JPS5961196A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
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- JPS5961196A JPS5961196A JP17130182A JP17130182A JPS5961196A JP S5961196 A JPS5961196 A JP S5961196A JP 17130182 A JP17130182 A JP 17130182A JP 17130182 A JP17130182 A JP 17130182A JP S5961196 A JPS5961196 A JP S5961196A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は画像形成方法、吉くに＠離曵像型フォトレジ
ストを用いて基板上に解像性と信頼性にすぐれた画像を
形成する方法に関するものである。
ストを用いて基板上に解像性と信頼性にすぐれた画像を
形成する方法に関するものである。
従来、フォトレジストを用いて基板表面に画像を形成す
る場合、基板表面に種々の手段で表面処理を施している
。このような表面処理手段としては、溶剤蒸気脱脂法、
ソフトエツチング法等の化学的処理方法、ならびにパフ
研摩（ストレート法、オシレート法）、湿式粉体研摩、
ベル＋４ンダー、エアサングー等の機械的処理方法があ
る。
る場合、基板表面に種々の手段で表面処理を施している
。このような表面処理手段としては、溶剤蒸気脱脂法、
ソフトエツチング法等の化学的処理方法、ならびにパフ
研摩（ストレート法、オシレート法）、湿式粉体研摩、
ベル＋４ンダー、エアサングー等の機械的処理方法があ
る。
トレジストとの密着性の向上を図ることのみを目的とし
て行なわれており、剥離現像型フォトレジストを使用し
た場合に上記表面処理の剥離現像に与える影響等につい
ては配慮されていなかった。
て行なわれており、剥離現像型フォトレジストを使用し
た場合に上記表面処理の剥離現像に与える影響等につい
ては配慮されていなかった。
すなわち、露光部分上未露光部分の有機溶剤やアルカリ
水溶液に対する溶解性の差を利用して現像を行なう通常
のフォトレジストでは問題はないか、露光部分と未露光
部分の基板と支持体に対する接看力の差によって現像を
行なう剥離現像型フォトレジストの場合は上述した表面
処理による基板表面の整面状態が画像形成に大きな影響
を及ぼし、とくに上述した機械的処理方法では研摩作用
によつで生じた微細７Ｓ門凸が剥離現像時の露光部分の
剥がれや未露光部分の残留の原因とｌ、（つて画像の把
化を招き易い。
水溶液に対する溶解性の差を利用して現像を行なう通常
のフォトレジストでは問題はないか、露光部分と未露光
部分の基板と支持体に対する接看力の差によって現像を
行なう剥離現像型フォトレジストの場合は上述した表面
処理による基板表面の整面状態が画像形成に大きな影響
を及ぼし、とくに上述した機械的処理方法では研摩作用
によつで生じた微細７Ｓ門凸が剥離現像時の露光部分の
剥がれや未露光部分の残留の原因とｌ、（つて画像の把
化を招き易い。
剥Ｎ＋Ｉｎ現１象型７オトレジストにおけるこのような
不利益を改めるだめの方法か、特１願昭５６−１５２５
９６ け明相１潜に提案されている。すなわち、この
方法は基板表面を一方向に整向することによって直、諷
伏の凹凸を形１戊し、この整向された基板＆ ＋ｒ＋ｉ
ＩＣｒｄＪｌｉｌｌｌｔ ＬＩＡ、 （＊ ４．１２
７−ｓトＬ／シストＩＸ’ 、ｌ’１、す１１わち九市
島性組成物層か透明支持体上に被冴されてなる画１象形
成飼杆を貼ぼし、所定のパターンで露光した硬、」二足
支持体を上記基板表面の上記略面力向にｌｒ−＞つて剥
ｐ＋ｔｉ することにより、基板＆１川に所定パターン
の画ＩＷを形成する方法である。
不利益を改めるだめの方法か、特１願昭５６−１５２５
９６ け明相１潜に提案されている。すなわち、この
方法は基板表面を一方向に整向することによって直、諷
