JPS596616A - ワンシヨツトマルチバイブレ−タ回路 - Google Patents

ワンシヨツトマルチバイブレ−タ回路

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Publication number
JPS596616A
JPS596616A JP57115610A JP11561082A JPS596616A JP S596616 A JPS596616 A JP S596616A JP 57115610 A JP57115610 A JP 57115610A JP 11561082 A JP11561082 A JP 11561082A JP S596616 A JPS596616 A JP S596616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
input terminal
terminal
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP57115610A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohisa Anakura
宍倉 博久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP57115610A priority Critical patent/JPS596616A/ja
Publication of JPS596616A publication Critical patent/JPS596616A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/033Monostable circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 不発、明はIC化に適したワンショットマルチバイブレ
ーク回路に関するものである。
(背景技術) 従来のワンショットマルチバイブレータ回路を第1図に
示す。
第1図において、1は信号入力端子であって2人力NO
Rゲート回路2の第1の入力端子に接続されており、2
の出力端子はコンデンサ3を介してインバータ回路50
入力端子に結ばれている。
50入力端子と十電源電圧端子7との間には抵抗4が介
挿されている。5の出力端子は2人力N0ftゲート回
路2の第2の入力端子に接続されるとともに信号出力端
子6に接続されている。
このように構成された第1図の回路の動作を説明するた
めの動作タイミング図を第2図および第3図に示す。
第2図は信号入力端子1に与えられる入カバルスのパル
ス幅が大きい場合の動作タイミングを示し、第3図は信
号入力端子1に与えられる入力バルスのパルス幅が小さ
い場合を示している。第1図において、1の信号状態を
a、2の出力端子の信号状態をb、50入力端子の信号
状態なC15の出力端子の信号状態つまりは6の信号状
態をdとする。aとして第2図に示すごとき信号波形を
与えれば、b、cおよびdは第2図にそれぞれ示すよう
になる。すなわち、Cはbが゛用″レベル(以下単にI
IHuと呼ぶ)から゛L″レベル(以下単にILI”と
呼ぶ)に反転した時点でL″になり、以下3と4の時定
数によって指数関数状に増大する。
今、3の容量値をC14の抵抗値をRとし、前述のごと
くbがパ11”′からIJ、1″に反転した時点を初期
、すなわちt=QとすればC゛の電位■。はで表わされ
る。但し、ここに■DDは十電源電圧、つまり・・H・
・電圧を示す。dはaが’H”になると同時に°“H′
になり、しかる後V。が5のスレッショルドレベルV、
hK−1:で上昇した時+lLI+に反転するごとく動
作する。よってdの°”II”区間パルス幅tyで与え
られ、aの’II”′区間パルス幅に依存しない。
次に、aの°’I−r’区間パルス幅が小さい場合にお
いても第3図に示すごと<twはaの゛ト■′”区間パ
ルス幅に関係なく、(1)式で決定されろ。
以上説明したように、第1図の回路はワンショットマル
チバイブレータ回路として動作する。
ところが第1図の回路においては、aのパルス幅か大き
い場合には第2図に示すごと(aが”H”からIL″′
に反転する時点でCか°°H″電圧っまり+電源電圧よ
り高い電位になって5の入力端子に与えられ、他方、a
のパルス幅が小さい場合には第3図に示すごとくdが°
°H″がら°L″に反転する時点でCがI−I”電圧つ
まり→−電源電圧より高い電位になって5の入力端子に
与えられてしまう。このように5の十電源電圧よりも高
い電圧が5の入力端子に与えられろと5は破壊されてし
まう。
従って、実際には第4図に示すように4と並列に過電圧
吸収用のダイオード8を介挿し、また5を保護するため
の制限抵抗9を5の入力端子の前部に介挿するのである
。2や5を集積回路中に作り付けようとする場合におい
ては、第4図における8や9はその集積回路中に組み入
れることのできないものであり、従って外付げにならざ
るを得ない。
このように、従来のワンショットマルチバイブレーク回
路においては、過電圧吸収用のダイオードと制限抵抗と
を必要とするという欠点があった。
(発明の課題) 本発明の目的はこれらの欠点を除去し、過電圧吸収用の
ダイオードや制限抵抗を必要としないワンショットマル
チバイブレーク回路を提供することにあり、その特徴は
、少な(とも2つの入力を有し第1の入力を入力端子に
接続し第2の入力を出力端子に接続するオア回路または
ノア回路による論理和回路と、該論理和回路の出力に直
接またはインバータを介して接続される抵抗及び該抵抗
と予め定められる電位との間に挿入されるコンデンサと
からなる微分回路と、該微分回路の出力を直接又は波形
整形回路を介して第1の入力とし前記論理和回路の出力
を直接又はインバータを介して第2の入力とし前記出力
端子に出力信号を与えるゲート回路とを有するごときワ
ンショットマルチバイブレータ回路にある。
(発明の構成および作用) 第5図は本発明の第1の実施例であって、信号入力端子
1は2人力ORゲート回路10の第1の入力端子に接続
され、10の出力端子はインバータ回 ′路14の入力
端子に接続されるとともに抵抗11を介して2人力NO
Rゲート回路13の第1の入力端子に接続されている。
13の入力端子と接地電位の間にはコンデンサ12が接
続されている。前記インバータ回路14の出力端子は1
3の第2の入力端子に接続されている。13の出力端子
は信号出力端子6に接続されるとともに10の第2の入
力端子に接続されている。
