JPS596606A - 比率演算方式 - Google Patents
比率演算方式Info
- Publication number
- JPS596606A JPS596606A JP57116401A JP11640182A JPS596606A JP S596606 A JPS596606 A JP S596606A JP 57116401 A JP57116401 A JP 57116401A JP 11640182 A JP11640182 A JP 11640182A JP S596606 A JPS596606 A JP S596606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- element group
- current mirror
- ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は入力アナログ信号を所定の比率で乗算または
除算して出力する比率演算方式に関する。
除算して出力する比率演算方式に関する。
従来、入力アナログ信号を所定比率で乗算(または除算
) して出力する場合1例えば1:n(nは任意の数)
の′l!流比流化つカレントミラー回路が使われていた
。そして、この場合に使われるカレントミラー回路とし
ては一方の回路を1個のトランジスターで構成し、他方
の回路をこのトランジスタのn倍の接合部面積を持つト
ランジスタで構成するものと、一方の回路を1個の電流
制御素子(トランジスタ等)で構成し、他方の回路をn
個の電流制御素子で構成するものとがあった。しかしな
がら、このようなカレントミラー回路においては、一方
および他方の回路を構成する電流制御素子の特性偏差の
影響によシミ流化を正確に1:nとすることができない
という欠点があった。
) して出力する場合1例えば1:n(nは任意の数)
の′l!流比流化つカレントミラー回路が使われていた
。そして、この場合に使われるカレントミラー回路とし
ては一方の回路を1個のトランジスターで構成し、他方
の回路をこのトランジスタのn倍の接合部面積を持つト
ランジスタで構成するものと、一方の回路を1個の電流
制御素子(トランジスタ等)で構成し、他方の回路をn
個の電流制御素子で構成するものとがあった。しかしな
がら、このようなカレントミラー回路においては、一方
および他方の回路を構成する電流制御素子の特性偏差の
影響によシミ流化を正確に1:nとすることができない
という欠点があった。
また、nの値が例えば10.000程度になるとカレン
Bラー回路を構成する電流制御素子の数が多くなるとい
う問題が発生し、さらに、この場合。
Bラー回路を構成する電流制御素子の数が多くなるとい
う問題が発生し、さらに、この場合。
一方の回路を構成する1個の電流制御素子の特性のバラ
ツキが電流比に大きな影響を与えるという欠点が発生し
た。
ツキが電流比に大きな影響を与えるという欠点が発生し
た。
この発明は上述した事情に鑑み、比率が電流制御素子の
特性のバラツギの影響を受けず、しかも。
特性のバラツギの影響を受けず、しかも。
比率が大きな値となっても電流制御素子の数が少なくて
済む比率演算方式を提供するもので、一方および他方の
回路が各々複数の電流制御素子で構成されるカレントミ
ラー回路を複数設け、1個のカレントミラー回路の模写
電流が順次次のカレントミラー回路の入力電流となるよ
うに構成し、かつ、模写電流を出力するカレントミラー
回路とこの模写IrL流が供給されるカレントミラー回
路とを互いに逆導電性の直流制御素子で構成したもので
ある。
済む比率演算方式を提供するもので、一方および他方の
回路が各々複数の電流制御素子で構成されるカレントミ
ラー回路を複数設け、1個のカレントミラー回路の模写
電流が順次次のカレントミラー回路の入力電流となるよ
うに構成し、かつ、模写電流を出力するカレントミラー
回路とこの模写IrL流が供給されるカレントミラー回
路とを互いに逆導電性の直流制御素子で構成したもので
ある。
以下図面を参照してこの発明の実施例について説明する
。
。
第1図はこの発明の第1の実施511の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
この図罠おいてC−1,Cp−2,CN−1゜CN−2
は各々カレントミラー回路であハc−1,c、−2は各
々@2図に示すようなCN −1、CN −2は各々第
