JPS5961950A - 半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5961950A JPS5961950A JP57170886A JP17088682A JPS5961950A JP S5961950 A JPS5961950 A JP S5961950A JP 57170886 A JP57170886 A JP 57170886A JP 17088682 A JP17088682 A JP 17088682A JP S5961950 A JPS5961950 A JP S5961950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- wire
- connection
- header
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
- H10W70/427—Bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明にレジンパッケージ型半導体装置およびその組立
に用いるリードフレームに関する。
に用いるリードフレームに関する。
レジンパッケージ型半導体装置の一つとして、第1図に
示すようなTO−220型のトランジスタが知らnてb
る。このトランジスタlid平行に延在する3本のリー
ド2全有してbる。そして、中央のり−ド2は内端部で
下方に折れ曲がシ、その先端でヘッダ3と呼ぶ幅広の導
板に連結されている。ヘッダ3のリード側内端部上面に
はトランジスタ用のベレット4が固定δれている。また
、ベレット4のエミッタ、ベース、コレクタの各電極は
対応するリード2の内端部にワイヤ5を介して接続され
て込る。また、ヘッダ3の内端部からリード2の内端部
分はレジンモールドによるモールド体6によってパッケ
ージされている。ヘッダ3は下面が露出し、放熱面とな
っている。なお、ヘッダ3は各リード2よシもそのN嘔
が厚くなっ−(tnる。そこで、組立に用いるリードフ
レームは、一部が厚い異形材全町ち抜いてパターニング
化した後、中央のリードを一段、階段状に折シ曲げてI
J−)−7レームを形成したシ、あるいは厚いヘッダと
薄いリード列と音別々に形成した後、先端が下方に折シ
曲げら7れた中央リード’r−、ラダに設けた切込部に
カシメによって接続してリードフレームヶ形成している
。
示すようなTO−220型のトランジスタが知らnてb
る。このトランジスタlid平行に延在する3本のリー
ド2全有してbる。そして、中央のり−ド2は内端部で
下方に折れ曲がシ、その先端でヘッダ3と呼ぶ幅広の導
板に連結されている。ヘッダ3のリード側内端部上面に
はトランジスタ用のベレット4が固定δれている。また
、ベレット4のエミッタ、ベース、コレクタの各電極は
対応するリード2の内端部にワイヤ5を介して接続され
て込る。また、ヘッダ3の内端部からリード2の内端部
分はレジンモールドによるモールド体6によってパッケ
ージされている。ヘッダ3は下面が露出し、放熱面とな
っている。なお、ヘッダ3は各リード2よシもそのN嘔
が厚くなっ−(tnる。そこで、組立に用いるリードフ
レームは、一部が厚い異形材全町ち抜いてパターニング
化した後、中央のリードを一段、階段状に折シ曲げてI
J−)−7レームを形成したシ、あるいは厚いヘッダと
薄いリード列と音別々に形成した後、先端が下方に折シ
曲げら7れた中央リード’r−、ラダに設けた切込部に
カシメによって接続してリードフレームヶ形成している
。
このようなトランジスタでは、中央のリードであるコレ
クタリードにワイヤを接続する際ワイヤはコレクタリー
ドのHI1曲げ部分上に接続さn易い。丁なわち、設計
上でに平坦となった部分にワイヤが接続されるようにな
っていても、ワイヤボンディングの接続位置のバラツキ
によってワイヤが曲面上に接続されることもあシ、また
、リードフレームの加工精度のバラツキによって平坦と
なる部分であっても、実際にはまだ平坦とにならない曲
面部分である場合もある。
クタリードにワイヤを接続する際ワイヤはコレクタリー
ドのHI1曲げ部分上に接続さn易い。丁なわち、設計
上でに平坦となった部分にワイヤが接続されるようにな
っていても、ワイヤボンディングの接続位置のバラツキ
によってワイヤが曲面上に接続されることもあシ、また
、リードフレームの加工精度のバラツキによって平坦と
なる部分であっても、実際にはまだ平坦とにならない曲
面部分である場合もある。
功、在はパンケージの小型化が図ら7Lでいるためさら
にワイヤがリードの折れ曲げ部分上に接続され易くなる
。
にワイヤがリードの折れ曲げ部分上に接続され易くなる
。
この結果、曲面HI3分に接続さt′したワイーヤにそ
の接続強度が弱く接続の侶頼性瀘低くな広 トランジス