伏の凹凸を形１戊し、この整向された基板＆ ＋ｒ＋ｉ
ＩＣｒｄＪｌｉｌｌｌｔ ＬＩＡ、 （＊ ４．１２
７−ｓトＬ／シストＩＸ’ 、ｌ’１、す１１わち九市
島性組成物層か透明支持体上に被冴されてなる画１象形
成飼杆を貼ぼし、所定のパターンで露光した硬、」二足
支持体を上記基板表面の上記略面力向にｌｒ−＞つて剥
ｐ＋ｔｉ することにより、基板＆１川に所定パターン
の画ＩＷを形成する方法である。
しかしながら、この方ン去においてＣま、１山１１象と
なる１＋ＩＰ’； ）’Ｃ’ｆへきパターンの形状にょ
る影ψ１７ ？ｉ＝してい１１い。すなわち、画［象と
なる露光すべきパターンは必ずしも一方向のみのもので
はなく、たとえば成子回路用印刷基板等では、同一表面
上において整１０ｊεよひ剥離方向に平行の配線もあれ
ば直交関係のものもあり、さらにそれらを結線する必要
かある場合は曲線部分も存在しうる。このような商粟的
画像となるへきパターンにおいては、ｇｌ述の方法によ
れは、整面方間３よひ剥離方向に対して直交関係にある
パターンおよび曲線となるパターンの場合、未露光部分
の残留が生じて画像の悪化を招く。
なる１＋ＩＰ’； ）’Ｃ’ｆへきパターンの形状にょ
る影ψ１７ ？ｉ＝してい１１い。すなわち、画［象と
なる露光すべきパターンは必ずしも一方向のみのもので
はなく、たとえば成子回路用印刷基板等では、同一表面
上において整１０ｊεよひ剥離方向に平行の配線もあれ
ば直交関係のものもあり、さらにそれらを結線する必要
かある場合は曲線部分も存在しうる。このような商粟的
画像となるへきパターンにおいては、ｇｌ述の方法によ
れは、整面方間３よひ剥離方向に対して直交関係にある
パターンおよび曲線となるパターンの場合、未露光部分
の残留が生じて画像の悪化を招く。
この発明者ら（は、剥離現像型フォトレジストを用いる
画像形成方法について鋭意研究を重ねた結果、画像形成
すべき基板表ｍｌを特定の搭面状態とすることによって
、前述した叩き各種パターンに対して解像性と信頼性に
優れた画像を提供できることを見い出し、この発明を完
１現させるに至った。
画像形成方法について鋭意研究を重ねた結果、画像形成
すべき基板表ｍｌを特定の搭面状態とすることによって
、前述した叩き各種パターンに対して解像性と信頼性に
優れた画像を提供できることを見い出し、この発明を完
１現させるに至った。
４−なわち、この発明は、基板表面に、化学整面するこ
とにより＠浄でかつ微、ｆｌｌｌな凹凸を形１戊すると
ともに、この凹凸を十点平均：ｉＪｉさＲｚ として０
．０１・−５μＩｎ 、表面反！１−１′法による鏡面
光沢度Ｇ５Ｃ４５″ ）として１０〜２ｏｏｙｏてかつ
その場合の半直角工０°以−ドに設定し、この整向さｔ
″した表向上に、剥離現像型フオトレジスｈ １１、’
ｆ”ｌ、すなわち光屯合性組成物層が透明支持体上に被
直されてなるｌｌｊ］１奮形成１」料を貼酢し、所定パ
ターンで露光した後、上記支持体を」二足基板から剥１
ａすることにより、基板表面に所定パターンの画１象を
形成する方法に係るものである。
とにより＠浄でかつ微、ｆｌｌｌな凹凸を形１戊すると
ともに、この凹凸を十点平均：ｉＪｉさＲｚ として０
．０１・−５μＩｎ 、表面反！１−１′法による鏡面
光沢度Ｇ５Ｃ４５″ ）として１０〜２ｏｏｙｏてかつ
その場合の半直角工０°以−ドに設定し、この整向さｔ
″した表向上に、剥離現像型フオトレジスｈ １１、’
ｆ”ｌ、すなわち光屯合性組成物層が透明支持体上に被
直されてなるｌｌｊ］１奮形成１」料を貼酢し、所定パ
ターンで露光した後、上記支持体を」二足基板から剥１
ａすることにより、基板表面に所定パターンの画１象を
形成する方法に係るものである。
基板表ｊｍに均一で微細な凹凸を形成する手段としては
、硫酸酸性過酸化水素溶液、硫酸酸性１１間硫酸とノモ
ニクム溶液、錨硫酸ｒンモニクム水溶液、硝酸水層液等
の化学処理液か特にイ■幼である。この他ギュノター・
ペソオー著「金属エツチング技術」［（■アグネ発行Ｊ
に記載の化学匙ＢＪｉ（夜かあげられる。また市販の化
学処理？陵としては、ブリポジット７４６（シブレイ社