3図に示すような構成となっている。第2図において1
はpチャンネルのFET ([界効来トランジスター
Qa−1〜c以下羅に素子群と略称する)であり、
FETれている。)2はpチャンネルのFET qb
−1〜Qb−1000で構成されている素子群であり−
FETQ−1〜Q−1000のゲートがb
b 端子2Gに、ソースが端子28に、 ドレインが端Q
b−1〜Q5−1000のゲート軍使を等しくし、端子
IS、2SIC電流を供給すると、FETQa−1〜Q
a−100,Qb−1〜Qb−1000には各々等しい
電流が流れるから、素子群1を流れるla と素子群2
を流れる電流l、の比は素子群1と2の素子数比(10
0:10000) と等しく1:10となる。、第3図
において3はNチャンネルのFET Q、−1〜Q、−
100から構成されている素子群であり、IT Qo−
1〜Q−100のゲートが端子3Gに、ソースが端子3
Sに、ドレインが端子3Dに各々接続されている。4は
NチャンネルのFET Qd −1〜Qd−1000
から構成されている素子群であシ。
は各々カレントミラー回路であハc−1,c、−2は各
々@2図に示すようなCN −1、CN −2は各々第
3図に示すような構成となっている。第2図において1
はpチャンネルのFET ([界効来トランジスター
Qa−1〜c以下羅に素子群と略称する)であり、
FETれている。)2はpチャンネルのFET qb
−1〜Qb−1000で構成されている素子群であり−
FETQ−1〜Q−1000のゲートがb
b 端子2Gに、ソースが端子28に、 ドレインが端Q
b−1〜Q5−1000のゲート軍使を等しくし、端子
IS、2SIC電流を供給すると、FETQa−1〜Q
a−100,Qb−1〜Qb−1000には各々等しい
電流が流れるから、素子群1を流れるla と素子群2
を流れる電流l、の比は素子群1と2の素子数比(10
0:10000) と等しく1:10となる。、第3図
において3はNチャンネルのFET Q、−1〜Q、−
100から構成されている素子群であり、IT Qo−
1〜Q−100のゲートが端子3Gに、ソースが端子3
Sに、ドレインが端子3Dに各々接続されている。4は
NチャンネルのFET Qd −1〜Qd−1000
から構成されている素子群であシ。
FET Qd −1〜Qd−xoooのゲートが端子
4Gに、ソースが端子4Sに、ドレインが端子4Dに接
続されている。この場合、端子3G。
4Gに、ソースが端子4Sに、ドレインが端子4Dに接
続されている。この場合、端子3G。
4 G ’&Fi’ii位ニシテ、端子3D、4DKW
流を供給すれば、素子群3を流れる電流1c と素子
群4を流れる電流1dの比は、前述した場合同様素子群
3と4の素子数比(100:1000) と等しく1:
10となる。
流を供給すれば、素子群3を流れる電流1c と素子
群4を流れる電流1dの比は、前述した場合同様素子群
3と4の素子数比(100:1000) と等しく1:
10となる。
さて、tJLi図におけるカレントミラー回路C9−1
は、素子群1−1の端子IGと素子群2−1の端子2G
、2Dとが接続され%端子IG、2Gに同電圧が供給さ
れるようになっている。またこの場合、素子群2−1の
FET Qb−1〜Qb−1ooooの各々のゲートと
ドレインが接続され−Cいるから、素子群2−1を流れ
る電流12vこよって素子群1−1を流れる電流13(
x3 /□0・t2)が制御される。すなわち、”$
a壬子群−1が制御側回路となり、素子群1−1が電流
1□ を所定比率C1/10 ’で模写する模写側回り
となっている。また、カレントミラー回路Cp−2。
は、素子群1−1の端子IGと素子群2−1の端子2G
、2Dとが接続され%端子IG、2Gに同電圧が供給さ
れるようになっている。またこの場合、素子群2−1の
FET Qb−1〜Qb−1ooooの各々のゲートと
ドレインが接続され−Cいるから、素子群2−1を流れ
る電流12vこよって素子群1−1を流れる電流13(
x3 /□0・t2)が制御される。すなわち、”$
a壬子群−1が制御側回路となり、素子群1−1が電流
1□ を所定比率C1/10 ’で模写する模写側回り
となっている。また、カレントミラー回路Cp−2。
CN −1、CN −2もカレントミラー回路Cp−1
と同様の端子接続となっているので、素子群2−2.4
−1.4−2が各々制御側回路となシ、素子群1−2.