タの製造歩留の低下、(g顕性の低下を来たしてしまう
。
の接続強度が弱く接続の侶頼性瀘低くな広 トランジス
タの製造歩留の低下、(g顕性の低下を来たしてしまう
。
したがって、本発明の[1的は、一部のリードの内端が
下方に折れ曲がってヘッダに連結され、かつこの折れ曲
がったリードの内端部にワイヤ?接続する構造の半導体
装置におけるワイヤの接合強度向上を図ることにある。
下方に折れ曲がってヘッダに連結され、かつこの折れ曲
がったリードの内端部にワイヤ?接続する構造の半導体
装置におけるワイヤの接合強度向上を図ることにある。
このような目的音達成するために不発明に、一部のリー
ドの内端が下方に折れ曲がって−・ラダにlさn、〃・
つこのリードの内端部分には該IJ−ドより分岐した平
j旦な接続用突子が設けられてなるリードフレームを用
すて半導体装1腹全製造してなるものでおシ、半導体装
置の状態では6+1記−ラダ上に固定したべVットの所
定の電極に接続したワイヤにその一端?前記接続用突子
上に接続してなるものである。
ドの内端が下方に折れ曲がって−・ラダにlさn、〃・
つこのリードの内端部分には該IJ−ドより分岐した平
j旦な接続用突子が設けられてなるリードフレームを用
すて半導体装1腹全製造してなるものでおシ、半導体装
置の状態では6+1記−ラダ上に固定したべVットの所
定の電極に接続したワイヤにその一端?前記接続用突子
上に接続してなるものである。
以下、#/、施列によυ本発明全説明する。
第3図は本発明の一爽m列によるトランジスタ勿示す一
部紮切シ欠いた平面図、第2図は同じく断面図、第5図
は同じくトランジスタ全製造する除用いるリードフレー
ムの斜視図である。
部紮切シ欠いた平面図、第2図は同じく断面図、第5図
は同じくトランジスタ全製造する除用いるリードフレー
ムの斜視図である。
この実施列のトランジスタ1は平行に延在する3本のり
一ド2葡有している。そして、中央のり一ド2は内端部
で二叉に分岐し、一方は下方に折れ曲がシ、その先端で
ヘッダ3と呼ぶ幅広の導板に連結されている。また、分
岐した曲刃は前記折れ曲が9部分の側方に突出して接続
用突子7全形作っている。この接続用突子7は平坦(フ
ラット)となシ、両側のり一ド2の内端部と同様にワイ
ヤ接続領域を形作っている。両側のリード2のワイヤ接
続領域は両側に張出部を有して後述するモールド体から
抜は難いように引掛けるようになっている。
一ド2葡有している。そして、中央のり一ド2は内端部
で二叉に分岐し、一方は下方に折れ曲がシ、その先端で
ヘッダ3と呼ぶ幅広の導板に連結されている。また、分
岐した曲刃は前記折れ曲が9部分の側方に突出して接続
用突子7全形作っている。この接続用突子7は平坦(フ
ラット)となシ、両側のり一ド2の内端部と同様にワイ
ヤ接続領域を形作っている。両側のリード2のワイヤ接
続領域は両側に張出部を有して後述するモールド体から
抜は難いように引掛けるようになっている。
ヘッダ3のリード側内端部上面にはトランジスタ用のベ
レット4が固定されている。筐之、ペレット4のエミッ
タ、ベース、コレクタの各電極は対応するリード2のワ
イヤ接続領域に接続さnている。筐た、−ラダ3の内端
部からり一ド2の内端部分はレジンモールドによるモー
ルド体6によってパンケージ芒nて込る。ヘッダ3は下
面がモールド体6から露出し、放熱面となっている。1
^、ヘッダ3は各リード2の厚さよシも厚くなっている
。葦り、ヘッダ3のモールド体6によって被われない左
端中央部にはこのトランジスタ1ケ取付板等に固定する
際使用する取付孔8が設けらnている。
レット4が固定されている。筐之、ペレット4のエミッ
タ、ベース、コレクタの各電極は対応するリード2のワ
イヤ接続領域に接続さnている。筐た、−ラダ3の内端
部からり一ド2の内端部分はレジンモールドによるモー
ルド体6によってパンケージ芒nて込る。ヘッダ3は下
面がモールド体6から露出し、放熱面となっている。1
^、ヘッダ3は各リード2の厚さよシも厚くなっている
。葦り、ヘッダ3のモールド体6によって被われない左
端中央部にはこのトランジスタ1ケ取付板等に固定する
際使用する取付孔8が設けらnている。
このようなトランジスタ1に中央のり一ド2へのワイヤ
5の接続は、従来のようなり一ド2の折n曲がり近傍へ
の接続とは異なり、特別に設りた平坦な接続用突子7へ
の接続となるため、ワイヤ接合に何等不具合が生ぜず、
弥い接合強度を有するワイヤ接続が行なえる。したがっ
て、ワイヤ剥離、ワイヤ接続不良は起きないため、歩留
の向上全図ることができるとともに、ワイヤ接続の1g
頼度、トランジスタとしての信頼度が向上する。
5の接続は、従来のようなり一ド2の折n曲がり近傍へ
の接続とは異なり、特別に設りた平坦な接続用突子7へ
の接続となるため、ワイヤ接合に何等不具合が生ぜず、