製）、ｒクラン９フ（シャパンメタルフイニシングカン
ハ＝−４に製）およびエンプレート八〇−４８５（ジャ
パノメタルフイニシングカノパニ−ｕｌ製） ？” モ
有ＩＪてアル。
、硫酸酸性過酸化水素溶液、硫酸酸性１１間硫酸とノモ
ニクム溶液、錨硫酸ｒンモニクム水溶液、硝酸水層液等
の化学処理液か特にイ■幼である。この他ギュノター・
ペソオー著「金属エツチング技術」［（■アグネ発行Ｊ
に記載の化学匙ＢＪｉ（夜かあげられる。また市販の化
学処理？陵としては、ブリポジット７４６（シブレイ社
製）、ｒクラン９フ（シャパンメタルフイニシングカン
ハ＝−４に製）およびエンプレート八〇−４８５（ジャ
パノメタルフイニシングカノパニ−ｕｌ製） ？” モ
有ＩＪてアル。
なお、必跨ならば、前述の化学処理液を基板に施す前に
溶刈脱１指、薬液による脱１指を行ｌよってもよい。
溶刈脱１指、薬液による脱１指を行ｌよってもよい。
これらの化学処理による処理条件は次のようにして決め
られる。すなわち、これらの化学処理液により整向され
た基板表面の状寒が、化学的に清浄でありかつ十点平均
粗さＩｔ ｚとして０．０１〜５μｍ、表面反射法によ
る鏡面光沢度ＧＳ（４５°）として１０〜２００％でか
２その場合の半値角か１０°以［となる条件であればよ
く、とくに好ましくけ十点平均粗さＲ２として０．０１
〜１μｍ、鏡面光沢５Ｇｓ （４５° ）として５０〜
２００１）６、その場合の半値角が５°以丁が好ましい
。つまり十点平均粗さはできるたけ小さい特性値を、表
面光沢ぽはてきるだけ大きい特性値を、半値角はできる
だけ小さい特性値をそれぞれ示す均一で１＆細な凹凸を
有する基板表面か特に好ましい。
られる。すなわち、これらの化学処理液により整向され
た基板表面の状寒が、化学的に清浄でありかつ十点平均
粗さＩｔ ｚとして０．０１〜５μｍ、表面反射法によ
る鏡面光沢度ＧＳ（４５°）として１０〜２００％でか
２その場合の半値角か１０°以［となる条件であればよ
く、とくに好ましくけ十点平均粗さＲ２として０．０１
〜１μｍ、鏡面光沢５Ｇｓ （４５° ）として５０〜
２００１）６、その場合の半値角が５°以丁が好ましい
。つまり十点平均粗さはできるたけ小さい特性値を、表
面光沢ぽはてきるだけ大きい特性値を、半値角はできる
だけ小さい特性値をそれぞれ示す均一で１＆細な凹凸を
有する基板表面か特に好ましい。
上記基板表面の整面状態の測定方法を以「に述へる。
く十点平均粗さＲｚン
十点平均粗さとは、断面曲線即し被測定面の平面
均表面に直角な平面で被測定后切断したとき、その切り
口に現われる輪郭から、断面曲線の一定長さ、即ち基準
長さだけ抜き収った部分の平均線に・１７−均な直線の
うち、高い方から３番目の山頂を通るものと、深い方か
ら３番目の谷底を通るものを選ひ、この２木の直線の間
隙を断面曲線の縦倍率の方向に測定して、その値をミク
ロン単位で表わしたものであり、ＪＩＳ Ｂ−０６０
１に詳細に規定されている。
口に現われる輪郭から、断面曲線の一定長さ、即ち基準
長さだけ抜き収った部分の平均線に・１７−均な直線の
うち、高い方から３番目の山頂を通るものと、深い方か
ら３番目の谷底を通るものを選ひ、この２木の直線の間
隙を断面曲線の縦倍率の方向に測定して、その値をミク
ロン単位で表わしたものであり、ＪＩＳ Ｂ−０６０
１に詳細に規定されている。
〈鏡面光沢度Ｇ５（４５° ）〉
一般に、凹凸のある金属表面に、金１萬表面と一定の角
度（入り・１角）の光束が入１ツするとその反射光は拡
散する。いま汲に大引角を４５°とし、反射光と金属面
のなす角θ（受光角）を変化させ、受ソＣ器により反射
光強度を測定すると、受光角θに対し、反引）１６強反
は、図面に示すように任、はの分（１ｉを示す。しかし
ながら、その反射光強度分布１−４、凹凸の高さあるい
は傾きの状婦にｈｔシて異７．（つてくる。
度（入り・１角）の光束が入１ツするとその反射光は拡
散する。いま汲に大引角を４５°とし、反射光と金属面
のなす角θ（受光角）を変化させ、受ソＣ器により反射
光強度を測定すると、受光角θに対し、反引）１６強反
は、図面に示すように任、はの分（１ｉを示す。しかし
