JPS5962863A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5962863A JPS5962863A JP17431982A JP17431982A JPS5962863A JP S5962863 A JPS5962863 A JP S5962863A JP 17431982 A JP17431982 A JP 17431982A JP 17431982 A JP17431982 A JP 17431982A JP S5962863 A JPS5962863 A JP S5962863A
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- JP
- Japan
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- amorphous silicon
- hydrogenated amorphous
- film
- silicon oxide
- oxide film
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえば雷、子複写機や電子プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関する。
られる電子写真感光体に関する。
アモルファスシリコン（ａ−８ｊ）は、主として太陽電
池などの半勇体応用技術において利用されつつあるが、
近年この種のアモルファスシリコンを重子写真技術に応
用する提案がｉされている。
池などの半勇体応用技術において利用されつつあるが、
近年この種のアモルファスシリコンを重子写真技術に応
用する提案がｉされている。
これは、このＸ重アモルファスシリコンの面１摩耗性、
長波長光に対する感度特性から、複写機、ノンインパク
トプリンタ等における静電潜像相持体である電子写真感
光体の羽村としての有用性が認められていることによる
。
長波長光に対する感度特性から、複写機、ノンインパク
トプリンタ等における静電潜像相持体である電子写真感
光体の羽村としての有用性が認められていることによる
。
ところで、このアモルファスシリコンを用いた電子写真
感光体は、導■テ性基板上に、ＳｉＨ４ガスのグロー数
箱分解によりアモルファスシリコン（ａ−８ｔ）膜を形
成してなる。しかし々がら、純Ｓ ｉＨ４ガスを用いて
形成された水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｔ；Ｈ
）膜は暗中での比抵抗が１０１１ｈ と小さいため、電
子写真プロセス中の直流コロナ帯電を行なっても充分な
表面を位を保持することができない。
感光体は、導■テ性基板上に、ＳｉＨ４ガスのグロー数
箱分解によりアモルファスシリコン（ａ−８ｔ）膜を形
成してなる。しかし々がら、純Ｓ ｉＨ４ガスを用いて
形成された水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｔ；Ｈ
）膜は暗中での比抵抗が１０１１ｈ と小さいため、電
子写真プロセス中の直流コロナ帯電を行なっても充分な
表面を位を保持することができない。
そこで、アモルファスシリコン膜の大暗抵抗化を図るべ
く酸Ｉをドーｔングすることが考えられている。すなわ
ち、５ＩＨ４ガスと０２ガスの混合ガスを用いて形成さ
れた水素化アモルファスシリコン酸化膜（ａ−８ｔ：Ｃ
）ｐＨ膜）では、ｏ２濃度をコントロールすることにょ
シ暗中での抵抗を１０１３Ωｍ以上にすることができる
。ところが、同時に光照射時の抵抗が１ｏ１１Ω（１）
以上になってしまい、充分な光感度が得られないので電
子写真感光体用としては使用できない。
く酸Ｉをドーｔングすることが考えられている。すなわ
ち、５ＩＨ４ガスと０２ガスの混合ガスを用いて形成さ
れた水素化アモルファスシリコン酸化膜（ａ−８ｔ：Ｃ
）ｐＨ膜）では、ｏ２濃度をコントロールすることにょ
シ暗中での抵抗を１０１３Ωｍ以上にすることができる
。ところが、同時に光照射時の抵抗が１ｏ１１Ω（１）
以上になってしまい、充分な光感度が得られないので電
子写真感光体用としては使用できない。
本発明は上記事情にもとすいてなされたものでその目的
とするところは、帯電特性、暗減衰特性および光感度特
性に優れた電子写真感光体を提供することにある。
とするところは、帯電特性、暗減衰特性および光感度特
性に優れた電子写真感光体を提供することにある。
本発明は、導電性基板上に、酸素とシリコンを含むガス
との混合ガスのグロー放電を用いて第１の水素化アモル
ファスシリコン酸化膜を形成し、この第１の水素化アモ
ルファスシリコン酸化膜上に少なくともシリコンを含む
ガスのグロー族＝を用いて水素化アモルファスシリコン
膜を形成し、この水素化アモルファスシリコン膜上に上
