JPS596377A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
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- JPS596377A JPS596377A JP11553982A JP11553982A JPS596377A JP S596377 A JPS596377 A JP S596377A JP 11553982 A JP11553982 A JP 11553982A JP 11553982 A JP11553982 A JP 11553982A JP S596377 A JPS596377 A JP S596377A
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- cathode target
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- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電界と磁界とが直交した場におけるマグネト
ロン放電を利用したマグネトロンスミ9ツタ装置に関す
る。
ロン放電を利用したマグネトロンスミ9ツタ装置に関す
る。
マグネトロンスパッタ装置においては、互に対向する陰
極ターゲット及び陽極間の電界に対して直交する磁界が
、陰極ターゲットの陽極仝の対向面の近傍に得られるよ
うに、陰極ターゲットの裏面側等に、一対の磁石が配置
されるのが、普通である。そして、陽極の陰極ターゲッ
トへの対向面に被膜を形成すべき目的物体が配置される
。
極ターゲット及び陽極間の電界に対して直交する磁界が
、陰極ターゲットの陽極仝の対向面の近傍に得られるよ
うに、陰極ターゲットの裏面側等に、一対の磁石が配置
されるのが、普通である。そして、陽極の陰極ターゲッ
トへの対向面に被膜を形成すべき目的物体が配置される
。
このようなマグネトロンスパッタ装置においては、陰極
に用いられるターゲットのスパッタ消費面の形状は、上
記一対の磁石の設置状態に対応しておシ、この一対の磁
石の発生する磁界にょシ囲まれた領域がホロウ(hol
low)状に消費された形状となる。
に用いられるターゲットのスパッタ消費面の形状は、上
記一対の磁石の設置状態に対応しておシ、この一対の磁
石の発生する磁界にょシ囲まれた領域がホロウ(hol
low)状に消費された形状となる。
当該ターケ8ットは厚さ方向の一部が消費されるまで使
用されるが、その一部が消費しつくされれば、たとえそ
の他の大部分が残存していても、全体を交換しなければ
ならず、その有効使用量はターゲット重量全体の15〜
25チにみため場合が多かった。
用されるが、その一部が消費しつくされれば、たとえそ
の他の大部分が残存していても、全体を交換しなければ
ならず、その有効使用量はターゲット重量全体の15〜
25チにみため場合が多かった。
当該ターケ9ットのロット間の「ばらつき」にょる製品
の歩留シを向上させる為、さらには経済性を向上させる
為に、ターゲットの有効利用面積を広げる方法が望まれ
ている。
の歩留シを向上させる為、さらには経済性を向上させる
為に、ターゲットの有効利用面積を広げる方法が望まれ
ている。
本発明の目的は、ターゲットの有効利用面積を広げるこ
とができるマグネトロンスパッタ装置を提供し、ターケ
9ットの経済性を向上せしめることにある。
とができるマグネトロンスパッタ装置を提供し、ターケ
9ットの経済性を向上せしめることにある。
本発明によれば、排気系に接続されている真空容器内に
対向するように配置された陰極ターゲット及び陽極と、
該陰極ターケ9ット及び陽極間に接続される電源と、上
記陰極ターダウトの上記陽極への対向面の近傍に上記電
源による上記陰極ターゲット及び陽極間の電界に対して
直交する磁界が得られるように、互に異なる磁極面を上
記陽極に向けて少なくとも一対配置された磁石とを備え
。
対向するように配置された陰極ターゲット及び陽極と、
該陰極ターケ9ット及び陽極間に接続される電源と、上
記陰極ターダウトの上記陽極への対向面の近傍に上記電
源による上記陰極ターゲット及び陽極間の電界に対して
直交する磁界が得られるように、互に異なる磁極面を上
記陽極に向けて少なくとも一対配置された磁石とを備え
。
上記陽極の上記陰極ターゲットへの対向面に目的物体を
配置するようにしたマグネトロンスパッタ装置において
、上記一対の磁石の相対位置関係を可変としたことを特
徴とするマグネトロンスパッタ装置が得られる。
配置するようにしたマグネトロンスパッタ装置において
