JPS5965489A - 太陽電池装置およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5965489A JPS5965489A JP57174513A JP17451382A JPS5965489A JP S5965489 A JPS5965489 A JP S5965489A JP 57174513 A JP57174513 A JP 57174513A JP 17451382 A JP17451382 A JP 17451382A JP S5965489 A JPS5965489 A JP S5965489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- degrees
- solar cell
- electrode
- substrate
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/147—Shapes of bodies
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、太陽電池装置およびその製造方法。
に関する。
合成樹脂製基板上にアモルファスシリコン太陽電池を作
製することは、特開昭５４−１４９４８９号、特開昭５
５−４９９４号、特開昭５６−１６９３７２号等で。
製することは、特開昭５４−１４９４８９号、特開昭５
５−４９９４号、特開昭５６−１６９３７２号等で。
公知である。第１図に、従来のアモルファス太（）陽電
池素子を複数個直列に接続した例を示す。・１は合成樹
脂性基板、２は第１電極６はアモルファスシリコン層、
４は第２電極である。第１・図に示す形状は、斜線部６
が急峻であるため第２電極４が段切れしやすく信頼性に
欠けるもの１であった。また、上記形状は、通常マスク
蒸着。
池素子を複数個直列に接続した例を示す。・１は合成樹
脂性基板、２は第１電極６はアモルファスシリコン層、
４は第２電極である。第１・図に示す形状は、斜線部６
が急峻であるため第２電極４が段切れしやすく信頼性に
欠けるもの１であった。また、上記形状は、通常マスク
蒸着。
等で形成されるが、アモルファスシリコン層３０、およ
び第２電極４を形成する時にマスク合せを。
び第２電極４を形成する時にマスク合せを。
２回行なう必要があシ、工程が複雑となってい。
た。
鳴門の目的〕
本発明の目的は上記欠点をなくシ、太陽電池装置の信頼
性を向上させるとともに、製造工程を簡略化させた太陽
電池装置、及びその製造方法を提供することにある。
性を向上させるとともに、製造工程を簡略化させた太陽
電池装置、及びその製造方法を提供することにある。
本発明の要点は、アモルファスシリコン層を形成する時
のマスク形状を工夫し、該層の片側をゆるやかな面とす
ることによシ第２電極の段切れを防止し、また該層の反
対側の面を急峻としておき、第２電極形成時に基板を蒸
発源に対して傾けることにより、マスクを不要とし、製
造工程を簡略化させたことを特徴としている。
のマスク形状を工夫し、該層の片側をゆるやかな面とす
ることによシ第２電極の段切れを防止し、また該層の反
対側の面を急峻としておき、第２電極形成時に基板を蒸
発源に対して傾けることにより、マスクを不要とし、製
造工程を簡略化させたことを特徴としている。
以下、本発明の実施例を第２図、第６図、第４図を用い
て詳細に説明する。第２図は、可とう性を有するポリイ
ミド等よシなる合成樹脂性基板１０上に第１電極１１１
例えばアルミニウムを約５００＾以上の厚さにマスク蒸
着して形成したものに、アモルファスシリコン膜をマス
ク２１を用いて形成しようとする図である。マスク２１
ば、基板に対して垂直な面２１ｂと傾いている面２１ｂ
を有している。また、１２′は前回形成されたアモルフ
ァスシリコン膜で、２１Ｃはマスク２１ニヨシ１２′膜
を破壊しないように設けられたものである。
て詳細に説明する。第２図は、可とう性を有するポリイ
ミド等よシなる合成樹脂性基板１０上に第１電極１１１
例えばアルミニウムを約５００＾以上の厚さにマスク蒸
着して形成したものに、アモルファスシリコン膜をマス
ク２１を用いて形成しようとする図である。マスク２１
ば、基板に対して垂直な面２１ｂと傾いている面２１ｂ
を有している。また、１２′は前回形成されたアモルフ
ァスシリコン膜で、２１Ｃはマスク２１ニヨシ１２′膜
を破壊しないように設けられたものである。
アモルファスシリコン層は、スパッタ蒸着法あるいはプ
ラズマグロー放電法によ多形成するだめ蒸着粒子の回シ
込みがすぐれており、２１ａのような傾いた面角度θｌ
は２０°〜６０°を有するマスク２１を用いることによ
シ、第３図のようなゆるやかな面１２ａを有する、アモ
ルファスシリコン層１２を得ることができる。このゆる
やかな面の角度θ、は２０度〜６０度が適するまた、基
板に対して垂直なマスク面２１ｂによシ、急峻な面１２
ｂを同時に形成することができる。急峻な面の角度へは
８０°〜１００ 度が適するここで、上記アモルファ
スシリコン層ハ、シランやフロルシリコンなどのシリコ
ン化合物をＤ型、Ｎ型缶不純物ガスを含む雰囲気中で順
次堆積形成される。なお、上記Ｐ型層は膜厚５０〜・１
００＾、ドープ量０．０２〜１％、ノンドープ層は膜厚
１〜２１μｍ、 Ｎ型層は膜厚１００〜１０００又、ド
ープ量０．１〜３％である０ 次に、第４図に第２電極１３を形成する方法を示す。基
板を蒸着源（図示せず）に対して＾だけ傾けて配置して
