JPH0764634B2 - 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 - Google Patents
積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法Info
- Publication number
- JPH0764634B2 JPH0764634B2 JP63161491A JP16149188A JPH0764634B2 JP H0764634 B2 JPH0764634 B2 JP H0764634B2 JP 63161491 A JP63161491 A JP 63161491A JP 16149188 A JP16149188 A JP 16149188A JP H0764634 B2 JPH0764634 B2 JP H0764634B2
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- composition
- temperature
- porcelain composition
- dielectric constant
- laminated capacitor
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法に関
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコ
ンデンサの製造方法に関する。
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコ
ンデンサの製造方法に関する。
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつれ、コンデ
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきている
が、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素
子が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料
としてはチタン酸バリウム（BaTiO3）系が知られてお
り、添加や置換によってキュリー点を移動させて温度特
性改善をはかっている。
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきている
が、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素
子が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料
としてはチタン酸バリウム（BaTiO3）系が知られてお
り、添加や置換によってキュリー点を移動させて温度特
性改善をはかっている。
この従来の方法により温度特性の小さな材料を実現した
場合、得られる誘電率は高々2000程度に過ぎず、チップ
の軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決する
手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持つ磁
器組成物材料を組み合わせ、温度特性の優れた大容量コ
ンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際には
組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起こりキ
ュリー点が一つとなり温度特性改善効果はあまり望めな
かった。
場合、得られる誘電率は高々2000程度に過ぎず、チップ
の軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決する
手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持つ磁
器組成物材料を組み合わせ、温度特性の優れた大容量コ
ンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際には
組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起こりキ
ュリー点が一つとなり温度特性改善効果はあまり望めな
かった。
本発明の目的は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、か
つ温度変化率の小さい優れた電気特性を有することので
きる積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方
法を提供することにある。
つ温度変化率の小さい優れた電気特性を有することので
きる積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方
法を提供することにある。
本発明の積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法は、マ
グネシウム・タングステン酸〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕、
チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびニッケル・ニオブ酸鉛〔Pb
（Ni1/3Nb2/3）O3〕からなる３成分組成物を〔Pb（Mg1/
2W1/2）O3〕ｘ〔Pb（TiO3〕ｙ〔Pb（Ni1/3Nb2/3）O3〕
ｚと表わした時に（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）この３成
分組成図において、下記の組成点 （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.45） （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.35） （Ｘ＝0.40 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.20） （Ｘ＝0.25 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.45） を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組成範囲内にある
３成分組成物の仮焼粉末を1080℃以上1140℃以下の温度
で焼結反応させることを特徴として構成される。
グネシウム・タングステン酸〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕、
チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびニッケル・ニオブ酸鉛〔Pb
（Ni1/3Nb2/3）O3〕からなる３成分組成物を〔Pb（Mg1/
2W1/2）O3〕ｘ〔Pb（TiO3〕ｙ〔Pb（Ni1/3Nb2/3）O3〕
ｚと表わした時に（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）この３成
分組成図において、下記の組成点 （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.45） （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.35） （Ｘ＝0.40 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.20） （Ｘ＝0.25 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.45） を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組成範囲内にある
３成分組成物の仮焼粉末を1080℃以上1140℃以下の温度
で焼結反応させることを特徴として構成される。
次に、本発明の実施例について第１表〜第５表を参照し
て説明する。
て説明する。
出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛（PbO）、酸化
マグネシウム（MgO）、酸化タングステン（WO3）、酸化
チタン（TiO2）、酸化ニッケル（NiO）、および酸化ニ
オブ（Nb2O5）を使用し、表に示した配合比となるよう
に各々秤量する。次に秤量した原料をボールミル中で湿
式混合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボ
ールミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダを入れ
整粒後プレスし、直径16mm、厚さ2mmの円板20枚を作製
した。次にこれらの円板を空気中1060〜1160℃の温度で
１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面に銀電極を
