JPS596020B2 - ガスホウデンパネルノセイサクホウホウ - Google Patents
ガスホウデンパネルノセイサクホウホウInfo
- Publication number
- JPS596020B2 JPS596020B2 JP50146244A JP14624475A JPS596020B2 JP S596020 B2 JPS596020 B2 JP S596020B2 JP 50146244 A JP50146244 A JP 50146244A JP 14624475 A JP14624475 A JP 14624475A JP S596020 B2 JPS596020 B2 JP S596020B2
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- JP
- Japan
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- layer
- gold
- electrode
- firing
- deposited film
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/40—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/151—Deposition methods from the vapour phase by vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、誘電体層で被覆された電極をガス放電空間に
対面させてなる間接放電型ガス放電パネルの製造方法に
係り、特に改良された電極製作工程を含むガス放電パネ
ルの製作力、法に関するものである。
対面させてなる間接放電型ガス放電パネルの製造方法に
係り、特に改良された電極製作工程を含むガス放電パネ
ルの製作力、法に関するものである。
この種間接放電型のガス放電パネル（Ｐ、Ｄ、Ｐと称す
）においては、透明なガラス基板の面上に電極群が形成
され、その上に全面的に透明な誘電体層（Ｉ 、Ｆ層と
称す）が積層される。
）においては、透明なガラス基板の面上に電極群が形成
され、その上に全面的に透明な誘電体層（Ｉ 、Ｆ層と
称す）が積層される。
この誘電体層は、特定成分のガラスペーストを全面に塗
布し、それを焼成したものである。
布し、それを焼成したものである。
現状では電極材料として金（Ａｕ ）などの貴金属が用
いられる。
いられる。
この種貴金属の電極は、従来貴金属とガラス材を含むペ
ーストを調製し、これをＰ、Ｄ、Ｐの基板にスクリーン
印刷で所定パターンに塗布し、それから塗布ペーストを
焼成することにより形成されていた。
ーストを調製し、これをＰ、Ｄ、Ｐの基板にスクリーン
印刷で所定パターンに塗布し、それから塗布ペーストを
焼成することにより形成されていた。
この場合電極はそのガラス成分によりガラス基板と密着
する。
する。
ところで、上記方法によれば、電極はペーストのスクリ
ーン印刷と焼成によって形成されるので、スクリーン印
刷には細線中の印刷限界があり又焼成により細線の縁か
にじんで拡がる性向があるため、ある限度以下の精密細
線パターンの電極を形成することは困難である。
ーン印刷と焼成によって形成されるので、スクリーン印
刷には細線中の印刷限界があり又焼成により細線の縁か
にじんで拡がる性向があるため、ある限度以下の精密細
線パターンの電極を形成することは困難である。
然るに本発明の目的は、細線パターンの金電極を極めて
精度よく形成し得る電極製作法を提供することにある。
精度よく形成し得る電極製作法を提供することにある。
要するに本発明は前述のような間接放電型ガス放電パネ
ルの製作方法において、ガラス基板にチタンの下地層を
形成し、その上に金の蒸着膜を積層し、その上に所望パ
ターンのホトレジストを積層し、それから金メッキ処理
してホトレジストパターンの空隙に露出した金蒸着膜部
分に金メッキ層を積層し、次いでエツチング処理によっ
てチタン下地層、金蒸着膜層及び金メッキ層から成る電
極を形成し、該電極を真空中で焼成した後、誘電体層と
なる誘電体ペーストの積層と焼成等を行なう工程を含む
ことを特徴とするガス放電パネルの製作方法を提供する
ものである。
ルの製作方法において、ガラス基板にチタンの下地層を
形成し、その上に金の蒸着膜を積層し、その上に所望パ
ターンのホトレジストを積層し、それから金メッキ処理
してホトレジストパターンの空隙に露出した金蒸着膜部
分に金メッキ層を積層し、次いでエツチング処理によっ
てチタン下地層、金蒸着膜層及び金メッキ層から成る電
極を形成し、該電極を真空中で焼成した後、誘電体層と
なる誘電体ペーストの積層と焼成等を行なう工程を含む
ことを特徴とするガス放電パネルの製作方法を提供する
ものである。
本発明によれば、第１図に示すように、ガラス基板１の
全面にガラスとも金ともよく密着する性質のチタス（Ｔ
ｉ）の蒸着膜２の下地層を先ず形成し１その上に金（Ａ
ｕ ）の蒸着膜３を形成する。
全面にガラスとも金ともよく密着する性質のチタス（Ｔ
ｉ）の蒸着膜２の下地層を先ず形成し１その上に金（Ａ
ｕ ）の蒸着膜３を形成する。
それからホトレジスト４により細線パターンを蒸着膜３
の上に形成し、その上に金メッキを施こし、ホトレジス
トの間隙パターンに従った金メッキ層５を形成する。
の上に形成し、その上に金メッキを施こし、ホトレジス