、上記一対の磁石の相対位置関係を可変としたことを特
徴とするマグネトロンスパッタ装置が得られる。
以下1図面を参照して説明する。
、第1図を参照すると、従来のマグネトロンスパッタ装
置は、真空容器1内に対向するように配置された陰極タ
ーゲット2及び陽極3と、陰極ターゲット2及び陽極3
間に接続される直流の高電圧源5(この代シに高周波の
高電圧源を用いてもよい。)と、陰極ターゲット2の陽
極3に対向する第1の表面の近傍に高電圧源5による陰
極ターケ゛ット2及び陽極3間の電界に対して直交する
磁界が得られるように、互に異なる磁極面を陽極3に向
けて一対配置された環状磁石6a、6bとを備え、陽極
3の陰極ターケ8ット2への対向面に目的物体4を配置
するようにしたものである。
置は、真空容器1内に対向するように配置された陰極タ
ーゲット2及び陽極3と、陰極ターゲット2及び陽極3
間に接続される直流の高電圧源5(この代シに高周波の
高電圧源を用いてもよい。)と、陰極ターゲット2の陽
極3に対向する第1の表面の近傍に高電圧源5による陰
極ターケ゛ット2及び陽極3間の電界に対して直交する
磁界が得られるように、互に異なる磁極面を陽極3に向
けて一対配置された環状磁石6a、6bとを備え、陽極
3の陰極ターケ8ット2への対向面に目的物体4を配置
するようにしたものである。
真空容器1には、ロータリーポンプ、拡散ポンプ等の排
気系8が接続され、さらにはMガス導入路系統(図示せ
ず)も接続されている。また、上述した一対の環状磁石
6a 、6bは、陰極ターゲット2の陽極3に対向する
第1の表面とは反対側の第2の表面(裏面)側に配置さ
れている。また。
気系8が接続され、さらにはMガス導入路系統(図示せ
ず)も接続されている。また、上述した一対の環状磁石
6a 、6bは、陰極ターゲット2の陽極3に対向する
第1の表面とは反対側の第2の表面(裏面)側に配置さ
れている。また。
一対の環状磁石6a、6bは底部磁性材6cに固定され
ている。このような一対の磁石6a、6bから発生する
磁束Φは、陰極ターゲット2の陽極3への対向面(第1
の表面)の近傍で電界と直交するようにし、しかも電子
に磁界内で旋回運動をさせるために放射状を形成するよ
うに構成しである。
ている。このような一対の磁石6a、6bから発生する
磁束Φは、陰極ターゲット2の陽極3への対向面(第1
の表面)の近傍で電界と直交するようにし、しかも電子
に磁界内で旋回運動をさせるために放射状を形成するよ
うに構成しである。
とのマグネトロンスパッタ装置において、適当な負電位
を陰極ターゲット2に供給し、磁界を印加すると、陰極
ターゲット2と陽極3との間の空間に、いわゆるマグネ
トロン放電が生じる。すなわち、とのマグネトロンスパ
ッタ装置は、陰極ターゲット2の上記第1の表面(陽極
3への対向面)の近傍にプラズマを集束させて高密度の
プラズマとするために電界に対して直交する磁界を用い
。
を陰極ターゲット2に供給し、磁界を印加すると、陰極
ターゲット2と陽極3との間の空間に、いわゆるマグネ
トロン放電が生じる。すなわち、とのマグネトロンスパ
ッタ装置は、陰極ターゲット2の上記第1の表面(陽極
3への対向面)の近傍にプラズマを集束させて高密度の
プラズマとするために電界に対して直交する磁界を用い
。
しかもこの直交電磁界によシ放出電子に陰極ターゲット
2の上記第1の表面近傍を連続的に旋回運動させるよう
にしたものである。一方、プラズマ中の正イオンの陰極
ターrヮト2への衝突によシ陰極材から飛散されるスパ
ッタ粒子7は目的物体4の表面に付着し、被膜が形成さ
れる。また、このスパッタ装置では電子の運動軌跡が磁
石6a。
2の上記第1の表面近傍を連続的に旋回運動させるよう
にしたものである。一方、プラズマ中の正イオンの陰極
ターrヮト2への衝突によシ陰極材から飛散されるスパ
ッタ粒子7は目的物体4の表面に付着し、被膜が形成さ
れる。また、このスパッタ装置では電子の運動軌跡が磁
石6a。
6bによシ長くなシ、空間に電子を長くとどめて放電を
生じ易くしているが、電子が陽極3にぶつかる割合が少
なく陽極3の温度はほとんど上昇しない。
生じ易くしているが、電子が陽極3にぶつかる割合が少
なく陽極3の温度はほとんど上昇しない。
第2図を参照すると、第1図における陰極ターj” ツ
) 2が示されている。放射状の磁束Φによってターゲ
ット2のスパッタ領域9(内外の破線で囲まれた部分)
が決まシ、その環状のスパッタ領域9の中心線が最深ス
パッタ線10となる。一方。
) 2が示されている。放射状の磁束Φによってターゲ
ット2のスパッタ領域9(内外の破線で囲まれた部分)
が決まシ、その環状のスパッタ領域9の中心線が最深ス
