JPS6211202A - サ−ミスタ用組成物 - Google Patents
サ−ミスタ用組成物Info
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- JPS6211202A JPS6211202A JP60150999A JP15099985A JPS6211202A JP S6211202 A JPS6211202 A JP S6211202A JP 60150999 A JP60150999 A JP 60150999A JP 15099985 A JP15099985 A JP 15099985A JP S6211202 A JPS6211202 A JP S6211202A
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- Japan
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- thermistor
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- Pending
Links
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- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上皇剋■分立
本発明は、例えば電子レンジや石油気化装置のように約
３００〜５００℃の中温域での温度制御を必要とする各
種機器や装置に好適に使用されるサーミスタ用組成物に
関する。
３００〜５００℃の中温域での温度制御を必要とする各
種機器や装置に好適に使用されるサーミスタ用組成物に
関する。
災米生孜血
従来より、Ｍｎ Ｎｉ −Ｃｏ酸化物系組成物にて製
造されたサーミスタが汎用されている。しかしながら、
かかるサーミスタは約３００℃迄の比較的低温域での使
用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の中温
ないし高温域では抵抗値の変化率が大きいため使用が困
難である。
造されたサーミスタが汎用されている。しかしながら、
かかるサーミスタは約３００℃迄の比較的低温域での使
用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の中温
ないし高温域では抵抗値の変化率が大きいため使用が困
難である。
これに対し、高温域で使用し得るサーミスタとして、Ｚ
ｒ０２− Ｙ２０Ｊ系、コランダム系、ＳｉＣ系のもの
等が開発されているが、前二者は約６００〜１０００℃
の高温域で安定な特性を発揮するものの、約３００〜５
００℃の中温域では抵抗値が高すぎるため使用が難しく
、また後者は中温域で使用可能というものの、スパッタ
リング等による薄膜が主体を占め量産性に劣るといった
欠点がある。
ｒ０２− Ｙ２０Ｊ系、コランダム系、ＳｉＣ系のもの
等が開発されているが、前二者は約６００〜１０００℃
の高温域で安定な特性を発揮するものの、約３００〜５
００℃の中温域では抵抗値が高すぎるため使用が難しく
、また後者は中温域で使用可能というものの、スパッタ
リング等による薄膜が主体を占め量産性に劣るといった
欠点がある。
このように、従来のサーミスタは中温域での使用に適し
たものが殆どなく、ＳｉＣ系サーミスタのように中温域
で使用可能なものは製造面で問題があるため、関係業界
では中温域で安定した特性を発揮する生産性のよいサー
ミスタの早期開発が希求されている。
たものが殆どなく、ＳｉＣ系サーミスタのように中温域
で使用可能なものは製造面で問題があるため、関係業界
では中温域で安定した特性を発揮する生産性のよいサー
ミスタの早期開発が希求されている。
光ユ立且迫
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、３００〜５００℃程度の中温域で適当な
抵抗値を示し且つその変化率が僅かで安定した特性を発
揮するサーミスタ用組成物を提供するにある。
するところは、３００〜５００℃程度の中温域で適当な
抵抗値を示し且つその変化率が僅かで安定した特性を発
揮するサーミスタ用組成物を提供するにある。
・を゛ るための
かかる目的を達成するため１２本発明のサーミスタ用組
成物は、マンガン、ニッケル及びアルミニウムの３種の
元素を含む酸化物より成る組成物であって、これら元素
の割合がマンガン２０〜８５モル％、ニッケル５〜７０
モル％、アルミニウム０．１〜９モル％の範囲内にあり
、且つその合計が１００モル％となるようにしたことを
要旨とするものである。
成物は、マンガン、ニッケル及びアルミニウムの３種の
元素を含む酸化物より成る組成物であって、これら元素
の割合がマンガン２０〜８５モル％、ニッケル５〜７０
モル％、アルミニウム０．１〜９モル％の範囲内にあり
