JPS5957954A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS5957954A JPS5957954A JP57167821A JP16782182A JPS5957954A JP S5957954 A JPS5957954 A JP S5957954A JP 57167821 A JP57167821 A JP 57167821A JP 16782182 A JP16782182 A JP 16782182A JP S5957954 A JPS5957954 A JP S5957954A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に１０００°Ｃ以下の低温で
焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗
が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関するも
のである。
焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗
が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関するも
のである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉ０３ ）’ｅ主成分とする磁器が広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら、チタ
ン酸バリウム（Ｂａ’ｌ”ｉｏｓ ） ｋ主成分とする
ものは、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用する場合
には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例え
ば白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなけれ
ばならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積
層形コンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなど
を主成分とする安価な金属が内部電極に使用できるよう
な、できるだけ低温、特に１０００°Ｃ以下で焼結でき
る磁器が必要である。
ａＴｉ０３ ）’ｅ主成分とする磁器が広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら、チタ
ン酸バリウム（Ｂａ’ｌ”ｉｏｓ ） ｋ主成分とする
ものは、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用する場合
には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例え
ば白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなけれ
ばならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積
層形コンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなど
を主成分とする安価な金属が内部電極に使用できるよう
な、できるだけ低温、特に１０００°Ｃ以下で焼結でき
る磁器が必要である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加ワリ、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したシすることがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれ′の場合もコンデンサ全形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させること
は実用上極めて重要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加ワリ、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したシすることがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれ′の場合もコンデンサ全形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させること
は実用上極めて重要なことである。
本発明の目的は９００〜１０００°Ｃの低温領域で焼結
でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高
い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信
頼性の高い磁器組成物を提供することにある。
でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高
い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信
頼性の高い磁器組成物を提供することにある。
本発明の磁器組成物は、ニッケル・タングステン酸鉛（
Ｐｂ（Ｎｉ Ｗ ）０ ） とチタン酸鉛
１／２ １／２ ３ （ＰｂＴｉＯ３）を主成分としくｐｂ（Ｎｉ□／２Ｗ□
／２）０３〕８〔ＰｂＴｉＯ３〕□−８と表わしたとき
の主成分配合比Ｘが０．３０≦Ｘ≦０．６０ の範囲内
にある主成分組成物に、副成分としてニオブ（Ｎ ｂ）
、タンタル（Ｔａ）およびアンチモン（Ｓｂ）の中か
ら選んだ少なくとも一種以上の元素全前記主成分組成物
に対して０．０２〜２原子メチ添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする。
Ｐｂ（Ｎｉ Ｗ ）０ ） とチタン酸鉛
１／２ １／２ ３ （ＰｂＴｉＯ３）を主成分としくｐｂ（Ｎｉ□／２Ｗ□
／２）０３〕８〔ＰｂＴｉＯ３〕□−８と表わしたとき
の主成分配合比Ｘが０．３０≦Ｘ≦０．６０ の範囲内
にある主成分組成物に、副成分としてニオブ（Ｎ ｂ）
、タンタル（Ｔａ）およびアンチモン（Ｓｂ）の中か
ら選んだ少なくとも一種以上の元素全前記主成分組成物
に対して０．０２〜２原子メチ添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする。
以下、本発明をその実施例によフ詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＱ）
。
。
酸化ニッケルｃＮ；ｏ）、ｅ化タングステン（ＷＯ３）
。
。
酸化チタン（Ｔ ｉ０２ ） ＊酸化ニオブ（Ｎｂ２０
！ ）、酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）および酸化アン
チモン（５ｂ２０３）ヲ使用し、 第１図に示した配合
比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料をボ
ールミル中で湿式混合した後、７５０〜８００°０で予
焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、ロ別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後ブレスし。
！ ）、酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）および酸化アン
チモン（５ｂ２０３）ヲ使用し、 第１図に示した配合
比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料をボ
ールミル中で湿式混合した後、７５０〜８００°０で予
焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、ロ別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後ブレスし。
直径１５ｍｍ、厚さ約２ｍｍ の円板４枚と、直径１６
ｍｍ、厚さ約ＩＱｍｍ の円柱全作製した。次に空気中
９００〜１０００υの温度で１時間焼結した。焼結した
円板４枚の上下面に６００ ”Ｏで銀電極全焼付け、デ
ジタルＬＣ几メーターで周波数Ｉ ＫＨｚ 、 電圧Ｉ
Ｖｒ、ｍ、ｓ 温度２０℃で容量と誘電損失を測定し、
誘電率全算出した。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を
