JPS596590B2 - 周波数変換装置 - Google Patents

周波数変換装置

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JPS596590B2
JPS596590B2 JP13420077A JP13420077A JPS596590B2 JP S596590 B2 JPS596590 B2 JP S596590B2 JP 13420077 A JP13420077 A JP 13420077A JP 13420077 A JP13420077 A JP 13420077A JP S596590 B2 JPS596590 B2 JP S596590B2
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JP
Japan
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zero
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cross detection
width setting
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JP13420077A
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JPS5467631A (en
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光幸 木内
孝男 小林
裕一 義田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は周波数変換装置、特に低周波交流を直接高周波
電力に変換する周波数変換装置のゲートトリガ回路に関
する。
従来、低周波交流を直接高周波電力に変換する周波数変
換装置は、例えば逆並列接続したサイリスタを同時にド
ライブして、アノード電圧が正のサイリスタのみ導通さ
せる方法が多く、極性に応じて交互に導通させ、しかも
回生動作させる方法は非常に少なかつた。
本発明は以上の点を考え、回生動作をさせると同時に、
サイリスタのアノード電流が零となるとゲート−カソー
ド間に逆バイアス電圧を印加してサイリスタのスイッチ
ング速度を向上させる。
また回生動作を行なわせるサイリスタのゲートトリガ電
流は、転流回路部品電圧を検知して与えるので、負荷変
動にかかわらず常に回生動作を行なわすことができる。
以下、図面に従がい詳細な説明を行なう。
第1図は本発明によるゲートトリガ回路を応用する誘導
加熱調理器用周波数変換装置であジ、第2図はサイリス
タアノード電圧とアノード電流を示す。
第1図に訃いて、低周波交流電源1より周波数変換回路
2に交流電力を加え、制御回転3により直接低周波電力
を高周波電力に変換する。
周波数変換回路2に}いて、電源ライン両端U−V間に
入力コンデンサ20を接続し、また電源ラインの両端U
−V間にチヨークコイル21と双方向導通可能なパワー
半導体プロツク22よりなる直列接続体を並列関係に接
続している。パワー半導体プロツク22はサイリスタ2
2a,22bを逆並列接続したもので、パワー半導体プ
ロツク22と並列関係に、誘導加熱コイルを兼ねる共振
用インダクタ23と共振用コンデンサ24を含む直列共
振回路を接続する。またパワー半導体プロツク22と並
列関係にスナバーコンデンサ25とスナバ一抵抗26よ
りなるスナバ一回路を接続する。制御回路3は逆並列接
続したサイリスタ22a,22bを双方向に交互に導通
させるもので、例えば第2図に示す如く一方の電源ライ
ンUが正の時、アノード側が正となるサイリスタ22a
を先に導通させ、次に帰還電流をサイリスタ22bが流
す。すなわち、インバータ回路に}ける帰還ダイオード
の役割をサイリスタ22bが行なう。また、低周波交流
電源1が逆極性の時には、サイリスタ22bが先に導通
し、次にサイリスタ22aが帰還電流を流す。第2図V
Fはパワー半導体プロツク電圧でIthはパワー半導体
プロツク電流で、Thは一部分の拡大図のみ示し、破線
は波形の包絡線を示す。制御回路3は直列共振回路電流
を検知する変流器30、交流入力検知端子31a,31
b、電流零クロス検知端子32a,32b、回路電圧零
クロス検知端子33a,33bの信号に応じ、第1のゲ
ートトリカー出力端子34a,34bと第2のゲートト