ながら、その反射光強度分布１−４、凹凸の高さあるい
は傾きの状婦にｈｔシて異７．（つてくる。
ｌ視向）ＩＣ沢ｔＫ Ｇ５ （４５” ）とは、反別’
ｔ 強ｊｌ 分子１ｉ ノ最友の反ｖｑ ｙｅ強度（
図のθ。における反引）”６強反）に１関し、屈折率ｎ
＝１．５６７の７レネルガラスにおけるｌｉ’ｉを１０
０９４としたときの相対強度で表１ｂしたものである。
ｔ 強ｊｌ 分子１ｉ ノ最友の反ｖｑ ｙｅ強度（
図のθ。における反引）”６強反）に１関し、屈折率ｎ
＝１．５６７の７レネルガラスにおけるｌｉ’ｉを１０
０９４としたときの相対強度で表１ｂしたものである。
なお、測定器としては、（掬村上色彩技術研究所製の自
動変角光度計を用いた。
動変角光度計を用いた。
く半値角〉
図面に示される反射光強度分布において、最大の反射光
強度Ｇ５（４５°）の１／２ の反射光強度に対応す
る受光角ｄ□、θ２を求め、両者の差の１／２を半値角
としだものである。
強度Ｇ５（４５°）の１／２ の反射光強度に対応す
る受光角ｄ□、θ２を求め、両者の差の１／２を半値角
としだものである。
この発明の方法は、前述のような均一で微細な特定の凹
凸を有する基板表面を使用することにより、剥離現像時
の方向を任意に選択設定できるところに特徴を有するも
のである。
凸を有する基板表面を使用することにより、剥離現像時
の方向を任意に選択設定できるところに特徴を有するも
のである。
ところで、特願昭５６−１５２５９６ 号明細書におい
て、基板表面に方向性のない無秩序な微細な凹凸を形成
した場合、支持体剥離方向に沿う方向でのフオ）Ｌ／シ
スト各部の接叶カか不均一となり、該支持体の剥離がス
ムースに行なわれず、未露光部分の残留や剥がれが生じ
易い旨の記載かなされている。
て、基板表面に方向性のない無秩序な微細な凹凸を形成
した場合、支持体剥離方向に沿う方向でのフオ）Ｌ／シ
スト各部の接叶カか不均一となり、該支持体の剥離がス
ムースに行なわれず、未露光部分の残留や剥がれが生じ
易い旨の記載かなされている。
しかしなから、この発明の方法で得られる整面状態の基
板を使用することにより、前述の未露光部分の残留や露
光部の剥がノ″Ｌは実用」二はとんど問題とならない稈
度に減少する。さらに基板表面の凹凸の高低差が非常に
小びいことにより、支持体のφＩ Ｉｌｌ’：方向を定
めることなく任意の方向に剥離する場合でも、フォトレ
ジスト各部の接打力を一定にさせておくことができ、こ
のだめパターンの形状に関１系なく、信頼性か高く高解
像度のものを得ることができる。
板を使用することにより、前述の未露光部分の残留や露
光部の剥がノ″Ｌは実用」二はとんど問題とならない稈
度に減少する。さらに基板表面の凹凸の高低差が非常に
小びいことにより、支持体のφＩ Ｉｌｌ’：方向を定
めることなく任意の方向に剥離する場合でも、フォトレ
ジスト各部の接打力を一定にさせておくことができ、こ
のだめパターンの形状に関１系なく、信頼性か高く高解
像度のものを得ることができる。
この点につき（−Ｊ言すれば、基板表向の凹凸か、（鈑
めで小さくなったことのために７オトレジストの谷部の
接ζ力か均一なものとなるたけではなく、基板表面の凹
凸の高低差が大きい場合の露ソロ時の汚件ソＣ線による
ハレーションを抑制でき、これが両１象の店頼性を向上
させることになる。さらに、上記凹凸の高低差が極めて
小さくなったことによりフォトレジストの各部の接荷力
か低ドしようとしても、化学処理によって基板表面に存
在する酸性基の働きのために、上記接蒔力の低下刃ｑ目
補され、これにより前述の効果をもたらすものである。
めで小さくなったことのために７オトレジストの谷部の
接ζ力か均一なものとなるたけではなく、基板表面の凹
凸の高低差が大きい場合の露ソロ時の汚件ソＣ線による
ハレーションを抑制でき、これが両１象の店頼性を向上
させることになる。さらに、上記凹凸の高低差が極めて
小さくなったことによりフォトレジストの各部の接荷力
か低ドしようとしても、化学処理によって基板表面に存
在する酸性基の働きのために、上記接蒔力の低下刃ｑ目