１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗
全算出した。機械的性質を抗折強度で評価するため、焼
結した円柱から厚さＱ、 ５ ｍｒｎ。
ｍｍ、厚さ約ＩＱｍｍ の円柱全作製した。次に空気中
９００〜１０００υの温度で１時間焼結した。焼結した
円板４枚の上下面に６００ ”Ｏで銀電極全焼付け、デ
ジタルＬＣ几メーターで周波数Ｉ ＫＨｚ 、 電圧Ｉ
Ｖｒ、ｍ、ｓ 温度２０℃で容量と誘電損失を測定し、
誘電率全算出した。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を
１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗
全算出した。機械的性質を抗折強度で評価するため、焼
結した円柱から厚さＱ、 ５ ｍｒｎ。
幅２ｍｍ、長さ１３ｍｍの矩形板を１０枚切り出した。
に従い、抵抗強度τ（Ｋｇ／ｃｍ ）ｋ求めた。ただし
えは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅である
。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩形
板試料１０点の平均値よフ求めた。
えは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅である
。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩形
板試料１０点の平均値よフ求めた。
このようにして得られた磁器組成物の主成分（Ｐｂ（”
１／２Ｗｌ／２）０３）Ｘ （””０３）１−Ｘ
の配合比Ｘおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失。
１／２Ｗｌ／２）０３）Ｘ （””０３）１−Ｘ
の配合比Ｘおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失。
比抵抗および抗折強度の関係を第１図に示す。なお、試
料番号に＊印を付したものは本発明に含まれない。
料番号に＊印を付したものは本発明に含まれない。
この結果から明らかなように、本発明によれば。
誘電率が１２００〜７５００と高く、誘電損失が０．３
〜５．０％と小さく、比抵抗が７Ｘ１０”〜３×１０１
３Ω・ｃｍという高い値を示し、さらに抗折強度も９７
０〜１．４３０ｋｇ／ｃｍ２と実用上十分高い値ｆ 示
を信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組成物が得られ
る。こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度
が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの内
部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや
炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
〜５．０％と小さく、比抵抗が７Ｘ１０”〜３×１０１
３Ω・ｃｍという高い値を示し、さらに抗折強度も９７
０〜１．４３０ｋｇ／ｃｍ２と実用上十分高い値ｆ 示
を信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組成物が得られ
る。こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度
が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの内
部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや
炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
なお、主成分配合比ＸはＸ＜０．３０ では、キュリ
一温度が実用範囲より高＜ナクすぎ、室温での誘電率が
小さくなり、また誘電損失も大きくなるため実用的でな
い。Ｘ＞ ０．６０では磁器として焼結せず実用的でな
い。
一温度が実用範囲より高＜ナクすぎ、室温での誘電率が
小さくなり、また誘電損失も大きくなるため実用的でな
い。Ｘ＞ ０．６０では磁器として焼結せず実用的でな
い。
また副成分であるＮｌ）、 Ｔａ、 ８ｂはそのうち一
種以上の元素の添加量が０．０２原子係未満では抗折強
度の改善効果が小さく、２原子％を超えると逆に抗折強
度が小さくなるため実用的でない。
種以上の元素の添加量が０．０２原子係未満では抗折強
度の改善効果が小さく、２原子％を超えると逆に抗折強
度が小さくなるため実用的でない。
第１図は本発明の実施例における特性を示す図手続補正
書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第１６７８２
１号２、発明の名称 磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁「１３７番８跨 住友三
田ビル口本電気株式会社内 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第１６７８２
１号２、発明の名称 磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁「１３７番８跨 住友三
田ビル口本電気株式会社内 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ニッケル・タングステン酸秘ｃｐｂ（Ｎｉ工／２Ｗ１／
２）０３〕とチタン酸鉛（Ｐ ｂ Ｔ ｔ Ｏａ ）を
主成分とし〔Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）０３〕工〔Ｐ
ｂＴｉＯ３〕１−ｘと表わしたときの主成分配合比Ｘが
０．３０≦Ｘ≦０．６０の範囲内にある主成分組成物に
、副成分としてニオブ（ＮＬ＋）、タンタル（Ｔａ）お
よびアンチモン（ｓｂ）の中から選んだ少なくとも一種
以上の元素を前記主成分組成物に対して０．０２〜２原
子チ添加含有せしめてなることを特徴とする磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167821A JPS5957954A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167821A JPS5957954A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957954A true JPS5957954A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0360788B2 JPH0360788B2 (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=15856714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167821A Granted JPS5957954A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242951A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器の製造方法 |
| EP0208234A1 (en) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | High permittivity ceramic composition |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57167821A patent/JPS5957954A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242951A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器の製造方法 |
| EP0208234A1 (en) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | High permittivity ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360788B2 (ja) | 1991-09-17 |
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