蒸着すると、蒸発粒子の飛来方向は第４図中の矢印の方
向となり、図中破線で示スようにアモルファスシリコン
層１２の影トなるため第２電極が形成されない部分１５
が生しる。したがって本方法によればマスクを使用せず
して第２電極１３のパターニングができる０さらに、本
方法によれば従来、電極の断切れが生じていた部分が従
来より厚く形成されるので、信頼性が向上する利点があ
る。なお角度θ、の好適な例は５度〜６０度である。ま
た第２電極としては例えば透光性にすぐれているＩｎ−
８ｎ酸化物から成る層を使用するのが良い。
ラズマグロー放電法によ多形成するだめ蒸着粒子の回シ
込みがすぐれており、２１ａのような傾いた面角度θｌ
は２０°〜６０°を有するマスク２１を用いることによ
シ、第３図のようなゆるやかな面１２ａを有する、アモ
ルファスシリコン層１２を得ることができる。このゆる
やかな面の角度θ、は２０度〜６０度が適するまた、基
板に対して垂直なマスク面２１ｂによシ、急峻な面１２
ｂを同時に形成することができる。急峻な面の角度へは
８０°〜１００ 度が適するここで、上記アモルファ
スシリコン層ハ、シランやフロルシリコンなどのシリコ
ン化合物をＤ型、Ｎ型缶不純物ガスを含む雰囲気中で順
次堆積形成される。なお、上記Ｐ型層は膜厚５０〜・１
００＾、ドープ量０．０２〜１％、ノンドープ層は膜厚
１〜２１μｍ、 Ｎ型層は膜厚１００〜１０００又、ド
ープ量０．１〜３％である０ 次に、第４図に第２電極１３を形成する方法を示す。基
板を蒸着源（図示せず）に対して＾だけ傾けて配置して
蒸着すると、蒸発粒子の飛来方向は第４図中の矢印の方
向となり、図中破線で示スようにアモルファスシリコン
層１２の影トなるため第２電極が形成されない部分１５
が生しる。したがって本方法によればマスクを使用せず
して第２電極１３のパターニングができる０さらに、本
方法によれば従来、電極の断切れが生じていた部分が従
来より厚く形成されるので、信頼性が向上する利点があ
る。なお角度θ、の好適な例は５度〜６０度である。ま
た第２電極としては例えば透光性にすぐれているＩｎ−
８ｎ酸化物から成る層を使用するのが良い。
本発明の実施例は、合成樹脂製基板上のアモルファス太
陽電池について説明したが、ガラδ基板上の太陽電池に
ついても適用できることはいうまでもない。
陽電池について説明したが、ガラδ基板上の太陽電池に
ついても適用できることはいうまでもない。
本発明によれば、第２電極の断切れを防止できるため、
信頼性の高い太陽電池装置が得られるＯ また、本発明の製造方法によれば、第２電極を形成する
時にマスクが不をとなるだめ、製造工程が著しく簡略化
されるとともに、ｔｉ性が向上する。
信頼性の高い太陽電池装置が得られるＯ また、本発明の製造方法によれば、第２電極を形成する
時にマスクが不をとなるだめ、製造工程が著しく簡略化
されるとともに、ｔｉ性が向上する。
第１図は、従来の太陽電池装置の断面図、第２図、第３
図、第４図は、本発明による太陽電池の製造方法を説明
する断面図である。 １．１０・・・・・・合成樹脂性基板、２．１１・・・
・・・第１電極、 １２・・・・・・アモルファスシリコン層、１３・・・
・・・第２電極、 第 ２ 図 １／ 犀３図
図、第４図は、本発明による太陽電池の製造方法を説明
する断面図である。 １．１０・・・・・・合成樹脂性基板、２．１１・・・
・・・第１電極、 １２・・・・・・アモルファスシリコン層、１３・・・
・・・第２電極、 第 ２ 図 １／ 犀３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に２つ又はそれ以上のアモルファスシリコン
、型太陽電池素子を備えた太陽電池装置において、アモ
ルファスシリコン層の上記素子が直列接続されている側
の片側面を基板に対して７０度〜９０度にし、反対側面
を基板に対して２０度〜６０度傾けた構造としたことを
特徴とする太陽電池装置。 ２、 基板上に第１の電極、アモルファスシリコン層、
第２の電極を順次形成する太陽電池の製造方法において
、上記太陽電池が直列接続される側の片側の角度が８０
度〜１００度、反対側の角度２０度〜６０度となる形状
のマスクを用いてアモルファスシリコン層を形成するこ
とを特徴とする太陽電池装置の製造方法。 ３ 蒸発源に対して上記基板を傾けて配置し、第２電極
を形成することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の太陽電池装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174513A JPS5965489A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 太陽電池装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174513A JPS5965489A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 太陽電池装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965489A true JPS5965489A (ja) | 1984-04-13 |
Family
