JPS596482B2 - 磁器の電極形成方法 - Google Patents
磁器の電極形成方法Info
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- JPS596482B2 JPS596482B2 JP1731079A JP1731079A JPS596482B2 JP S596482 B2 JPS596482 B2 JP S596482B2 JP 1731079 A JP1731079 A JP 1731079A JP 1731079 A JP1731079 A JP 1731079A JP S596482 B2 JPS596482 B2 JP S596482B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器半導体等の表面に溶射法等によって電極
を設けるための磁器の電極形成方法に関する。
を設けるための磁器の電極形成方法に関する。
従来、磁器半導体へのオーム性電極形成法として、アル
ミニウム、亜鉛、すす、銅、真ちゅう等を磁器半導体表
面に溶射する方法が広く知られている。
ミニウム、亜鉛、すす、銅、真ちゅう等を磁器半導体表
面に溶射する方法が広く知られている。
ところで、磁器半導体の用途が広がる（くつれ、磁器半
導体の形状寸法に対して高度な寸法精度が要求され、必
然的に磁器焼成後の研摩、研削等の加工が必要となって
きている。
導体の形状寸法に対して高度な寸法精度が要求され、必
然的に磁器焼成後の研摩、研削等の加工が必要となって
きている。
しかしながら、その加工した部分に溶射しても電極の接
着強度が低下してしまう不都合を生じる。
着強度が低下してしまう不都合を生じる。
この原因は、加工によって成牛じた加工変質層が、溶射
時のサーマルショックによりマイクロクラック、歪が蓄
積してもろくなるためであることが判明した。
時のサーマルショックによりマイクロクラック、歪が蓄
積してもろくなるためであることが判明した。
すなわち、第１図Ａに示す如く、磁器半導体１の表面に
は加工に伴い結晶が破壊された加工変質層２が成牛され
、この加工変質層２に金属を溶射して同図Ｂのように電
極３を磁器半導体１の表面に形成すると、溶射の際のサ
ーマルショックによりマイクロクラックや歪等が大きく
なり加工変質層２は非常にもろい状態となる。
は加工に伴い結晶が破壊された加工変質層２が成牛され
、この加工変質層２に金属を溶射して同図Ｂのように電
極３を磁器半導体１の表面に形成すると、溶射の際のサ
ーマルショックによりマイクロクラックや歪等が大きく
なり加工変質層２は非常にもろい状態となる。
従って、剥離試験を行うと、同図Ｃの如く容易に電極３
は磁器半導体１より剥れてしまう。
は磁器半導体１より剥れてしまう。
同様の不都合は、例えば磁器へのニッケル無電解めっき
の場合にも生じる。
の場合にも生じる。
本発明は、上記の点に鑑み、磁器を加工後再焼成して加
工変質層を無くしてから磁器に電極を設けることにより
、充分な接着強度の電極を形成可能にした磁器の電極形
成方法を提供しようとするものである。
工変質層を無くしてから磁器に電極を設けることにより
、充分な接着強度の電極を形成可能にした磁器の電極形
成方法を提供しようとするものである。
以下、本発明に係る磁器の電極形成方法を比較例及び実
施例に従って説明する。
施例に従って説明する。
比較例 １
３ｍｍ厚のチタン酸バリウム系磁器半導体基板を用意し
、加工を施すことなくアーク溶射法により表面にアルミ
ニウムを溶射した。
、加工を施すことなくアーク溶射法により表面にアルミ
ニウムを溶射した。
それから、溶射電極面の半分に粘着テープ（ソニーケミ
カル■製Ｔ−４０００）を貼り、それを引き剥して剥離
試験を行った結果、電極に剥離は生じなかった。
カル■製Ｔ−４０００）を貼り、それを引き剥して剥離
試験を行った結果、電極に剥離は生じなかった。
比較例 ２
３ｍｖｔｑのチタン酸バリウム系磁器半導体基板を用意
し、これをラップ研摩により２．５ｍｍの厚さに仕上げ
た。
し、これをラップ研摩により２．５ｍｍの厚さに仕上げ
た。
それから再焼成を行うことなく直接アーク溶射法により
表面にアルミニウムを溶射した。
表面にアルミニウムを溶射した。
次いで、比較例１と同じ条件で剥離試験を行った結果、
電極は完全に剥離した。
電極は完全に剥離した。
比較例 ３
３龍厚のチタン酸バリウム系磁器半導体基板を用意し、
これをラップ研摩により２．５ｍｒｎの厚さに仕上げた
。
これをラップ研摩により２．５ｍｒｎの厚さに仕上げた
。
この研摩加工を施した基板を７００℃で５分間熱処理（
再焼成）した。
再焼成）した。
それから、アーク溶射法により表面にアルミニウムを溶
射した。
射した。
次いで、比較例１と同じ条件で剥離試験を行った結果、
電極は殆んど剥離した。
電極は殆んど剥離した。
比較例 ４
前記比較例３と同じ加工を施したチタン酸バリウム系磁
器半導体基板を８００℃で５分間熱処理した後、アーク
溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
器半導体基板を８００℃で５分間熱処理した後、アーク
溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
それから比較例１と同じ条件で剥離試験を行った結果、
電極は殆んど剥離した。
電極は殆んど剥離した。
実施例 １
前記比較例３と同じ加工を施したチタン酸バリウム系磁
器半導体基板を９００°Ｃで５分間熱処理した後、アー
ク溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
器半導体基板を９００°Ｃで５分間熱処理した後、アー
ク溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
それから比較例１と同じ条件で剥離試験を行った結果、
電極の一部が剥離した。
電極の一部が剥離した。
実施例 ２
前記比較例３と同じ加工を施したチタン酸バリウム系磁
器半導体基板を１０００℃で５分間熱処理した後、アー
