際には、マスク製造時ある
いは使用時の各種洗浄プロセス、転写時のレジス
ト面との密着剥離時にかけを生じ、画像周囲に不
連続なびりつきや虫くい状のエツジを生じさせる
ことにもなる。
するため、膜全体が不均一にエツチングされ易く
なり、このため、画像のシヤープさが損われ、例
えば、第２図に示すように、平面画像４にびりつ
きや虫くい状のエツジを生じ易い。また、パター
ン周囲にひさしを生じることが大きな問題である
理由は、このひさしが厚さ数百Åの膜としてパタ
ーンエツジにつき出ているため非常にもろく、か
け易いことにある。実際には、マスク製造時ある
いは使用時の各種洗浄プロセス、転写時のレジス
ト面との密着剥離時にかけを生じ、画像周囲に不
連続なびりつきや虫くい状のエツジを生じさせる
ことにもなる。
上記の現象は本来の高精度転写の用途に反する
ものであり、とくに、超LSI等高度な半導体デバ
イスの製造に用いることは困難である。一方、マ
スクパターン周囲にひさしを生じることは、微視
的には画像エツジの光学的濃度勾配がゆるやかに
なることも意味し、転写時の寸法値が露光条件の
影響を受け易く、精度が低下する原因ともなる。
ものであり、とくに、超LSI等高度な半導体デバ
イスの製造に用いることは困難である。一方、マ
スクパターン周囲にひさしを生じることは、微視
的には画像エツジの光学的濃度勾配がゆるやかに
なることも意味し、転写時の寸法値が露光条件の
影響を受け易く、精度が低下する原因ともなる。
これらの問題を解決するために通常行なわれて
いる方法はクロム膜、酸化クロム膜の各膜の成膜
方法を根本的に異なる方法とすることであり、例
えば、下層のクロム膜をスパツタリング法で形成
し、上層の酸化クロム膜を真空蒸着で形成すると
いう方法である。これはスパツタリング法で形成
された酸化クロム膜に比し、真空蒸着で得られる
酸化クロム層の方がエツチング速度が早く、スパ
ツタリング法によるクロム膜のエツチング速度に
近いためである。このエツチング速度に差が生じ
る理由は不明であるが、一般に、スパツタリング
膜の方が膜が緻密であるのに対し、蒸着膜は疎で
あり、かつ、酸化度の低い膜が得やすいことによ
ると思われる。
いる方法はクロム膜、酸化クロム膜の各膜の成膜
方法を根本的に異なる方法とすることであり、例
えば、下層のクロム膜をスパツタリング法で形成
し、上層の酸化クロム膜を真空蒸着で形成すると
いう方法である。これはスパツタリング法で形成
された酸化クロム膜に比し、真空蒸着で得られる
酸化クロム層の方がエツチング速度が早く、スパ
ツタリング法によるクロム膜のエツチング速度に
近いためである。このエツチング速度に差が生じ
る理由は不明であるが、一般に、スパツタリング
膜の方が膜が緻密であるのに対し、蒸着膜は疎で
あり、かつ、酸化度の低い膜が得やすいことによ
ると思われる。
この方法によらず、通常のスパツタリング法の
み、又は、蒸着法のみで、クロム層と酸化クロム
層を積層すると、前述のように相対的に酸化クロ
ム層の方がクロム層よりエツチング速度が遅いた
め、ひさしやびりつきを発生させることになる。
上述のスパツタリング法と真空蒸着法の組合せに
よる重大な欠点は、第１に、スパツタリング膜を
成膜後、一たん真空外に取り出してから、再度、
真空蒸着装置中で蒸着膜の積層を行なうという工
程のために著しく生産性が悪い点である。さらに
品質面でも、大気に一度さらされたクロム膜上に
再度酸化膜形成を行なうことから、酸化膜の膜特
性の再現性が悪くなること、下層のクロム膜を形
成後、装置の真空を大気圧に戻す際にゴミを吸い
込み、クロム膜に付着させる確率が高く、上層の
酸化クロム膜にピンホールを生じ易いこと、ま
た、このため途中に洗浄工程を入れると、工程が
増加すると共に洗浄に伴う品質の不安定要素が増
すことなどの問題がある。
み、又は、蒸着法のみで、クロム層と酸化クロム
層を積層すると、前述のように相対的に酸化クロ
ム層の方がクロム層よりエツチング速度が遅いた
め、ひさしやびりつきを発生させることになる。
上述のスパツタリング法と真空蒸着法の組合せに
よる重大な欠点は、第１に、スパツタリング膜を
成膜後、一たん真空外に取り出してから、再度、
真空蒸着装置中で蒸着膜の積層を行なうという工
程のために著しく生産性が悪い点である。さらに
品質面でも、大気に一度さらされたクロム膜上に
再度酸化膜形成を行なうことから、酸化膜の膜特
性の再現性が悪くなること、下層のクロム膜を形
成後、装置の真空を大気圧に戻す際にゴミを吸い
込み、クロム膜に付着させる確率が高く、上層の
酸化クロム膜にピンホールを生じ易いこと、ま
た、このため途中に洗浄工程を入れると、工程が
増加すると共に洗浄に伴う品質の不安定要素が増
すことなどの問題がある。
当然、スパツタリング、真空蒸着等それぞれに
よる成膜条件を変化させることで、ある程度膜の
密度や酸化度を変化させ、それによつてある程度
膜のエツチング速度を変えることも可能である
が、その範囲はごく狭いものであり、また、著し
い条件の変化は、膜強度、耐薬品性等のフオトマ
スクとしての基本的な特性を損うこととなるか、
あるいは生産性を著しく低下させることになる。
例えば、酸化クロム膜の形成をスパツタリング法
で行なう場合に、雰囲気の酸素分圧をコントロー
ルして酸化度の低い酸化クロム膜を形成すれば、