ID=15979818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174513A Pending JPS5965489A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 太陽電池装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965489A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130083A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US4663494A (en) * | 1984-07-19 | 1987-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JPS62142859U (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-09 | ||
| JP2008533737A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | 集積型薄膜太陽電池、その製造方法と集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法、その構造及びその透明電極が形成された透明基板 |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57174513A patent/JPS5965489A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4663494A (en) * | 1984-07-19 | 1987-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JPS6130083A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS62142859U (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-09 | ||
| JP2008533737A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | 集積型薄膜太陽電池、その製造方法と集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法、その構造及びその透明電極が形成された透明基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0217405B1 (en) | Transparent conductive film and method of fabricating the same | |
| JPS5965489A (ja) | 太陽電池装置およびその製造方法 | |
| JPH0473305B2 (ja) | ||
| JPS62179774A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS6193663A (ja) | アモルフアスシリコントランジスタ | |
| JPS62142368A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPS6342180A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61292390A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS58111379A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS5863179A (ja) | 光起電力装置 | |
| US5449950A (en) | Photosensor with organic and inorganic insulation layers | |
| JPH0442944Y2 (ja) | ||
| JPS61166031A (ja) | 絶縁膜のエツチング方法 | |
| JPS5976480A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JP2664377B2 (ja) | 受光装置の製造方法 | |
| JPH055194B2 (ja) | ||
| JPS639756B2 (ja) | ||
| JPH02196470A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPS61188968A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2968971B2 (ja) | イメージセンサとその製造方法 | |
| JPS5936976A (ja) | 太陽電池装置 | |
| JPS62172755A (ja) | フオトセンサの作製方法 | |
| JPS61125083A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS61127166A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS63144585A (ja) | 表面保護膜形成方法 |