JPS6041048U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6041048U
JPS6041048U JP13447283U JP13447283U JPS6041048U JP S6041048 U JPS6041048 U JP S6041048U JP 13447283 U JP13447283 U JP 13447283U JP 13447283 U JP13447283 U JP 13447283U JP S6041048 U JPS6041048 U JP S6041048U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
transistor
semiconductor device
junction
emitter
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Pending
Application number
JP13447283U
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English (en)
Inventor
原山　政弘
Original Assignee
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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  • Bipolar Transistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは本考案の一実施例の平面図、同図すは図ａの
Ａ−Ａ断面図である。 １・・・Ｎエミツタ層、２・・・Ｐベース層、３・・・
Ｎコレクタ層、４・・・Ｎ＋埋込層、５・・・Ｐ型絶縁
領域（基板）、５ａ・・・Ｐ型絶縁領域上のコンタクト
、６・・・エミッタ配線、６ａ・・・エミッタコンタク
ト、７・・・ベース配線、７ａ・・・ベースコンタクト
、８・・・コレクタ配線、８　ａ・・・コレクタコンタ
クト１．９・・・絶縁膜、１０・・・抵抗成分。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ｐ型基板にＰＮ接合分離により形成されたバイポーラＮ
    ＰＮトランジスタを含む半導体装置において、前記ＮＰ
    Ｎ）ランジスタのエミッタと接続されるコンタクトが前
    記ＰＮ接合に沿って帯状にＰ型絶縁領域の上に設けられ
    ていることを特徴とする半導体装置。
JP13447283U 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置 Pending JPS6041048U (ja)

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JP13447283U JPS6041048U (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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JP13447283U JPS6041048U (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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JPS6041048U true JPS6041048U (ja) 1985-03-23

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ID=30302987

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JP13447283U Pending JPS6041048U (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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