JPS5967603A - サ−ミスタ素子 - Google Patents
サ−ミスタ素子Info
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- JPS5967603A JPS5967603A JP17843182A JP17843182A JPS5967603A JP S5967603 A JPS5967603 A JP S5967603A JP 17843182 A JP17843182 A JP 17843182A JP 17843182 A JP17843182 A JP 17843182A JP S5967603 A JPS5967603 A JP S5967603A
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- JP
- Japan
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- thermistor element
- thermistor
- temperature
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- thermistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高温においても温度検出が可能なサーミスタ素
子に関するものである。
子に関するものである。
近年のエレクトロニクスの発達は各分野におけるシステ
ム化への志向となシ、それに伴なってセンシングデノ々
イスの開発が一つの重要な課題となっている。その一つ
に温度の検出があるが、３００℃以下の温度の検出にお
いてはＮＴＯあるいはＰＴＯサーミスタの開発とともに
すでに各分野においてサーミスタは不可欠な存在となっ
ていることは周知の通シである。
ム化への志向となシ、それに伴なってセンシングデノ々
イスの開発が一つの重要な課題となっている。その一つ
に温度の検出があるが、３００℃以下の温度の検出にお
いてはＮＴＯあるいはＰＴＯサーミスタの開発とともに
すでに各分野においてサーミスタは不可欠な存在となっ
ていることは周知の通シである。
そして近年、技術の進歩とともに過酷な条件下での温度
検出においても使い易さを身上とするサーミスタ、たと
えば自動車や工業用計測、また家電製品において高温下
でも信頼性の俊れたサーミスタの出現が望捷れている。
検出においても使い易さを身上とするサーミスタ、たと
えば自動車や工業用計測、また家電製品において高温下
でも信頼性の俊れたサーミスタの出現が望捷れている。
しかし、このような要求に対し、すでに多くの偵知が進
められているが、いオだ充分満足する性能の高温度用サ
ーミスタは出現していない。
められているが、いオだ充分満足する性能の高温度用サ
ーミスタは出現していない。
そこで本発明者等はスピネル４１ｑ造の酸化物に関して
結晶化学的に鋭意検討の結果、新しい理論を確立し、そ
れに基づきスピネル構造の酸化物を種々製造し、鋭意研
究の結果、高温検出に適するサーミスタ素子を見出した
ものである。
結晶化学的に鋭意検討の結果、新しい理論を確立し、そ
れに基づきスピネル構造の酸化物を種々製造し、鋭意研
究の結果、高温検出に適するサーミスタ素子を見出した
ものである。
すなわち、本発明者等は、スピネル構造が高温に分いて
安定であること、つまシ酸素が最密充填してお＃）４配
位および６配位の位置に２秤の陽イオンが分布している
ことによシ熱的安定性に優れていることに着目し、それ
を結晶化学的に鋭意検討の結果、スピネル構造を持つサ
ーミスタ素子の結晶構造において、その陽イオンが多数
の原子価を持つイオンで４１４成されていると熱的安定
性に欠けることを見い出し、これを改善するだめには単
一の原子価しか持たず、しかも陽イオン半径の近い陽イ
オンと置き換えるようにすればヒステリシスがまったく
なく、かつ熱的に安定なサーミスタ素子が得られること
を解明した。そして、その条件を満足するものはＮ ｉ
（ＭｎｘＡ Ｉ ｙ ）２０４ （ただし、０≦Ｘ≦
１，０≦Ｙ≦１でかつｘ＋ｙ＝１）なる組成式で表わさ
れるスピネル構造の酸化物であることを実験研究の結果
（ｉｆに認したものである。
安定であること、つまシ酸素が最密充填してお＃）４配
位および６配位の位置に２秤の陽イオンが分布している
ことによシ熱的安定性に優れていることに着目し、それ
を結晶化学的に鋭意検討の結果、スピネル構造を持つサ
ーミスタ素子の結晶構造において、その陽イオンが多数
の原子価を持つイオンで４１４成されていると熱的安定
性に欠けることを見い出し、これを改善するだめには単
一の原子価しか持たず、しかも陽イオン半径の近い陽イ
オンと置き換えるようにすればヒステリシスがまったく
なく、かつ熱的に安定なサーミスタ素子が得られること
を解明した。そして、その条件を満足するものはＮ ｉ
（ＭｎｘＡ Ｉ ｙ ）２０４ （ただし、０≦Ｘ≦
１，０≦Ｙ≦１でかつｘ＋ｙ＝１）なる組成式で表わさ
れるスピネル構造の酸化物であることを実験研究の結果
（ｉｆに認したものである。
以下、本発明の実施例について詳細に述べる。
先ずＮｉＯ，Ａｌ１０３ 、Ｍｎ０１ （又はＭｎ２０
３ 、 Ｍｎ３０４ ）の各酸化物を第１表に示すよう
にＮｉ （ＭｎＸＡｌｙ）４０４（ただし０≦Ｘ≦１，
０≦Ｙ≦１でかつＸ＋Ｙ＝１）なる組成比になるように
打電する。
３ 、 Ｍｎ３０４ ）の各酸化物を第１表に示すよう
にＮｉ （ＭｎＸＡｌｙ）４０４（ただし０≦Ｘ≦１，
０≦Ｙ≦１でかつＸ＋Ｙ＝１）なる組成比になるように
打電する。
なお、〜ｊ、１表中のＩ・ｊα１〜ＮｆＬ７は試料４７
号である。
号である。
第１表
した後、微細化のため粉砕する。
次いで、その粉砕物を加圧成形し、８００〜１５００℃
