JPS596832B2 - 光学素子用透明磁器組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固溶体Ｐｂ（Ｚｒ−Ｔｉ）０３に第三成分とし
てＡａＢ＋（３−ａ）０３（ただしＡはＢａ２Ｓｒ、ｃ
ａ）の群から選ばれた少くとも一巻、ＢはＮｂ、Ｔａの
群から選ばれた一巻）を固溶せしめて得られる三成分固
溶体にして透光性に優れ大きな電気光学効果及び圧電効
果を有する新規にして有用な光学素子用透明磁器放物に
関するものである。

（本明細書では、電気光学シャッター、電気光学的ディ
スプレイ或いは透明振動子等、光学的用途に用いるセラ
ミクスを光学素子用透明磁器と称する）従来電気光学素
子材料として水溶性結晶のＡＤＰやＫＤＰ酸化物単結晶
のＬｉＮｂＯ３、ＢＮＮ、ＳＢＮ等が知られているが前
者の水溶性結晶は耐水性、耐熱性に乏しく、工業的利用
性に欠け、後者の酸化物単結晶は良質で大きな単結晶育
成が困難であり、量産性に乏しいという欠点があつた。

上記の欠点をおぎなうものとして、高温で加圧しつつ焼
結したいわゆるホットプレス法による強誘電性磁器があ
る。これは多結晶体であるにもかかわらず透光性に優れ
かつ電場印加して分極することにより光学的−軸性結晶
と同様に作動する特性を有すると同時に磁器であるため
、単結晶に比べ格段に工業生産性にすぐれているので電
気光学素子用材料として大きな期待がよせられている。
ところで透明磁器材料としてはＰＺＴにＬａを添加した
いわゆるＰＬＺＴとその変型、ＰＺＴのＰｂの一部をＳ
ｒ、Ｂａ等で置換したもの、およびＰＺＴにＬｉＮｂＯ
３７ＮａＮｂＯ３等を加えたものなどが知られている。
これらのうちで電気光学材料として優れていると思われ
るのはＰＬＺＴである。

このＰＬＺＴは米国のＧ、Ｈ、Ｈａｅｒｔｌｉｎｇ、Ｃ
、Ｈ、Ｌａｎｄらによつて発明され、その組成はＰｂｌ
−ｘＬａｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１−ｉ０３であられさ
れる。これは酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）をＰＺＴすな
わちジルコンチタン酸鉛に原子比で５〜２５％加えホッ
トプレス焼結をしたもので、製造が容易で透明度も高く
、かつ、電気光学効果にも優れているため、従来、光シ
ャッター、光メモリー、光変調器、光変向器などの光学
素子の応用デバイス研究が多数報告されている。しかし
ながら、ランタン（Ｌａ）を含むＰＬＺＴ系の透明磁器
には次のような欠点がある。

その第１は、これらＬａを含む透明磁器は、淡黄褐色に
着色しており、このため可視部の短波長側で大幅に透過
率が減少することである。透過光が着色することは光学
素子にとつて好ましからぬことで、電気光学効果を用い
た反射型の画像表示素子を作ると、同様の液晶表示素子
に比べて画面が暗く、みずらくなるなどの欠点を示し、
また腕時計のアラーム用の発音体としてカバーガラスに
はりつけて透明振動子として用いる場合も同様に表示部
が暗くなり不都合を生ずる。第２には、これらＬａを含
む透明磁器は白色光の下に長時間さらすと黒色を帯びて
来るいわゆるフオトクロミズム効果があることである。
このため透光性は特に短波長側でさらに減少する。フオ
トクロミズム効果による素子の黒色化は、素子の透光性
が時間経過とともに変化することであり、光学素子とし
ては望ましからぬことである。淡黄褐色の着色及びフオ
トクロミズム効果による黒色化は、Ｌａ添加に起因する
ものと考えられる。

ＰＬＺＴはその購造式Ｐｂｌ−ＸＬａｘ（Ｚｒ，Ｔｉｌ
−，）ｘ１−１０３で示される力人実際には焼結したＰ
ＬＺＴは上記の構造式と若干異なりＰｂの一部は蒸発し
、Ａサイトに空孔をもちＴ１の一部が３価をとる（Ｇ−
Ｓ−ＳｎＯｗツＦａｂｒｉｃａｔｉＯｎＯｆＴｒａｎｓ
ｐａｒｅｎｔＥＩｅｃｔｒＯＯｐｔｉｃＰＬＺＴＣｅｒ
ａｍｉｃｓｂｙＡｔｍＯｓ一ＰｈｅｒｅＳｉｎｔｅｒｉ
ｎｇ７Ｊ●Ａｍｅｒ●Ｃｅｒ●ＳＯｃ．ＶＯｌ５６黒２
ｐ９１〜９６）。

無機材料のフオトクロミズムは結晶中の不純物イオンや
格子欠陥の間での電荷移動に起因すると考えられるので
２価のＰｂを３価のＬａで置換することにより電荷補償
のために生成される欠陥によつてトラツプセンタ一が生
成されること及び光照射によるＴｉ３＋イオンの励起に
よりフオトクロミズムがおきると考えられ、ＰＬＺＴの
着色ならびにフオトクロミズムによる黒化はさけがたい
ものと思われる。

