JPS60100675A - 堆積膜の形成法 - Google Patents
堆積膜の形成法Info
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- JPS60100675A JPS60100675A JP58208813A JP20881383A JPS60100675A JP S60100675 A JPS60100675 A JP S60100675A JP 58208813 A JP58208813 A JP 58208813A JP 20881383 A JP20881383 A JP 20881383A JP S60100675 A JPS60100675 A JP S60100675A
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- Japan
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- film
- compd
- gaseous
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電気的、光、或いは熱的エネルギーを利用して
光導電膜、半導体膜あるいは絶縁性の膜を所望の支持体
上に形成させる堆積膜の形成法に関する。
光導電膜、半導体膜あるいは絶縁性の膜を所望の支持体
上に形成させる堆積膜の形成法に関する。
従来、ＳｉＨ４を放電や熱エネルギー等の励起エネルギ
ーにより分解して、支持体上に（アモルファスシリコン
ａ−８ｉと略記する）の堆積膜を形成さぞ、これが種々
の目的に利用されているのは周知である。
ーにより分解して、支持体上に（アモルファスシリコン
ａ−８ｉと略記する）の堆積膜を形成さぞ、これが種々
の目的に利用されているのは周知である。
しかし、このＳｉＨ４を原料としてａ−８ｉの堆積膜を
形成する方法には、 １）良品質を維持しようとすると膜の形成速度が遵い、 ２）供給エネルギーの種類にかかわらず、強い励起エネ
ルギーが必要とされる。
形成する方法には、 １）良品質を維持しようとすると膜の形成速度が遵い、 ２）供給エネルギーの種類にかかわらず、強い励起エネ
ルギーが必要とされる。
３）大面積、厚膜の堆積膜の形成にあっては、電気的、
光学的特性の均一性、品質の安定性の確保が難しく、堆
積中の膜表面の乱れ、ノくルク内の欠陥が生じやすい、 等の解決されるべき問題点が残されているのが現状であ
る。
光学的特性の均一性、品質の安定性の確保が難しく、堆
積中の膜表面の乱れ、ノくルク内の欠陥が生じやすい、 等の解決されるべき問題点が残されているのが現状であ
る。
最近これらの問題点を補うＳｔ、Ｈ，を原料とするａ−
８ｉの堆積膜の形成法が提案されて注目されているが、
未だ不十分であり、特に、励起エネルギー源として熱エ
ネルギーを利用しようとすると、４００℃以上の高温が
必要でちゃ、所要エネルギーの低下、高効率化は今後の
問題である。また、Ｓｔ、Ｈ，は分解して、５ＩＨ４と
励起分解物を容易に生成するため、ＳｉＨ４を利用する
よシ有利ではあるが、効率よ（Ｓｔ、Ｈｌｌが分解する
には、反応論的にいってその分解生成物の主体である８
ｉＨ４の分解が更に続行されなければならないことから
、飛曙的に効率のよい分解を期待するには限度がある。
８ｉの堆積膜の形成法が提案されて注目されているが、
未だ不十分であり、特に、励起エネルギー源として熱エ
ネルギーを利用しようとすると、４００℃以上の高温が
必要でちゃ、所要エネルギーの低下、高効率化は今後の
問題である。また、Ｓｔ、Ｈ，は分解して、５ＩＨ４と
励起分解物を容易に生成するため、ＳｉＨ４を利用する
よシ有利ではあるが、効率よ（Ｓｔ、Ｈｌｌが分解する
には、反応論的にいってその分解生成物の主体である８
ｉＨ４の分解が更に続行されなければならないことから
、飛曙的に効率のよい分解を期待するには限度がある。
加えて、Ｓｉ、Ｈ，は一般的な原料でもなく、またその
製造プロセスが確立されているわけでもないので、高価