エツチング速度もよりクロム膜に近いものが得ら
れる。しかし、この中間酸化状態の膜の形成はス
パツタリング条件の制御が非常に困難であり、再
現性に乏しい。また、酸化度が低すぎると屈折率
が高くなり、本来の反射防止の効果も損われてし
まう。上記中間酸化状態の膜の形成は反応性蒸着
の場合はさらに制御が困難である。
よる成膜条件を変化させることで、ある程度膜の
密度や酸化度を変化させ、それによつてある程度
膜のエツチング速度を変えることも可能である
が、その範囲はごく狭いものであり、また、著し
い条件の変化は、膜強度、耐薬品性等のフオトマ
スクとしての基本的な特性を損うこととなるか、
あるいは生産性を著しく低下させることになる。
例えば、酸化クロム膜の形成をスパツタリング法
で行なう場合に、雰囲気の酸素分圧をコントロー
ルして酸化度の低い酸化クロム膜を形成すれば、
エツチング速度もよりクロム膜に近いものが得ら
れる。しかし、この中間酸化状態の膜の形成はス
パツタリング条件の制御が非常に困難であり、再
現性に乏しい。また、酸化度が低すぎると屈折率
が高くなり、本来の反射防止の効果も損われてし
まう。上記中間酸化状態の膜の形成は反応性蒸着
の場合はさらに制御が困難である。
本発明者は、以上のような従来技術における問
題点を解決するため、反射防止層としての酸化ク
ロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わ
ない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロ
ム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層として
クロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決す
ることができ、著しく優れた特性と高い生産性の
マスクが得られることを見出し、本発明に到達し
たものである。
題点を解決するため、反射防止層としての酸化ク
ロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わ
ない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロ
ム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層として
クロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決す
ることができ、著しく優れた特性と高い生産性の
マスクが得られることを見出し、本発明に到達し
たものである。
その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆
にエツチング速度がクロム膜に対して早いためで
あり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に
変化させることによつて、かなり広い範囲にエツ
チング速度を制御することが可能となることによ
るものである。
にエツチング速度がクロム膜に対して早いためで
あり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に
変化させることによつて、かなり広い範囲にエツ
チング速度を制御することが可能となることによ
るものである。
この酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜は、
耐薬品性、光学特性共に従来用いられている酸化
クロム膜とほとんど同一であり、かつ、前記のよ
うな問題点がなく、耐久性にすぐれた高精度の画
像を実現することができる。
耐薬品性、光学特性共に従来用いられている酸化
クロム膜とほとんど同一であり、かつ、前記のよ
うな問題点がなく、耐久性にすぐれた高精度の画
像を実現することができる。
このように本発明のフオトマスク基板は、遮光
層としてのクロム膜からなる層に、反射防止層と
しての酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜が積
層された構造を有することを特徴とするものであ
る。
層としてのクロム膜からなる層に、反射防止層と
しての酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜が積
層された構造を有することを特徴とするものであ
る。
また、本発明のフオトマスクは透明基板上の上
記積層膜がパターン化されて設けられていること
を特徴とする。
記積層膜がパターン化されて設けられていること
を特徴とする。
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
第３図ａは、本発明による片面低反射クロムマ
スクの断面構造を示す概略図である。表面平滑な
ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、石
英ガラス、サフアイア等からなる透明基板６上に
遮光層７として、通常、膜厚500〜1000Åの酸化
クロム膜を設け、その上に反射防止層として、通
常、膜厚200〜400Åの酸化クロムと窒化クロムの
混合組成膜を設け、この積層膜をパターン化した