パッタ線10となる。一方。
電子は上述の環状スフ9ツタ領域9上の空間を符号11
で示したように旋回運動をする。ス・ヤツタリングター
ダット2は第2図に示すように磁界によシ囲まれた領域
に凝集された陽イオンによシ表面をたたかれその個所を
飛ばすが、従来のスパッタ装置ではターrウド2の有効
利用範囲を拡げる手段がとられていない。
で示したように旋回運動をする。ス・ヤツタリングター
ダット2は第2図に示すように磁界によシ囲まれた領域
に凝集された陽イオンによシ表面をたたかれその個所を
飛ばすが、従来のスパッタ装置ではターrウド2の有効
利用範囲を拡げる手段がとられていない。
本発明は、マグネトロンスパッタリングを行った際の厚
さ方向の消費に分布の生じる事に注目し。
さ方向の消費に分布の生じる事に注目し。
最も消費される部分10を移動させる事によシ。
ターゲット2の有効利用範囲を拡げようとするものであ
る。このため、スi!−)夕装置の磁界発生用の一対の
磁石6a 、6bを相対的に移動可能な構造としたシ、
一対の磁石6a、6bのうち少なくとも一方を大きさの
異なる磁石に真空容器1内において交換可能な構造とす
るものである。
る。このため、スi!−)夕装置の磁界発生用の一対の
磁石6a 、6bを相対的に移動可能な構造としたシ、
一対の磁石6a、6bのうち少なくとも一方を大きさの
異なる磁石に真空容器1内において交換可能な構造とす
るものである。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第3図にスパッタリング前の当該ターケ゛ット2の断面
図を示し、第4図にス・fツタリングの進行中の同部位
の断面形状を示す。第4図において、スパッタリングは
マグネット間中央部で最も進行している。
図を示し、第4図にス・fツタリングの進行中の同部位
の断面形状を示す。第4図において、スパッタリングは
マグネット間中央部で最も進行している。
第5図はAtをターゲットとしたス・ぐツタリングの進
行深さくmax)と印加エネルギー(MJ:メがジュー
ル)の関係を示す。第6図は二重環状の外側磁石6bを
中央寄シに移動したシ、外側磁石6bを径の小さなもの
に交換して、ターゲット2の最深スパッタ線10を中央
寄りに移した後のターゲット20部分の断面図であシ、
第7図にその移動距離とターダウトの消費重量の変化率
を示した。
行深さくmax)と印加エネルギー(MJ:メがジュー
ル)の関係を示す。第6図は二重環状の外側磁石6bを
中央寄シに移動したシ、外側磁石6bを径の小さなもの
に交換して、ターゲット2の最深スパッタ線10を中央
寄りに移した後のターゲット20部分の断面図であシ、
第7図にその移動距離とターダウトの消費重量の変化率
を示した。
すなわち2本発明において、 AAメタ−ットを用いア
ルゴン雰囲気でスパッタリングしたが、一対の磁石6a
、6b間の中央部のス・母ツタリングが最も進行し、第
5図に示すように印加エネルギーに比例してゆく。次に
、第6図に示す如く磁力線をΦの状態からΦ′の状態に
変化させて再度ス・ぐツタリングした所、十印で示すよ
うに新らしくス・やツタリングされた範囲9′が広がシ
、第7図に示すように期待された効果が確認された。
ルゴン雰囲気でスパッタリングしたが、一対の磁石6a
、6b間の中央部のス・母ツタリングが最も進行し、第
5図に示すように印加エネルギーに比例してゆく。次に
、第6図に示す如く磁力線をΦの状態からΦ′の状態に
変化させて再度ス・ぐツタリングした所、十印で示すよ
うに新らしくス・やツタリングされた範囲9′が広がシ
、第7図に示すように期待された効果が確認された。
以上説明したように1本発明によれば、マグネトロンス
・やツタ装置の一対の磁石の相対位置関係を可変とした
ことによシ、使用ターダットの有効利用領域を拡げる事
が可能になり、経済的となる。
・やツタ装置の一対の磁石の相対位置関係を可変とした
ことによシ、使用ターダットの有効利用領域を拡げる事
が可能になり、経済的となる。
特に、真空容器内において、一対の磁石を移動可能な構
造又は一対の磁石のうち少なくとも一方を大きさの異な
る磁石に交換可能な構造とすることによシ同一ターダッ
トの使用可能時間を延ばす事も可能になり、製品の構造
上のバラツキを抑える手段を提供する事が出来、非常に
有用である。
造又は一対の磁石のうち少なくとも一方を大きさの異な
る磁石に交換可能な構造とすることによシ同一ターダッ
トの使用可能時間を延ばす事も可能になり、製品の構造
上のバラツキを抑える手段を提供する事が出来、非常に
有用である。
第1図は従来のマグネトロンスパッタ装置の概略図、第
