JPS5978343A - レジスト膜の現像方法 - Google Patents
レジスト膜の現像方法Info
- Publication number
- JPS5978343A JPS5978343A JP19025282A JP19025282A JPS5978343A JP S5978343 A JPS5978343 A JP S5978343A JP 19025282 A JP19025282 A JP 19025282A JP 19025282 A JP19025282 A JP 19025282A JP S5978343 A JPS5978343 A JP S5978343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist film
- developer
- nozzle
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明日レジスト膜の現像方法に係り、柄にレジスト膜
現像液のスプレ一方法の改善に関するものである。
現像液のスプレ一方法の改善に関するものである。
（ｂ） 技術の背景
半導体装り等の製造においては、半導体基板上に１．・
シスト膜を塗布し、その後このレジスト膜を所望のバク
ーンに露光させて感光させ、感光したレジスト部分ある
い一感光しＡいレジスト部分金現仰して不要部分を除去
］−で微１１１１・；クーンを形成すること（：Ｉ＠知
である。
シスト膜を塗布し、その後このレジスト膜を所望のバク
ーンに露光させて感光させ、感光したレジスト部分ある
い一感光しＡいレジスト部分金現仰して不要部分を除去
］−で微１１１１・；クーンを形成すること（：Ｉ＠知
である。
（Ｃ） 従来技術と問題点
従来のレジスト膜の現像方法と１５．マ、半３び体基板
上に塗布されたレジスト膜に現像液を剥土して行々われ
るカシ−（パドル方１）、）と、スフ１ノーノズルを通
じて現像液をレジストＩＩ＜−２に短状に１賓出するこ
とによって行なわれる方法（ン（フレ一方法）Ｌがを〕
る。
上に塗布されたレジスト膜に現像液を剥土して行々われ
るカシ−（パドル方１）、）と、スフ１ノーノズルを通
じて現像液をレジストＩＩ＜−２に短状に１賓出するこ
とによって行なわれる方法（ン（フレ一方法）Ｌがを〕
る。
上記パドル方法は第１図に示ずようなＪ１シ仰装鰐を用
いてレジスト膜の現像が行カー、・ノＬる。即ち同図に
おいて、１けレジスト現イヘ１液を両土するノス゛ル、
２は基板３上に塗布さＩＬｋレジスト膜で茅・Ｉへ前記
ノズル１け基板３の回転中心−の−１一方に位置してい
る。４に′！、前記基板３を載−する戦ｆｈ□台、５は
庫Ｖ１眞台４の−■・血に配ガさ１１た真２′リヘンク
、６はこの真空チャック５１よひ載Ｖ１台４を回転する
叱胛Ｊモーター、７ｉま現佃枦本体の他壁、Ｂ１−１飛
散きれた現像液を排除する排液孔てｇ、、、ｌ＝、、こ
のように仏成きれた現像装置の載僧゛台４−ヒに１ヅｒ
定のレジスト膜２が塗布された基板３を真空ヂャンク５
にて吸刑固定し１次いて駆ｍＪ−Ｌ−クーロによりｎｌ
［記基板３を所定の速度に回転しつつ、前記ノズルｌを
基板の回転中心と基板周縁部との間を往復運動させなが
ら、前記ノズル１よりレジスト膜２を有する基板３上に
現像液を滴−トして、所定時間現像した後１滴−トを停
止し次いで基板３面上の現像液を飛散除去して￥′Ｌ燥
し、微細なし・シストパターンか）し成される。尚飛散
された現像液は側壁′７をったい排液孔８によって排除
される。
いてレジスト膜の現像が行カー、・ノＬる。即ち同図に
おいて、１けレジスト現イヘ１液を両土するノス゛ル、
２は基板３上に塗布さＩＬｋレジスト膜で茅・Ｉへ前記
ノズル１け基板３の回転中心−の−１一方に位置してい
る。４に′！、前記基板３を載−する戦ｆｈ□台、５は
庫Ｖ１眞台４の−■・血に配ガさ１１た真２′リヘンク
