JPS5961158A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS5961158A
JPS5961158A JP57171245A JP17124582A JPS5961158A JP S5961158 A JPS5961158 A JP S5961158A JP 57171245 A JP57171245 A JP 57171245A JP 17124582 A JP17124582 A JP 17124582A JP S5961158 A JPS5961158 A JP S5961158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
pad
integrated circuit
chip
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57171245A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsushi Wakabayashi
哲史 若林
Kiyoshi Muratake
村竹 清
Hiromi Yanagida
柳田 浩美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57171245A priority Critical patent/JPS5961158A/ja
Publication of JPS5961158A publication Critical patent/JPS5961158A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/601Capacitive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は半導体装置に係り、特に集積回路パッケージ内
にチップコンデンサを組め込んた半導体装置に関する。
(2)技術の背景 近時、半導体装置の集積度が向上するとともに処理スピ
ードが上がってきたために、集積回路を駆動するための
電源供給時に付加するバイパス用コンデンサを接続する
ためのり一ト°線の長さ、すなわちインダクタンス成分
や、プリント基板に取りイ」りられるバイパス用コンデ
ンサ自体の大きさによって実装時に大型化する等の問題
がり1コーズアツプされてきている。
すなわち、従来はプリント基板上に集積回路をパッケー
ジした半導体装置を複数個ハンダ付けした場合に複数の
半導体装置に対して一つのバイパス用コンデンサを付加
して電源よりのパルス性雑音の吸収を行わせていたが、
複数の集積回路自体も個々に種々の動作を行っているた
めに集積回路自体もノイズを発生し、複数の集積回路相
互間に影響を及ぼす問題があり、集積回路をパッケージ
した複数の半導体装置の個々にバイパス用コンデンサを
イ1加するようになってきている。
この場合、個々のパッケージされた集積回路に外付りの
バイパス用コンデンサを接続するためにリード線が長く
なり、不用なインダクタンスを含むことになり、実装密
度も大きくなる欠点があり、これらの問題を解決するよ
うな要望があった。
(3)従来技術と問題点 第1図は従来の複数の集積回路をパッケージした半導体
装置2a、2bをプリント晶析l上に実装した場合の斜
視図であり、プリント基板Iに穿たれた透孔6へ積回路
をパッケージした半導体装置2a、2bの外部り−トを
挿入し、ハンダ付けでプリント板上の外部回路(図示せ
ず)に接続するとともに半導体装置2a、2bはプリン
ト基板上に固定され、例えば電源供給端子3a′。
3b′と接地端子3a、3b間Gこそれぞれバイパス用
コンデンサ4a、4bが外部すされて、上記したように
電源よりのパルス性雑音及び集積回路2a、2bの個々
の回路より発生ずるパルス性雑音を吸収させている。
しかし、上述の構成による実装構造では電源供給端子3
a’、3b’がらコンデンサ4a、4bに至るリート°
線及び接地端子3a、3bがらコンデンサ4a、4bに
至るリート線(実際にはプリント基板にバターニングさ
れるかり一ト4a′。
4b’として示す)が長くなり、不用なインダクタンス
を含むだけでなくパルス性ノイズをひろい、更に実装密
度が大となる欠点を生ずる。
(4)発明の目的 本発明は上記した従来の欠点に鑑み、インダクタンスを
小とし、実装密度を小とした半導体装置を提供すること
を目的とするものである。
(5)発明の構成 本発明の特徴とするところは、集積回路チップを収容す
るパッケージの凹部内にコンデンサを一体に組み、該凹
部を封止してなることを特徴とする半導体装置によって
達成される。
(6)発明の実施例 以下、本発明の一実施例を第2図乃至第5図について説
明する。
第2図は本発明の一実施例を示す集積回路チップ並びに
バイパス用コンデンサをパンケージ内に封止した場合の
キャップを切断した平面図、第3図は第2図のA−A’
断面矢視図であり、半導体装置乏は例えば第3図に示す
如く多層のグリンシート5a、5b、5c、5.dが積
層され、左右に複数の外部リート3が設けられ、集積回
路チップ5及びチップコンデンサ(バイパス用コンデン
サ)6がグリーンシート5b、5c上に載置され、集積
回路チップ5からはグリーンシー)5c上に設けた複数
のパッド7にボンディングによってり−18が接続され
、チップコンデンサ6の両端にも接地用のパッドIOG
と電源用のパッドIOVが設りられ、集積回路チップ5
とチップコンデンサ6が配設される近傍に接地及び電源
供給用端子12.11がある場合にはチップコンデンサ
の接地用バノt” i o cと電源用パッドIOVに
ホンディングによって直接リード8G、8Vを接続させ
てもよいが、例えば集積回路チップ5の接地用のパン1
が7Gで示す位置にある場合等はチップコンデンサ6の
接地用パンF 10 Gよりグリーンシート5Cにスル
ーボール14を穿ら、該スルーホールを通じてグリーン
シート5b上のパターンI5を経て外部リート−3に接
続し、更に集積回路チップ15の接地用パット’ 7 
Gに連接するグリーンシー1−5 C−にのパターン1
6と外部シーF’ 3とを接続するようにするを可とす
る。
上記実施例では接地用パッドの接続について説明したが
、電源パッド間どうしでもスルーホールと多層のグリー
ンシートを用いて互いに接続するようにできる。
なお、13はパッケージを最終的に封止するキャップで
ある。
第4図は本発明の他の実施例を示すもので、第5図は第
4図のB−B ′断面図である。この場合の構成は集積
回路チップ5とチップコンデンサ6とは第2図のように
近接して配設されて以内ために集積回路チップ5の四辺
にポンディング用のパッド7を配設することができる。
このために多層に積層したグリーンシート上のパターン
とスルーボールによって集積回路デツプ5の接地用パッ
ト′7Gとチップコンデンサ6の接地用パッドIOGは
接続され、集積回路チップ5の電源用パットとチップコ
ンデンサ6の電源用パットIOVも同様に接続されるが
、これらの構成は第5図には省略して示されていない。
集積回路チップ5の四辺よりボンディングリートを引き
出すために集積回路チップ5はキャビティ17内に載置
し、チップコンデンサ6も同様にグリーンシート上のキ
ャピテイ18ブ内に配設ずるようになし、キャップ13
はシームウェルディングによって固着させるようになす
(7)発明の効果 以上詳唱■に説明したように、本発明の半導体装置によ
れば、集積回路チップとともにバイパス用τ1ンデンナ
も一つのパッケージに内蔵させたためにインダクタンス
を小さくすることができるだりでなく、外部よりの誘導
ハノ、等をひろう可能性は完全にパッケージされたキャ
ップ内にあるためにほとんど皆無であり、プリン1−基
板上に集積回路をパッケージした複数の半導体装置を配
設した場合にも相互に発生ずるノイズを気にする必要も
ないだ4ノでなく、実装密度も大きくできる特徴を有す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の集積回路をパッケージした半導体装置を
プリント基板上に実装した斜視図、第2図は本発明の半
導体装置のキャップを切断した平面図、第3図は第2図
のA−A ′断面矢視図、第4図は本発明の他の実施例
を示す半導体装置の第2図と同様の平面図、第5図は第
4図のB−B ’断面矢視図である。 1・・・プリント基板、  2. 2a、2b・・・半
導体装置、 3.3a、3b・・・外部り−ト、  4
a’、  4b ′ −リード、  5 ・ ・ ・集
積回路チップ、 6・・・チップコンデンサ、7・・・
パッド、  8・・・ホンティング用リード、  8G
・・・接地用リート、  8■・・・電源用リート、 
 IOC・・・接地用バット、10V・・・電源用パッ
ド、  13・・・キャップ、 14・・・スルーホー
ル、 15.16・、・パターン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路チップを収容するパッケージの凹部内に=1ン
    デンザを一体に組み、該凹部を封止してなることを特徴
    とする半導体装置。
JP57171245A 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置 Pending JPS5961158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57171245A JPS5961158A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57171245A JPS5961158A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5961158A true JPS5961158A (ja) 1984-04-07