、且つその合計が１００モル％となるようにしたことを
要旨とするものである。
即ち、本発明組成物は、マンガン、ニッケル及びアルミ
ニウムの三元素が、第１図の三元状態図において太線で
囲まれた範囲内にあることを必須とするもので、後述の
第１表の実験結果からも判るように、かかる特定範囲内
にあるときにのみ、中温域で４０００〜６０００に程度
の高いＢ定数、及び１００Ω〜５００にΩ程度の使用可
能範囲の抵抗値を示し、且つ抵抗値の変化率が１％以内
で安定した特性を発揮するサーミスタを得ることができ
るのである。
ニウムの三元素が、第１図の三元状態図において太線で
囲まれた範囲内にあることを必須とするもので、後述の
第１表の実験結果からも判るように、かかる特定範囲内
にあるときにのみ、中温域で４０００〜６０００に程度
の高いＢ定数、及び１００Ω〜５００にΩ程度の使用可
能範囲の抵抗値を示し、且つ抵抗値の変化率が１％以内
で安定した特性を発揮するサーミスタを得ることができ
るのである。
もし、アルミニウムが０．１モル％未満であれば、後述
の第１表の試料Ｎｏｌのように、Ｂ定数が４０００によ
り小さく、抵抗値が１００Ωより小さく、抵抗値の変化
率が数％と大きくなり、実用に供し難いものとなる。一
方９モル％を越える場合は、焼結性が悪化し、且つ第１
表の試料Ｎ。
の第１表の試料Ｎｏｌのように、Ｂ定数が４０００によ
り小さく、抵抗値が１００Ωより小さく、抵抗値の変化
率が数％と大きくなり、実用に供し難いものとなる。一
方９モル％を越える場合は、焼結性が悪化し、且つ第１
表の試料Ｎ。
５のように、Ｂ定数が６０００により大きく、抵抗値が
５００にΩより太き（、抵抗値の変化率が数％と大きく
なり、これまた実用に供し難いものとなる。
５００にΩより太き（、抵抗値の変化率が数％と大きく
なり、これまた実用に供し難いものとなる。
また、マンガンやニッケルの割合が上記範囲を載脱する
場合は、第１表の試料Ｎｏ６．Ｎｏ８゜Ｎｏ９．Ｎｏ１
ｌのように、いずれも抵抗値の変化率が３〜５％と大き
く、安定した特性を発揮し得ないものとなる。
場合は、第１表の試料Ｎｏ６．Ｎｏ８゜Ｎｏ９．Ｎｏ１
ｌのように、いずれも抵抗値の変化率が３〜５％と大き
く、安定した特性を発揮し得ないものとなる。
このような本発明のサーミスタ用組成物は、例えば次の
要領で容易に調製することができる。即ち、原料として
マンガン及びニッケルの炭酸塩と酸化アルミニウムを使
用し、これらを元素換算して前記の割合となるように湿
式混合した後、乾燥し、８００〜１０００℃程度の仮焼
温度で仮焼して酸化物となす。そして、これを粉砕、造
粒、成型して１２００〜１３００℃の焼成温度で焼成す
ればよいのである。
要領で容易に調製することができる。即ち、原料として
マンガン及びニッケルの炭酸塩と酸化アルミニウムを使
用し、これらを元素換算して前記の割合となるように湿
式混合した後、乾燥し、８００〜１０００℃程度の仮焼
温度で仮焼して酸化物となす。そして、これを粉砕、造
粒、成型して１２００〜１３００℃の焼成温度で焼成す
ればよいのである。
次に実施例を挙げる。
（実施例）
ＭｎＣＯｊ 、 Ｎ１ＣＯＪ、 Ａ １ｚＯＪ を
それぞれ元素換算して下記第１表に示す割合となるよう
に湿式混合し、混合物を乾燥した。これを８００〜１０
００℃で２時間仮焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
それぞれ元素換算して下記第１表に示す割合となるよう
に湿式混合し、混合物を乾燥した。これを８００〜１０
００℃で２時間仮焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
得られた粉末にバインダーを加えて造粒し、これを円柱
状（直径６０ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）に成型して１２５０
℃で４時間焼成し、各焼結ブロックを０．５ｍｍ厚にス
ライスして、第１表に示すＮｏｌ〜Ｎ０１１までのサー
ミスタ組成物試験片を得た。
状（直径６０ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）に成型して１２５０
℃で４時間焼成し、各焼結ブロックを０．５ｍｍ厚にス
ライスして、第１表に示すＮｏｌ〜Ｎ０１１までのサー
ミスタ組成物試験片を得た。
次いで、これら試験片の両面にＡｇペーストをスクリー
ン印刷し、８００℃で焼付けて銀電極を形成した後、グ
イシングし、リード付けを行い、樹脂で外装して、それ
ぞれのＢ定数、抵抗値及びその変化率を測定したところ
、第１表に示す結果が得られた。
ン印刷し、８００℃で焼付けて銀電極を形成した後、グ
イシングし、リード付けを行い、樹脂で外装して、それ
ぞれのＢ定数、抵抗値及びその変化率を測定したところ
、第１表に示す結果が得られた。
第１表
発」しＢ４果
以上の説明及び第１表の結果から明らかなように、本発