、６はこの真空チャック５１よひ載Ｖ１台４を回転する
叱胛Ｊモーター、７ｉま現佃枦本体の他壁、Ｂ１−１飛
散きれた現像液を排除する排液孔てｇ、、、ｌ＝、、こ
のように仏成きれた現像装置の載僧゛台４−ヒに１ヅｒ
定のレジスト膜２が塗布された基板３を真空ヂャンク５
にて吸刑固定し１次いて駆ｍＪ−Ｌ−クーロによりｎｌ
［記基板３を所定の速度に回転しつつ、前記ノズルｌを
基板の回転中心と基板周縁部との間を往復運動させなが
ら、前記ノズル１よりレジスト膜２を有する基板３上に
現像液を滴−トして、所定時間現像した後１滴−トを停
止し次いで基板３面上の現像液を飛散除去して￥′Ｌ燥
し、微細なし・シストパターンか）し成される。尚飛散
された現像液は側壁′７をったい排液孔８によって排除
される。
しかしながら上述したパドル現像方法においては、基板
上全面に形成された所要パターンの均一性がｐい反面、
特にポジレジスト膜現像の場合に現像液量を多く使用し
、かつ現像時開が長くかかる問題がある。ヌ一方スフレ
一方法は第２図に示すような装置を用いてレジスト膜の
現像か行なわれる。第２図において前回と同等の部分に
ついて１寸同−宿号を（＼」しているか同図において現
像液スフレ−ノズル２１は基板の回転中心と交わる線上
の所定位置に固定されており共の他については前述した
のて説明を猶略する。該スフレ−ノズル２１は、レジス
ト膜２を冶−Ｊる基鈑δ上に、イｊ’：Ａｈ”；乍い′
図示せず）Ｋよって供給された現倍液を円形の膀状にし
て所定時間吹きつＪ Ｉｒ）”て所望のレシン、ト膜を
形成うる。このスフレ−現像方法は知１１４１１ｕで、
現像液の使用卸も少々くてず１．＋反面、卑４り土全面
に形成されたパターンの均一性か！１１′、い、、即ち
基板内縁部に１弓状の凸部が）Ｌ５成４きれ現像マー１
−らをｉ’Ｌ１ｊ！ｆ１題が〆る。
上全面に形成された所要パターンの均一性がｐい反面、
特にポジレジスト膜現像の場合に現像液量を多く使用し
、かつ現像時開が長くかかる問題がある。ヌ一方スフレ
一方法は第２図に示すような装置を用いてレジスト膜の
現像か行なわれる。第２図において前回と同等の部分に
ついて１寸同−宿号を（＼」しているか同図において現
像液スフレ−ノズル２１は基板の回転中心と交わる線上
の所定位置に固定されており共の他については前述した
のて説明を猶略する。該スフレ−ノズル２１は、レジス
ト膜２を冶−Ｊる基鈑δ上に、イｊ’：Ａｈ”；乍い′
図示せず）Ｋよって供給された現倍液を円形の膀状にし
て所定時間吹きつＪ Ｉｒ）”て所望のレシン、ト膜を
形成うる。このスフレ−現像方法は知１１４１１ｕで、
現像液の使用卸も少々くてず１．＋反面、卑４り土全面
に形成されたパターンの均一性か！１１′、い、、即ち
基板内縁部に１弓状の凸部が）Ｌ５成４きれ現像マー１
−らをｉ’Ｌ１ｊ！ｆ１題が〆る。
（ｄ） 発明の目的
不発Ｅ’Ｊｊの目的ｋＡ力・かる間届点に叱・ブなき扛
たイ・ので均一て安定したレジストＰｉＡの現像方法で
、かつ短時聞て現像液スフレの少ない経ｆｈ的々ｔ、・
シスト膜の現像方法の提供にある１゜ （θ）発明の構成 即ち本発明は基（ツメ上に塗布さｔｈ ７ヒ］／シスト
膜の現像方法でろつ゛Ｃ１前記基状を回転し一ρつ、駄
基板の回転中心と文わる線上に設＆Ｉた現像液スフし・
−ノズルを、該基板の回転中より同縁？１１５に１［」
１つて往復運〜りぜしＩ）、 前記、スプレーノズル
より現像液を基板上に噴出して、前記レジスト膜を現（
（４・甘る］程が含プノ１てなることを特徴とする。
たイ・ので均一て安定したレジストＰｉＡの現像方法で
、かつ短時聞て現像液スフレの少ない経ｆｈ的々ｔ、・
シスト膜の現像方法の提供にある１゜ （θ）発明の構成 即ち本発明は基（ツメ上に塗布さｔｈ ７ヒ］／シスト
膜の現像方法でろつ゛Ｃ１前記基状を回転し一ρつ、駄