3−1.3−2が各々模写側回路とかっている。zl
はインピーダンス素子%z2 は可変インピーダンス素
子であり、そして、インピーダンス素子z1 の一端、
カレントミラー回路cp−2の端子18.28およびカ
レントミラー回%C−1の端子1s、2sに正電源+E
が供給されており、また、カレントミラー回路ON −
2の端子38,4Sh カレントミラー回@CH−1の
端子38.48および可変インピーダンス素子z2 の
一端に負電源−Eが供給されている。
と同様の端子接続となっているので、素子群2−2.4
−1.4−2が各々制御側回路となシ、素子群1−2.
3−1.3−2が各々模写側回路とかっている。zl
はインピーダンス素子%z2 は可変インピーダンス素
子であり、そして、インピーダンス素子z1 の一端、
カレントミラー回路cp−2の端子18.28およびカ
レントミラー回%C−1の端子1s、2sに正電源+E
が供給されており、また、カレントミラー回路ON −
2の端子38,4Sh カレントミラー回@CH−1の
端子38.48および可変インピーダンス素子z2 の
一端に負電源−Eが供給されている。
上述した回路において素子群2−1のゲート−ソース間
電圧は可変インピーダンス素子z2 のインピーダンス
によって決まるから、を流1□は可変インピーダンス素
子z2のインピーダンスによつて決まる。そして、素子
群1−1→4−1を流れる電流13 は前述したことか
ら解るように1=(1/1o)・12 となり、また
、素子群2−2→3−1を流れる電流l は1− (”
/10 )−1344− となる。同様にt=(1/1゜)・ 14゜1、=(1
/、o)・ 15 となる。すなわち、電流1□と1
2 の関係は次式で示される。
電圧は可変インピーダンス素子z2 のインピーダンス
によって決まるから、を流1□は可変インピーダンス素
子z2のインピーダンスによつて決まる。そして、素子
群1−1→4−1を流れる電流13 は前述したことか
ら解るように1=(1/1o)・12 となり、また
、素子群2−2→3−1を流れる電流l は1− (”
/10 )−1344− となる。同様にt=(1/1゜)・ 14゜1、=(1
/、o)・ 15 となる。すなわち、電流1□と1
2 の関係は次式で示される。
1 1 1 11 l”
l 2°(w) ° [−H)° (−;) ゛(正
1−−−−−−−−−−−−−−−−−(11この(1
)式をカレントミラー回路cp−1、cp−2゜CN−
1、CN−2の素子数比で表わすと、100
100 10011=12°(°面ゝ ’
1000” ’1000’。
l 2°(w) ° [−H)° (−;) ゛(正
1−−−−−−−−−−−−−−−−−(11この(1
)式をカレントミラー回路cp−1、cp−2゜CN−
1、CN−2の素子数比で表わすと、100
100 10011=12°(°面ゝ ’
1000” ’1000’。
00
(−1−−−−−−−−−−−−−−−−+21000
となる。
この場合、電流比11:1□= 1:10000を1
個のカレントミラー回路で得ようとすれば、少なくとも
1oooi個の電流制御素子が要るが、との実施例にお
いては(2)式からも解るように4400個の電流制御
素子で済む。しかも、各々のカレントミラー回路に°お
いては、制御側回路と模写側回路が共に複数の電流制御
素子で構成されているので、個々の電流制御素子の特性
のバラツキが互いに相殺されて極めて正確な電流比を得
ることができる。
個のカレントミラー回路で得ようとすれば、少なくとも
1oooi個の電流制御素子が要るが、との実施例にお
いては(2)式からも解るように4400個の電流制御
素子で済む。しかも、各々のカレントミラー回路に°お
いては、制御側回路と模写側回路が共に複数の電流制御
素子で構成されているので、個々の電流制御素子の特性
のバラツキが互いに相殺されて極めて正確な電流比を得
ることができる。
第4図はこの発明の第2の実施例の構成を示すブロック
図である。なお、この図において第1図の各部と対応す
る部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
図である。なお、この図において第1図の各部と対応す
る部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
この図におけるカレントミラー回路CN−2は素子群3
−2の端子3G、3Dと素子群4−2の端子4Gとが接
続されているので、素子群3−2を流れるwL流1□
Vこよって素子群4−2を流れる電流t5(15= 1
0 X tl) が制御される。すなわち、素子群3
−2が制御側回路となり、素子群4−2が電流11
を所定比率(10倍)で模写する模写側回路となってい
る。また、カレントミラー回路CP−2、CN−1、C
,−1もカレントきラー回路cN−2と同様の端子接続
となっているので、素子群1−2.3−1.1−1が各
々制御側回路となり、素子群2−2.4−1.2−1が
各々模写側回路となっている。ioは可変インピーダン
ス素子であ’)hZ2 はインピーダンス素子である。
−2の端子3G、3Dと素子群4−2の端子4Gとが接
続されているので、素子群3−2を流れるwL流1□
Vこよって素子群4−2を流れる電流t5(15= 1
0 X tl) が制御される。すなわち、素子群3
−2が制御側回路となり、素子群4−2が電流11