リカー出力端子35a,35bよりゲートトリガ電流を
、サイリスタ22a,22bに加える。
第3図は本発明によるゲートトリガ回路のプロツクダイ
ヤグラムの一実施例で第4図はその制御法を示す波形で
ある。
第3図に}いて、周期的にパルスを発生するパルス発生
回路36の出力信号Pgをパルス幅設定回路37に加え
る。
また、電流零クロス検知端子32a,32bを入力端子
とする第1の零クロス検知回路38、回路電圧零クロス
検知端子33d,33bを入力端子とする第2の零クロ
ス検知回路39、交流入力電圧の極性を検知する極性検
知回路40を入力部とし、第1の零クロス検知回路38
の出力を第1のExclusive−0Rゲート41(
略してEx−0Rゲートと称す)、第2の零クロス検知
回路39の出力信号を第2のEx一0Rゲート42に加
える。第1、第2のEx−0Rゲートの他方の入力には
、極性検知回路40の出力信号pが加えられる。第1の
Ex−0Rゲート41の出力信号はパルス幅設定回路3
7にりセツト信号として加えられる。パルス幅設定回路
37の出力信夛g1お・よび第2のEx−0Rゲート4
2の出力信号G2は、2つのアンドオアゲートを内蔵す
るマルチプレクサ回路43に加える。マルチプレ・クサ
43のもう1つの入力端子Sには、極性信号pを加え、
マルチプレクサ回路43の2つの出力信号は、第1のゲ
ートドライブ回路44a、第2のゲートドライブ回路4
4bに加えられる。ゲートドライブ回路44a,44b
は、それぞれゲートトリカー出力端子34a,34b,
35a,35bを有する。第4図は第3図に示すゲート
トリガ回路の制御法で、Ithはパワー半導体プロツク
電流、Vcは共振用コンデンサ24電圧波形、Igaは
先に導通させるサイリスタ側のゲートトリガ電流、Gb
は回生動作するサイリスタ側のゲートトリガ電流で、こ
のIgbはVcが負の期間に加えられる。
また、先に導通するサイリスタアノード電流1aの零ク
ロス時に、ゲート逆バイアス電圧を加える。第5図は本
発明の具体的一実施例であり、第6図にその各部波形を
示す。
パルス発生回路36の出力信号は、Dフリツプフロツプ
回路(略してDF/F回路)によつて構成されたパルス
幅設定回路37のプリセツト入力端子PSに加えられる
。第1の零クロス検知回路38は電流零クロス検知端子
32aをコンパレータ380の反転入力に加え、一方の
電流零クロス検知端子32bをコンパレータ380の非
反転入力に加え、コンパレータ380の入力間には逆並
列ダイオード381a,381bを接続する。第1の零
クロス検知回路38の入力端子には第6図1thの波形
が加わり、ZClは第1の零クロス検知回路38の出力
信号である。第2の零クロス検知回路39は、共振用コ
ンデンサ24の電圧Vcの零電圧を検知するもので回路
電圧零クロス検知端子33aより、抵抗390を介して
コンパレータ391の非反転入力端子に加えられ、反転
入力端子は接地される。コンパレータ391の入力端子
間には逆並列ダイオード392a,392bを接続する
。他方の回路電圧零クロス検知端子33bは接地側で、
極性検知回路40の交流入力検知端子31bと共通にす
る。第2の零クロス検知回路39の出力信号ZC2は第
6図ZC2の如き波形となる。極性検知回路40は交流
入力検知端子31aより抵抗400を介してトランジス
タ401のベースに接続し、ベース・エミツタ間に逆並
列ダイオード402を接続する。トランジスタ401の
コレクタ抵抗403は論理回路用直流電圧VDDを加え
、コレクタ出力はインバータ404に加えられる。極性
検知回路40の出力信号pは、第1のEx−0Rゲート
41.第2のEx−0R回路42、マルチプレクサ回路
43に加えられ、信号pがHレベルの時、Ex−0Rゲ
ート41,42の出力はZClZC2となる。第6図は
信号pはHレベルで、DF/F回路37のクロツク入力
T端子はZClが加えられ、Ex−0Rゲート42の出
力信号G2もZC2となる。DF/F回路37の入力D
端子は接地され、クロツクT端子の信号の立上りに同期
して、出力Q端子はHからLレベルとなる。マルチプレ
クサ回路43は2つのアンドオアゲートとインバータよ
りなる。アンドゲート430a,431aとオアゲート
432aでアンドオアゲートを形成し、同じくアンドゲ
ート430b,431bとオアゲート432bでもう1
つのアンドオアゲートを形成する。アンドオアゲートの
他にインバータ433を有し、アンドゲート430a,