弥い接合強度を有するワイヤ接続が行なえる。したがっ
て、ワイヤ剥離、ワイヤ接続不良は起きないため、歩留
の向上全図ることができるとともに、ワイヤ接続の1g
頼度、トランジスタとしての信頼度が向上する。
つぎに、このトランジスタ1の組立NIQに用いるリー
ドフレームにつ論て第5図7参照しながら説明する。リ
ードフレーム9は埋い部分と薄い部分七有する異形材を
プレスによって所望形状に打ち抜くとともに、一部で階
段状に折り曲げることによって形成される。丁なわち、
異形制の厚肉部はヘッダ3が形作らnX薄肉部は3本の
IJ −ト” 2およびこnらリード2を連結する枠片
10.ダム片11が形作られる。3本のり一ド2のうち
、中央のり一ド2はその内端部は二叉に形成場れ、一方
は折シ曲けられてヘッダ3と連結し、曲刃に折シ曲げ部
分の側方に延在する接続用突子7を形作る。筐た、ヘッ
ダ3の左端中央には取付孔8が、砕片10にはリードフ
レーム9の取扱時のガイドして用いるガイド孔12が設
けられている。
ドフレームにつ論て第5図7参照しながら説明する。リ
ードフレーム9は埋い部分と薄い部分七有する異形材を
プレスによって所望形状に打ち抜くとともに、一部で階
段状に折り曲げることによって形成される。丁なわち、
異形制の厚肉部はヘッダ3が形作らnX薄肉部は3本の
IJ −ト” 2およびこnらリード2を連結する枠片
10.ダム片11が形作られる。3本のり一ド2のうち
、中央のり一ド2はその内端部は二叉に形成場れ、一方
は折シ曲けられてヘッダ3と連結し、曲刃に折シ曲げ部
分の側方に延在する接続用突子7を形作る。筐た、ヘッ
ダ3の左端中央には取付孔8が、砕片10にはリードフ
レーム9の取扱時のガイドして用いるガイド孔12が設
けられている。
このようなリードフレーム9にあっては、トランジスタ
の組立においては、ヘッダ3の上面所定部にベレット4
を固定した後、このベレット4の電極とリード2の内端
(中央リード2にあっては接続用突子7)とをワイヤ5
で接続する。その後、レジンモールドによって所定部を
被い、不要となったダム片11および枠片10會切断除
去して、第3図に示すようなトランジスタtr製造する
。
の組立においては、ヘッダ3の上面所定部にベレット4
を固定した後、このベレット4の電極とリード2の内端
(中央リード2にあっては接続用突子7)とをワイヤ5
で接続する。その後、レジンモールドによって所定部を
被い、不要となったダム片11および枠片10會切断除
去して、第3図に示すようなトランジスタtr製造する
。
なお、本発明は前記実施列に限定されない。丁なわち、
−ラダ3と中央のり一ド2はカシメ等によって連結さn
る構造でもより0 1た、本発明はトランジスタ以外の集積回路等にも適用
できる。
−ラダ3と中央のり一ド2はカシメ等によって連結さn
る構造でもより0 1た、本発明はトランジスタ以外の集積回路等にも適用
できる。
以上のように、本発明によれば、一部のリードの内端が
下方に折n曲がって−・ラダに連結され、かつこの折n
曲がったリードの内端部にワイヤを接続する構造の半導
体装置におりて、ワイヤの接合強度の向上を図ることが
できる。
下方に折n曲がって−・ラダに連結され、かつこの折n
曲がったリードの内端部にワイヤを接続する構造の半導
体装置におりて、ワイヤの接合強度の向上を図ることが
できる。
第1図は従来のトランジスタ全示す平面図、第2図は同
じく断面図、 第3図は本発明の一実施例によるトランジスタの平面図
、 第4図は同じく断面図、 第5図に同じくリードフレーム全売す斜視図である。 1・・・トランジスタ、2・・・リード、3・・・ヘッ
ダ、4・・・ベレット、5・・・ワイヤ、6・・・モー
ルド体、7・・・接続用突子、9・・・リードフレーム
。 計 ! 」 \b
じく断面図、 第3図は本発明の一実施例によるトランジスタの平面図
、 第4図は同じく断面図、 第5図に同じくリードフレーム全売す斜視図である。 1・・・トランジスタ、2・・・リード、3・・・ヘッ
ダ、4・・・ベレット、5・・・ワイヤ、6・・・モー
ルド体、7・・・接続用突子、9・・・リードフレーム
。 計 ! 」 \b
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一部のリードの内端が下方に折れ曲がって一ッダに連
結されるとともに、ハンダ上に固定したベレットの所定
電極に接続されたワイヤの一端をこの折れ曲がD IJ
−ドの内端部分に接続してなる半導体装置において、前
記ヘッダに連結嘔れたリードの内端部分には、該リード
よ多分岐した平坦な接続用突子が設けられていることに
%徴とする半導体装置。 2、一部のリードの内端が下方に折れ曲がりて−・ラダ
に連結さnてなるリードフレームにおいて、前記ヘッダ
に連結されたリードの内端部分には、該リードよ多分岐
