JPS5964768A - 電子写真用感光ドラム製造装置 - Google Patents
電子写真用感光ドラム製造装置Info
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- JPS5964768A JPS5964768A JP17146682A JP17146682A JPS5964768A JP S5964768 A JPS5964768 A JP S5964768A JP 17146682 A JP17146682 A JP 17146682A JP 17146682 A JP17146682 A JP 17146682A JP S5964768 A JPS5964768 A JP S5964768A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は′電子写真用感光ドラムの製造装置に関する。
本発明の目的はｊ膜質が均一で、成膜速度の速い電子写
真用感光ドラム製造装置を得る事である。
真用感光ドラム製造装置を得る事である。
電子写真用感光体としては従来よりアモルファスセレン
が使用されているが、モノシラン、あるいは四フフ化硅
素をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコンは
、感光特性が向上する他、耐熱性及び耐摩耗性が飛躍的
に向上することから複写機本体の小型化、メンテナンス
フリー化に大きく貢献するものと期待されている。
が使用されているが、モノシラン、あるいは四フフ化硅
素をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコンは
、感光特性が向上する他、耐熱性及び耐摩耗性が飛躍的
に向上することから複写機本体の小型化、メンテナンス
フリー化に大きく貢献するものと期待されている。
その主たる製造方法は真空槽内に所定のガスを導入して
所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電により
膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電により
膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
第１図にプラズマＯ’Ｖ Ｄ装置の概要を示す。図にお
いて１．２．３は各々モノシラン、ホスフィン、ジボラ
ンであり、各ガス共水素ガスで希釈している。４，５．
６はマスフローコントローラーでガス流量の精密制御を
行なう。７は真空槽、８はシャワーで高周波の一方の電
極を兼用している。９はサセプター、１０は基板加熱ヒ
ーター、１１は高周波電源（通常１３．５６ Ｍ ＨＺ
）、１２は試料基板である。１３は排気口で真空ポン
プ系に接続されている。排気口１３により真空排気を行
すいながらマスフローコントローラー４によりモノシラ
ンガスを導入し所定の内圧（０，１〜５ＴＣ＋ｒｒ）と
した後、高周波電源１１により電力を供給すると、電極
８とサセプター９との間でグロー族ｒｕを起こ冗プラズ
マを発生する。このグロー放電によりモノシランが分解
され、試料基板１２の表面に非晶質シリコン膜が形成さ
れる。
いて１．２．３は各々モノシラン、ホスフィン、ジボラ
ンであり、各ガス共水素ガスで希釈している。４，５．
６はマスフローコントローラーでガス流量の精密制御を
行なう。７は真空槽、８はシャワーで高周波の一方の電
極を兼用している。９はサセプター、１０は基板加熱ヒ
ーター、１１は高周波電源（通常１３．５６ Ｍ ＨＺ
）、１２は試料基板である。１３は排気口で真空ポン
プ系に接続されている。排気口１３により真空排気を行
すいながらマスフローコントローラー４によりモノシラ
ンガスを導入し所定の内圧（０，１〜５ＴＣ＋ｒｒ）と
した後、高周波電源１１により電力を供給すると、電極
８とサセプター９との間でグロー族ｒｕを起こ冗プラズ
マを発生する。このグロー放電によりモノシランが分解
され、試料基板１２の表面に非晶質シリコン膜が形成さ
れる。
試料基板としてはガラス、金属（ステンレス。
モリブデン、アルミニウム等）、高分子フィルム等が使
用される。
用される。
該非晶質シリコン膜に不純物ドープを行なう場合、モノ
シランガスと同時にマスフローコントローラー５又は６
によりホスフィン又はジボランを流す。前者の場合Ｎ形
弁晶質シリコン膜が形成され、後者の場合Ｐ形弁晶質シ
リコン膜が形成される。なおホスフィンの代わりにアル
シン（ＡｓＨ３）を用いても同様である。
シランガスと同時にマスフローコントローラー５又は６
によりホスフィン又はジボランを流す。前者の場合Ｎ形
弁晶質シリコン膜が形成され、後者の場合Ｐ形弁晶質シ