トの間隙パターンに従った金メッキ層５を形成する。
このメッキにはシアン化金の液を用いた電解メッキ法が
１例として適用し得る。
１例として適用し得る。
ホトレジストを取除き、全面を金のエツチング液につけ
ると、金蒸着膜３および金メッキ層５ともにエツチング
されるが、金蒸着膜３は薄いため結果的に金メツキ層５
領域だけが残る。
ると、金蒸着膜３および金メッキ層５ともにエツチング
されるが、金蒸着膜３は薄いため結果的に金メツキ層５
領域だけが残る。
続いてこの金メッキ層をレジストとしてＴｉの層２をエ
ツチングする。
ツチングする。
これによって、図示の点線のように不要材料を除去でき
、結果として第１層にＴｉの層第？層にＡｕの蒸着層、
第３・層に金メッキ層を積層して成る細線パターンの電
極が形成される。
、結果として第１層にＴｉの層第？層にＡｕの蒸着層、
第３・層に金メッキ層を積層して成る細線パターンの電
極が形成される。
この方法ではパターニング精度を高めればそれだけ高精
度の細線電極が得られる。
度の細線電極が得られる。
ところで、金メッキ層は空隙の多い層なので、これを焼
成しなければ良好な導電体にはならない。
成しなければ良好な導電体にはならない。
そこでこの焼成を約５８００で真空中で行なう。
もしも、この焼成を大気中で行なうと、第１層のチタン
層（Ｔｉ）が酸化され主として酸化チタンＴｉＯ２とな
り、金との密着性が阻害される。
層（Ｔｉ）が酸化され主として酸化チタンＴｉＯ２とな
り、金との密着性が阻害される。
これは電極の基板からのはく離の原因となる。
ところで、上記電極焼成の後には、従来通り誘電体層６
を低隔点ガラスペーストの塗布と大気中焼成により形成
する。
を低隔点ガラスペーストの塗布と大気中焼成により形成
する。
従って、この誘電体層６の焼成中にもし前述のＴ ｉ
０２が生成しておれば、電極のはく離した空隙から気泡
が激しく発生して誘電体層に気泡が残り、それがＰ、Ｄ
、Ｐの放電特性の均一性を阻害する。
０２が生成しておれば、電極のはく離した空隙から気泡
が激しく発生して誘電体層に気泡が残り、それがＰ、Ｄ
、Ｐの放電特性の均一性を阻害する。
然るに、本発明方法によれば、放電特性が阻害されず、
しかも細線パターンの電極が高精度で以って得られるの
で本発明方法は、従来の方法に較べ電極パターン密度の
高いＰ、Ｐ、Ｄを製造するのに有利である。
しかも細線パターンの電極が高精度で以って得られるの
で本発明方法は、従来の方法に較べ電極パターン密度の
高いＰ、Ｐ、Ｄを製造するのに有利である。
第１図は本発明方法に係るＰ、Ｄ、Ｐの基板積層構造を
示す断面説明図である。 図において、１は基板、２はチタンの下地層、３は金蒸
着層、４はホトレジスト層、５は金メッキ層、６は誘電
体層を示す。
示す断面説明図である。 図において、１は基板、２はチタンの下地層、３は金蒸
着層、４はホトレジスト層、５は金メッキ層、６は誘電
体層を示す。
Claims (1)
- １ 誘電体層で被覆された電極をガス放電空間に対面さ
せてなるガス放電パネルの製作方法において、ガラス基
板にチタンの下地層を形成し、その上に金の蒸着膜を積
層し、それからその上にホトレジスト層を被着形成して
パターニングを台ない、それから金メッキ処理してホト
レンジストパターンの空隙に露出した金蒸着膜部分に金
メッキ層を積層し、次いでホトレジストに覆われた金属
部分をエツチングにより除去してチタン下地層、金蒸着
膜層及び金メッキ層から成る電極パターンを形成し、該
電極を真空中で焼成した後、誘電体ペーストの積層と焼
成を行なう工程を含むことを特徴とするガス放電パネル
の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50146244A JPS596020B2 (ja) | 1975-12-10 | 1975-12-10 | ガスホウデンパネルノセイサクホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50146244A JPS596020B2 (ja) | 1975-12-10 | 1975-12-10 | ガスホウデンパネルノセイサクホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5270750A JPS5270750A (en) | 1977-06-13 |
| JPS596020B2 true JPS596020B2 (ja) | 1984-02-08 |
Family
ID=15403342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50146244A Expired JPS596020B2 (ja) | 1975-12-10 | 1975-12-10 | ガスホウデンパネルノセイサクホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596020B2 (ja) |
-
1975
- 1975-12-10 JP JP50146244A patent/JPS596020B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5270750A (en) | 1977-06-13 |
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