補され、これにより前述の効果をもたらすものである。
なお、この発明において使用する＋７ ｆ象形成財料の
光重合性組成物層は、従来より剥離現像型フォトレジス
トとして使用されている光重合性組成物層と同様であり
、各構成物ｔユ、従来のものから用途、目的および性質
に応じて適宜選択すれはよい。
光重合性組成物層は、従来より剥離現像型フォトレジス
トとして使用されている光重合性組成物層と同様であり
、各構成物ｔユ、従来のものから用途、目的および性質
に応じて適宜選択すれはよい。
さらにこの発明の方法はプリント−配線基板の製造〕用
に好適であり、とくにフレキシブルプリント配線基板の
作製の用として推奨されるものである。
に好適であり、とくにフレキシブルプリント配線基板の
作製の用として推奨されるものである。
その場＆、表面処即が施される銅箔は圧延銅箔、醸酵銅
箔等の種類に限定されるものではない。
箔等の種類に限定されるものではない。
つきに、この発明の実施例と比較例を示す。
各例中で部（！：あるのはいずれも重量部を意味する。
実施例
塩素化ポリエチレン６０部、ポリメタクリル酸メチル４
０部、ペンタエリスリトールアクリレ−−ト５０部、オ
リゴエステルアクリレート７０部、ベンゾフェノン２．
０ｆｌ（，４・４′−ヒスジエチルアミノベンゾフェノ
ン２０部、バラメトキシフェノール０．１部、エチルバ
イオレット０．３部およびトルエン４００部からなる光
重合性組成物溶液を厚さ２５μ＋１１のポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に乾燥塗膜厚が３７μｍとなる
ように塗布し、８０℃で１５分間のｌ；１２１．燥を行
なって画像形成１ｕ’１を得た。
０部、ペンタエリスリトールアクリレ−−ト５０部、オ
リゴエステルアクリレート７０部、ベンゾフェノン２．
０ｆｌ（，４・４′−ヒスジエチルアミノベンゾフェノ
ン２０部、バラメトキシフェノール０．１部、エチルバ
イオレット０．３部およびトルエン４００部からなる光
重合性組成物溶液を厚さ２５μ＋１１のポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に乾燥塗膜厚が３７μｍとなる
ように塗布し、８０℃で１５分間のｌ；１２１．燥を行
なって画像形成１ｕ’１を得た。
一方、プリント配線用の銅−ガラスエポギシ項水溶１１
支に材温で１分間浸漬して水洗して、ｒに学整曲を行／
、ｊつだ後、乾燥させた。この基板表面の十点・１７−
均表面粗さ／ｉ０．６μｍ１】、反ＩＪＸＪ率測定によ
る鏡面光沢度は８０９６、その１祭の半値角は１．５’
で、非゛ｌδに吻−で微細な凹凸が形成されていた。
支に材温で１分間浸漬して水洗して、ｒに学整曲を行／
、ｊつだ後、乾燥させた。この基板表面の十点・１７−
均表面粗さ／ｉ０．６μｍ１】、反ＩＪＸＪ率測定によ
る鏡面光沢度は８０９６、その１祭の半値角は１．５’
で、非゛ｌδに吻−で微細な凹凸が形成されていた。
上記基板表面に前記画１象形１戒材料を貼着して加ｌＪ
Ｅラミネートし、所定のｒ強＋ｉ原稿を密行させて３゛
仄虐でポリエチレンテレフタレートを剥１１４１ ｔ、
て現像を行なったところ、パターン形・犬がいかなる形
状であっても露光部分の判がれや未露光部分の（ｑ百ｆ
ｆｌ Ｉ”ｄ ＩＪはとんど認められず、約１２５μｍ
の解比較例 実施例と同一材料を用いて一１銅・ガラスエポキシ積層
基板の銅表面を湿式パフ（Ｉ７Ｔ摩のストレート法によ
って一定方回に整面した後、乾燥させた。
Ｅラミネートし、所定のｒ強＋ｉ原稿を密行させて３゛
仄虐でポリエチレンテレフタレートを剥１１４１ ｔ、
て現像を行なったところ、パターン形・犬がいかなる形
状であっても露光部分の判がれや未露光部分の（ｑ百ｆ
ｆｌ Ｉ”ｄ ＩＪはとんど認められず、約１２５μｍ
の解比較例 実施例と同一材料を用いて一１銅・ガラスエポキシ積層
基板の銅表面を湿式パフ（Ｉ７Ｔ摩のストレート法によ
って一定方回に整面した後、乾燥させた。
この基板表面の整面方向に゛おける表面粗さは０８μｍ
、鏡面光沢度Ｇ５（４５°）は４５９６、半値角は１５