であり、したがって効率的な堆積膜の形成がなされなけ
れば経済的に実用化が困難である。更には、Ｓｔ、Ｈ，
以上の高級シランが利用できるということについて特開
昭５６−８３９２９に記載があるが、高級シランを高収
率で製造し、しかもこれによる堆積膜が有用なものとし
て利用された実例はなく、その工業化を図るには、高級
シランの製造手法の開発とその利用技術の開発に多くの
課題が残されている。
製造プロセスが確立されているわけでもないので、高価
であり、したがって効率的な堆積膜の形成がなされなけ
れば経済的に実用化が困難である。更には、Ｓｔ、Ｈ，
以上の高級シランが利用できるということについて特開
昭５６−８３９２９に記載があるが、高級シランを高収
率で製造し、しかもこれによる堆積膜が有用なものとし
て利用された実例はなく、その工業化を図るには、高級
シランの製造手法の開発とその利用技術の開発に多くの
課題が残されている。
堆積膜の作製が低エネルギーレベルで実施できれば、均
一性を保持した高品質の成膜が期待され、製造条件の制
御が容易になり、再現性も含めて工業的な生産性が向上
する。例えばグロー放電堆積法においては、高出力下で
は堆積膜の作製中における膜への放電エネルギーの影響
が大きく、再現性のある安定した条件の制御も難しいの
が現状である。
一性を保持した高品質の成膜が期待され、製造条件の制
御が容易になり、再現性も含めて工業的な生産性が向上
する。例えばグロー放電堆積法においては、高出力下で
は堆積膜の作製中における膜への放電エネルギーの影響
が大きく、再現性のある安定した条件の制御も難しいの
が現状である。
また、熱エネルギー堆積法においても、高温が必要とな
ることから使用される堆積膜形成用の支持体材料が限定
され、加えて所望のａ−８ｉ中の有用な結合水素原子が
離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性が得難
い。しかも、分解効率が悪いので堆積速度も遅く、量産
性に不適である。
ることから使用される堆積膜形成用の支持体材料が限定
され、加えて所望のａ−８ｉ中の有用な結合水素原子が
離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性が得難
い。しかも、分解効率が悪いので堆積速度も遅く、量産
性に不適である。
本発明はこれらの事実に鑑みなされたものであり、上記
問題を解決する新規な堆積膜の形成法を提供することを
目的とする０ 本発明の他の目的は、高品質を維持しつつ成膜速度を高
くすることのできる堆積膜の形成法を提供することにあ
る。
問題を解決する新規な堆積膜の形成法を提供することを
目的とする０ 本発明の他の目的は、高品質を維持しつつ成膜速度を高
くすることのできる堆積膜の形成法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、放電エネルギーの低出力化あるい
は光及び熱的エネルギーによる場合の分解温度の低下の
可能な堆積膜の形成法を提供することにある。
は光及び熱的エネルギーによる場合の分解温度の低下の
可能な堆積膜の形成法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成
にあっても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定
性を確保した高品質の堆積膜を作製することのできる方
法を提供することにある。
にあっても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定
性を確保した高品質の堆積膜を作製することのできる方
法を提供することにある。
斯かる本発明の目的は、前記の形態の励起エネルギーを
与えることで分解される堆積膜形成用の原料物質として
、一般式−〇 ＣａＨｂＸｃ （但し、ｂ＋ｃ＝２ａ＋
ｌでおって、ａは正整数、ｂ、ｃは零又は正整数で、ｂ
、ｃは同時に零にはならない。又はハロゲン原子）で表
わされる置換基ＯＡを少なくとも１つ有するシラン化合