ものである。
スクの断面構造を示す概略図である。表面平滑な
ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、石
英ガラス、サフアイア等からなる透明基板６上に
遮光層７として、通常、膜厚500〜1000Åの酸化
クロム膜を設け、その上に反射防止層として、通
常、膜厚200〜400Åの酸化クロムと窒化クロムの
混合組成膜を設け、この積層膜をパターン化した
ものである。
第３図ｂは、本発明による両面低反射クロムマ
スクの断面構造を示す概略図である。上記と同様
な透明基板６上にまず、通常、膜厚300〜400Åの
酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜８を設け、
ついで、その上に膜厚400〜1000Åのクロム膜７
を設け、さらに、その上に再度、同じ膜厚の酸化
クロムと窒化クロムの混合組成膜８を設け、この
積層膜をパターン化したものである。
スクの断面構造を示す概略図である。上記と同様
な透明基板６上にまず、通常、膜厚300〜400Åの
酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜８を設け、
ついで、その上に膜厚400〜1000Åのクロム膜７
を設け、さらに、その上に再度、同じ膜厚の酸化
クロムと窒化クロムの混合組成膜８を設け、この
積層膜をパターン化したものである。
混合組成膜の組成比は膜の作成条件にもよる
が、同膜をCrxNyOzと表現した場合、通常、ｘ＝
１，ｙ＝0.1〜0.3，ｚ＝0.8〜1.4の範囲が適当で
ある。実際には、膜の作成装置、作成条件に合わ
せて各膜のエツチング速度を一致させる最適ｘ，
ｙ，ｚの値を選択する必要がある。上記膜の作成
方法は、CrxNyOzの組成のターゲツトを用いるス
パツタリング法、N2ガス，O2ガス雰囲気を用い
る反応性スパツタリング法、CrxNyOz試料を用い
た真空蒸着法、N2ガス、O2ガス雰囲気を用いた
反応性蒸着法等を適用することが可能であり、そ
れぞれ最適のｘ，ｙ，ｚ値を選択することによつ
て、同一方法で、一度も大気中に取り出すことな
く、多種マスクブランクの作製が可能となる。
が、同膜をCrxNyOzと表現した場合、通常、ｘ＝
１，ｙ＝0.1〜0.3，ｚ＝0.8〜1.4の範囲が適当で
ある。実際には、膜の作成装置、作成条件に合わ
せて各膜のエツチング速度を一致させる最適ｘ，
ｙ，ｚの値を選択する必要がある。上記膜の作成
方法は、CrxNyOzの組成のターゲツトを用いるス
パツタリング法、N2ガス，O2ガス雰囲気を用い
る反応性スパツタリング法、CrxNyOz試料を用い
た真空蒸着法、N2ガス、O2ガス雰囲気を用いた
反応性蒸着法等を適用することが可能であり、そ
れぞれ最適のｘ，ｙ，ｚ値を選択することによつ
て、同一方法で、一度も大気中に取り出すことな
く、多種マスクブランクの作製が可能となる。
パターン作製方法は通常のフオトリングフイー
もしくは電子ビームリングラフイーと同一処理で
あり、前者の方法では、過塩素酸の硝酸第２セリ
ウムアンモニウム系、その他の一般的なクロムエ
ツチング液でエツチングを行えば、前述のような
ひさしやびりつき、かけ等を生じることがなく、
耐久性にすぐれた、シヤープな高精度マスクを得
ることができる。さらに得られたマスクは超音波
洗浄や回転ブラシによるスクラバー洗浄、高圧水
洗浄を施しても、画像品質に何の変化もなく、ま
た、ウエハーへの転写を繰り返しても画像エツジ
の損傷はみられない。
もしくは電子ビームリングラフイーと同一処理で
あり、前者の方法では、過塩素酸の硝酸第２セリ
ウムアンモニウム系、その他の一般的なクロムエ
ツチング液でエツチングを行えば、前述のような
ひさしやびりつき、かけ等を生じることがなく、
耐久性にすぐれた、シヤープな高精度マスクを得
ることができる。さらに得られたマスクは超音波
洗浄や回転ブラシによるスクラバー洗浄、高圧水
洗浄を施しても、画像品質に何の変化もなく、ま
た、ウエハーへの転写を繰り返しても画像エツジ
の損傷はみられない。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 １
表面を十分平滑に研磨されたソーダライムガラ
ス基板上にアルゴンガスとクロムターゲツトを用
いた不活性スパツタリング法によりクロム層をま
ず厚さ500Åに成膜し、ついで、同じアルゴンガ
スと酸化クロム、窒化クロム混合組成ターゲツト
を用いて、酸化クロム、窒化クロム混合組成膜を
厚さ300Åにスパツタリングによつて積層し、片
面低反射クロムマスクブランクを得た。
ス基板上にアルゴンガスとクロムターゲツトを用
いた不活性スパツタリング法によりクロム層をま
ず厚さ500Åに成膜し、ついで、同じアルゴンガ
スと酸化クロム、窒化クロム混合組成ターゲツト
を用いて、酸化クロム、窒化クロム混合組成膜を
厚さ300Åにスパツタリングによつて積層し、片
面低反射クロムマスクブランクを得た。
第１層クロム膜の成膜時のガス圧は１×
10-2Torr，基板―ターゲツト間距離は５cm、ス
パツタリング速度は100Å／minであつた。
10-2Torr，基板―ターゲツト間距離は５cm、ス
パツタリング速度は100Å／minであつた。
