JPS5963608A - 絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 - Google Patents
絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料Info
- Publication number
- JPS5963608A JPS5963608A JP17399482A JP17399482A JPS5963608A JP S5963608 A JPS5963608 A JP S5963608A JP 17399482 A JP17399482 A JP 17399482A JP 17399482 A JP17399482 A JP 17399482A JP S5963608 A JPS5963608 A JP S5963608A
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- Japan
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- breakdown voltage
- biaxially oriented
- oriented polypropylene
- material made
- insulating material
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- Pending
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は優れたＬｔ電気特性有する電気絶縁材料に関す
る。更に詳しくは、特定の物性を有するボリグ・ピレン
を二軸延伸ｔたフィルムを使用した電気絶縁材料に関す
る。
る。更に詳しくは、特定の物性を有するボリグ・ピレン
を二軸延伸ｔたフィルムを使用した電気絶縁材料に関す
る。
二軸延伸ポリプロピレン゛フィルｌ−１、ｆ＜”れた゛
電気的、機械的、化学的性質をＭするため、コンデンサ
ーのよりな′ｉ（気絶縁材料に広く使用されている。こ
の分野での重要な電気特性の１つとして、絶縁破壊電圧
があげられる。これは絶縁抵抗が低下して比較的大きな
電流が流れるようになる時の電圧をフィルムの単位厚み
当りの数置で示すものである。従つＣ関い絶縁破Ｊ：Ｊ
電圧乞肩する二軸延伸フィルムが製造できれば、フィル
ム厚みを薄くすることができ、工業生産上、極めて有益
である。
電気的、機械的、化学的性質をＭするため、コンデンサ
ーのよりな′ｉ（気絶縁材料に広く使用されている。こ
の分野での重要な電気特性の１つとして、絶縁破壊電圧
があげられる。これは絶縁抵抗が低下して比較的大きな
電流が流れるようになる時の電圧をフィルムの単位厚み
当りの数置で示すものである。従つＣ関い絶縁破Ｊ：Ｊ
電圧乞肩する二軸延伸フィルムが製造できれば、フィル
ム厚みを薄くすることができ、工業生産上、極めて有益
である。
杢＠す４渚らは、かかる亦に鑑み、鋭意検討した結果、
特定の物性を有するポリノロピレンを使用した二軸延伸
フィルムが非常に高い絶縁破壊′１ｂ：圧を有すること
を見出し、本発明に到達した。
特定の物性を有するポリノロピレンを使用した二軸延伸
フィルムが非常に高い絶縁破壊′１ｂ：圧を有すること
を見出し、本発明に到達した。
本発明は、２３０℃の温度での荷重が２．１６Ｋｆと１
０Ｋｐとのメルトインデックス比カ２２以上であり、型
針平均分子量と数平均分子量との比が５．５以上である
ポリノロピレンからなる絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポ
リプロピレンフィルムよりなる電気絶縁材料である。
０Ｋｐとのメルトインデックス比カ２２以上であり、型
針平均分子量と数平均分子量との比が５．５以上である
ポリノロピレンからなる絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポ
リプロピレンフィルムよりなる電気絶縁材料である。
ここで絶縁破壊電圧の目標値は６２０Ｖ／μ以上である
。
。
本発明において上記物性を満だ濾ないポリノロビレ／を
使用した場合は、目標の絶縁破噛・電圧は得られない。
使用した場合は、目標の絶縁破噛・電圧は得られない。
本発明において、２３０℃での荷重が２．１６に９と１
０Ｋｇとのメルトインデックス比（以下１＋ｏ／１１と
’６Ｑ丁。）はＡＳＴＭ １２３８−６Ｔ ｉｊ己載
の方法に準じて測定した。またｉｔ平均分子ト殻（Ｍ
ｗ ）と数平均分子ｉｉ（Ｍｎ）との比（以下ＭＷ／Ｍ
ｎ と１己す。）は、ゲル・パーミェーション・クロマ
トグラフィにより、カラムは５ｈｏｄｅｘ Ａ−８０
Ｍ （１本）を使用、浴媒として、オルトジクロルベン
ゼン？用い、温１１１４０℃、流速１．０＋＋＋ｖｍｉ
ｎで測定した。試料Ｌｎ Ｉｌｌは０、０５ ｗｔ／ｖ
ｏｔ４である。また単分散ポリスチレン分子ｐＪ Ｊｆ
３ ｉ襖で分子鰯俟正を行なった。
０Ｋｇとのメルトインデックス比（以下１＋ｏ／１１と
’６Ｑ丁。）はＡＳＴＭ １２３８−６Ｔ ｉｊ己載
の方法に準じて測定した。またｉｔ平均分子ト殻（Ｍ
ｗ ）と数平均分子ｉｉ（Ｍｎ）との比（以下ＭＷ／Ｍ
ｎ と１己す。）は、ゲル・パーミェーション・クロマ
トグラフィにより、カラムは５ｈｏｄｅｘ Ａ−８０
Ｍ （１本）を使用、浴媒として、オルトジクロルベン
ゼン？用い、温１１１４０℃、流速１．０＋＋＋ｖｍｉ
ｎで測定した。試料Ｌｎ Ｉｌｌは０、０５ ｗｔ／ｖ
ｏｔ４である。また単分散ポリスチレン分子ｐＪ Ｊｆ
３ ｉ襖で分子鰯俟正を行なった。
本発明において絶轍破暎屯圧は以下の方法で測定した。
ＪＩＳ−２３３０に準じ、春日電機■製直流耐圧試験機
を用い、レンジを２０ ＫＶにセットし、１００Ｖ／ｓ
ｅｅの電圧上昇でもって、フィルムに印加を行ない、破
壊電圧を測定し、１０枚重ね時のマイクロメーター厚み
を１枚当りにｌｉ１％ ＠： Ｌ 、耐圧・侍性は次式
で求めた。
を用い、レンジを２０ ＫＶにセットし、１００Ｖ／ｓ
ｅｅの電圧上昇でもって、フィルムに印加を行ない、破
壊電圧を測定し、１０枚重ね時のマイクロメーター厚み
を１枚当りにｌｉ１％ ＠： Ｌ 、耐圧・侍性は次式
で求めた。
測定に安したフィルムは、央ｌ朋例ＩＫ記載した方法で
製造した二軸延伸フィルムを１５０ｗｎＸ１５０ｍｍの
大きさで、１０枚重ねのフィルムから５つのブロックを
サンプリングする。即ち、試験片数として合Ｍｌ−５０
枚を用い、試験片の測定個所は１ケ所と限定した。
製造した二軸延伸フィルムを１５０ｗｎＸ１５０ｍｍの
大きさで、１０枚重ねのフィルムから５つのブロックを
サンプリングする。即ち、試験片数として合Ｍｌ−５０
枚を用い、試験片の測定個所は１ケ所と限定した。
用いたべ極は下記の通りのものである。
上部、１．極は、周辺に３＋ｍの丸みを有した２５ｍｍ
φのよ＜１誘いた黄銅製円柱を（ト）１！極とし、下部
ｒｋ極は約１５０咽×１５０馴で厚み３．０朝の分４版
上にゴムショア６０〜７０度の弾性板をのせ、これにＪ
ＩＳ−Ｈ−４１６０に規定する厚さ０．００７ａ以上、
Ｉｔ幅８ Ｑ ＩＩＩｍのアルミニウム箔を巻きつけ、
これを（へ）電極とした。
φのよ＜１誘いた黄銅製円柱を（ト）１！極とし、下部
ｒｋ極は約１５０咽×１５０馴で厚み３．０朝の分４版
上にゴムショア６０〜７０度の弾性板をのせ、これにＪ
ＩＳ−Ｈ−４１６０に規定する厚さ０．００７ａ以上、
Ｉｔ幅８ Ｑ ＩＩＩｍのアルミニウム箔を巻きつけ、
これを（へ）電極とした。
本発明において、ボリア０ロピレンパウダーに、・；ｎ
茗使用される各植安定剤を添加し、混会し、常法により
押出し、ペレット化１−る。
茗使用される各植安定剤を添加し、混会し、常法により
押出し、ペレット化１−る。
仄いで、このポリノロピレンペレットを通常のノｊ法に
より押出し、ソート状とじ二軸延伸してフィルムが得ら
れる。
より押出し、ソート状とじ二軸延伸してフィルムが得ら
れる。
また本発明１／Ｃ５３−いて原料のポリプロピレン中に
無機の微粒子例えばカオリ／、カオリナイト、ンリカ、
ゼオライト、酸化チタン、アルミナ、炭酸カルシウム、
ケイ酸カルシウムなど、あるいは有機の微粒子例えばジ
ブチルフタレート、ヒドロキシベンゾフェノン、ステア
リン酸アミド、アルキルアばンエチレン付加体、ステア
リン＋ｉモノグリセリド、ジメチルゾロキサンなどを混
合したり、または本発明以外のポリプロピレンあるいは
ポリエチレン、ポリ−４−メチル−ペンテン−１などの
他種ポリマーを複合しても所望の絶縁破壊′電圧を得る
ことができる。
無機の微粒子例えばカオリ／、カオリナイト、ンリカ、
ゼオライト、酸化チタン、アルミナ、炭酸カルシウム、
ケイ酸カルシウムなど、あるいは有機の微粒子例えばジ
ブチルフタレート、ヒドロキシベンゾフェノン、ステア
リン酸アミド、アルキルアばンエチレン付加体、ステア
リン＋ｉモノグリセリド、ジメチルゾロキサンなどを混
合したり、または本発明以外のポリプロピレンあるいは
ポリエチレン、ポリ−４−メチル−ペンテン−１などの
他種ポリマーを複合しても所望の絶縁破壊′電圧を得る
ことができる。
本発明において、ｒｉｔｌ述の測定法で求めた絶縁破壊
電圧の高い二軸延伸ポリゾロビレ／フィルムの少なくと
も片面へ、アルミニタムなどの金属を蒸着してなる、い
わゆる金属化二軸延伸ポリプロピレンフィルムを巻きま
わしてなるコンデンサー、あるいは油浸状態で使用する
油浸コンデンサーや、これらの折衷方式のコンデンサー
など、いずれにおいても最終の製品に荷電してコンデン
サーが破壊する時の電圧いわゆる破壊電圧は、本文中に
定義した絶縁破壊電圧が高くなるに従ってコンデンサー
の破壊電圧も大きくなって、すぐれた製品になる。
電圧の高い二軸延伸ポリゾロビレ／フィルムの少なくと
も片面へ、アルミニタムなどの金属を蒸着してなる、い
わゆる金属化二軸延伸ポリプロピレンフィルムを巻きま
わしてなるコンデンサー、あるいは油浸状態で使用する
油浸コンデンサーや、これらの折衷方式のコンデンサー
など、いずれにおいても最終の製品に荷電してコンデン
サーが破壊する時の電圧いわゆる破壊電圧は、本文中に
定義した絶縁破壊電圧が高くなるに従ってコンデンサー
の破壊電圧も大きくなって、すぐれた製品になる。
以下、本発明を更に具体的に説明するために夫施り１１
を単げる。
を単げる。
実施例１
元分に乾燥し、窒素ガス置換し、次いでグロビレンガス
で置換した内容積２５０ｔの反応器にジエチルアルミニ
ウムクロライド１７０ ｍｍｏＬ、 ）リフェニルホ
スファイト７．１ｍｍｏｔ及び三塩化チタン固体触媒（
四塩化チタンｆｉｇ機アルミニウム化合物で還元し、更
に活性化処理したもの） ７．１９を装入、次いでＣ便
化プロピレン７５Ｋｇ及び水素ガスを装入後、オートク
レーブを昇温した。オートクレーブ内温５８℃で５時間
攪拌下に乗合を続けた。５時間後、液化プロピレン及び
水素をパージした。続いて、メタノール４４Ｌ、ｎ−ヘ
ゲタン７０を及びアセト）酢酸メチル１ ｍｏｔを装入
し、１０８℃で２時間脱民灰処理した鎌、１回につき５
５１の水を使用し、６０℃で４回水洗した。濾過、乾燥
後５０．５ Ｋｇのポリプロピレンパウダーが得られた
。。このポリプロピレンパウダー１００＝１曖部に対し
、２゜６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールＯ，ＸＸＮ
ｉ部、カルシウムステアレート０．０１重−計部、及び
イルガノックス１３３（１（Ｆ’ｌ１品名、チバガイギ
ー社製）０．２電量部を添加混合した後、２５０℃で押
出し、ペレット化した。
で置換した内容積２５０ｔの反応器にジエチルアルミニ
ウムクロライド１７０ ｍｍｏＬ、 ）リフェニルホ
スファイト７．１ｍｍｏｔ及び三塩化チタン固体触媒（
四塩化チタンｆｉｇ機アルミニウム化合物で還元し、更
に活性化処理したもの） ７．１９を装入、次いでＣ便
化プロピレン７５Ｋｇ及び水素ガスを装入後、オートク
レーブを昇温した。オートクレーブ内温５８℃で５時間
攪拌下に乗合を続けた。５時間後、液化プロピレン及び
水素をパージした。続いて、メタノール４４Ｌ、ｎ−ヘ
ゲタン７０を及びアセト）酢酸メチル１ ｍｏｔを装入
し、１０８℃で２時間脱民灰処理した鎌、１回につき５
５１の水を使用し、６０℃で４回水洗した。濾過、乾燥
後５０．５ Ｋｇのポリプロピレンパウダーが得られた
。。このポリプロピレンパウダー１００＝１曖部に対し
、２゜６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールＯ，ＸＸＮ
ｉ部、カルシウムステアレート０．０１重−計部、及び
イルガノックス１３３（１（Ｆ’ｌ１品名、チバガイギ
ー社製）０．２電量部を添加混合した後、２５０℃で押
出し、ペレット化した。
このペレットのＩ＞ｏ／Ｉｌは２４．０、ＭｗＡｎは６
．４７であった。
．４７であった。
次いで、このボリグロピレンペレットを２７０℃で押出
し、厚さ６００μのシート状フィルムを得た。このフィ
ルムをＴＭロ／グ二軸延伸磯を用い、１５０℃にてまず
ＭＤ力方向５培、欠いでＴＤ力方向８倍延伸して厚さ１
５μの二軸延伸フィルムを製造した。この二軸延伸フィ
ルムの絶縁破壊電圧は６６２Ｖ／μ であった。
し、厚さ６００μのシート状フィルムを得た。このフィ
ルムをＴＭロ／グ二軸延伸磯を用い、１５０℃にてまず
ＭＤ力方向５培、欠いでＴＤ力方向８倍延伸して厚さ１
５μの二軸延伸フィルムを製造した。この二軸延伸フィ
ルムの絶縁破壊電圧は６６２Ｖ／μ であった。
実施例２
実施：列１において、トリフェニルホスファイト７、１
ｍ’ｍｏｔの代りにジエチレングリコールモノイソプ
ロビルエーテル２５ ｍｍｏＬ ヲ使用すること、及び
重合温度を５５℃とする以外は乍で実施例１と同様に行
なった。Ｉ 、ｏ／Ｉ 。
ｍ’ｍｏｔの代りにジエチレングリコールモノイソプ
ロビルエーテル２５ ｍｍｏＬ ヲ使用すること、及び
重合温度を５５℃とする以外は乍で実施例１と同様に行
なった。Ｉ 、ｏ／Ｉ 。
は２４．１、前／匠は６．３３であった。
ｆた、二軸延伸フィルムの絶縁破壊電圧は（逼５３ｖ／
μであった。
μであった。
Ｊ上載１列 １
充分に乾燥し、窒素ガス置換した内容積２００ｔの反応
器に脱水、脱気したｎ−ヘプタンｌ ００ ｔ、ジエチ
ルアルミニウムクロライド３０５ ｍｍｏＬ、 及び
四基化チタンを金属′ｒルばニウムで還元し、更に活性
化処理した三堪比チタン固体触媒２５ｆを装入、更に水
素ガスを装入後、昇温し６８℃で５Ｋｒ／ｃｄ−Ｇを保
つように、プロピレンガスを装入し、重合を行なった。
器に脱水、脱気したｎ−ヘプタンｌ ００ ｔ、ジエチ
ルアルミニウムクロライド３０５ ｍｍｏＬ、 及び
四基化チタンを金属′ｒルばニウムで還元し、更に活性
化処理した三堪比チタン固体触媒２５ｆを装入、更に水
素ガスを装入後、昇温し６８℃で５Ｋｒ／ｃｄ−Ｇを保
つように、プロピレンガスを装入し、重合を行なった。
７時間後、プロピレンガスの装入を停止した。得られた
ポリグロピレンスラリー暑内容積７００ｔの後処理容器
に移液し、メタノール５０ｔ、アセト信置メチル１５２
ｍｏｂを装入し、９５℃で２時間脱灰処哩した後、１
回につき５０４の水で６０℃にて４回水洗した。Ｃ過、
乾燥後、４８に９の７１ζリグロビレ／パウダーが得ら
れた。この）くウダーを用いて％ 肩側１と同様にして
゛物性ａｆ価を行なった。
ポリグロピレンスラリー暑内容積７００ｔの後処理容器
に移液し、メタノール５０ｔ、アセト信置メチル１５２
ｍｏｂを装入し、９５℃で２時間脱灰処哩した後、１
回につき５０４の水で６０℃にて４回水洗した。Ｃ過、
乾燥後、４８に９の７１ζリグロビレ／パウダーが得ら
れた。この）くウダーを用いて％ 肩側１と同様にして
゛物性ａｆ価を行なった。
Ｉｔｏ／Ｉｔ は１９．９％″Ｍ ｗ ／ Ｍ ｎは
４．７４であった。
４．７４であった。
また二軸延伸フィルムの絶縁破壊′屯田＆ま５８７Ｖ／
μでめった。
μでめった。
東京都中央区日本橋室町２丁目
２番地
Claims (1)
- ２３０℃の温度での荷重が２．１６Ｋｔと１０に９との
メルトインデックス比が２２以上であり、重ｆ”Ｆ均分
子量と数平均分子量との比が５．５以上であるボリア”
ｏピレンかうなる絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロ
ピレンフィルムよりなる電気絶縁材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17399482A JPS5963608A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17399482A JPS5963608A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963608A true JPS5963608A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15970785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17399482A Pending JPS5963608A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 絶縁破壊電圧の高い二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010501382A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
| JP2010501712A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173996A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing printed circuit board |
| JPS57173995A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Hitachi Ltd | Method of producing green sheet |
| JPS57173997A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-26 | Uemura Kogyo Kk | Device for mounting printed board |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP17399482A patent/JPS5963608A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173997A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-26 | Uemura Kogyo Kk | Device for mounting printed board |
| JPS57173995A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Hitachi Ltd | Method of producing green sheet |
| JPS57173996A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing printed circuit board |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010501382A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
| JP2010501712A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-21 | トレオファン・ジャーマニー・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | 二軸延伸電気絶縁フィルム |
| US9431172B2 (en) | 2006-08-31 | 2016-08-30 | Borealis Technology Oy | Biaxially oriented electrical insulating film |
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