430bには信号pを加え、アンドゲート431a,4
31bにはインバータ433の反転信号下を加える。ま
た信号g1はアンドゲート430a,431bに加え、
信号G2はアンドゲート431a,430bに加える。
信号pがHレベルの時、信号g1は第1のゲートドライ
ブ回路44a、信号G2は第2のゲートドライブ回路4
4bに加える。また信号pがLレベルの時、信号g1は
第2のゲートドライブ回路、信号G2は第1のゲートド
ライブ回路に加えられる。第1のゲートドライブ回路4
4aは、ベース抵抗440aを入力とするダーリントン
トランジスタ441a,442aを有し、そのコレクタ
にパルストランス444aの一次巻線と抵抗445aを
直列接続し、2次巻線には抵抗446aとコンデンサ4
47aの並列回路をゲートトリガ出力端子34aと直列
接続する。ゲートトリガ出力端子34a,34b間に抵
抗448aを接続する。ゲートドライブ回路44a,4
4bの内部構成は全く同じである。第6図1ga,I8
bはゲートトリガが電流であり、ダーリントントランジ
スタ441a,442aがオン状態の時、順方向に電流
が流れ、オフ状態の時、ゲート逆バイアス電圧を加える
。第6図に示すように、先に導通させるサイリスタのゲ
ートトリガ電流Gaは、アノード電流の零クロス近辺で
逆バイアス電圧を与え、回生動作させるサイリスタのゲ
ートトリガ電流18bは共振用コンデンサ24電圧Vc
の負の期間に流れる。第6図は交流入力電圧が正の時で
、負の時には、信号は反対になる。第7図は本発明の他
の実施例で、第1図と異なる点は、共振用インダクタ2
3をアース側に接続し、共振用インダクタ23の電圧V
Lの零電圧を検知している。
第8図は本発明によるゲートトリガ方式の他の実施例を
示す図であり、先に導通させるサイリスタゲートトリガ
電流1,aと、回生動作用ゲートトリガが電流18bを
同時に加え、ゲート逆バイアスのタイミングは、それぞ
れ直列共振回路電流の零クロス、共振用インダクタ又は
共振用コンデンサの零クロスである。第9図は上記実施
例に訃けるゲートトリガ回路のプロツクダイヤグラムで
あり、第3図をわずかに変更したもので、第2のパルス
幅設定回路45を付け加え、第2の零クロス検知回路3
9′を第10図に示す如く変更し、第2のEx−0Rゲ
ート42の出力信号は、第2のパルス幅設定回路45の
りセツト信号として加えられる。
具体的には第10図に示す回路で説明すると、回路電圧
零クロス検知端子33a′より抵抗390′を介してコ
ンパレータ39『の非反転入力に加え、反転入力は接地
する。コンパレータ39『の入力間には逆並列ダイオー
ド392a,392bを接続する。コンパレータ391
′の出力信号ZC2′は第2のEx−0R回路42に加
え、Ex−0Rゲート42の他方の入力には極性信号p
を加わえる。また、Ex−0Rゲート42の出力信号は
第2のパルス幅設定回路45のクロツク入力T端子に加
える。第2のパルス幅設定回路45のDF/F回路で構
成し、第1のパルス幅設定回路37と同じプリセツト信
号Pgによりプリセツトされ、D入力端子は接地されて
いるため、クロツク入力T端子の立上り信号により出力
Q端子はLレベルとなる。他の動作は、第3図のプロツ
クダイヤフラムと全く同じである。本発明の実施例とし
て、変流器30は転流回路電流を検知していたが、パワ
ー半導体プロツク電流でも、ほとんど同じ効果を得る。
サイリスタアノード電流零クロスと、転流回路電流の零
クロスのタイミングは、わずかに異なるが、零クロス検
知回路あるいは、ゲートドライブ回路の遅れによりほと
んど問題はない。以上述べた如く本発明は、パワー半導
体プロツク電流又は直列共振回路電流を検知して逆バイ
アス電圧を加えると同時に、直列共振回路電圧の零電圧
信号に応じて回生動作用ゲートトリガ電流を動作させる
ものであり、負荷変動に対して安定な動作を行なう。
特に誘導加熱裟置の如き、誘導加熱コイルと転流インダ
クタを兼用する場合には、負荷変動によりパワー半導体
電流パルス幅は大幅に変化するが、どのようなパワー半
導体電流となろうとも常にサイリスタアノード電流が零
となつてから逆バイアス電圧が加わり、また、適正なタ
イミングで回生動作用ゲートトリガ電流が加えられる。
この回生動作用ゲートトリガ電流は転流回路電圧を検知
して、すなわち転流信号を得て動作させているから、安
定な回生動作を得ることができ、無負荷状態でも発振可