また、第２層混合組成膜の成膜時のガス圧は同
じく１×10-2Torr、基板―ターゲツト間距離は
５cm、ターゲツト組成はCrxNyOzでｘ：ｙ：ｚ＝
１：0.3：1.3、スパツタリング速度は40Å／min
であつた。
じく１×10-2Torr、基板―ターゲツト間距離は
５cm、ターゲツト組成はCrxNyOzでｘ：ｙ：ｚ＝
１：0.3：1.3、スパツタリング速度は40Å／min
であつた。
得られたマスクブランクを周知のフオトリング
ラフイー・プロセスにより製版し、最小線幅1.0
μｍからなる非常にシヤープな画像を得た。フオ
トリングラフイー・プロセスに用いたフオトレジ
ストはAZ―1350（シツプレー社製）で、膜厚は
0.5μｍであり、クロム膜、混合組成膜のエツチ
ング液は、 （NH4）2Ce（NO3）6：硝酸第二セリウムアンモ
ニウム 165ｇ HClO4：過塩素酸 43c.c. H2O：脱イオン水 1000c.c. からなる液で、液温は20℃とし、エツチング時間
は40秒であつた。
ラフイー・プロセスにより製版し、最小線幅1.0
μｍからなる非常にシヤープな画像を得た。フオ
トリングラフイー・プロセスに用いたフオトレジ
ストはAZ―1350（シツプレー社製）で、膜厚は
0.5μｍであり、クロム膜、混合組成膜のエツチ
ング液は、 （NH4）2Ce（NO3）6：硝酸第二セリウムアンモ
ニウム 165ｇ HClO4：過塩素酸 43c.c. H2O：脱イオン水 1000c.c. からなる液で、液温は20℃とし、エツチング時間
は40秒であつた。
このようにして得られたフオトマスクをウルト
ラテツク社製プレートクリーナーにより高圧水洗
浄を行なつたが、画像品質に何らの変化もみられ
なかつた。このときの水圧は2000psi、洗浄時間
は２分であつた。
ラテツク社製プレートクリーナーにより高圧水洗
浄を行なつたが、画像品質に何らの変化もみられ
なかつた。このときの水圧は2000psi、洗浄時間
は２分であつた。
実施例 ２
表面を十分に研磨された石英ガラス基板上にア
ルゴンガスと酸化クロム、窒化クロム混合組成タ
ーゲツトを用いた不活性スパツタリング法により
酸化クロム、窒化クロム混合組成膜をまず厚さ
400Åに設ける。ついで、アルゴンガスとクロム
ターゲツトを用いた不活性スパツタリング法によ
りクロム膜を厚さ500Åに積層し、さらに、その
上に第１層と同一の方法により酸化クロム、窒化
クロム混合組成膜を厚さ300Å設け、両面低反射
クロムマスクブラツクを得た。
ルゴンガスと酸化クロム、窒化クロム混合組成タ
ーゲツトを用いた不活性スパツタリング法により
酸化クロム、窒化クロム混合組成膜をまず厚さ
400Åに設ける。ついで、アルゴンガスとクロム
ターゲツトを用いた不活性スパツタリング法によ
りクロム膜を厚さ500Åに積層し、さらに、その
上に第１層と同一の方法により酸化クロム、窒化
クロム混合組成膜を厚さ300Å設け、両面低反射
クロムマスクブラツクを得た。
第１層、第３層の混合組成膜の成膜時のアルゴ
ンガス圧は２×10-2Torr、基板―ターゲツト間
距離は５cm、スパツタリング速度は70Å／min、
ターゲツトの組成はCrxNyOzとしてｘ：ｙ：ｚ＝
１：0.2：1.2であつた。
ンガス圧は２×10-2Torr、基板―ターゲツト間
距離は５cm、スパツタリング速度は70Å／min、
ターゲツトの組成はCrxNyOzとしてｘ：ｙ：ｚ＝
１：0.2：1.2であつた。
また、第２層Cr膜の成膜時のアルゴンガス圧
は８×10-3Torr、基板―ターゲツト間距離は５
cm、スパツタリング速度は120Å／minであつ
た。
は８×10-3Torr、基板―ターゲツト間距離は５
cm、スパツタリング速度は120Å／minであつ
た。
このようにして得られたマスクブランクの表面
反射率は、Hg―ｇ線で５％、裏面反射率はHg―
ｅ線で10％であつた。
反射率は、Hg―ｇ線で５％、裏面反射率はHg―
ｅ線で10％であつた。
ついで、実施例１と同様の製版法により、最小
線幅0.8μｍからなる非常にシヤープな画像を有
するフオトマスクが得られた。このフオトマスク
は300Wの超音波水洗を10分間、さらに、実施例
１と同様な高圧水洗プロセスを施したが、画像品
質に何の異常もみられず、ウエハー上に繰返し、
高精度な画像を転写することができた。
線幅0.8μｍからなる非常にシヤープな画像を有
するフオトマスクが得られた。このフオトマスク
は300Wの超音波水洗を10分間、さらに、実施例
１と同様な高圧水洗プロセスを施したが、画像品
質に何の異常もみられず、ウエハー上に繰返し、
高精度な画像を転写することができた。
以上説明したところから明らかなように、本発
明によれば、従来のものに比べ、耐久性にすぐ
れ、高精度な画像形成が可能なフオトマスクを得
ることができる。
明によれば、従来のものに比べ、耐久性にすぐ
れ、高精度な画像形成が可能なフオトマスクを得
ることができる。
第１図は従来の多層構造フオトマスクの部分断
面概略図、第２図は従来の多層構造フオトマスク
の画像エツジの形成を示す平面図、第３図は本発
明の多層構造フオトマスクの部分断面概略図であ
る。 ６…透明基板、７…クロム膜、８…酸化クロム
膜。
面概略図、第２図は従来の多層構造フオトマスク
の画像エツジの形成を示す平面図、第３図は本発
