JPS5967671A - 発光受光素子 - Google Patents
発光受光素子Info
- Publication number
- JPS5967671A JPS5967671A JP57178828A JP17882882A JPS5967671A JP S5967671 A JPS5967671 A JP S5967671A JP 57178828 A JP57178828 A JP 57178828A JP 17882882 A JP17882882 A JP 17882882A JP S5967671 A JPS5967671 A JP S5967671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- light receiving
- receiving element
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一チップ上に発光および受光素子を有する半
導体素子に関するものである。
導体素子に関するものである。
一般に、光を用いた通信方式のうち光ファイバーを用い
るものは、発光素子から発した光を光フアイバー中を伝
達させ受光素子上に集光し受光させるものである。この
光通信において双方向通信を行なうために１上このよう
な系が２組必要となるためシステムの価格が非礼に高価
となり、また使用する素子数が増すために光軸合せ管理
調製も多くなる欠点がある。
るものは、発光素子から発した光を光フアイバー中を伝
達させ受光素子上に集光し受光させるものである。この
光通信において双方向通信を行なうために１上このよう
な系が２組必要となるためシステムの価格が非礼に高価
となり、また使用する素子数が増すために光軸合せ管理
調製も多くなる欠点がある。
本発明の目的は、使用や管理が従来と比べはるかに容易
で安値な双方向通信システノ・を構成できる発光受光素
子を提供することにある。
で安値な双方向通信システノ・を構成できる発光受光素
子を提供することにある。
本発明の発光受光素子は、ダブルへテロ構造を有する電
、流狭窄型面発光素子部と、この発光素子部の外囲部で
発光に寄与しない領域にその発光素子部とは独立したｐ
−ｎ接合を形成した受光素子部と、前記発光素子部の活
性層と前記受光素子部の光吸収層との間に設けられた遮
光部とを備えることを／１７９１．とする。
、流狭窄型面発光素子部と、この発光素子部の外囲部で
発光に寄与しない領域にその発光素子部とは独立したｐ
−ｎ接合を形成した受光素子部と、前記発光素子部の活
性層と前記受光素子部の光吸収層との間に設けられた遮
光部とを備えることを／１７９１．とする。
本発明の構成によれば、同一チップ上に発光素子および
受ブＣ素子を備えるために、−組の光ファイバー通（ｉ
系により双方向通信が可能となり、使用・管理が容易で
あり安値な双方向通信システムが実現できる。なお、発
光部の活性層と受光部の光吸収層との間の遮光は、両者
が同一平面上にあるために発光部の活性層からの横方向
への光のもれによる受光時での雑音防止のためになくて
はならない。
受ブＣ素子を備えるために、−組の光ファイバー通（ｉ
系により双方向通信が可能となり、使用・管理が容易で
あり安値な双方向通信システムが実現できる。なお、発
光部の活性層と受光部の光吸収層との間の遮光は、両者
が同一平面上にあるために発光部の活性層からの横方向
への光のもれによる受光時での雑音防止のためになくて
はならない。
次に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例の発光受光素子の断面図である
。この実施例は、（１００）面を有するｎ＋ＩｎＰ基板
上１０に連続液相成長法により、ｎ＋ＩｎＰ層（不純物
濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−３） １１を約４ｐｍ。
。この実施例は、（１００）面を有するｎ＋ＩｎＰ基板
上１０に連続液相成長法により、ｎ＋ＩｎＰ層（不純物
濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−３） １１を約４ｐｍ。
ｎｌｎＱａＡｓＰ層（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１７ｃｍ
−３，フメトルミピーク波長１．３μｍ）１２を約２μ
ｍ、ｐ”ＩｎＰ層（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃ７ｎ
” ） １３を約１７１ｍ 、その上にｎ ＩｎＰ層（
不純物濃度５ Ｘ １０１７ｃｒｎ ）１４を約１μｍ
成長させたウェーハを形成し、このウェーハを用いてＣ
ｄの選択拡散により３０μｍφの円形にｐ＋ＩｎＰ層中
まで一部１５を形成しＡｕＺｎのアロイを行ない、その
上にＴｌ／Ｐｔ／Ｃｒ／Ａｕの真空蒸着を行なうことに
よりｎ側電極１６を形成する。その後ｎ＋ＩｎＰ基板１
０側を研磨することにより約６０μｍ厚とし、フォトレ
ジスト処理工程等によりｐ＋部１５ を中央に位置合わ
せを行ない、ｎ＋ＩｎＰ基板１０よりｐ＋ＩｎＰ Ｉｆ
Ｉ４１３に達するまでリング状にエツチングすることに
よりｐ−ｎ接合を２つに分離させて受光部１７．受光部
１８を構成する８そのひ・発光部・受光部の無反射コー
ト及びｐｎ接合の絶縁膜１９とするためＣＶＤ−８ｉｎ
２膜をほぼ２５００人形成し、コンタクトホール形成後
Ａｕ Ｇｅ及びＡｕの真空蒸着を行ない、エツチングに
より発光部の活性層と受光部の光吸収層の遮光用の金属
膜２０とｎ（１１電極２１を形成し、その後アロイによ
りｎ側のオーミックを得る。
−３，フメトルミピーク波長１．３μｍ）１２を約２μ
ｍ、ｐ”ＩｎＰ層（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃ７ｎ
” ） １３を約１７１ｍ 、その上にｎ ＩｎＰ層（
不純物濃度５ Ｘ １０１７ｃｒｎ ）１４を約１μｍ
成長させたウェーハを形成し、このウェーハを用いてＣ
ｄの選択拡散により３０μｍφの円形にｐ＋ＩｎＰ層中
まで一部１５を形成しＡｕＺｎのアロイを行ない、その
上にＴｌ／Ｐｔ／Ｃｒ／Ａｕの真空蒸着を行なうことに