2図は第1図のマグネトロンスi’?ツタ装置のターゲ
ットの表面状態を示した斜視図、第3図、第4図及び第
6図はそれぞれ本発明の実施例におけるターケ゛ット部
分の断面図、第5図は印加エネルギーとスパッタリング
進行厚さくmay) (D FJI係を示した図、第7
図は磁石間の間隔の変化率とターゲット重量変化率の関
係を表わした図である。 1・・・真空容器、2・・・陰極ターrウド、3・・・
陽極。 4・・・目的物体、5・・・電源+6a及び6b・・・
一対の磁石、7・・・ス・ぐツク粒子、8・・・排気系
、9・・・環状スパッタ領域、10・・・最深スパッタ
線、11・・・電子の軌跡。 第2図 第5図 [D加エネルヤー(MJ)
2図は第1図のマグネトロンスi’?ツタ装置のターゲ
ットの表面状態を示した斜視図、第3図、第4図及び第
6図はそれぞれ本発明の実施例におけるターケ゛ット部
分の断面図、第5図は印加エネルギーとスパッタリング
進行厚さくmay) (D FJI係を示した図、第7
図は磁石間の間隔の変化率とターゲット重量変化率の関
係を表わした図である。 1・・・真空容器、2・・・陰極ターrウド、3・・・
陽極。 4・・・目的物体、5・・・電源+6a及び6b・・・
一対の磁石、7・・・ス・ぐツク粒子、8・・・排気系
、9・・・環状スパッタ領域、10・・・最深スパッタ
線、11・・・電子の軌跡。 第2図 第5図 [D加エネルヤー(MJ)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、排気系に接続されている真空容器内に対向するよう
に配置された陰極ターゲット及び陽極と。 該陰極ターケ゛ット及び陽極間に接続される電源と。 上記陰極ターゲットの上記陽極への対向面の近傍に上記
電源による上記陰極ターゲット及び陽極間の電界に対し
て直交する磁界が得られるように。 互に異なる磁極面を上記陽極に向けて少なくとも一対配
置された磁石とを備え、上記陽極の上記陰極ターゲット
への対向面に目的物体を配置するようにしたマグネトロ
ンスパッタ装置において、上記一対の磁石の相対位置関
係を可変としたことを特徴とするマグネトロンスパッタ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11553982A JPS596377A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11553982A JPS596377A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596377A true JPS596377A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14665031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11553982A Pending JPS596377A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4606806A (en) * | 1984-05-17 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter device having planar and curved targets |
| EP1215302A4 (en) * | 1999-07-06 | 2007-11-07 | Applied Materials Inc | SPRAYING DEVICE AND FILM MANUFACTURING METHOD |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP11553982A patent/JPS596377A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4606806A (en) * | 1984-05-17 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter device having planar and curved targets |
| EP1215302A4 (en) * | 1999-07-06 | 2007-11-07 | Applied Materials Inc | SPRAYING DEVICE AND FILM MANUFACTURING METHOD |
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