物（８ｉ０Ａ）を用いることによって達成される。
与えることで分解される堆積膜形成用の原料物質として
、一般式−〇 ＣａＨｂＸｃ （但し、ｂ＋ｃ＝２ａ＋
ｌでおって、ａは正整数、ｂ、ｃは零又は正整数で、ｂ
、ｃは同時に零にはならない。又はハロゲン原子）で表
わされる置換基ＯＡを少なくとも１つ有するシラン化合
物（８ｉ０Ａ）を用いることによって達成される。
即ち、本発明の堆積膜の形成法は、前記一般式−ＯＣａ
ＨｂＸｃで表わされる置換基ＯＡを少なくとも１つ有し
、ガス状態にあるシラン化合物に励起エネルギーを与え
、堆積室内に配された支持体上にシリコン原子を含む堆
積膜を形成することを特徴とする。
ＨｂＸｃで表わされる置換基ＯＡを少なくとも１つ有し
、ガス状態にあるシラン化合物に励起エネルギーを与え
、堆積室内に配された支持体上にシリコン原子を含む堆
積膜を形成することを特徴とする。
以下、第１図を参照しつつ本発明の方法に就き具体的に
説明する。
説明する。
本発明で使用されるシラン化合物（ＳｉＯＡ）は導入バ
イブ１を通じて気化装置２に於いてガス化され、マスフ
ローメーター３を通して常圧又は減圧下にあ［る堆積室
内へ導入される。堆積室内に導入された気体上のシラン
化合物は、グロー放電、アーク放電あるいは加熱等によ
って、それぞれ放電分解や熱分解を起して、例えばアル
ミニウムの円筒からなる所望の支持体７上にａ−８ｉの
光導電膜が形成される。
イブ１を通じて気化装置２に於いてガス化され、マスフ
ローメーター３を通して常圧又は減圧下にあ［る堆積室
内へ導入される。堆積室内に導入された気体上のシラン
化合物は、グロー放電、アーク放電あるいは加熱等によ
って、それぞれ放電分解や熱分解を起して、例えばアル
ミニウムの円筒からなる所望の支持体７上にａ−８ｉの
光導電膜が形成される。
この例では、電子写真感光体ドラム用の光導電膜を形成
する例に限定して説明したが、もちろん本発明はこれに
よって限定されるものではなく、他の種々の堆積膜の形
成にも適用されるものである。
する例に限定して説明したが、もちろん本発明はこれに
よって限定されるものではなく、他の種々の堆積膜の形
成にも適用されるものである。
本発明に於いて、堆積膜形成用の原料物質として使用さ
れるシラン化合物（ＳｉＯＡ）が有する置換基ＯＡは、
具体的には非置換アルコキシル基、置換アルコキシル基
（これ等を総称してアルコキシ基と云う）であり炭素原
子数は、好ましくは、１−１０であることが望ましい。
れるシラン化合物（ＳｉＯＡ）が有する置換基ＯＡは、
具体的には非置換アルコキシル基、置換アルコキシル基
（これ等を総称してアルコキシ基と云う）であり炭素原
子数は、好ましくは、１−１０であることが望ましい。
詰り、炭素原子数が１１以上のアルコキシル基を有する
シラ／化合物の場合は、ガス化することが容易ではなく
、生産性の点で有利とはいえず、又、そのものの製造自
体が割高となり生産コネト的に不利であり、分解速度を
低下させる傾向があって、成膜効率の向上を防げる。
シラ／化合物の場合は、ガス化することが容易ではなく
、生産性の点で有利とはいえず、又、そのものの製造自
体が割高となり生産コネト的に不利であり、分解速度を
低下させる傾向があって、成膜効率の向上を防げる。
本発明の方法に於いて、有効に使用される７２／化合物
（ＳｉＯＡ）としては、好ましくは、シリコン原子数が
６以下であるのが望ましい。その理由は、シリコン原子
数が７以上のシラン化合物は、構造的にはその分解が容
易で、低分解エネルギーで堆積膜が形成されることが期
待されるのに我々の検討の結果では、予想に反して光導
電膜、半導体膜として品質が劣り、その上、膜の表面上
での欠陥及びバルク内での乱れが多く不均一な膜となる
ことが判明し、したがってこのような原料ガスを使用す
れば形成される堆積膜の品質のコントロールが困難であ
るからである。
（ＳｉＯＡ）としては、好ましくは、シリコン原子数が
６以下であるのが望ましい。その理由は、シリコン原子
数が７以上のシラン化合物は、構造的にはその分解が容