基板の回転中心と文わる線上に設＆Ｉた現像液スフし・
−ノズルを、該基板の回転中より同縁？１１５に１［」
１つて往復運〜りぜしＩ）、 前記、スプレーノズル
より現像液を基板上に噴出して、前記レジスト膜を現（
（４・甘る］程が含プノ１てなることを特徴とする。
（ｆ） 発明の実施例
以１・本発明の実施例について図面を参照して説明噌る
。第３図は本発明の一実施例のレジスト膜の現像方法を
実施するための現像装置の枳を略梧成図である１、色１
前図七同等の部分についてｉ： ｆｉ＝ｉｌ−符りをイ
て１している。
。第３図は本発明の一実施例のレジスト膜の現像方法を
実施するための現像装置の枳を略梧成図である１、色１
前図七同等の部分についてｉ： ｆｉ＝ｉｌ−符りをイ
て１している。
同図において、現像液スフレ−ノズル：５１ｆｄ、基釈
の回転中心、！：交わる線上に設けら！１．訃線土に基
板の回転中心さ基板周縁部との間をｒＩ：復連動するよ
うに構成、いｔｌている。かかる構成において一＃、占
え（６）ＡＺＪｈへｏ（シンフレー７１９す）の月−シ
レジノド膜２が所定厚いに塗イ１１さノまた基板ろを載
１１ｔ、 ４ ｆ二に藪１ｉ（ｌ−、−（： 、
１ＪＪｉ動’に−１−６［ｊ １ｌｌｉ’；］
ｎｏ 〜Ｔ （＋ Ｏｎ ｒｐｍの速度に回転しつ−
）、前記スフレ−／スル：５１荀基板の回転中心と基板
ＩＰＩ縁部古のｆ（ＴＪを往マυ１１１１ ！ｌａｌさ
ＶながＣ・１該スフレ−ノズル３］１すΔｚヲベロンノ
・＝（シンフレー社製）のＪＱ Ｍｌ ｒａ ＆基板上
に綜平２に噴出してレジスト腰２の現像をイ″１々えは
、基板上にＰＩＩ′望のｍ、 ｆＩ（ＬＨ力・吹きつけ
Ｃ）れ杓−なレジストパターンが短詩１１１１にノド：
ｆｔ’ｉ、Ｊ’ ４こ♂かｔ＝ｆ能で４〕る。この場
合前記スフレ−ノズルのうじＩｆ！ｆｉｆＩ及び噴出圧
力は上記現像面が総状に”Ｄｉ ａｔ ａ 、ｔｈるよ
う調整さＩＬでおり、勿論現像液の気化熱による現像温
度低下のないように調整されている。
の回転中心、！：交わる線上に設けら！１．訃線土に基
板の回転中心さ基板周縁部との間をｒＩ：復連動するよ
うに構成、いｔｌている。かかる構成において一＃、占
え（６）ＡＺＪｈへｏ（シンフレー７１９す）の月−シ
レジノド膜２が所定厚いに塗イ１１さノまた基板ろを載
１１ｔ、 ４ ｆ二に藪１ｉ（ｌ−、−（： 、
１ＪＪｉ動’に−１−６［ｊ １ｌｌｉ’；］
ｎｏ 〜Ｔ （＋ Ｏｎ ｒｐｍの速度に回転しつ−
）、前記スフレ−／スル：５１荀基板の回転中心と基板
ＩＰＩ縁部古のｆ（ＴＪを往マυ１１１１ ！ｌａｌさ
ＶながＣ・１該スフレ−ノズル３］１すΔｚヲベロンノ
・＝（シンフレー社製）のＪＱ Ｍｌ ｒａ ＆基板上
に綜平２に噴出してレジスト腰２の現像をイ″１々えは
、基板上にＰＩＩ′望のｍ、 ｆＩ（ＬＨ力・吹きつけ
Ｃ）れ杓−なレジストパターンが短詩１１１１にノド：
ｆｔ’ｉ、Ｊ’ ４こ♂かｔ＝ｆ能で４〕る。この場
合前記スフレ−ノズルのうじＩｆ！ｆｉｆＩ及び噴出圧
力は上記現像面が総状に”Ｄｉ ａｔ ａ 、ｔｈるよ
う調整さＩＬでおり、勿論現像液の気化熱による現像温
度低下のないように調整されている。
（ｇｌ 発明の効果
以上説り」したことく本発明の一切ＭＩＩ例を（まれＱ
」現像液スフレーノズルを往復ｊ４ｉｔ Ｂ！！Ｊして
埃２像液を噴出し、かつ所望の層１像液噴霧状鰻のｒＩ
１出によって均一で安定した短日に１７３１の現像力Ｖ
、かｉＪｊ １ｉ（−さなり。
」現像液スフレーノズルを往復ｊ４ｉｔ Ｂ！！Ｊして
埃２像液を噴出し、かつ所望の層１像液噴霧状鰻のｒＩ
１出によって均一で安定した短日に１７３１の現像力Ｖ
、かｉＪｊ １ｉ（−さなり。
コストダウン、イハ！１１（個１歩ｆＹイ回」二なと太
き、′ンクカ飼′をｔりることかできる。
き、′ンクカ飼′をｔりることかできる。
第］し１及び第二・図は従沫方〃、にイ史用する蜘像１