を所定比率(10倍)で模写する模写側回路となってい
る。また、カレントミラー回路CP−2、CN−1、C
,−1もカレントきラー回路cN−2と同様の端子接続
となっているので、素子群1−2.3−1.1−1が各
々制御側回路となり、素子群2−2.4−1.2−1が
各々模写側回路となっている。ioは可変インピーダン
ス素子であ’)hZ2 はインピーダンス素子である。
上述した回路において素子群3−2のゲートソース間電
圧は可変インピーダンスz′1 のインピーダンスに
よって決まるから、結局、電流1□は可変インピーダン
ス素子zl のインピーダンスによって決まる。そして
、電流15は11×10.14は’5×” h iaは
i4X 10.12は13X10となる。したがって、
この実施例における11と1□の関係は次式で示される
。
圧は可変インピーダンスz′1 のインピーダンスに
よって決まるから、結局、電流1□は可変インピーダン
ス素子zl のインピーダンスによって決まる。そして
、電流15は11×10.14は’5×” h iaは
i4X 10.12は13X10となる。したがって、
この実施例における11と1□の関係は次式で示される
。
iz= tlx 10 X 10 X 10 X 10
−−−−−−−−(31このように、この実施例は電流
11 をステップアンプする機能を有する。
−−−−−−−−(31このように、この実施例は電流
11 をステップアンプする機能を有する。
なお、この実施例を電圧入力形にする場合は。
例えば第5図に示すようにする。この図にシいて10は
増幅器であり、入力抵抗Rinを介して供給される電圧
etnを増幅し、その出力電圧を素子群3−2の端子3
Gと素子群4−2の端子4Gに供給する。また、との増
幅器10の入力端子と素子群3−2の端子3Dとが接続
されている。このような構成によれば、電流11 が
増幅器10の出力電圧、すなわち、電圧sinによって
決定されるから、電流1□が入力電圧einによって制
御される。
増幅器であり、入力抵抗Rinを介して供給される電圧
etnを増幅し、その出力電圧を素子群3−2の端子3
Gと素子群4−2の端子4Gに供給する。また、との増
幅器10の入力端子と素子群3−2の端子3Dとが接続
されている。このような構成によれば、電流11 が
増幅器10の出力電圧、すなわち、電圧sinによって
決定されるから、電流1□が入力電圧einによって制
御される。
第6図はこの発明の第3の実施例の構成を示すブロック
図である。なお、この実施例はこの発明を2線式伝送器
に適用した場合の一例である。
図である。なお、この実施例はこの発明を2線式伝送器
に適用した場合の一例である。
この図において21は一定電圧vc0を出力する定電圧
回路、20は演算増幅器、Ra は電圧■ccを分圧し
て演算増幅器20の反転入力端子に供給する可変抵抗器
、24は演算増幅器20によって駆動される出力トラン
ジスタである。また、22は電源、23は負荷であり、
これらは遠隔の受信部に設けられている。
回路、20は演算増幅器、Ra は電圧■ccを分圧し
て演算増幅器20の反転入力端子に供給する可変抵抗器
、24は演算増幅器20によって駆動される出力トラン
ジスタである。また、22は電源、23は負荷であり、
これらは遠隔の受信部に設けられている。
この図に示す回路において、カレントミラー回路CN
−1、C,−2、CN −2は前述した第1の実施例の
場合と同様の動作となり、したがって。
−1、C,−2、CN −2は前述した第1の実施例の
場合と同様の動作となり、したがって。
素子群3−2を流れる電流1sは出力トランジス上述し
た回路において、入力電圧61n(図示せぬセンサ回路
から供給される電圧)が上昇すると、演算増幅器20の
出力電圧が上昇し、出力トランジスタ24を流れる電流
1゜が増加する。この結果、模写電流1 が増加し1抵
抗器Ri nと素子群3−2の分圧比が変って、演算増
幅器20の非反転入力端子電位が下降する。このように
して、演算増幅器20は両入力端子間電圧差を0とする
ように、その出力電圧を調整する。なお、入力電圧el
nが下降した場合も上述した場合と同様の動作となる。
た回路において、入力電圧61n(図示せぬセンサ回路
から供給される電圧)が上昇すると、演算増幅器20の
出力電圧が上昇し、出力トランジスタ24を流れる電流
1゜が増加する。この結果、模写電流1 が増加し1抵
抗器Ri nと素子群3−2の分圧比が変って、演算増
幅器20の非反転入力端子電位が下降する。このように
して、演算増幅器20は両入力端子間電圧差を0とする
ように、その出力電圧を調整する。なお、入力電圧el
nが下降した場合も上述した場合と同様の動作となる。
このように、この実施例においては入力電圧61nによ
って、演算増幅器20の出力電圧が決定し、この出力電
圧によってl。が決定する。
って、演算増幅器20の出力電圧が決定し、この出力電
圧によってl。が決定する。
すなわち、電流1゜が入力電圧量βに対応する。
s1!7図はこの発明の第4の実施例の構成を示すブロ
ック図である。なお、この図において第1図の各部と対
応する部分には同一の符号が付しである。
ック図である。なお、この図において第1図の各部と対
応する部分には同一の符号が付しである。
この図に示す回路にシいてカレントミラー回路CN −