易で、低分解エネルギーで堆積膜が形成されることが期
待されるのに我々の検討の結果では、予想に反して光導
電膜、半導体膜として品質が劣り、その上、膜の表面上
での欠陥及びバルク内での乱れが多く不均一な膜となる
ことが判明し、したがってこのような原料ガスを使用す
れば形成される堆積膜の品質のコントロールが困難であ
るからである。
本発明に於いて、使用される７ラン化合物（ＳｉＯＡ）
は、前述した様に少なくとも１つアルコキシル基を有す
るものであるが、好ましくは、端部のシリコン原子に少
なくとも１つのアルコキシル基が置換妊れているのが望
ましく、よシ好ましくは、シリコン原子数が２以上の場
合は両端部のシリコン原子に夫々、少なくとも１つのア
ルコキシル基が置換されているのが望ましいＯ 本発明に於いて、置換基ＯＡがＸを構成原子として有す
る場合にはＸとしては、好ましくは弗紫■、塩素（ｃｅ
）であるのが望ましい。
は、前述した様に少なくとも１つアルコキシル基を有す
るものであるが、好ましくは、端部のシリコン原子に少
なくとも１つのアルコキシル基が置換妊れているのが望
ましく、よシ好ましくは、シリコン原子数が２以上の場
合は両端部のシリコン原子に夫々、少なくとも１つのア
ルコキシル基が置換されているのが望ましいＯ 本発明に於いて、置換基ＯＡがＸを構成原子として有す
る場合にはＸとしては、好ましくは弗紫■、塩素（ｃｅ
）であるのが望ましい。
本発明に於いて、使用されるシラン化合物（ＳｔＯＡ）
は、少なくとも置換基ＯＡを１つ有するが、他に、水素
原子、ノ・ロゲン原子、非置換アルキル基、置換アルキ
ル基等の原子団を置換基として有していても良い。この
場合の非置換、置換アルキル基（これ等を総称してアル
キル基と云う）としては、好ましくは炭素原子数が１〜
９であるのが望ましく、より好ましくは、炭素原子数の
総数が１０以下となる様に、他の置換基を構成する炭素
原子の数とに於いて、調整されるのが望ましい。
は、少なくとも置換基ＯＡを１つ有するが、他に、水素
原子、ノ・ロゲン原子、非置換アルキル基、置換アルキ
ル基等の原子団を置換基として有していても良い。この
場合の非置換、置換アルキル基（これ等を総称してアル
キル基と云う）としては、好ましくは炭素原子数が１〜
９であるのが望ましく、より好ましくは、炭素原子数の
総数が１０以下となる様に、他の置換基を構成する炭素
原子の数とに於いて、調整されるのが望ましい。
本発明の方法に使用されるシラン化合物（Ｓ ｉ ＯＡ
）は、放電あるいは、熱などの励起エネルギーにより容
易に分解され、低エネルギーで膜の形成が行なわれる０
これは、シラン化合物（ＳｉＯＡ）に結合しているアル
コキシル基（置換基ＯＡ）が、５ｉ−８ｉ結合の切断や
５ｔ−Ａ（Ａは、Ｈ，Ｘ。
）は、放電あるいは、熱などの励起エネルギーにより容
易に分解され、低エネルギーで膜の形成が行なわれる０
これは、シラン化合物（ＳｉＯＡ）に結合しているアル
コキシル基（置換基ＯＡ）が、５ｉ−８ｉ結合の切断や
５ｔ−Ａ（Ａは、Ｈ，Ｘ。
アルキル基）の切断をし、他のシラン化合物より結合原
子団数の少ない、ＳｉＹ 、 ＳｉＹ、 （Ｙは、Ｈ，
Ｘ、アルキル基、アルコキシル基）、Ｓｉ等のラジカル
あるいはイオンが発生しやすいことによると考えられる
。したがって、その分解効率が著しく増大し、堆積効率
、堆積速度の向上に寄与することになる。又、放電エネ
ルギーを利用して本発明を実施する際には、従来からの
知見に反し、放電パワーあるいはガス流量を増大させる
ことなく堆積効率、堆積速度に優れ、電気的、光学的特
性にも優れた堆積膜を形成することができる。
子団数の少ない、ＳｉＹ 、 ＳｉＹ、 （Ｙは、Ｈ，
Ｘ、アルキル基、アルコキシル基）、Ｓｉ等のラジカル
あるいはイオンが発生しやすいことによると考えられる
。したがって、その分解効率が著しく増大し、堆積効率
、堆積速度の向上に寄与することになる。又、放電エネ
ルギーを利用して本発明を実施する際には、従来からの
知見に反し、放電パワーあるいはガス流量を増大させる
ことなく堆積効率、堆積速度に優れ、電気的、光学的特