よりｎ側電極１６を形成する。その後ｎ＋ＩｎＰ基板１
０側を研磨することにより約６０μｍ厚とし、フォトレ
ジスト処理工程等によりｐ＋部１５ を中央に位置合わ
せを行ない、ｎ＋ＩｎＰ基板１０よりｐ＋ＩｎＰ Ｉｆ
Ｉ４１３に達するまでリング状にエツチングすることに
よりｐ−ｎ接合を２つに分離させて受光部１７．受光部
１８を構成する８そのひ・発光部・受光部の無反射コー
ト及びｐｎ接合の絶縁膜１９とするためＣＶＤ−８ｉｎ
２膜をほぼ２５００人形成し、コンタクトホール形成後
Ａｕ Ｇｅ及びＡｕの真空蒸着を行ない、エツチングに
より発光部の活性層と受光部の光吸収層の遮光用の金属
膜２０とｎ（１１電極２１を形成し、その後アロイによ
りｎ側のオーミックを得る。
第２図は、第１図の実施例の使用例を模式的に示したも
のである。素子の発光部１７に半球レンズ２２を取りつ
け、この半球レンズ２２とレンズ系２３との調整により
出力光を平行ビームとに光ファイバー２４に結合させる
。また、受光の時ｔｉビームがレンズ系２３により集光
されるが発光部と異なり半球レンズを用いないだめ完全
には集光されずに発光部１７の外周にある受光部１８に
入射され、このために双方向通信が実現される。
のである。素子の発光部１７に半球レンズ２２を取りつ
け、この半球レンズ２２とレンズ系２３との調整により
出力光を平行ビームとに光ファイバー２４に結合させる
。また、受光の時ｔｉビームがレンズ系２３により集光
されるが発光部と異なり半球レンズを用いないだめ完全
には集光されずに発光部１７の外周にある受光部１８に
入射され、このために双方向通信が実現される。
第３図は本発明の他の実施例の断面図を示す。
この実施例も第１図の実施例と同様な工程により、ｎ＋
Ｉ ｎ Ｐ基板側を研磨することによシ約６０μｍ厚と
した後、ＣＶＤ−８ｉＯ□を無反射コート３１とし２て
２５００Ａ形成し、コンタクトホール形成シ、ＡｕＧｅ
及びＡｕ の真空蒸着を行なってｎ側電極３２形成し
、さらにアロイによりオーミックを得る。
Ｉ ｎ Ｐ基板側を研磨することによシ約６０μｍ厚と
した後、ＣＶＤ−８ｉＯ□を無反射コート３１とし２て
２５００Ａ形成し、コンタクトホール形成シ、ＡｕＧｅ
及びＡｕ の真空蒸着を行なってｎ側電極３２形成し
、さらにアロイによりオーミックを得る。
この後、ＣＶＤ−８ｉｎ２をマ、ＸりとしてｎＩｎＰ基
板１０よりｐ＋Ｉｎｐ層１３に達するまで２重のリング
状にエツチングすることにより、ｐ−ｎ接合を３つに分
離させ、発光部３３１発光出力モニタ一部３４．受光部
３５を構成する。なお、ｎ側電極３２において発光部３
３．受光部３５は光ビーム入出力用の窓を設け、発光出
力モニタ一部３４は逆に光ファイバーからの光ビームが
入射しない様電極でマスクする必要がある。この実施例
の素子においても、第２図と同様の使用方法により双方
向通信が実現できる。この場合の発光部の活性層と受光
部の光吸収層との遮光は両者の間に設は−た発光出力モ
ニタ一部３４の光吸収層で行なっており遮光と出力モニ
ターを兼ねている。
板１０よりｐ＋Ｉｎｐ層１３に達するまで２重のリング
状にエツチングすることにより、ｐ−ｎ接合を３つに分
離させ、発光部３３１発光出力モニタ一部３４．受光部
３５を構成する。なお、ｎ側電極３２において発光部３
３．受光部３５は光ビーム入出力用の窓を設け、発光出
力モニタ一部３４は逆に光ファイバーからの光ビームが
入射しない様電極でマスクする必要がある。この実施例
の素子においても、第２図と同様の使用方法により双方
向通信が実現できる。この場合の発光部の活性層と受光
部の光吸収層との遮光は両者の間に設は−た発光出力モ
ニタ一部３４の光吸収層で行なっており遮光と出力モニ
ターを兼ねている。
以上、実施例としてＩｎＧａＡｓＰを用いた発光・受光
素子について述べたが、他の材料においても有効である
ことは云うまでもない。
素子について述べたが、他の材料においても有効である
ことは云うまでもない。
第１図は本発明の実施例の発光受光素子の断面図、第２
図は第１図の実施例を用いて双方向通信を行なうときの
４シ・、弐図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図
である。図において １０−−−・−ｎ＋ＩｎＰ基板、１１ ＝−＝−ｎ”
ＩｎＰ層、１２＝−−・−・ｎＩｎＧａＡｓＰ層、１３
＝ ｐ＋ＩｎＰ層、１４ ・・・・・・ｎＩｎＰ層、
１５・・・・・・ｐ＋部、１６・・・・・・ｐ側電極、
１７．３３・・・・・・発光部、１８．３５・・・・・
・受光部、１９・・・・・・無反射コート及びｐ ｎ接
合の絶縁膜、２０・・・・・・遮光用金属膜、２１．３
２・・・・・・ｎ側電極、２２・・・・・・半球レンズ
、２３・・・・・・レンズ系、２４・・・・・・光ファ
イバー、３１・・・・・・無反射コート、３４・・・・
・・発光出力モニタ一部である。 第１図 ２１ 第 ？ 図 第３ 図 ３
図は第１図の実施例を用いて双方向通信を行なうときの
４シ・、弐図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図
である。図において １０−−−・−ｎ＋ＩｎＰ基板、１１ ＝−＝−ｎ”
ＩｎＰ層、１２＝−−・−・ｎＩｎＧａＡｓＰ層、１３
＝ ｐ＋ＩｎＰ層、１４ ・・・・・・ｎＩｎＰ層、
１５・・・・・・ｐ＋部、１６・・・・・・ｐ側電極、
１７．３３・・・・・・発光部、１８．３５・・・・・
・受光部、１９・・・・・・無反射コート及びｐ ｎ接
合の絶縁膜、２０・・・・・・遮光用金属膜、２１．３
２・・・・・・ｎ側電極、２２・・・・・・半球レンズ
、２３・・・・・・レンズ系、２４・・・・・・光ファ
イバー、３１・・・・・・無反射コート、３４・・・・
・・発光出力モニタ一部である。 第１図 ２１ 第 ？ 図 第３ 図 ３
Claims (1)
- ダブルへテロ構造を有する電流狭窄型面発光素子部と、
この発光素子部の外囲部で発光に寄与しない領域にその
発光素子部とは独立したｐ−ｎ接合を形成した受光素子
部と、前記発光素子部の活性層と前記受光素子部の光吸
収層との間に設けられた遮光部とを備えることを特徴と