3%動作していない場合は、電流14bは流れないから
14== 14a となり、この回路は第1図に示す
回路と略同様の回路となる。したがって、電流1 →i
−41(=i4)→15→1□ の順2 3
4a で順次所定比率でステップダウンされてゆく。一方、カ
レントミラー回%CN −3が動作状態になれば、電流
16 によって、電流’4bが制御される。
3%動作していない場合は、電流14bは流れないから
14== 14a となり、この回路は第1図に示す
回路と略同様の回路となる。したがって、電流1 →i
−41(=i4)→15→1□ の順2 3
4a で順次所定比率でステップダウンされてゆく。一方、カ
レントミラー回%CN −3が動作状態になれば、電流
16 によって、電流’4bが制御される。
この場合、電流’4a−’4−’4b となるので、カ
レントミラー回路CN+42 、 Cp−2はC量4−
14b)を所定比率で順次ステップダウンしてゆく。こ
のように、この実IIfA例においては、I−1なる4
4b 演算を行うことができる。
レントミラー回路CN+42 、 Cp−2はC量4−
14b)を所定比率で順次ステップダウンしてゆく。こ
のように、この実IIfA例においては、I−1なる4
4b 演算を行うことができる。
以上説明し念ようにこの発明によれば、一方および他方
の回路が各々複数の電流制御素子で構成され、各々の回
路を流れる電流の比が各々の回路を構成する電流制御素
子の数の比となるカレントミラー回路を複数設け、前記
複数のカレントミラー回路を1個のカレントミラー回路
の模写1x、流が順次次のカレントミラー回路の入力電
流となるように構成し1かつ、模写電流を出力するカレ
ントミラー回路とこの模写電流が供給されるカレントミ
ラー回路とを互いに逆導電性の電流制御素子で構成した
ので、電流制御素子の特性のバラツキに影響されること
なく電流比を正確に設定することができ、しかも、設定
電流比が大きな値になる場合でも電流制御素子の数が少
なくて済むという利点が得られる。
の回路が各々複数の電流制御素子で構成され、各々の回
路を流れる電流の比が各々の回路を構成する電流制御素
子の数の比となるカレントミラー回路を複数設け、前記
複数のカレントミラー回路を1個のカレントミラー回路
の模写1x、流が順次次のカレントミラー回路の入力電
流となるように構成し1かつ、模写電流を出力するカレ
ントミラー回路とこの模写電流が供給されるカレントミ
ラー回路とを互いに逆導電性の電流制御素子で構成した
ので、電流制御素子の特性のバラツキに影響されること
なく電流比を正確に設定することができ、しかも、設定
電流比が大きな値になる場合でも電流制御素子の数が少
なくて済むという利点が得られる。
tai図はこの発明の第1の実施例の構成を示すブロッ
ク図、第2図%第3図は各々第1図に示すカレントミラ
ー回路C,、CNの構成を示す回路図、84図はこの発
明の1s2の実施例の構成を示すブロック図、vXS図
は同実施例を電圧入力形にする場合の構成を示すブロッ
ク図、第6図はこの発明のIE3の実施例の構成を示す
ブロック図、第7図はこの発明の第4の実施例の構成を
示すブロック図である。 CN−1〜CN−a 、 CP−1〜cp−2・・・カ
レントミラー回路、Q&−1〜Q&−100。 Qb−1〜Qb−1000・・・ pチャンネルFET
(電流制御素子)、Q −1〜Qc−100、Qd−
1〜Q、−1000・・・ NチャンネルFET(電流
制御素子3゜ 第1図 第2図 / 血
ク図、第2図%第3図は各々第1図に示すカレントミラ
ー回路C,、CNの構成を示す回路図、84図はこの発
明の1s2の実施例の構成を示すブロック図、vXS図
は同実施例を電圧入力形にする場合の構成を示すブロッ
ク図、第6図はこの発明のIE3の実施例の構成を示す
ブロック図、第7図はこの発明の第4の実施例の構成を
示すブロック図である。 CN−1〜CN−a 、 CP−1〜cp−2・・・カ
レントミラー回路、Q&−1〜Q&−100。 Qb−1〜Qb−1000・・・ pチャンネルFET
(電流制御素子)、Q −1〜Qc−100、Qd−
1〜Q、−1000・・・ NチャンネルFET(電流
制御素子3゜ 第1図 第2図 / 血
Claims (1)
- 一方および他方の回路が各々複数の電流制御素子で構成
され、各々の回路を流れる電流の比が各々の回路を構成
する電流制御素子の数の比となるカレントミラー回路を
複数設け、前記複数のカレントミラー回路を1個のカレ
ントミラー回路の模写電流が順次次のカレントミラー回
路の入力電流となるように構成し、かつ、模写電流を出
力するカレントミラー回路とこの模写電流が供給される
カレントミラー回路とを互いに逆導電性の電流制御素子