記第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜と同様にし
て第２の水素化アモルファスシリコン酸化膜を形成した
ことを特徴とするものである。
との混合ガスのグロー放電を用いて第１の水素化アモル
ファスシリコン酸化膜を形成し、この第１の水素化アモ
ルファスシリコン酸化膜上に少なくともシリコンを含む
ガスのグロー族＝を用いて水素化アモルファスシリコン
膜を形成し、この水素化アモルファスシリコン膜上に上
記第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜と同様にし
て第２の水素化アモルファスシリコン酸化膜を形成した
ことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。第１図は本発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
すもので、図中１はベースであり、このベース１上には
真空チャンバ２が設けられている。チャンバ２内には対
向電極３が設けられ、この対向電極３の内部にはガス通
路４が設けられている。また、対向電極３０円周面には
上記ガス通路４に連通ずる噴出孔５が多数穿設され、さ
らに上記ガス通路４にはガス導入管６が接続されている
。このガス導入管６にはバルブ７が配設されているとと
もに、このバルブ７よシ上流側において、シラン（Ｓ
１Ｈ４）ガスボンベ８および酸素（０２）ボンベ９がそ
れぞれのバルブ１ｏ、１ノを介して接続されていて、バ
ルブ１ｏ、１１の開口度を調整することにより、一方の
ガスのみ、または両方のガスを必要な流量でチャンバ２
内にバルブ７を介して導入することができるようになっ
ている。また、上記チャンバ２内の底部には図示し々い
モータによって駆動されるターンテーブル１２が設ケラ
れ、このターンテーブル１２上には導電性基板としての
ＡＩ！ドラム基板１３が配置されているとともにヒータ
１４が上記Ａｌドラム基板１３内に固設されている。ま
た、上記ベース１には上記チャンバ２内と連通ずる排出
管１５が接続され、この排出管１５には拡散ポンプ１６
およびロータリーポンプ１７が配設されている。
。第１図は本発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
すもので、図中１はベースであり、このベース１上には
真空チャンバ２が設けられている。チャンバ２内には対
向電極３が設けられ、この対向電極３の内部にはガス通
路４が設けられている。また、対向電極３０円周面には
上記ガス通路４に連通ずる噴出孔５が多数穿設され、さ
らに上記ガス通路４にはガス導入管６が接続されている
。このガス導入管６にはバルブ７が配設されているとと
もに、このバルブ７よシ上流側において、シラン（Ｓ
１Ｈ４）ガスボンベ８および酸素（０２）ボンベ９がそ
れぞれのバルブ１ｏ、１ノを介して接続されていて、バ
ルブ１ｏ、１１の開口度を調整することにより、一方の
ガスのみ、または両方のガスを必要な流量でチャンバ２
内にバルブ７を介して導入することができるようになっ
ている。また、上記チャンバ２内の底部には図示し々い
モータによって駆動されるターンテーブル１２が設ケラ
れ、このターンテーブル１２上には導電性基板としての
ＡＩ！ドラム基板１３が配置されているとともにヒータ
１４が上記Ａｌドラム基板１３内に固設されている。ま
た、上記ベース１には上記チャンバ２内と連通ずる排出
管１５が接続され、この排出管１５には拡散ポンプ１６
およびロータリーポンプ１７が配設されている。
しかして、チャンバ２内にセットしたＡｌドラム基板１
３をヒータ１４で加熱し、２５０℃に保持し、導入管６
を介して酸素（ｏ２ガス）と、シリコンを含むガスであ
るところの純シランガスとの混合ガスをチャンバ２内に
導入する。このとき、混合ガスはシランガスに対して流
上；比で０５係以上の酸素を含み、またシランガスの流
量は５０ｓｅｃＭとする。
３をヒータ１４で加熱し、２５０℃に保持し、導入管６
を介して酸素（ｏ２ガス）と、シリコンを含むガスであ
るところの純シランガスとの混合ガスをチャンバ２内に
導入する。このとき、混合ガスはシランガスに対して流
上；比で０５係以上の酸素を含み、またシランガスの流
量は５０ｓｅｃＭとする。
ついで、チャンバ２内を０．１ Ｔｏｒｒに減圧したと
ころでラジオフレクエンシー１１を源１８を動作せしめ
、対向電極３にＩＯＷの高周波電力を印加し１、チャン
バ２内のガスをグロー族Ｔｌｉによるプラズマ状態とし
、１５分開成膜を行なう。その結果、第２図に示すよう
に、ｈ／ドラム基板１３上には第１の水素化アモルファ
スシリコン酸化膜１９が厚さ０．１μｍμｍ酸形成る。
ころでラジオフレクエンシー１１を源１８を動作せしめ
、対向電極３にＩＯＷの高周波電力を印加し１、チャン