リコン膜が形成される。なおホスフィンの代わりにアル
シン（ＡｓＨ３）を用いても同様である。
電子写真用感光ドラムとしては通常アルミニウムが使用
されるため、試料基板としてアルミニウムを使用し、膜
構造に応じた原料ガスを使用する第２図に従来使用され
ている非晶質電子写真用感光ドラム作製用のプラズマＣ
ＶＤ装置を示す。
されるため、試料基板としてアルミニウムを使用し、膜
構造に応じた原料ガスを使用する第２図に従来使用され
ている非晶質電子写真用感光ドラム作製用のプラズマＣ
ＶＤ装置を示す。
２１は基板加熱ヒーター、２２は試料ホルダー、２３は
排気口、２４はガス吹出し口を有する電極、２５はガス
排出口を有する電極、２６は真空槽である。
排気口、２４はガス吹出し口を有する電極、２５はガス
排出口を有する電極、２６は真空槽である。
本方式では、基板は加熱している力、＋、’４極は加熱
していないため、基板と’ｆＪｊ、 極の間で、モノシ
ランカスのプラズマ分解で生じるシリコン粉、いわゆる
イエロースノーが発生し排気口２３及び排出口２５がつ
まる為、成膜速度が迎くなると共に、排気条件が一定で
なくなる為に膜質が均一でなくなる欠点を有する。
していないため、基板と’ｆＪｊ、 極の間で、モノシ
ランカスのプラズマ分解で生じるシリコン粉、いわゆる
イエロースノーが発生し排気口２３及び排出口２５がつ
まる為、成膜速度が迎くなると共に、排気条件が一定で
なくなる為に膜質が均一でなくなる欠点を有する。
本発明はかかる欠点を除去するもので、電極を加熱しイ
エロースノーの発生をおさえ、その結果膜質を均一にし
、成膜速度を速くすることを特徴とする。
エロースノーの発生をおさえ、その結果膜質を均一にし
、成膜速度を速くすることを特徴とする。
以下図ｍｉに基づき本発明について具体的に説明する。
第５図及び第４図に本発明に基づ＜ １Ｔｆ、子写真用
感光ドラム製造用プラズマＯＶＤ装置を示す。
感光ドラム製造用プラズマＯＶＤ装置を示す。
ここで第３図は電極のまわりに設けた赤外線ランプで該
電極を加熱する場合を、第４図は電極に取り付けたヒー
ターで該電極を加熱する場合を表わす。
電極を加熱する場合を、第４図は電極に取り付けたヒー
ターで該電極を加熱する場合を表わす。
３１は加熱ヒーター及び冷却パイプを内蔵する試料ホル
ダー、５２は排気口、６３は複数のガス吹き出し口を有
する７［１極、３４はガス排出口を有する電極、６５は
赤外線ランプ、３６は真空槽である。更に４１は加熱ヒ
ーター及び冷却パイプを内蔵する試料ホルダー、４２は
排出口、４６は複数のガス吹き出し口を有し加熱ヒータ
ーを内蔵する電極、４４はガス排出口を有し加熱ヒータ
ーを内蔵する電極、４５は真空槽である。
ダー、５２は排気口、６３は複数のガス吹き出し口を有
する７［１極、３４はガス排出口を有する電極、６５は
赤外線ランプ、３６は真空槽である。更に４１は加熱ヒ
ーター及び冷却パイプを内蔵する試料ホルダー、４２は
排出口、４６は複数のガス吹き出し口を有し加熱ヒータ
ーを内蔵する電極、４４はガス排出口を有し加熱ヒータ
ーを内蔵する電極、４５は真空槽である。
真空槽を上昇させ試料ホルダーにアルミニウムドラムを
セットした後、真空槽を下降させ真空ポンプにより槽内
の排気を行なう。試料ホルダーを回転（１〜１０ｒｐｍ
）させながら所定の温度に加熱（通常１５０℃〜６００
°Ｃ）し、続いてガス導入口から所定のガス（モノシラ
ン、ジボラン。
セットした後、真空槽を下降させ真空ポンプにより槽内
の排気を行なう。試料ホルダーを回転（１〜１０ｒｐｍ
）させながら所定の温度に加熱（通常１５０℃〜６００
°Ｃ）し、続いてガス導入口から所定のガス（モノシラ
ン、ジボラン。
ホスフィン、アルゴン等）を導入しガス排気口を通して
排気を行なう。さらに電極な加熱する。
排気を行なう。さらに電極な加熱する。
アルミニウムドラムの温度が安定するまで保持した後′
Ｆｒ１極に高周波電界を印加しグロー放電を行なう。所
定時間（３〜１０時間） １１３形成を行ない１５〜６
０μｍの非晶質シリコン膜を有するアルミニウムドラム
を製造する。
Ｆｒ１極に高周波電界を印加しグロー放電を行なう。所
定時間（３〜１０時間） １１３形成を行ない１５〜６
０μｍの非晶質シリコン膜を有するアルミニウムドラム
を製造する。
本発明の装置においては、電極を加熱することによりイ
エロースノーの発生量が減少し、排気口のつまりが緩和
される為、排気条件が一定で成ｊ模速度が速く膜質が均
一となった。
エロースノーの発生量が減少し、排気口のつまりが緩和
される為、排気条件が一定で成ｊ模速度が速く膜質が均
一となった。
第４図（ｅ）にアルミニウムドラムの場合による成膜速
度の変化を示し、Ｃｆ）に同じ＜ Ｖｆ）定電位の変化