600℃を焼付け、デジタルLCRメータで周波数1kHz電圧1V
r.m.s.、温度−55〜125℃で容量と誘電損失を測定し、
これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次に超絶縁
計50Vの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を温度20℃で
測定し、比抵抗を算出した。各組成に対応する特性は試
料４点の平均値より求めた。
マグネシウム（MgO）、酸化タングステン（WO3）、酸化
チタン（TiO2）、酸化ニッケル（NiO）、および酸化ニ
オブ（Nb2O5）を使用し、表に示した配合比となるよう
に各々秤量する。次に秤量した原料をボールミル中で湿
式混合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボ
ールミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダを入れ
整粒後プレスし、直径16mm、厚さ2mmの円板20枚を作製
した。次にこれらの円板を空気中1060〜1160℃の温度で
１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面に銀電極を
600℃を焼付け、デジタルLCRメータで周波数1kHz電圧1V
r.m.s.、温度−55〜125℃で容量と誘電損失を測定し、
これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次に超絶縁
計50Vの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を温度20℃で
測定し、比抵抗を算出した。各組成に対応する特性は試
料４点の平均値より求めた。
このようにして得られた磁器組成物の配合比と誘電率、
誘電損失および比抵抗との関係を第１表〜第５表に示
す。
誘電損失および比抵抗との関係を第１表〜第５表に示
す。
第１表〜第５表に示した結果から明らかなようにPb（Mg
1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成分組成
物を1080〜1140℃で焼結させることを特徴とする本発明
の方法により得られた磁器組成物は誘電率が20℃におい
て3000以上と高く誘電損失、比抵抗も実用的な水準を満
しており、かつ誘電率の温度変化が−55℃〜125℃の温
度範囲で20℃の誘電率を基準とした場合に極めて小さく
温度安定性が優れており、積層セラミックコンデンサ用
磁器組成物として優れた材料を提供するものである。
1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成分組成
物を1080〜1140℃で焼結させることを特徴とする本発明
の方法により得られた磁器組成物は誘電率が20℃におい
て3000以上と高く誘電損失、比抵抗も実用的な水準を満
しており、かつ誘電率の温度変化が−55℃〜125℃の温
度範囲で20℃の誘電率を基準とした場合に極めて小さく
温度安定性が優れており、積層セラミックコンデンサ用
磁器組成物として優れた材料を提供するものである。
なお本発明の成分組成範囲外および成分組成範囲内でも
結晶温度が本発明の方法の温度範囲外である場合は誘電
率が低くなったり、誘電率の温度変化が大きくなったり
するため、前述のように組成範囲と焼結温度が限定され
るものである。
結晶温度が本発明の方法の温度範囲外である場合は誘電
率が低くなったり、誘電率の温度変化が大きくなったり
するため、前述のように組成範囲と焼結温度が限定され
るものである。
本発明の方法による焼結温度は比較的低いため積層セラ
ミックコンデンサ用の内部電極としては高価な白金やパ
ラジウムではなく安価な銀パラジウム系の材料を用いる
ことができ積層セラミックコンデンサの製造コストを低
くおさえることができる。
ミックコンデンサ用の内部電極としては高価な白金やパ
ラジウムではなく安価な銀パラジウム系の材料を用いる
ことができ積層セラミックコンデンサの製造コストを低
くおさえることができる。
本発明の方法により得られる磁器組成物は良好な誘電損
失、比抵抗の値を備え誘電率が高くかつその温度変化が
極めて小さいものでり、体積当りの容量が大きく容量の
温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを実現する
のに好適な磁器組成物である。
失、比抵抗の値を備え誘電率が高くかつその温度変化が
極めて小さいものでり、体積当りの容量が大きく容量の
温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを実現する
のに好適な磁器組成物である。
第１図は本発明のxPb（Mg1/2W1/2）O3−yPbTiO3−zPb
（Ni1/3Nb2/3）O3からなる組成範囲を示す３成分系組成
図である。
（Ni1/3Nb2/3）O3からなる組成範囲を示す３成分系組成
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｇ 4/12 Ｈ０１Ｇ 4/12
Claims (1)
- 【請求項１】マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb（Mg
1/2W1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびニッケル
・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni1/3Nb2/3）O3〕からなる３成分組
成物を〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ〔PbTiO2〕ｙ〔Pb（Ni1
/3Nb2/3）O3〕ｚと表わした時に（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝1.00）この３成分組成図において、下記の組成点 （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.45） （Ｘ＝0.15 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.35） （Ｘ＝0.40 Ｙ＝0.50 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.40 Ｚ＝0.10） （Ｘ＝0.50 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.20） （Ｘ＝0.25 Ｙ＝0.30 Ｚ＝0.45） を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組成範囲内にある
３成分組成物の仮焼粉末を1080℃以上1140℃以下の温度
で焼結・反応させることを特徴とする積層コンデンサ用
磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161491A JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161491A JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029742A JPH029742A (ja) | 1990-01-12 |
| JPH0764634B2 true JPH0764634B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15736083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161491A Expired - Lifetime JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764634B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022027911A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 深圳市优必选科技股份有限公司 | 机器人导航方法、装置、终端设备及存储介质 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63161491A patent/JPH0764634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022027911A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 深圳市优必选科技股份有限公司 | 机器人导航方法、装置、终端设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029742A (ja) | 1990-01-12 |
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