JPS5961939A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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Publication number
JPS5961939A
JPS5961939A JP57172876A JP17287682A JPS5961939A JP S5961939 A JPS5961939 A JP S5961939A JP 57172876 A JP57172876 A JP 57172876A JP 17287682 A JP17287682 A JP 17287682A JP S5961939 A JPS5961939 A JP S5961939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
strength
wire
semiconductor element
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57172876A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Fukui
福井　康夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5961939A publication Critical patent/JPS5961939A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のボンディング用Ａｌ線１１’　Ｌ
　＜は線径２０〜７０μφのボンディング用Ａｌ線に関
する。
従来、一般的に使用されているＡｕ線はシリコンチップ
電極として蒸着されているＩｔと容易に金属間化合物を
っ＜ル、その結果ボンディング強度を著しく低下させる
ため該Ａｌｌ線の代替としてシリコンチップ電極と同種
のＡｌ＋１Ｍが使用されている。
このＡｌ線は高純度の場合にあっては軟がすぎて超音波
ボンディング強度が十分に得られないので、その硬さを
増すためと極細線加工をし易くするために１　ｗｔ％の
シリコン（Ｓｌ）を添加して使用している。
しかし、このＡｌ線は化学的に活性金属であることから
酸化し易く高温下で接合させる熱圧着法には不適であっ
て、もっばら超音波接合法によ多接合作業が行なわれて
いた。
最近、アルゴンガスなど不活性ガス雰囲気を利用するこ
とによシ、Ａｌｌｌ１！においてもＡｕｉと同様に熱圧
着法の採用が可能となった。
しかるに従来使用されるＡｌ線は前述のように高純度（
９９，９％以上）のＡｌに１ｗｔ％のシリコンを含有さ
せたものであるが、このＡｔ線で熱圧着したともに高速
ボンダーを使用するに十分な機械的強度が得られ々いな
ど、ボンディング性能に劣る不具合が見られた。
本発明は斯る従来ｈｔａの不具合を所定の添加元素を含
有させることによって解消し、熱圧着法によるボンディ
ング性能を向上させることを目的とするもので、１ｗｔ
％のシリコンを添加しない高純度のＡｌに、０，１〜ｌ
、Ｑｗｔ％Ｎ１及び／又は０、ｉ　〜０．４ｗｔ％ＣＩ
ＩＮすなわち前記Ｎ１、Ｃｕの何れか一方又は両者を含
有せしめたことを特徴とする０ 尚、上記本発明のＡ　ｌ　＆ｉは熱圧着法だけではなく
、超音波接合法にあっても十分その使用に供し得るもの
である。
上記添加元素、Ｎｉ５Ｃｕは夫ｈＡｌのボンデ・インク
強度を高めるもので、実験結果によれば含有量が０．］
ｖｔ％Ｎ１、Ｑ、ｌ＊ｔ％Ｃｕ以下ではその実効が少な
く　、１．ｏｗｔ％Ｎｉ、Ｑ、４ｗｔ％Ｃｕを越えると
、Ａｔボールの形状がいびつとなシ、かえってボンディ
ング強度が劣化する幣害を生ずる。
以下に実施例を示す。
各試料けＡ１合金を溶解鋳造し、線引加工によυ線径３
０μφの極細線としたものである。
各試料の添加元素及びその含有量は次表（１）に示す通
シであシ、試料Ａ１〜９は本発明の実施品ＡＩＯは１．
９ｗｔ％Ｓ１を添加させる従来品でおる０表（１） 上記各試料をもって機械的性質、Ａｌボールの形状を測
定した実験結果を表（２）に示す。尚、表中の初期とは
線引加工した直後の引張強さをいう。
表（２） 上記結果よυみて、Ｎ１、Ｃｕ含有量の最適範囲０．１
〜１．Ｏｗｔ％、０．１〜０．４　ｗｔ％を選択した。
上記表から知れるように本発明のＡｔ線は従来Ａｔ線に
較べて引張強さが改善されるので線引加工中に断線した
り、ボンディング作業中ボンディング後の引張強さが高
く接着強度が改善されるなど熱圧着法を使用する際のボ
ンディング性能が向上する。
又、引張強さが向上するので、従来の超音波接合法を利
用しても断線等の不具合がなく有益である。さらに、本
発明Ａｔ線は添加元素により耐食性が向上し、樹脂封止
後における信頼性が高い。
尚、本発明は前述した配合のＡｌ線にさらに他の特性を
増すだめの元素を１又は複数含有させることも任意であ
シ、例えばＡｌの結晶微細化、高温特性を増大させるた
めに０．０１〜０．０５ｗｔ％Ｃ＆を含有させる等であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高純度のＡｌに、０．１〜ｌ、９ｗｔ％のニッケルへ１
    ）及び／又は０．１〜０．４ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を含有
    せしめた半導体素子のボンディング用Ａｌ線。
JP57172876A 1982-09-30 1982-09-30 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Pending JPS5961939A (ja)

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JP57172876A JPS5961939A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS5961939A true JPS5961939A (ja) 1984-04-09

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198851A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Hitachi Ltd 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ
CN103789579A (zh) * 2014-02-21 2014-05-14 汕头市骏码凯撒有限公司 一种大直径键合铝线及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198851A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Hitachi Ltd 半導体用高耐食高硬度ボール付アルミニウム合金ワイヤ
CN103789579A (zh) * 2014-02-21 2014-05-14 汕头市骏码凯撒有限公司 一种大直径键合铝线及其制造方法
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