で構成したことを特徴とする比率演算方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116401A JPS596606A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 比率演算方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116401A JPS596606A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 比率演算方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596606A true JPS596606A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14686128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116401A Pending JPS596606A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 比率演算方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596606A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158114U (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-01 | ||
| JPH01314429A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-12-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電流分割回路 |
| GB2529505A (en) * | 2014-05-20 | 2016-02-24 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Current regulated transimpedence amplifiers |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116401A patent/JPS596606A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158114U (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-01 | ||
| JPH01314429A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-12-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電流分割回路 |
| GB2529505A (en) * | 2014-05-20 | 2016-02-24 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Current regulated transimpedence amplifiers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5512848A (en) | Offset comparator with common mode voltage stability | |
| US4361797A (en) | Constant current circuit | |
| US4550284A (en) | MOS Cascode current mirror | |
| US3984780A (en) | CMOS voltage controlled current source | |
| US4412139A (en) | Integrated MOS driver stage with a large output signal ratio | |
| US4247824A (en) | Linear amplifier | |
| GB1576668A (en) | Biasing and scaling circuit | |
| JPH04162111A (ja) | 直流電源回路 | |
| JPH11272346A (ja) | 電流ソース | |
| US5099156A (en) | Subthreshold MOS circuits for correlating analog input voltages | |
| JPH0583003B2 (ja) | ||
| JPH0133047B2 (ja) | ||
| US4760284A (en) | Pinchoff voltage generator | |
| JPS596606A (ja) | 比率演算方式 | |
| JP2707667B2 (ja) | 比較回路 | |
| JP2927803B2 (ja) | 定電圧発生回路 | |
| US6605933B2 (en) | Power metal oxide semiconductor integrated circuit | |
| JPH02177724A (ja) | 出力バッファ回路 | |
| JPH03207091A (ja) | 内部電源電圧降圧回路 | |
| JP3438878B2 (ja) | 定電流回路 | |
| JPH02161817A (ja) | インバーター回路 | |
| JPH0225526B2 (ja) | ||
| JPS5927125B2 (ja) | パルス発生回路 | |
| JPS6245203A (ja) | Mos増幅出力回路 | |
| JPH02124609A (ja) | 電流ミラー回路 |