JPS5961124A - 薄膜形成方法 - Google Patents

薄膜形成方法

Info

Publication number
JPS5961124A
JPS5961124A JP57172022A JP17202282A JPS5961124A JP S5961124 A JPS5961124 A JP S5961124A JP 57172022 A JP57172022 A JP 57172022A JP 17202282 A JP17202282 A JP 17202282A JP S5961124 A JPS5961124 A JP S5961124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
silicon dioxide
film
thin film
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57172022A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0456447B2 (ja
Inventor
Takashi Ito
隆司 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57172022A priority Critical patent/JPS5961124A/ja
Publication of JPS5961124A publication Critical patent/JPS5961124A/ja
Publication of JPH0456447B2 publication Critical patent/JPH0456447B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、薄膜を形成しても基板表面の平坦性を維持し
たい場合に適用して好ましい薄膜形成方法に関する。
従来技術と問題点 一般に、半導体装置を製造する際、薄膜の形成は極めて
重要な技術である。
その薄膜としては、金属、絶縁膜、半導体膜等があり、
それ等は種々の技法、例えば、真空蒸着法、スパッタ法
、気相成長法等を利用して作製されてきた。
然し乍ら、半導体集積回路装置に於いて、素子の高密化
が進むにつれて装置表面の凹凸が激しくなり、その上に
所望の精密なパターンを形成することが困難になったり
、薄膜の不連続を生したりしている。
これを解決する為、基板表面にシリコンを含む液体をス
ピン・コート法にて一様に塗布して平坦にする技術も開
発されたが、前記液体のような無機利料を使用した場合
には、清浄な薄膜を形成することは困難である。また、
気相成長法に依って成長させた薄膜を方向性があるエツ
チング液にて一部エノチングして除去し、この操作を繰
り返すことに依り表面の凹凸を緩和して平坦化すること
も行なわれているが、操作が複雑で実用的ではない。更
にまた、スパック法を用いた薄膜形成の過程で、イオン
衝撃に依る物理的なエツチング作用を利用し、成程度の
平坦化を図ることができるのも知られているが、操作に
特殊な条件を必要とするので実施することば困ゲＶであ
る。
発明の目的 本発明は、基板表面の凹凸を緩和し、平坦な表面状態を
得ることができる薄膜形成方法を提供するもので、半導
体装置を製造する際に用いて好適である。
発明の構成 本発明では、気相反応に依り薄膜を成長するカス系と、
成長する該薄膜をエツチングすることが可能なガス系と
の混合ガス雰囲気に基板を配置し、光を照射して８膜成
長反応とエツチング反応とを同時に進行さセるものであ
る。
薄膜の成長は、熱エネルギの供給を受りて進行するので
、本質的には基板の凹凸に沿う成長をすることになるが
、エツチング作用は光の直進性に依り方向性を持ったも
のとなり、従って、それ等が組み合うことに依り、基板
に於りる凹凸の段差部では、谷部骨の膜のエツチング量
より膜の成長量の方が大になり、結果的に段差を解消す
るような形で膜が残ることになる。
因に、方向性があるエツチング方法としては、従来、リ
アクティブ・イオン・工・ノチングなどの方法があるが
、それに依るエツチングでは雰囲気の圧力を１０−’　
（Ｔｏ　ｒ　ｒ）以下にしなければならず、この状態に
於ける薄膜の成長は難しいので実用的ではない。
本発明では、基本的に雰囲気圧力依存性はないから、薄
膜を充分に高い速度で成長させ得る条件を設定できる。
発明の実施例 第１図は本発明を実施する装置の一実施例を表わすもの
である。
図に於いて、１は反応室、２は基板支持台、３は基板、
４は基板３を一定温度に加熱する為のヒータ、５は光透
過窓、６はガス送入管、７はガス排出管、８はガス系、
９は光をそれぞれ示している。
次に、この装置を使用して二酸化シリコン膜を成長させ
る場合について説明する。
二酸化シリコン膜を成長するには、ガス系８として、モ
ノシラン（ＳｉＨ＋）、酸素（Ｑ２）、四フフ化炭素（
ＣＦ４）の混合ガスを用いる。
基板３は４００（”Ｃ）の温度に保持することが必要で
ある。
この状態で、反応室１内に前記混合ガスを導入すると、 Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　２０２→Ｓ　ｉ　Ｏ２＋　２　Ｈ２０
の反応に依って、基板３上には二酸化シリコン（Ｓｉ０
２）膜が成長する。
これを第２図及び第３図を参照しつつ具体的に説明する
。
第２図は前記したように単純に二酸化ンリコン膜を成長
させた場合を示していて、基板３上に被膜１０が形成さ
れているものとし、その上に二酸化シリコン膜１１を形
成しである。
この場合は、被膜１０に依る段差があるので、これに忠
実に沿うか、或いは、所謂オーバ・ハングするように二
酸化シリコン１ｕｌｌが形成されるものである。
しかし、第１図に見られるように、成長時に光９を照射
することに依り、混合ガス中のＣＦ４が励起状態になり
、二酸化シリコン膜と接触するとそれをエツチングする
ことになる。尚、この光のツメトン・エネルギはＣＦ、
のＣ−Ｆ結合を解離するのに充分な値であることが望ま
しい。本実施例では、水銀ランプから発生する波長２０
００〜２４００　Ｃ人〕の光を利用してＣＦ４を励起し
ている。
第３図は光を照射して二酸化シリコン膜１２を成長させ
た状態を表わしている。
二酸化シリコン膜１２の工・ノチングは基Ｆｊ、３に垂
直な方向からなされているので段差部に於ける膜厚の低
下が少なくなり、段差はかなり緩和されている。
発明の効果 本発明に依れば、半導体装置を製造する際へ於ける薄膜
形成工程で、基板が配置された反応室に気相反応に依り
薄膜を形成するガス系及び該薄膜をエツチングすること
が可能なガス系の混合ガスを導入し、前記基板に光を照
射した状態で薄膜成長反応とエツチング反応の両方同時
に行なうことに依り、段差が少ない薄膜を形成すること
ができるので、基板表面は平坦になり、精密なパターン
を容易に形成することができ、配線の切断も生じないか
ら高集積化された半導体装置を製造する場合に有効であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を実施する装置の一実施例を表わす要部
説明図、第２図及び第３図は本発明一実施例を説明する
ための工程要所に於ける半導体装置の要部切断側面図で
ある。 図に於いて、１は反応室、２ば基板支持台、３は基板、
４は基板３を一定温度に加熱する為のヒータ、５は光透
過窓、６ばガス送入管、７ばガス排出管、８はガス系、
９は光である。 特許出願人　　　富士通株式会社 代理人弁理士　　工具　久五部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板が配置された反応室に気相反応に依り薄膜を形成す
    るガス系及び該薄膜をエツチングすることが可能なガス
    系の混合ガスを導入し、前記基板に光を照射した状態で
    薄膜成長反応とエツチング反応の両方を同時に行なうこ
    とを特徴とする薄膜形成方法。
JP57172022A 1982-09-30 1982-09-30 薄膜形成方法 Granted JPS5961124A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57172022A JPS5961124A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 薄膜形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57172022A JPS5961124A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 薄膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5961124A true JPS5961124A (ja) 1984-04-07
JPH0456447B2 JPH0456447B2 (ja) 1992-09-08