バ２内のガスをグロー族Ｔｌｉによるプラズマ状態とし
、１５分開成膜を行なう。その結果、第２図に示すよう
に、ｈ／ドラム基板１３上には第１の水素化アモルファ
スシリコン酸化膜１９が厚さ０．１μｍμｍ酸形成る。
ついで、酸素（０２ガス）のみ流入を止めて、同一圧力
にて、高周波電力を１００Ｗ印加し、グロー放電を生ぜ
しめ、チャンバ２内のガスをプラズマ状態とする。この
状態を５時間維持し、第１の水素化アモルファスシリコ
ン酸化膜１９上に水素化アモルファスシリコン膜２ｏが
厚さ１５μｍ形成される。
にて、高周波電力を１００Ｗ印加し、グロー放電を生ぜ
しめ、チャンバ２内のガスをプラズマ状態とする。この
状態を５時間維持し、第１の水素化アモルファスシリコ
ン酸化膜１９上に水素化アモルファスシリコン膜２ｏが
厚さ１５μｍ形成される。
ついで、最初と同じ状態、すなわち、シランガスに加え
て酸素を混入せしめ、高周波電力を１０Ｗとして、成膜
を１５分間行なうと、上記水素化アモルファスシリコン
膜２ｏ上に第２の水素化アモルファスシリコン酸化膜２
１が形成される。
て酸素を混入せしめ、高周波電力を１０Ｗとして、成膜
を１５分間行なうと、上記水素化アモルファスシリコン
膜２ｏ上に第２の水素化アモルファスシリコン酸化膜２
１が形成される。
このようにして製造される電子写真感光体は、第１と第
２の水素化アモルファスシリコンＲ化膜１９，２０が導
電性基板１３からの電荷の注入、表面電荷の流出を阻止
し、暗抵抗を大きくして電荷保持能力を高め光電荷注入
阻止機能を持ち、水素化アモルファスシリコン膜２０が
光を受けて電荷を発生し光導電体としての作用をなす電
荷発生機能を持つため、優れた帯電特性、暗減衰特性お
よび光感度特性を示す。
２の水素化アモルファスシリコンＲ化膜１９，２０が導
電性基板１３からの電荷の注入、表面電荷の流出を阻止
し、暗抵抗を大きくして電荷保持能力を高め光電荷注入
阻止機能を持ち、水素化アモルファスシリコン膜２０が
光を受けて電荷を発生し光導電体としての作用をなす電
荷発生機能を持つため、優れた帯電特性、暗減衰特性お
よび光感度特性を示す。
なお、この感光体に＋８ｋＶのコロナ放電を行った時の
表面電位と１００ルツクス照射後の露光残留電位の変化
を０２流景比に対し、てプロットし第２図に示す。
表面電位と１００ルツクス照射後の露光残留電位の変化
を０２流景比に対し、てプロットし第２図に示す。
以上説明したように本発明によれば、導電性基板上に酸
素とシリコンを含むガスとの混合ガスのグロー放電を用
いて第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜を形成し
、この第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜上に少
なくともシリコンを含むガスのグロー放電を用いて水素
化アモルファスシリコン膜を形成し、この水素化アモル
ファスシリコン膜上に上記第１の水素化アモルファスシ
リコン酸化膜と同様にして第２の水素化アモルファスシ
リコン酸化膜を形成したから、優れた帯電特性、暗減衰
特性および光感度特性を得ることができる等優れた効果
を奏する。
素とシリコンを含むガスとの混合ガスのグロー放電を用
いて第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜を形成し
、この第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜上に少
なくともシリコンを含むガスのグロー放電を用いて水素
化アモルファスシリコン膜を形成し、この水素化アモル
ファスシリコン膜上に上記第１の水素化アモルファスシ
リコン酸化膜と同様にして第２の水素化アモルファスシ
リコン酸化膜を形成したから、優れた帯電特性、暗減衰
特性および光感度特性を得ることができる等優れた効果
を奏する。
第１図は本発明に係る電子写真感光体の製造装置の一実
施例を示す縦断正面図、第２図は同装置によシ製造され
た電子写真感光体を示す断面図、第３図は５ＩＩ（４ガ
スに対する０２ガス流量比と表面電位および残留電位と
のそれぞれの関係を示す図である。 １３・・・導電性基板（Ａｔドラム基板）、Ｚ９・・・
第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜、２０・・・
水素化アモルファスシリコンＢ、２ｚ・・・第２の水素
化アモルファスシリコン酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 手続補正書 ５８，５．１３ 昭和 年 月 目 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１７４３１９号 ２・ 発明の名称 ′重子写真感光体 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代Ｊ４１（人 （５，′ｆ市止り文・］象 明細書 ７、補正の内容 （１） 明細書、第２頁第１７行月〜第１８行目の「