ク溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
器半導体基板を１０００℃で５分間熱処理した後、アー
ク溶射法により表面にアルミニウムを溶射した。
それから比較例１と同じ条件で剥離試験を行った結果、
電極は剥離しなかった。
電極は剥離しなかった。
実施例 ３
前記熱処理を１１００℃で行ったが、実施例２と同じ結
果が得られた。
果が得られた。
実施例 ４
前記熱処理を１２００’Ｃで行ったが、実施例２と同じ
結果が得られた。
結果が得られた。
上記実施例によれば、チタン酸バリウム系磁器半導体基
板を５分間程度再焼成してから溶射を行うことにより、
電極の接着強度を向上させることができることが判る。
板を５分間程度再焼成してから溶射を行うことにより、
電極の接着強度を向上させることができることが判る。
すなわち、実施例１によれば、電極の一部のみしか剥離
しない程度に接着強度を大幅改善でき、さらに実施例２
乃至４によれば、加工を施さない比較例１と同等の結果
が得られた。
しない程度に接着強度を大幅改善でき、さらに実施例２
乃至４によれば、加工を施さない比較例１と同等の結果
が得られた。
すなわち、第２図Ａに示す如く、磁器半導体１の表面に
は加工に伴い結晶が破壊された加工変質層２が生じるが
、再焼成を行うことにより同図Ｂに示すように再焼成の
際の熱エネルギによって加工変質層２が除去される。
は加工に伴い結晶が破壊された加工変質層２が生じるが
、再焼成を行うことにより同図Ｂに示すように再焼成の
際の熱エネルギによって加工変質層２が除去される。
従って、同図Ｃの如く磁器半導体１の表面に金属を溶射
して電極３を形成してもマイクロクラックや歪が発生せ
ず、剥離試験を行っても同図りの如く電極３は剥れなＧ
）。
して電極３を形成してもマイクロクラックや歪が発生せ
ず、剥離試験を行っても同図りの如く電極３は剥れなＧ
）。
従って、本発明によれば、磁器を粗い粉で急速に削る等
の激しい研摩加工を施した面にも充分強固な接着力の溶
射ができる。
の激しい研摩加工を施した面にも充分強固な接着力の溶
射ができる。
また、従来、サーマルショックを柔げ、強度を上げるた
め溶射の際に溶射される面を予め加熱しつつ溶射する必
要があったが、これが不要になるため作業性が向上する
。
め溶射の際に溶射される面を予め加熱しつつ溶射する必
要があったが、これが不要になるため作業性が向上する
。
さらに、加熱の際の溶射金属の酸化が問題であったが、
その心配がないため、広く金属種を選べる。
その心配がないため、広く金属種を選べる。
本発明に係る磁器の電極形成方法は、磁器への金属溶射
１．とくに磁器素体の温度が上らずサーマルショックの
大きなアーク溶射の場合に効果が太きいが、ニッケル無
電解めっきや蒸着、イオンブレーティング等の接着力の
向上にも効果を上げることができる。
１．とくに磁器素体の温度が上らずサーマルショックの
大きなアーク溶射の場合に効果が太きいが、ニッケル無
電解めっきや蒸着、イオンブレーティング等の接着力の
向上にも効果を上げることができる。
第１図は従来の磁器の電極形成方法を示すＨｙ明図、第
２図は本発明に係る磁器の電極形成方法を示す説明図で
ある。 １・・・・・・磁器半導体、２・・・・・・加工変質層
、３・・・・・・電極。
２図は本発明に係る磁器の電極形成方法を示す説明図で
ある。 １・・・・・・磁器半導体、２・・・・・・加工変質層
、３・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁器を加工した後、９００℃以上で１２００°Ｃ以
下の熱処理温妾で再焼成してから前記磁器表面に電極を
設けることを特徴とする磁器の電極形成方法。 ２ 前記磁器がチタン酸バリウム系磁器半導体である特
許請求の範囲第１項記載の磁器の電極形成方法。 ３ 前記磁器表面にアルミニウムの溶射により電極を設
ける特許請求の範囲第１項記載の磁器の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731079A JPS596482B2 (ja) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | 磁器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731079A JPS596482B2 (ja) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | 磁器の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55110003A JPS55110003A (en) | 1980-08-25 |
| JPS596482B2 true JPS596482B2 (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=11940430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1731079A Expired JPS596482B2 (ja) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | 磁器の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596482B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169104A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-25 | 株式会社東芝 | 金属酸化物非直線抵抗体の製造方法 |
-
1979
- 1979-02-19 JP JP1731079A patent/JPS596482B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55110003A (en) | 1980-08-25 |
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