°、基板表面の整面方向と直交方向の表面粗さは２５μ
ｍ、鏡面光沢度Ｇ５（４５°）ｔｒｉ、７５９０、半直
角は５°であった。レジストラミネート露光現像を実施
例と同一操作で行なった後、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを基板表面の”ＩＥ ｍ 方向に沿って剥離
現像を行なったところ、整向剥離蜆像方向における解像
度は１２５μＩｎであった。
、鏡面光沢度Ｇ５（４５°）は４５９６、半値角は１５
°、基板表面の整面方向と直交方向の表面粗さは２５μ
ｍ、鏡面光沢度Ｇ５（４５°）ｔｒｉ、７５９０、半直
角は５°であった。レジストラミネート露光現像を実施
例と同一操作で行なった後、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを基板表面の”ＩＥ ｍ 方向に沿って剥離
現像を行なったところ、整向剥離蜆像方向における解像
度は１２５μＩｎであった。
これに対し、整面剥Ｆ＠現像方向と直交関係にあるパタ
ーンの解像性は一部が１２５μＩｎではあったが、未露
光部分の残留か僅かに認めらｒｔた。
ーンの解像性は一部が１２５μＩｎではあったが、未露
光部分の残留か僅かに認めらｒｔた。
以上のように、この発明の両峰形成方法によれば、商業
的に何月な高信頼性を確医でき、しかも高精度の解像性
を示すレジスト画像を容易に形成することができる。
的に何月な高信頼性を確医でき、しかも高精度の解像性
を示すレジスト画像を容易に形成することができる。
図面はこの発明における基材表面の表向光沢度（４５°
）およびその半１直角を説明するための図である。 θ、 θｏ０１ 壺 尤 内→
）およびその半１直角を説明するための図である。 θ、 θｏ０１ 壺 尤 内→
Claims (1)
- （１）画像形成される基板の表面に、化学整面によりａ
ｔ争でかつ微細な凹凸を形成するとともに、この凹凸を
十点平均粗さとして０．０１〜５１１ｍ’、表面反刺法
による鏡面光沢度（４５° ）として１０〜２００９６
でかつその場合の半崎角１００以−ドに設定し、この整
向された基板表面に、光重身性組成物か透明支持体に被
蒼されてなる剥離現像可能な画像形成材、Ｆ１を貼鐙し
、所定パターンで露光した後、上記支持体を剥離するこ
とにより、上記基板表［「ｆｌに所定パターンの画像を
形成することを特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17130182A JPS5961196A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17130182A JPS5961196A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961196A true JPS5961196A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15920744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17130182A Pending JPS5961196A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961196A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114771A (ja) * | 1973-03-10 | 1974-11-01 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17130182A patent/JPS5961196A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114771A (ja) * | 1973-03-10 | 1974-11-01 |
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