Family

ID=15934066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57172022A Granted JPS5961124A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 薄膜形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5961124A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6190421A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Canon Inc 堆積膜形成方法
US5591492A (en) * 1986-04-11 1997-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming and etching a film to effect specific crystal growth from activated species

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50130370A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15
JPS50130369A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50130370A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15
JPS50130369A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6190421A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Canon Inc 堆積膜形成方法
US5591492A (en) * 1986-04-11 1997-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming and etching a film to effect specific crystal growth from activated species

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0456447B2 (ja) 1992-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3084497B2 (ja) ＳｉＯ２膜のエッチング方法
US5084130A (en) Method for depositing material on depressions
US4069094A (en) Method of manufacturing apertured aluminum oxide substrates
JPS58130517A (ja) 単結晶薄膜の製造方法
JPH07294700A (ja) Ｘ線窓
US3506508A (en) Use of gas etching under vacuum pressure for purifying silicon
US5178977A (en) Manufacturing method of an X-ray exposure mask
WO1992022689A1 (en) Process for making large-area single crystal diamond films
JPS5961124A (ja) 薄膜形成方法
JP2645215B2 (ja) 薄膜形成装置
JPS63141316A (ja) 表面処理方法
US6169004B1 (en) Production method for a semiconductor device
JPS6143847B2 (ja)
GB2288272A (en) X-ray windows
JPH0410739B2 (ja)
JPH09235189A (ja) 半導体単結晶薄膜の製造方法
JP3080860B2 (ja) ドライエッチング方法
JPH03155621A (ja) ドライエッチング方法
JPH07161690A (ja) 炭化珪素体のエッチング方法
JPS63124419A (ja) ドライエツチング方法
JPS61288429A (ja) ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法
JPS60211847A (ja) 絶縁膜の形成方法
JPH0794491A (ja) ドライエッチング方法およびドライエッチング処理装置
JPS6277466A (ja) 薄膜形成方法
JPH0611038B2 (ja) 表面処理方法