以上のように構成された第5図の動作を説明するための
動作タイミング図を第6図および第7図に示す。
第6図は信号入力端子1に与えられる入カバルスノハル
ス幅が大きい場合の動作夕″“イミングを示しており、
他方、第7図は信号入力端子1に与えられる入力パルス
のパルス幅が小さい場合の動作タイミングを示している
第5図において、1の信号状態をa、10の出力端子の
信号状態を1)、13の第1の入力端子の信号状態なC
113の出力端子の信号状態、つまり6の信号状態なd
で表わすことにすれば、1に与えられる入力パルスのパ
ルス幅が大きい場合の各信号状態はそれぞれ第6図のよ
うに得られ、他方、1に与えられる入力パルスのパルス
幅が小さい場合の各信号状態はそれぞれ第7図のように
得られる。
か(して、dはaが′L″′からH″に反転してからC
の電位が上昇して13のスレッショルドレベル■いに到
達するまでの間II HIIとなる’H”パルスとなる
。dの゛′H″H″のパルス幅はaのパルス幅に関係な
((1)式で力えられるのである。
このように第5図は、ワンショットマルチバイブレーク
回路として動作するが第6図および第7の過電圧にはな
らない。つまり、13の入力端子には過電圧が加わらな
いのである。
第5図においてCが過電圧にならないのは、12が接地
電位に直結されているためである。
以上説明したように第1の実施例では十電源電圧よりも
大きい過大電圧を生じないから、過電圧吸収用のダイオ
ードや制限抵抗が不要である。
第1の実施例では、コンデンサ1〕を接地電位に接続す
るフンショットマル・チバイブレーク回路を説明したが
、第8図に示すごと(コンデンサ11を十電源電圧端子
に接続する回路構成によっても同様の効果を生じる。第
5図における11〜14によって構成される回路部分と
、第8図における1、1 、12および15〜]7によ
って構成される回路部亦とは等価であり、10の出力が
Ll+から′H″に反転してから、′用”を保っている
間であって、かつ、11 、12のCR時定数によって
定まる時間の間だけ°H″となるような′用”′パルス
を発生するごと(動作する波形微分回路である。
第5図および第8図においては信号入力を受は取るゲー
ト回路として2人力ORゲート回路を使用したが、第5
図が第9図と等価であり、また第8図が第10図と等価
であることは自明である。つまり、信号入力を受は取る
ゲート回路は必ずしもORゲート回路でなくてもよくN
ORゲート回路を使うこともできる。なお、第5図、第
8図、第9図および第10図において、シリーズに接続
された抵抗と一端が十電源電圧端子もしくは接地電位端
子に接続されたコンデンサとは遅延回路を形成している
が、前記抵抗と前記コンデンサの接続点の電位はゆるや
かに変わるので、いったんシュミットトリガ回路のごと
き波形整形回路17で波形再生すると回路動作がより確
実になる。この実施例を第11図に示す。
(発明の効果) 本発明のワンショットマルチバイブレータ回路は、過電
圧吸収用のダイオードと制限抵抗とが不要であり、IC
化した場合には外付は部品が少なくてすむので、広汎な
応用に供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のフンショットマルチ・くイブレータ回路
、第2図と第3図は第1図の回路の動作図、第4図は従
来の別のワンショットマルチバイブレータ回路、第5図
は本発明の1実施例の回路図、第6図と第7図は第5図
の回路の動作図、第8図と第9図と第10図と第11図
は本発明の別の実施例の回路図である。 1・・・信号入力端子、2・・・2人力NORゲート回
路、3・・・コンデンサ、   4・・・抵抗、5・・
・インバータ回路、6・・・信号出力端子、7・・・十
電源電圧端子、8・・・ダイオード、9・・・抵抗、 
   1()・・・2人力ORゲート回路、11・・・
抵抗、     12・・・コンデンサ、13・・・2
人力NORゲート回路、 14・・・インバータ回路。 特許出願人 沖電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士   山  本  恵  − 第1図 第2図 1       1 第3図 b    ゛ d ” “ 第4図 第6図 第7図 第8図 第9図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも2つの入力を有し第1の入力を入力端
    子に接続し第2の入力を出力端子に接続するオア回路ま
    たはノア回路による論理和回路と、該論理和回路の出力
    に直接またはインバータを介して接続される抵抗及び該
    抵抗と予め定められる電位との間に挿入されるコンデン
    サとからなる微分回路と、該微分回路の出力を直接又は
    波形整形回路を介して第1の入力とし前記論理和回路の
    出力を直接又はインバータを介して第2の入力とし前記
    出力端子に出力信号を与えるゲート回路とを有すること
    を特徴とするワンショットマルチバイブレータ回路。
  2. (2)前記インバータが前記ゲート回路のいずれか一方
    の入力にのみ挿入される特許請求の範囲第1項記載のワ
    ンショットマルチバイブレータ回路。
JP57115610A 1982-07-05 1982-07-05 ワンシヨツトマルチバイブレ−タ回路 Pending JPS596616A (ja)

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ID=14666902

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112420A (ja) * 1984-07-26 1986-05-30 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド Cmosダイナミックram用時間遅延回路
JPS61263307A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワンシヨツト・マルチバイブレ−タ回路
JPS63221709A (ja) * 1987-03-10 1988-09-14 Nec Corp 微分パルス発生回路
EP0940918A3 (en) * 1998-03-06 2003-07-30 Siemens Aktiengesellschaft Feedback pulse generators

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