Family

ID=15919732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57171245A Pending JPS5961158A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5961158A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245848U (ja) * 1985-09-06 1987-03-19

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5399460A (en) * 1977-02-10 1978-08-30 Nippon Electric Co Integrated circuit device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5399460A (en) * 1977-02-10 1978-08-30 Nippon Electric Co Integrated circuit device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245848U (ja) * 1985-09-06 1987-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1143514A2 (en) Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon
JPH09246465A (ja) Loc型半導体チップの積層チップパッケージ
KR100209760B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조방법
CN100492638C (zh) 半导体器件的堆叠封装
JPH03169062A (ja) 半導体装置
US5304737A (en) Semiconductor package
JPS5972757A (ja) 半導体装置
JP2007207802A (ja) 電子回路モジュールとその製造方法
JPS5961158A (ja) 半導体装置
JPS58219757A (ja) 半導体装置
JPH03187253A (ja) 半導体装置
JPS5944851A (ja) 多層チツプ実装パツケ−ジ
KR100331067B1 (ko) Bga반도체패키지
US20080073772A1 (en) Stacked semiconductor package and method of manufacturing the same
JPS5954248A (ja) 半導体装置
JPH0613535A (ja) 電子部品搭載装置
JPS60200559A (ja) メモリモジュール
JPS6154656A (ja) 半導体装置
JP2806774B2 (ja) 半導体装置
JPS62169461A (ja) 半導体装置
JPH02210858A (ja) 半導体装置
JPH02208959A (ja) 半導体装置
JPS63250850A (ja) 半導体メモリモジユ−ル
JPS5972751A (ja) 半導体装置
JPS6081845A (ja) 半導体チツプキヤリア