明の多層構造フオトマスクの部分断面概略図であ
る。 ６…透明基板、７…クロム膜、８…酸化クロム
膜。
Claims (1)
- １ 透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その
上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を
主成分としてなる薄膜層とからなる多層遮光膜を
設けてなることを特徴とするフオトマスク基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18040980A JPS57104141A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photomask and photomask substrate |
| DE8181109440T DE3170637D1 (en) | 1980-12-22 | 1981-10-30 | Photomask and photomask blank |
| EP81109440A EP0054736B1 (en) | 1980-12-22 | 1981-10-30 | Photomask and photomask blank |
| US06/317,343 US4363846A (en) | 1980-12-22 | 1981-11-02 | Photomask and photomask blank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18040980A JPS57104141A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photomask and photomask substrate |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62201763A Division JPS6352142A (ja) | 1987-08-14 | 1987-08-14 | フオトマスク |
| JP62201762A Division JPS6352141A (ja) | 1987-08-14 | 1987-08-14 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57104141A JPS57104141A (en) | 1982-06-29 |
| JPS6146821B2 true JPS6146821B2 (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=16082737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18040980A Granted JPS57104141A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photomask and photomask substrate |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4363846A (ja) |
| JP (1) | JPS57104141A (ja) |
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| EP1241524A2 (en) | 2001-02-13 | 2002-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
| US6727027B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-04-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US20220317554A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, method for producing photomask, and photomask |
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| US4657648A (en) * | 1981-03-17 | 1987-04-14 | Osamu Nagarekawa | Method of manufacturing a mask blank including a modified chromium compound |
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| JPS60154254A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
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| JPS57104141A (en) | 1982-06-29 |
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