々首の枇匹、梧成図、第３図ｄ本発ｌル］の−す施例の
レジスト膜の駒、佃力法を実ｈ１．１７に、ための規仰
シ冒酋の池齢、梧成図て゛あ／！、〕。図において２は
レジス１−膜。 ３ Ｉｒ、ｌ基ｌ＜ 、 ３１け現（ｆｔ、Ｈ液スフ
レーノス・Ｉ・を不−ｑ、第１図 す 第２図 第３図
々首の枇匹、梧成図、第３図ｄ本発ｌル］の−す施例の
レジスト膜の駒、佃力法を実ｈ１．１７に、ための規仰
シ冒酋の池齢、梧成図て゛あ／！、〕。図において２は
レジス１−膜。 ３ Ｉｒ、ｌ基ｌ＜ 、 ３１け現（ｆｔ、Ｈ液スフ
レーノス・Ｉ・を不−ｑ、第１図 す 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に塗布されたレジスト膜の現像方法であって、Ｉ
ａ記基板を回転しつつ、該基板の回転中心と交わる線上
に設けた現像液スプレーノズルを。 該基板の回転中心より周縁部に向って往復連動せしめ、
前記スフレ−ノズルより現像液を基板上に噴出して、前
記レジスト膜を現像する丁り程が含寸れて々るこ七を特
！表するレジスト膜の現像方法、。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19025282A JPS5978343A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
| US06/545,329 US4564280A (en) | 1982-10-28 | 1983-10-25 | Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm |
| DE8383306538T DE3369204D1 (en) | 1982-10-28 | 1983-10-27 | Method and apparatus for use in developing resist film |
| EP83306538A EP0110558B1 (en) | 1982-10-28 | 1983-10-27 | Method and apparatus for use in developing resist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19025282A JPS5978343A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978343A true JPS5978343A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16255037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19025282A Pending JPS5978343A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978343A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS5963726A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | ホトレジスト現像装置 |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP19025282A patent/JPS5978343A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS5963726A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | ホトレジスト現像装置 |
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