JPS5961536U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5961536U JPS5961536U JP15652582U JP15652582U JPS5961536U JP S5961536 U JPS5961536 U JP S5961536U JP 15652582 U JP15652582 U JP 15652582U JP 15652582 U JP15652582 U JP 15652582U JP S5961536 U JPS5961536 U JP S5961536U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- emitter
- insulating film
- surface insulating
- layer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案による実施例委示す半導体基板、 断面
図、第２図ａは従来装置の動作特性図、第２図すは本考
案による実施例の動作特性図である。 １：ｐ型半導体基板、２：ｎ型エピタキシャル層、９．
１６：−ｃミッタ電極、Ａ、 ｆ３． Ｃ：ｐｎ接合部
、６：表面絶縁膜、１０：層間絶縁層。
図、第２図ａは従来装置の動作特性図、第２図すは本考
案による実施例の動作特性図である。 １：ｐ型半導体基板、２：ｎ型エピタキシャル層、９．
１６：−ｃミッタ電極、Ａ、 ｆ３． Ｃ：ｐｎ接合部
、６：表面絶縁膜、１０：層間絶縁層。
Claims (3)
- （１）絶縁層を介して少なくとも２層に配線が形成され
てなる半導体装置において、エミッタに接続された半導
体基板側第１層配線を、少な（ともエミッターベース接
合を充分に被う形状にニー ミッタ領域の表面絶縁膜上
に延在させて形成したことを特徴とする半導体装置。 - （２）前記半導体装置はＮＰＮ ）ランジスタを含み、
前記エミッタに接続された第１層配線はエミッターベー
ス接合部の表面絶縁膜上を被ってなることを特徴とする
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記半導体装置はＰＮＰ横型トランジスタを含み
、前記エミッタに接続された第１層配線は、ベース活性
領域を含めてエミッターベース−コレクタ接合部の表面
絶縁膜上を被ってなること番特徴とする請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652582U JPS5961536U (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652582U JPS5961536U (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961536U true JPS5961536U (ja) | 1984-04-23 |
Family
ID=30345350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15652582U Pending JPS5961536U (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961536U (ja) |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP15652582U patent/JPS5961536U/ja active Pending
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