性にも優れた堆積膜を形成することができる。
一方、熱エネルギーにより分解させることによって本発
明の方法により堆積膜を形成する場合に於いても、使用
する装置にやや衣存するものの、１００〜３５０’Ｏの
温度でも堆積膜を効率本発明において使用されるシラン
化合物（ＳＩＯＲ）の好ましい具体的例を挙げれば以下
の通りである。
明の方法により堆積膜を形成する場合に於いても、使用
する装置にやや衣存するものの、１００〜３５０’Ｏの
温度でも堆積膜を効率本発明において使用されるシラン
化合物（ＳＩＯＲ）の好ましい具体的例を挙げれば以下
の通りである。
（１）鎖状シラン化合物
（Ｎｏ、 ｌ） （Ｎｏ、 ２） （Ｎｏ、 ３）（Ｎ
ｏ、 ４） （Ｎｏ、 ５） （Ｎｏ、６）（Ｎｏ、７
） （Ｎｏ、８） （Ｎｏ、９） （Ｎｏ、１０） （２）環状シラン化合物 （Ｎｏ、１３） （Ｎｏ、１４） Ｈ Ｈ−３ｔ−３ｉ−Ｈ ／ １ ０ＣＨ３Ｈ （Ｎｏ、１５） （Ｎｏ、 １８） （Ｎｏ、 １７） Ｈ−３ｉ−ＳｉＨ Ｈ−３ｔ−３ｉＨ ／ １ ＼ ０ＣＲ３ＨＨ （Ｎｏ、 １８） （Ｎｏ、１９） （Ｎｏ、２０） ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ （Ｎｏ、２１） 熱分解法において、良質なアモルファスシリコン膜を得
ようとする場合には、： ＳｉＨ２，：５ｉＨＸ 。
ｏ、 ４） （Ｎｏ、 ５） （Ｎｏ、６）（Ｎｏ、７
） （Ｎｏ、８） （Ｎｏ、９） （Ｎｏ、１０） （２）環状シラン化合物 （Ｎｏ、１３） （Ｎｏ、１４） Ｈ Ｈ−３ｔ−３ｉ−Ｈ ／ １ ０ＣＨ３Ｈ （Ｎｏ、１５） （Ｎｏ、 １８） （Ｎｏ、 １７） Ｈ−３ｉ−ＳｉＨ Ｈ−３ｔ−３ｉＨ ／ １ ＼ ０ＣＲ３ＨＨ （Ｎｏ、 １８） （Ｎｏ、１９） （Ｎｏ、２０） ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ （Ｎｏ、２１） 熱分解法において、良質なアモルファスシリコン膜を得
ようとする場合には、： ＳｉＨ２，：５ｉＨＸ 。
：５ｉｘ２． （Ｘはハロゲン原子）のみを発生するシ
ラン化合物（ＳｉＯＡ）が適しており、前記シラン化合
物（ＳｉＯＲ）内で例を上げると、化合物Ｎｏ、が４，
５゜８、９．１０．１１．１３．１８．１９のものが適
している。
ラン化合物（ＳｉＯＡ）が適しており、前記シラン化合
物（ＳｉＯＲ）内で例を上げると、化合物Ｎｏ、が４，
５゜８、９．１０．１１．１３．１８．１９のものが適
している。
以下、実施例について説明する。
実施例１
第１図に示した’Ａ置で膜形成用の原料として、ＳｉＨ
４，Ｓｉ２凧、とシラン化合物（ＳｉＯＡ）（Ｎｏ、
１からＮｏ、２１）を用いて堆積膜の形成を行った。
４，Ｓｉ２凧、とシラン化合物（ＳｉＯＡ）（Ｎｏ、
１からＮｏ、２１）を用いて堆積膜の形成を行った。
各原料についてパイプ１を通じて気化装置２で気化し、
マスフローメーター３で所定の流星に調整し、堆積膜形
成装置Ａに導入した。
マスフローメーター３で所定の流星に調整し、堆積膜形
成装置Ａに導入した。
所定の圧力にされた原料ガスを所定の温度に過熱したＡ
ｎ製の支持体ドラム７上に流し、熱分解により、ＡＩ製
の支持体ドラム７上にａ−３ｉの光導電膜を形成した。
ｎ製の支持体ドラム７上に流し、熱分解により、ＡＩ製
の支持体ドラム７上にａ−３ｉの光導電膜を形成した。
堆積膜の形成温度、堆積速度、膜の電気的性質実施例２
実施例１と同様の原料を用いて実施例１と同様な操作で
堆積膜形成装置Ａに導入した。
堆積膜形成装置Ａに導入した。
Ａｎ製の支持体ドラムを ２５０℃に加熱し、グロー放
電を起こし、ａ−Ｓｉの堆積膜を作成した。
電を起こし、ａ−Ｓｉの堆積膜を作成した。
この場合の各々の原料ガスに対する堆積速度の比較を第
２表に示す。
２表に示す。
第１図は、本発明の方法に従って感光ドラムに堆積膜を
製造する装置を模式的に示したものである。 １：原料導入パイプ ２：気化装置 ３：マスフローメーター ４：混合ガス導入パイプ ５：加熱用導線及びアース ６：導 線 ７：感光体ドラム ８：堆積室排気口 ９：堆積室圧力センサー 特許出願人 キャノン株式会社