水素化アモルファスシリコン（ａ−ｓ ｉ ；Ｈ） Ｉ
Ｉか」を「水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ
）膜１と訂正する。 （２） 明細書、第３Ｌ１第５行目〜第６行−の「水
素化アモルファス−ノリコン酸化膜（ａ−８ｉ：０．１
４膜）」ヲ［水素化アモルファスシリコン酸化１摸（ａ
−８ｉ：Ｏ：Ｊ−］膜）」と訂正する。
施例を示す縦断正面図、第２図は同装置によシ製造され
た電子写真感光体を示す断面図、第３図は５ＩＩ（４ガ
スに対する０２ガス流量比と表面電位および残留電位と
のそれぞれの関係を示す図である。 １３・・・導電性基板（Ａｔドラム基板）、Ｚ９・・・
第１の水素化アモルファスシリコン酸化膜、２０・・・
水素化アモルファスシリコンＢ、２ｚ・・・第２の水素
化アモルファスシリコン酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 手続補正書 ５８，５．１３ 昭和 年 月 目 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１７４３１９号 ２・ 発明の名称 ′重子写真感光体 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代Ｊ４１（人 （５，′ｆ市止り文・］象 明細書 ７、補正の内容 （１） 明細書、第２頁第１７行月〜第１８行目の「
水素化アモルファスシリコン（ａ−ｓ ｉ ；Ｈ） Ｉ
Ｉか」を「水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ
）膜１と訂正する。 （２） 明細書、第３Ｌ１第５行目〜第６行−の「水
素化アモルファス−ノリコン酸化膜（ａ−８ｉ：０．１
４膜）」ヲ［水素化アモルファスシリコン酸化１摸（ａ
−８ｉ：Ｏ：Ｊ−］膜）」と訂正する。
Claims (2)
- （１）導Ｅ性基板上に酸素とシリコンを含むガスとの混
合ガスのグロー放電を用いて第１の水素化アモルファス
シリコン酸化膜を形成し、この第１の水素化アモルファ
スシリコン酸化膜上に少なくともシリコンを含むガスの
グロー放電を用いて水素化アモルファスシリコン膜を形
成し、この水素化アモルファスシリコン膜上に上記第１
の水素化アモルファスシリコン酸化ｊ摸と同様にして第
２の水素化アモルファスシリコン酸化膜を形成したこと
を特徴とする電子写真感光体。 - （２） 混合ガスはシリコンを含むガスに対して流量
比で０．５％以上の酸素を含むｑテｒ「請求の範＋７１
１第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431982A JPS5962863A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431982A JPS5962863A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962863A true JPS5962863A (ja) | 1984-04-10 |
| JPH0350264B2 JPH0350264B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=15976564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431982A Granted JPS5962863A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962863A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104508380B (zh) * | 2012-08-09 | 2016-04-27 | 博世株式会社 | 压力传感器一体式热线点火塞 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115557A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17431982A patent/JPS5962863A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115557A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350264B2 (ja) | 1991-08-01 |
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