を示す。図中又は第２図に示した従来装ｆＭで製造した
場合を示し、Ｙは第６図に示した本発明の装置で製造し
た場合を示す。この時の基板温度は２００°Ｇ、圧力は
１．６ Ｔ ｏ ｒ ｒ 、 ＲＦパワーはＳＯＷであ
った。図から明らかな如く本発明の装仮によれば膜厚の
均一性が優れ、膜質が均一で、成膜速度が極めて速い電
子写真用感光ドラムが得られる。
度の変化を示し、Ｃｆ）に同じ＜ Ｖｆ）定電位の変化
を示す。図中又は第２図に示した従来装ｆＭで製造した
場合を示し、Ｙは第６図に示した本発明の装置で製造し
た場合を示す。この時の基板温度は２００°Ｇ、圧力は
１．６ Ｔ ｏ ｒ ｒ 、 ＲＦパワーはＳＯＷであ
った。図から明らかな如く本発明の装仮によれば膜厚の
均一性が優れ、膜質が均一で、成膜速度が極めて速い電
子写真用感光ドラムが得られる。
以上詳述した如く本発明によれば、膜質が均一で成１１
６：速度の速い電子写真用感光ドラム装造装置が得られ
、シリコン以外にゲルマニウム及ヒ他の化合物半尊体を
用いる感光ドラムにも適用できる
６：速度の速い電子写真用感光ドラム装造装置が得られ
、シリコン以外にゲルマニウム及ヒ他の化合物半尊体を
用いる感光ドラムにも適用できる
第１図はプラズマ０ＶＤ装置の１既要を示す。
第２図は従来使用されている電子写真用感光ドラム製造
用のプラズマ０ＶＤ装置を示す。 （α〕は上面図、（ｂ）は正面図である。 第３図及び第４図は本発明に基づく電子写真用感光ドラ
ム製造用プラズマＯＶＤ装置を示す。 （Ｃ）及びＣｅ）は上面図、（ｄ）及び（１）は正面図
である。 第５図は従来装置と本発明装置により作製した感光ドラ
ムの場所による特性を比較する図を示すＣｙ）は成膜速
度を示し、（Ａ）は帯電電位を示す。横軸はアルミニウ
ムドラムの位置を示し長さ３５ｃｒｎのドラムの下から
の高さを示す。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
用のプラズマ０ＶＤ装置を示す。 （α〕は上面図、（ｂ）は正面図である。 第３図及び第４図は本発明に基づく電子写真用感光ドラ
ム製造用プラズマＯＶＤ装置を示す。 （Ｃ）及びＣｅ）は上面図、（ｄ）及び（１）は正面図
である。 第５図は従来装置と本発明装置により作製した感光ドラ
ムの場所による特性を比較する図を示すＣｙ）は成膜速
度を示し、（Ａ）は帯電電位を示す。横軸はアルミニウ
ムドラムの位置を示し長さ３５ｃｒｎのドラムの下から
の高さを示す。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 真空排ｚ系により減圧にし得る真空槽内に所定のガス（
モノシラン、ジボラン、ホスフィン、メタン、アルゴン
等）を導入して所定の内圧とし、該真空槽内における電
極の放電現象により金属ドラム上に非晶質半導体膜を形
成する装置において、該電極は金属ドラムの周囲に位置
し、該電極を加熱することを特徴とする電子写真用感光
ドラム製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146682A JPS5964768A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子写真用感光ドラム製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146682A JPS5964768A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子写真用感光ドラム製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964768A true JPS5964768A (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=15923623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17146682A Pending JPS5964768A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子写真用感光ドラム製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964768A (ja) |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17146682A patent/JPS5964768A/ja active Pending
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