明のサーミスタ用組成物（第１表中試料Ｎｏ ２． Ｎ
ｏ ３． Ｎｏ ４． Ｎｏ ？、 Ｎｏ １０）は、
中温域においてＢ定数が４０００〜６０００の範囲内、
抵抗値が１００Ω〜５００にΩの範囲内、抵抗値の変化
率が１％以下の範囲内にあり、本発明に含まれないもの
に比べると、とりわけ抵抗値の変化率の点で顕著に優れ
、安定した特性を発揮することができる。しかも、本発
明の組成物は、原料の湿式混合、仮焼、粉砕、造粒、成
型、焼成等の工程を経て量産されるものであるから、従
来のＳｉＣ系組成物のようにスパッタリング等による薄
膜形成を主体とするものに比べると、製造面でもはるか
に有利なものであり、関係業界の要望に充分応えること
ができるものである。
明のサーミスタ用組成物（第１表中試料Ｎｏ ２． Ｎ
ｏ ３． Ｎｏ ４． Ｎｏ ？、 Ｎｏ １０）は、
中温域においてＢ定数が４０００〜６０００の範囲内、
抵抗値が１００Ω〜５００にΩの範囲内、抵抗値の変化
率が１％以下の範囲内にあり、本発明に含まれないもの
に比べると、とりわけ抵抗値の変化率の点で顕著に優れ
、安定した特性を発揮することができる。しかも、本発
明の組成物は、原料の湿式混合、仮焼、粉砕、造粒、成
型、焼成等の工程を経て量産されるものであるから、従
来のＳｉＣ系組成物のようにスパッタリング等による薄
膜形成を主体とするものに比べると、製造面でもはるか
に有利なものであり、関係業界の要望に充分応えること
ができるものである。
第１図は本発明組成物の構成元素であるＭｎ、Ｎｉ、ｌ
の割合を示す三元状態図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 同代理人 弁理士 中島 司朗 第１図 ｎ
の割合を示す三元状態図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 同代理人 弁理士 中島 司朗 第１図 ｎ
Claims (1)
- マンガン、ニッケル及びアルミニウムの３種の元素を
含む酸化物より成る組成物であって、これら元素の割合
がマンガン２０〜８５モル％、ニッケル５〜７０モル％
、アルミニウム０．１〜９モル％の範囲内にあり、且つ
その合計が１００モル％となるようにしたことを特徴と
するサーミスタ用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150999A JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150999A JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211202A true JPS6211202A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15509070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150999A Pending JPS6211202A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | サ−ミスタ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211202A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
| US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967603A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
| JPS59155103A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-09-04 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60150999A patent/JPS6211202A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967603A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
| JPS59155103A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-09-04 | 秩父セメント株式会社 | サ−ミスタ素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
| US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
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