製造する装置を模式的に示したものである。 １：原料導入パイプ ２：気化装置 ３：マスフローメーター ４：混合ガス導入パイプ ５：加熱用導線及びアース ６：導 線 ７：感光体ドラム ８：堆積室排気口 ９：堆積室圧力センサー 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 一般式−０ＣａＨｂＸｃ （但し、ｂ＋ｃ＝２ａ＋１で
あってａは正整数、ｂ、ｃは、０又は正整数で、ｂ、、
ｃは同時に零にはならない。Ｘはハロゲン原子）で表わ
される置換基を少なくとも１つ有し、ガス状態にあるシ
ラン化合物に励起エネルギーを与え、堆積室内に配され
た支持体上にシリコン原子を含む堆積膜を形成すること
全特徴とする堆積膜の形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208813A JPS60100675A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 堆積膜の形成法 |
| US06/667,816 US4546008A (en) | 1983-11-07 | 1984-11-02 | Method for forming a deposition film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208813A JPS60100675A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 堆積膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100675A true JPS60100675A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16562546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208813A Pending JPS60100675A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 堆積膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100675A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166281A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-26 | Seiko Epson Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2017523134A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-17 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | モノアミノシラン化合物 |
| JP2017524728A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ジアミノシラン化合物 |
| JP2019104723A (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-27 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | ヒドロカルビルオキシジシラン |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP58208813A patent/JPS60100675A/ja active Pending
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