した平坦な接続用突子が設けらnていること’に’Ft
徴とするり−ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170886A JPS5961950A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170886A JPS5961950A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961950A true JPS5961950A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15913134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170886A Pending JPS5961950A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57170886A patent/JPS5961950A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4937656A (en) | Semiconductor device | |
| US5977615A (en) | Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3038553B2 (ja) | 半導体パッケ―ジ用基板及び半導体パッケ―ジ並びにそれらの製造方法 | |
| JP2002222906A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| CN112913009B (zh) | 半导体装置以及引线框材料 | |
| US6291262B1 (en) | Surface mount TO-220 package and process for the manufacture thereof | |
| US4987473A (en) | Leadframe system with multi-tier leads | |
| US6107676A (en) | Leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device by use of it | |
| JPH04233244A (ja) | 集積回路アセンブリ | |
| JPS58218149A (ja) | 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム | |
| JP3614738B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05315520A (ja) | 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 | |
| JPH11233709A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 | |
| JP3036597B1 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US20250006597A1 (en) | Semiconductor device as well as a method for manufacturing such semiconductor device | |
| JP3781926B2 (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP2001135767A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5812452Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6234154B2 (ja) | ||
| JPH02278857A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5893336A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2979637B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR200141173Y1 (ko) | 리드돌출형 반도체 패키지 | |
| JP2504901B2 (ja) | 複数の電子部品パッケ―ジの製造方法 | |
| JP2000021922A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |