JPS5963726A - ホトレジスト現像装置 - Google Patents
ホトレジスト現像装置Info
- Publication number
- JPS5963726A JPS5963726A JP57174804A JP17480482A JPS5963726A JP S5963726 A JPS5963726 A JP S5963726A JP 57174804 A JP57174804 A JP 57174804A JP 17480482 A JP17480482 A JP 17480482A JP S5963726 A JPS5963726 A JP S5963726A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- developer
- diameter
- photoresist
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はホトレジスト現像装ｆ１． ｔ＝関する。
半導体装置の製造工程１：おいてホトエツチングプロセ
スは直装な位にを占めるが、そのうちホトレジスＦの現
像は例えば第１図に示す如きスプレ一方式の現像装置ｖ
用いて行われる・内申１は半島体ウニ八を吸着（２）定
する回転可能なウェハチャックであり、このウェハチャ
ック１は回転軸２に支持されている・ このウェハチャック１上方には現像液をスプレーするノ
ズル３が支持板４に固定されている。
スは直装な位にを占めるが、そのうちホトレジスＦの現
像は例えば第１図に示す如きスプレ一方式の現像装置ｖ
用いて行われる・内申１は半島体ウニ八を吸着（２）定
する回転可能なウェハチャックであり、このウェハチャ
ック１は回転軸２に支持されている・ このウェハチャック１上方には現像液をスプレーするノ
ズル３が支持板４に固定されている。
このノズル３からスプレーされる現像液は前記ウェハチ
ャック２によって固定される半導体ウェハの中心部から
ほぼ半径の距離だけカバーできるようになっている・ 上述した現ｇ１装置を用いたホトレジストの現像は以下
のように行われる・まず１例えばポジ型ホトレジストの
塗布、ベーク及びステッパーを用いた露光の各工程を経
た半導体ウニへ５をウェハチャツク１上Ｉ’ｍ送し、ウ
ェハチャック１に対するセンタ９ングを行う６次（−、
ウェハチャック１により半導体ウェハ５を真空吸着Ｔる
・つづいて、ノズル８ｗ：４４節して現像液が半導体ウ
ェハ５の所定位に５二所定の角度でスプレーされるよう
にＴる・っづいて、−転軸２を所定回転数で回転させな
がらノズル３から現像液をスプレーしてホトレジストの
現像を行う。っづいて１図示しない別の管からリンス液
な吹きつけてリンスな行った後、昆速回転して乾燥する
Ｏ 上述した従来の現像装紘ヲ用いてホトレジストの視像ン
行うと、現像後ウェハ面内のホトレジストパターンの寸
法に農が生じるという欠点のあることがわかったＤ第２
図にポジ型ホトレジストヲ用いた場合の半導体ウニへの
中心からの距離とホトレジストパターンの寸法との関係
の測定１％ｌ’に示す０第２図かられかるようＣ；ホト
レジストパターンの寸法はウェハの中−じλ部で小さく
１周辺ｇＩＳで大きくなっている０その寸法差は一般に
０．２〜０．４μｍであ１１ 、厳密な回路パターンの
コントロールか要求される集毘回路デバイスでは大きな
間融となる０ また、ホトレジストの現像方法としては第３図Ｃ示す如
く、現像液１ノが満たされた容器１２内（−多数の半導
体ウェハ１３・・・が装填されたウェハキャリア１４を
浸してロット毎に現像を行うディップ方式も知られ℃い
る０ 上述したディップ方式はスプレ一方式と異なりウェハ面
内の中心部と周辺部におけるホトレジストパターンの寸
法差は少なくなるが、ウェハ間及びロット間でのホトレ
ジストパターンの寸話のバラツキが大とくなるという欠
点がある・〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ曝）、現像
後におけるウェハ面内の中心部と周辺部間及びウェハ間
のホトレジストパターンの寸法差を少なくシ、正ｈ（二
寸法コントロールされた回路パターンを形成し待るホト
レジスト現像装置を提供することを目的とするものであ
る。
ャック２によって固定される半導体ウェハの中心部から
ほぼ半径の距離だけカバーできるようになっている・ 上述した現ｇ１装置を用いたホトレジストの現像は以下
のように行われる・まず１例えばポジ型ホトレジストの
塗布、ベーク及びステッパーを用いた露光の各工程を経
た半導体ウニへ５をウェハチャツク１上Ｉ’ｍ送し、ウ
ェハチャック１に対するセンタ９ングを行う６次（−、
ウェハチャック１により半導体ウェハ５を真空吸着Ｔる
・つづいて、ノズル８ｗ：４４節して現像液が半導体ウ
ェハ５の所定位に５二所定の角度でスプレーされるよう
にＴる・っづいて、−転軸２を所定回転数で回転させな
がらノズル３から現像液をスプレーしてホトレジストの
現像を行う。っづいて１図示しない別の管からリンス液
な吹きつけてリンスな行った後、昆速回転して乾燥する
Ｏ 上述した従来の現像装紘ヲ用いてホトレジストの視像ン
行うと、現像後ウェハ面内のホトレジストパターンの寸
法に農が生じるという欠点のあることがわかったＤ第２
図にポジ型ホトレジストヲ用いた場合の半導体ウニへの
中心からの距離とホトレジストパターンの寸法との関係
の測定１％ｌ’に示す０第２図かられかるようＣ；ホト
レジストパターンの寸法はウェハの中−じλ部で小さく
１周辺ｇＩＳで大きくなっている０その寸法差は一般に
０．２〜０．４μｍであ１１ 、厳密な回路パターンの
コントロールか要求される集毘回路デバイスでは大きな
間融となる０ また、ホトレジストの現像方法としては第３図Ｃ示す如
く、現像液１ノが満たされた容器１２内（−多数の半導
体ウェハ１３・・・が装填されたウェハキャリア１４を
浸してロット毎に現像を行うディップ方式も知られ℃い
る０ 上述したディップ方式はスプレ一方式と異なりウェハ面
内の中心部と周辺部におけるホトレジストパターンの寸
法差は少なくなるが、ウェハ間及びロット間でのホトレ
ジストパターンの寸話のバラツキが大とくなるという欠
点がある・〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ曝）、現像
後におけるウェハ面内の中心部と周辺部間及びウェハ間
のホトレジストパターンの寸法差を少なくシ、正ｈ（二
寸法コントロールされた回路パターンを形成し待るホト
レジスト現像装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明者はディップ方式よ１」もスプレ一方式の方がウ
ェハ間のホトレジストパターンの寸法差化生なくするこ
とができるのでスプレ一方式を採用し、スプレ一方式Ｃ
：おいてウェハ市内の中心ｇｌｓと周辺部での寸法差を
少な（Ｔる生殺について楠々検討した− 第１図の従来のホトレジスト現像装置を用いた場合、ウ
ェハ面内の中心部と周辺部とでホトレジストパターンの
寸法差が生じる要因として以下のようなことが考えられ
る・丁なわち、単位時間に現像液に接触するＷＪ合が中
心部と周辺部とで異なり、中心部の方が多いため現像速
度が大きくなる・特Ｃ、ウェハＣ：対するノズルの位置
及び角度によって、現像液のスプレーされる範囲がウェ
ハの半径以上Ｃ；なるとこの傾向が大きくなる口また。
ェハ間のホトレジストパターンの寸法差化生なくするこ
とができるのでスプレ一方式を採用し、スプレ一方式Ｃ
：おいてウェハ市内の中心ｇｌｓと周辺部での寸法差を
少な（Ｔる生殺について楠々検討した− 第１図の従来のホトレジスト現像装置を用いた場合、ウ
ェハ面内の中心部と周辺部とでホトレジストパターンの
寸法差が生じる要因として以下のようなことが考えられ
る・丁なわち、単位時間に現像液に接触するＷＪ合が中
心部と周辺部とで異なり、中心部の方が多いため現像速
度が大きくなる・特Ｃ、ウェハＣ：対するノズルの位置
及び角度によって、現像液のスプレーされる範囲がウェ
ハの半径以上Ｃ；なるとこの傾向が大きくなる口また。
現像液の液温を室温よ１］上げた場合に中心部と周辺部
の接触する割合が異なることから温度差が伍し、更Ｃ：
現像速度の差が増加することも確認されている口例えは
、４０℃（：おいてホトレジス［パターンの寸法差が約
０．４μｍであったのに対し、温度な３０℃近く下げる
と従来の方式１：おいても寸法差を約０．２μｍＣ減少
させることができるｎそこで１本発明者は更に検討した
結果、ノズルからスプレーされる現像液が少なくともウ
ェハの直径をカバーするよう（二するとともにノズル１
に現像液かスプレーされる直径方向６；対し℃直交方向
−：往復移動させれば、上述した要因を取り除くことが
できることを見出した。
の接触する割合が異なることから温度差が伍し、更Ｃ：
現像速度の差が増加することも確認されている口例えは
、４０℃（：おいてホトレジス［パターンの寸法差が約
０．４μｍであったのに対し、温度な３０℃近く下げる
と従来の方式１：おいても寸法差を約０．２μｍＣ減少
させることができるｎそこで１本発明者は更に検討した
結果、ノズルからスプレーされる現像液が少なくともウ
ェハの直径をカバーするよう（二するとともにノズル１
に現像液かスプレーされる直径方向６；対し℃直交方向
−：往復移動させれば、上述した要因を取り除くことが
できることを見出した。
すなわち１本発明のホトレジスト現像装置は。
半導体ウェハを固定する回転可能なウェハチャックと、
該クエハテヤック上方に配設され、半導体ウェハの少な
くとも直径Ｉ：亘って現像液門スプレーするノズルな現
像液がスプレーされる直径方向に対して直交、方向に往
復移動させる〕 □ズル駆動部とを具備したことを特
徴とするものである一 本発明においてウェハチャックの回転数・ノズルの移動
速度及び現像液の流量は適宜設電できる◎ 〔発明の実施例〕 以下１本発明の実施例を第４図を参照して説明Ｔる。
該クエハテヤック上方に配設され、半導体ウェハの少な
くとも直径Ｉ：亘って現像液門スプレーするノズルな現
像液がスプレーされる直径方向に対して直交、方向に往
復移動させる〕 □ズル駆動部とを具備したことを特
徴とするものである一 本発明においてウェハチャックの回転数・ノズルの移動
速度及び現像液の流量は適宜設電できる◎ 〔発明の実施例〕 以下１本発明の実施例を第４図を参照して説明Ｔる。
図中２１は半、導体ウニへＹ吸着固定する回転可能なウ
ェハチャックであり、このウェハチャック２１は回転軸
２２（二支持されている・前記ウェハチャック２１の上
方には約１０ ｃｍ隔テテノズル２３が配設されている
口なお、このノズル２３は前記ウェハチャック２１１；
吸着１？ｉ＋定される半導体ウェハの少なくとも直径に
亘ってほぼ楕円形の領域に現像液をスプレーし得るよう
になっている−また。前ら己ノズル２３はノズル駆動部
に取付けられ、該ノズル駆動部にょを】前記ウェハチャ
ック２１ｆ横切るように往復移動できるようになってい
るｇ１的記ノズル駆動部はシャツ＃ ２４ ａ ＊ ２
４ ｂ間に張設され、現像液かスプレーされる直径方向
（一対して直交方向に配置された一対のノズル移動用ベ
ルト２５ｍ＊２５ｂを備え℃いる・このベルト２５ ａ
、 ２５ｂ間には前記ノズル２３がその側部から水平
方向に突出した支持棒２６．２６１に介して固定されて
いる。前記−万のシャツ）２４ｍは駆動用ベル）２７を
介して可変モータ２８に連結されている◎また。＠ｉｎ
、一方のノズル移動用ベルト２５ｍのが１紀ノズル２３
が支持棒２６．２６を介してｆ！！ｊＪ定されている左
右両側にはストッパｓｔ ｓ ａ ６ ｚ ９ ｂか配
設されているｒｈ更Ｃ、ノズル２３が往復移動して、半
導体ウニへの周辺部のみにＢＡ 細波をス゛プレーする
ようになっ７１に前記ストッパ２９ｍ、２９ｂによって
光がさえぎられるように光センサ３０ａｍ３０ｂが配設
されておｔ）−、これら光センサ３０’ａ、３０ｂは前
記可変モータ２８と接続されている＠上記ホトレジスト
境像装置の作用を説明Ｔる。
ェハチャックであり、このウェハチャック２１は回転軸
２２（二支持されている・前記ウェハチャック２１の上
方には約１０ ｃｍ隔テテノズル２３が配設されている
口なお、このノズル２３は前記ウェハチャック２１１；
吸着１？ｉ＋定される半導体ウェハの少なくとも直径に
亘ってほぼ楕円形の領域に現像液をスプレーし得るよう
になっている−また。前ら己ノズル２３はノズル駆動部
に取付けられ、該ノズル駆動部にょを】前記ウェハチャ
ック２１ｆ横切るように往復移動できるようになってい
るｇ１的記ノズル駆動部はシャツ＃ ２４ ａ ＊ ２
４ ｂ間に張設され、現像液かスプレーされる直径方向
（一対して直交方向に配置された一対のノズル移動用ベ
ルト２５ｍ＊２５ｂを備え℃いる・このベルト２５ ａ
、 ２５ｂ間には前記ノズル２３がその側部から水平
方向に突出した支持棒２６．２６１に介して固定されて
いる。前記−万のシャツ）２４ｍは駆動用ベル）２７を
介して可変モータ２８に連結されている◎また。＠ｉｎ
、一方のノズル移動用ベルト２５ｍのが１紀ノズル２３
が支持棒２６．２６を介してｆ！！ｊＪ定されている左
右両側にはストッパｓｔ ｓ ａ ６ ｚ ９ ｂか配
設されているｒｈ更Ｃ、ノズル２３が往復移動して、半
導体ウニへの周辺部のみにＢＡ 細波をス゛プレーする
ようになっ７１に前記ストッパ２９ｍ、２９ｂによって
光がさえぎられるように光センサ３０ａｍ３０ｂが配設
されておｔ）−、これら光センサ３０’ａ、３０ｂは前
記可変モータ２８と接続されている＠上記ホトレジスト
境像装置の作用を説明Ｔる。
まず１例えばポジ型ホトレジストの塗布、べ−り及びス
テッパーを用いた露光を経た直径５インチの半導体ウェ
ハ３１にウェハチャック２１により真空吸着丁°る・次
に、ウェハチャック２１を例えば５０ ｒｐｍの回転数
で回転させながら、ノズル２３から現像液な半導体ウェ
ハ３１の直径をカバー下るようにスプレーするとともＣ
；可変モータ２８を作動させる。可変モータ２８を作動
させると、ノズル２３は現像液がスプレーされる直径方
向Ｃ二対し℃直交万四Ｃ二例えハ図中ノ左方向に移動す
る・ノズル２３が左方向ｉ；移動して半導体ウェハ３１
の周辺部のみに現像液をスプレーするようになると、ス
トッパ２９ｍが光センサ３０ｔａの光をさえぎり、これ
によって光センナ３０ｍは可変モータ２８の回転方向を
切り換え、ノズル２３は右方向に移動し始める◎っづい
て、ノズル２３は右方向に移動をつづけ、半導体ウェハ
３１の周辺部のみに現像液をスプレーＴるようになると
ストッパ２９ｂが光センサ３０ｂの光をさえぎＩ）、こ
れ（：よつ℃光センサ３０ｂは可変モータ２８の回転方
向を切ｉＪ換え、ノズル２３は左方向に移動し始める◎
このようにして、ノズル２３は現像液のスプレーされる
直径方向Ｃ二対して直交方向に往復運動する・なお、５
インチ径の半導体ウェハ３１の現像に要する現像液の流
量は約１５０ ｃｃ／１ｎｉｎ であった・また、ノ
ズル２３の杼動速阜は２０ ｃｆｌｙｗｔ、程度まで可
駁とした◎しかして、上述したホトレジストパターンｇ
：よれは、半導体ウェハ３１面内のどの位置（−おいて
も現像液がほぼ均等に接触するのテ、第５図Ｃ：示す如
く税像後のホトレジストパターンの寸法は半導体ウェハ
３１面内のどの位置においてもほぼ一定となる・また、
ウェハ間においてもホトレジストパターンの寸法差は小
さかった・なお、上記実施例では１転軸２２ ｖｓ Ｏ
ｒｐｍの回転数が回転させたが１回転軸２２を全く回転
させない場合、半導体ウェハ３１面内の位置に依存しな
いホトレジストパターンの寸法差が生じるため、ウェハ
の低速回転は必要である・また１本発明Ｃ二おいて由い
られるノズルは第４図Ｉ：示す形状のものに限らず１例
えは第６図に示す如く、所望個数（第６図では３個）の
開孔を有Ｔる筒状のノズル３２でもよい、ｈなお。
テッパーを用いた露光を経た直径５インチの半導体ウェ
ハ３１にウェハチャック２１により真空吸着丁°る・次
に、ウェハチャック２１を例えば５０ ｒｐｍの回転数
で回転させながら、ノズル２３から現像液な半導体ウェ
ハ３１の直径をカバー下るようにスプレーするとともＣ
；可変モータ２８を作動させる。可変モータ２８を作動
させると、ノズル２３は現像液がスプレーされる直径方
向Ｃ二対し℃直交万四Ｃ二例えハ図中ノ左方向に移動す
る・ノズル２３が左方向ｉ；移動して半導体ウェハ３１
の周辺部のみに現像液をスプレーするようになると、ス
トッパ２９ｍが光センサ３０ｔａの光をさえぎり、これ
によって光センナ３０ｍは可変モータ２８の回転方向を
切り換え、ノズル２３は右方向に移動し始める◎っづい
て、ノズル２３は右方向に移動をつづけ、半導体ウェハ
３１の周辺部のみに現像液をスプレーＴるようになると
ストッパ２９ｂが光センサ３０ｂの光をさえぎＩ）、こ
れ（：よつ℃光センサ３０ｂは可変モータ２８の回転方
向を切ｉＪ換え、ノズル２３は左方向に移動し始める◎
このようにして、ノズル２３は現像液のスプレーされる
直径方向Ｃ二対して直交方向に往復運動する・なお、５
インチ径の半導体ウェハ３１の現像に要する現像液の流
量は約１５０ ｃｃ／１ｎｉｎ であった・また、ノ
ズル２３の杼動速阜は２０ ｃｆｌｙｗｔ、程度まで可
駁とした◎しかして、上述したホトレジストパターンｇ
：よれは、半導体ウェハ３１面内のどの位置（−おいて
も現像液がほぼ均等に接触するのテ、第５図Ｃ：示す如
く税像後のホトレジストパターンの寸法は半導体ウェハ
３１面内のどの位置においてもほぼ一定となる・また、
ウェハ間においてもホトレジストパターンの寸法差は小
さかった・なお、上記実施例では１転軸２２ ｖｓ Ｏ
ｒｐｍの回転数が回転させたが１回転軸２２を全く回転
させない場合、半導体ウェハ３１面内の位置に依存しな
いホトレジストパターンの寸法差が生じるため、ウェハ
の低速回転は必要である・また１本発明Ｃ二おいて由い
られるノズルは第４図Ｉ：示す形状のものに限らず１例
えは第６図に示す如く、所望個数（第６図では３個）の
開孔を有Ｔる筒状のノズル３２でもよい、ｈなお。
ｓ６図において、ストッパ２９８．２９ｂ及び光センナ
３０ｍ 、３０ｂは省略し℃いる。
３０ｍ 、３０ｂは省略し℃いる。
以上詳述した如く１本発明によれは現像後におけるウェ
ハ面内及びウェハ間でほば一定の寸法を有するホトレジ
ストパターンを形成し、正確（二寸法コントロールされ
た回路パターンを形成し得るホトレジスト現像装に、ｙ
ｐｔ提供できるものである。
ハ面内及びウェハ間でほば一定の寸法を有するホトレジ
ストパターンを形成し、正確（二寸法コントロールされ
た回路パターンを形成し得るホトレジスト現像装に、ｙ
ｐｔ提供できるものである。
第１図は従来のスプレ一方式のホトレジスト現像装置を
示す斜視図、第２図は同装置を用い℃現像を行った場合
のウェハの中心からの距離とホトレジストパターンの寸
法との関係を示す図、第３図は従来のディップ方式Ｃ二
よるホトレジストの現像方法を示す斜視図、第４図は本
発明の実施例におけるホトレジスト現像装置を示す斜視
図、第５図は固装ｋｙｔ用いて現像を行った場合のウェ
ハの中心からの距離とホトレジストパターンとの関係を
示す図、第６図は本発明の他の実施例（二おけるホトレ
ジスト現像装隨ヲ示す斜視図である◎ ２１・・・ウェハチャック、２２・・・回転軸、２３・
・・ノズル、２４ｍ、２４ｂ・・・シャフト、２５ｔａ
Ｉ２５ｂ・・・ノズル駆動用ベルト、２６・・・支持棒
。 ２７・・・駆動用ベルト、２８・・・可変モータ、 ２
９ａａ２９ｂ・・・ストッパ、３０ｍ、３０ｂ・・・光
センサ。 ３１・・・半導体ウェハ、３２・・・ノズル◎出願人代
理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 １３６ 第３図 １ム 第４図
示す斜視図、第２図は同装置を用い℃現像を行った場合
のウェハの中心からの距離とホトレジストパターンの寸
法との関係を示す図、第３図は従来のディップ方式Ｃ二
よるホトレジストの現像方法を示す斜視図、第４図は本
発明の実施例におけるホトレジスト現像装置を示す斜視
図、第５図は固装ｋｙｔ用いて現像を行った場合のウェ
ハの中心からの距離とホトレジストパターンとの関係を
示す図、第６図は本発明の他の実施例（二おけるホトレ
ジスト現像装隨ヲ示す斜視図である◎ ２１・・・ウェハチャック、２２・・・回転軸、２３・
・・ノズル、２４ｍ、２４ｂ・・・シャフト、２５ｔａ
Ｉ２５ｂ・・・ノズル駆動用ベルト、２６・・・支持棒
。 ２７・・・駆動用ベルト、２８・・・可変モータ、 ２
９ａａ２９ｂ・・・ストッパ、３０ｍ、３０ｂ・・・光
センサ。 ３１・・・半導体ウェハ、３２・・・ノズル◎出願人代
理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 １３６ 第３図 １ム 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウニへ％’固定する回転可能なウェハチャックと
、該ウェハチャック上方シ；配設され。 半導体クエへの少なくとも直径ｇ二亘って現像液をスプ
レーするノズルと、該ノズルを現像液がスプレーされる
直径方向に対して直交方向（：往復移動させるノズル躯
動部とを具備したことを特徴とするホトレジスト現像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174804A JPS5963726A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | ホトレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174804A JPS5963726A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | ホトレジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963726A true JPS5963726A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15984949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174804A Pending JPS5963726A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | ホトレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963726A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978343A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-07 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の現像方法 |
| JPS60179957A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Hitachi Ltd | 光ディスクのスピン現像方法及び装置 |
| JPS6165435A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
| JPS61112320A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Nec Corp | 半導体基板現像処理装置 |
| JPS6230336U (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-24 | ||
| JPH01181525A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Toppan Printing Co Ltd | スプレー装置 |
| JPH0345631U (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-26 | ||
| US7586581B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
Citations (2)
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