する発光受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178828A JPS5967671A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178828A JPS5967671A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967671A true JPS5967671A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16055370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178828A Pending JPS5967671A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967671A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196183A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-08-07 | Asea Brown Boveri Ab | モノリシック光結合器 |
| JP2009283941A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 反射型光学センサ装置 |
| US8680540B2 (en) | 2003-01-28 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Optical semiconductor apparatus having a bidirectional communication system employing a single-core optical fiber |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178828A patent/JPS5967671A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196183A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-08-07 | Asea Brown Boveri Ab | モノリシック光結合器 |
| US8680540B2 (en) | 2003-01-28 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Optical semiconductor apparatus having a bidirectional communication system employing a single-core optical fiber |
| JP2009283941A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 反射型光学センサ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3141847B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| US5633527A (en) | Unitary lens semiconductor device | |
| US5906753A (en) | Method of making optical semi-conductor device | |
| JPH034571A (ja) | オプトエレクトロニク半導体デバイスとその製造方法 | |
| JP2661341B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH04111478A (ja) | 受光素子 | |
| JP2970545B2 (ja) | モノリシックレンズの製造方法 | |
| JPS63164386A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| EP0343970A2 (en) | Planar type heterojunction avalanche photodiode | |
| US5639673A (en) | Transparent ohmic contacts for Schottky diode optical detectors on thin and inverted epitaxial layers | |
| JP2002344002A (ja) | 受光素子及び受光素子実装体 | |
| JPH05267708A (ja) | 光半導体装置の電極構造 | |
| JPS6025281A (ja) | 発光受光素子 | |
| JPH04342174A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH04263475A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPS5990964A (ja) | 光検出器 | |
| JPH0497574A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH07105555B2 (ja) | 光出力モニタ付半導体レ−ザ | |
| JPH0373576A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0427171A (ja) | 半導体装置 | |
| GB2240874A (en) | Photodiode | |
| JP2002305319A (ja) | 半導体受光素子および光通信用モジュール | |
| JPH0382085A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH11163383A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH11345996A (ja) | エッジ受容型光検出デバイス |