能となる。な}、本発明の実施例には、低周波交流電源
の零電圧近辺で発振を止める機能を付けていないが実際
には、零電圧近辺では、パワー半導体の導通を停止せし
めて、安定な周波数変換動作を行なわせる。また、第4
図に示すプロツクダイヤグラムのゲートトリガ方法は、
同時トリガ方式に比べてゲートトリガ電流パルス幅が狭
くてすみ、制御回路の電源容量が非常に少なくてよい。
第8図に示すゲートトリガの方法は、ゲートトリガ電流
が大きくなるが、共振用インダクタの零電圧あるいは共
振用コンデンサの零電圧のいずれを検知する構成であつ
てもよい特長を有し、しかも加熱コイルである共振用イ
ンダクタをアース側にもつてくることができるため、ノ
イズが減少し、かつリーク電流が減少するといつた効果
をも有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のゲートトリガ回路を応用した周波数変
換装置の一実施例構成図、第2図はその各部波形図、第
3図は本発明によるゲートトリガ回路の一実施例プロツ
クダイヤグラム、第4図はゲートトリガ法を示す波形図
、第5図は第3図の具体的な一実施例回路図、第6図は
その各部波形図、第7図は本発明の他の実施例を示す構
成図、第8図はそのゲートトリガ法を示す波形図、第9
図はゲートトリガ回路のプロツクダイヤグラム、第10
図は一部の具体実施例を示す回路図である。 1・・・低周波交流電源、2・・・周波数変換回路、3
・・・制御回路、22・・・パワー半導体プロツク、2
3・・・共振用インダクタ、24・・・共振用コンデン
サ、30・・・変流器、36・・・パルス発生回路、3
7,45・・・パルス幅設定回路、38・・・第1の零
クロス検知回路、39,39へ・・第2の零クロス検知
回路、40・・・極性検知回路、41,42・・・Ex
clusive一0Rゲート、43・・・マルチプレク
サ回路、44a,44b・・・ゲートドライブ回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 低周波交流を直接高周波電力に変換する周波数変換
    回路とその制御回路を備え、前記周波数変換回路は、少
    なくとも1つの双方向導通制御可能なパワー半導体ブロ
    ックと、共振用コンデンサと共振用インダクタを含む直
    列共振回路とを有し、前記制御回路は前記パワー半導体
    ブロックを周期的に交互に導通せしめるゲートトリガ回
    路を含み、前記ゲートトリガ回路は、周期的にパルスを
    発生するパルス発生回路と、前記パワー半導体ブロック
    電流または前記直流共振回路電流の零クロスを検知する
    第1の零クロス検知回路と、前記直列共振回路電圧の零
    電圧を検知する第2の零クロス検知回路と、前記周波数
    変換回路の交流入力電圧の極性を検知する極性検知回路
    と、前記パルス発生回路と前記第1の零クロス検知回路
    の出力信号に応じて動作するパルス巾設定回路と、前記
    パルス巾設定回路の出力信号と前記第2の零クロス検知
    回路の出力信号を前記極性検知回路の出力信号に応じて
    交互に切替えるマルチプレクサ回路と、前記マルチプレ
    クサ回路の出力信号に応じてゲートトリガ電流あるいは
    逆バイアス電圧を前記パワー半導体ブロックに供給する
    ゲートドライブ回路とよりなり、前記パルス巾設定回路
    は前記パルス発生回路の出力信号によりセットされ、前
    記第1の零クロス検知回路の出力信号によりセットされ
    、前記第1および第2の零クロス検知回路は入力の極性
    を検知するコンパレータで構成されるとともに、各零ク
    ロス検知回路の出力と前記極性検知回路の排他論理和出
    力を前記パルス巾設定回路または前記マルチプレクサ回
    路に供給する周波数変換装置。 2 ゲートトリガ回路はパルス発生回路によりセットさ
    れ、第2の零クロス検知回路によりリセットされる第2
    のパルス巾設定回路を含み、パルス巾設定回路と前記第
    2のパルス巾設定回路の2つの入力をマルチプレクサ回
    路に加えた特許請求の範囲第1項記載の周波数変換装置
JP13420077A 1977-11-08 1977-11-08 周波数変換装置 Expired JPS596590B2 (ja)

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