にて１次焼成する。規成物は再度微細化する。ここでザ
ーミスタ水子として成形するが、成形には加圧成形、膜
成形等、従来用いられてきた方法にて行なわれる。電極
を包埋する場合はこの工程にて行なう。
にて１次焼成する。規成物は再度微細化する。ここでザ
ーミスタ水子として成形するが、成形には加圧成形、膜
成形等、従来用いられてきた方法にて行なわれる。電極
を包埋する場合はこの工程にて行なう。
次に成形物を１０００〜１８００℃にて２次焼成し、そ
の後エージング操作を行なうことによって完成する。
の後エージング操作を行なうことによって完成する。
毛ンサの実装については用途別に棟々の方法が採られる
がここでは省略する。
がここでは省略する。
第１図に前記の１次焼成温度を１０００℃、２次焼成温
度に１３５０℃とした場合の各サーミスタ素子の温度−
抵抗値特性を示す。
度に１３５０℃とした場合の各サーミスタ素子の温度−
抵抗値特性を示す。
この図かられかるように不発明のサーミスタ素子は実用
的な抵抗値ケ示し、なおかつ、組成を調節することによ
り抵抗値を自由に選定することが可能であることがわか
る。
的な抵抗値ケ示し、なおかつ、組成を調節することによ
り抵抗値を自由に選定することが可能であることがわか
る。
第２図は７００℃における経時変化を示す。
図から明らかなように実施例Ｓ ２ 、 ＆ ３は全く
抵抗変化が観察されず、他の実施例についてはわずかな
経時変化が初期に見られるが、この変化は充分に小さく
、また長期的には変化が見られないことから、実用上、
なんら問題はない。
抵抗変化が観察されず、他の実施例についてはわずかな
経時変化が初期に見られるが、この変化は充分に小さく
、また長期的には変化が見られないことから、実用上、
なんら問題はない。
以上の実施例かられかるように、不発明によるサーミス
タ素子は、希釈原理によシ容易に所望の抵抗値とする仁
とができ、しかも熱的に安定で、経時変化がほとんどな
い。従って現在、自動車用電気装置や家庭用電気器丼な
ど、多くの分野においてコ１４腫れている高幅用′す゛
−ミスタとして好適であシ、自動詞ｔｒ１＋の技ｒ・１
１分ＭＩＩに貢献するところ大である。
タ素子は、希釈原理によシ容易に所望の抵抗値とする仁
とができ、しかも熱的に安定で、経時変化がほとんどな
い。従って現在、自動車用電気装置や家庭用電気器丼な
ど、多くの分野においてコ１４腫れている高幅用′す゛
−ミスタとして好適であシ、自動詞ｔｒ１＋の技ｒ・１
１分ＭＩＩに貢献するところ大である。
第１図ｆＪ１、本発明にかかるサーミスタ素子の温度−
抵抗値ｌｒテ性を示す図、第２図は同じ＜ ｔｉｔ抗値
の紅時変化／Ｉ＝、Ｉ性を示す図である。 同 代理人 服 部 修 →゛ パ・
・−・□・１
抵抗値ｌｒテ性を示す図、第２図は同じ＜ ｔｉｔ抗値
の紅時変化／Ｉ＝、Ｉ性を示す図である。 同 代理人 服 部 修 →゛ パ・
・−・□・１
Claims (1)
- Ｎｉ （ＭｎｘＡＩ ｙ ）ｚ ０４ （ただし、０≦
Ｘ≦１．０≦Ｙ≦１でかつＸ＋Ｙ＝１）なる組成式で表
わされるスピネル構造の酸化物からなることを特徴とす
るサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17843182A JPS5967603A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | サ−ミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17843182A JPS5967603A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | サ−ミスタ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967603A true JPS5967603A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16048386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17843182A Pending JPS5967603A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | サ−ミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211202A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタ用組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795603A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Thermistor |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP17843182A patent/JPS5967603A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795603A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Thermistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211202A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタ用組成物 |
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