第３に、上記のように過剰のＰｂが蒸発して安定な真の
組成になるため、完全に余分のＰｂが蒸発せず残留する
と、著るしく透明度を減少させることとなると同時に、
高温での焼結過程でＰｂが蒸発するためホツトプレスに
使用する高価なアルミナモールド型が侵されやすく、炉
材にも悪い影響をおよぼすことである。

ＰＺＴＯＰｂの一部をＳｒ，Ｂａで置換したものは上記
のＰＬＺＴのもつフオトクロミズムによる着色などの欠
点が少い。

しかしこの材料では充分透明度の良いものを得るには多
量にＢａやＳｒとの置換をおこなわなければならず、焼
結温度は１３００〜１４００℃となりＰＬＺＴの１２０
０〜１２４０℃よりもはるかに高温が必要となる。合成
温度が高いことは、単にエネルギーコストの問題のみな
らず電気炉材、ホツトプレス用ダイスなどの劣化、損傷
がはげしく、合成コストや合成設備の保守コストが高く
なり、工業的見地から大きな問題である。さらに出発原
料を通常の酸化物で合成する場合充分な透明度を得られ
ない等の欠点もある。ＰＺＴにＬｉＮｂＯ３やＮａＮｂ
Ｏ３を加肋ものは焼成温度はＰＬＺＴと同程度であるが
透明度はＰＬＺＴに優るとはいいがたく光学材料として
ＰＬＺＴに一歩ゆする。

これに対し、本発明は、上記問題点を解決し、焼結性に
すぐれ、着色もフオトクロミズム効果による黒出化もＰ
ＬＺＴに比べて一段と減少し、短波長側の透光性が著る
しく改善され、かつ、焼結過程でのＰｂの蒸発がはるか
に少く、透光性、電気光学効果、圧電性に優れた光学素
子用透明磁器組成物を提供するものである。

本発明は固溶体Ｐｂ（ＺｒＴｌ）０３に第三成分として
ＡａＢ÷（３−ａ）０３を５〜２５％固溶せしめた固溶
体である。

ここでＡはＢａ，Ｓｒ，ＣａなるＡ群元素から選ばれた
少くとも一者であり、ＢはＮｂ，Ｔａ，ＳｂなるＢ群原
素から選ばれた一者にしてαは０．９≦α≦１，１の範
囲をとるものである。この構造式で示される組成物はＢ
サイトに欠陥があることを特徴としている。すなわちα
＝１の替ご？８〜富゜゛、″゜″―υ゜：′．二：勃。

：（？゜ｉエニ？Ｊｒ？＝る、またα＝１．２５のとき
Ａ（Ａ／０．２５Ｂ０．，）０３となりＡ＝Ａ／二Ｂａ
Ｂ＝Ｎｂなる組成を示すとＢａ（ＢａＯ．２５ＮｂＯ．
７）であり（α−１）だけＢａはＢサイトに入り、Ｂサ
イトを４価たらしめているがＢサイトの欠陥はまだのこ
つている。

Ｂサイトの欠陥はαが４／３なる値をとるとき完全にな
くなる。一方、αが１より小さい値をとるときはＡサイ
トにも欠陥が生ずる。たとえばα＝０．９のとき（ＡＯ
．，ＢＯ．８４Ｏ３で、Ａサイトが２価、Ｂサイトが４
価になるようにＢの一部がＡサイトに入るとこれは（Ａ
Ｏ．９ＢＯ．Ｏ４）ＢＯ．８Ｏ３となりＡサイトの原子
の数は１より少くＡサイトの欠陥を生ずる。このように
α〈１になるとＡサイトの欠陥が生ずることとなるがこ
の場合あまりαが少さいとこの組成物は黄褐色がつよく
なり透明度がそこなわれるためα≧０．９とする。

α≧０．９のときは透明度は何らそこなわれることはな
い。このようにαの選び方によりＡサイト欠陥およびＢ
サイト欠陥を任意に作ることが可能であり、αの量によ
り透過率を制御できるのが本発明の材料の特徴である。

透光性を最も高めるのはα二１．０前後であり、０．２
ｍｍ薄板で比較して、ｘ−０．１６、ｙ＝０．４５付近
の組成で、α＝１．０のときは６０％の透光率を示す。
しかしαく０．７のときの透光率は２５％以下に低下し
、α〉１．２のときもかなり減少する。本発明の特徴は
従来のＰＬＺＴなどとと比べて光透過率波長特性が大幅
にすぐれていることである。

本発明の上記の組成物は後に述べるようにＰＬＺＴにま
さる透光性と電気光学効果を持ち、大きな圧電率を有し
ているため光学素子用材料として非常にすぐれている。
本発明においてはランタン（Ｌａ）を含まないため、Ｌ
ａを有する透明セラミクスの欠点は有さない。

すなわち本発明の透明セラミクスは、従来のものに比べ
て黄褐色の着色がいちじるしく少ない。これは光学素子
にとつて大変有用なことである。また従来の透明磁器が
示したフオトクロミズム効果による黒色化はほとんどみ
られない。これはＬａを含まないためトラツプセンタ一
の生成が従来のものよりきわめて少ないためであろうと
思われる。また、焼結時の鉛（Ｐｂ）の蒸発がきわめて
少ないため、ホツトプレスモールド型や焼成炉の損傷が
少ない。さらに、Ｌａを含まぬ他の組成においては高い
焼成温度が必要であるが本発明においては１１８０〜１
２７０℃とＰＬＺＴと同様以下の焼成温度で製造できる
ためエネルギーコストも低くさらにホツトプレスモール
ド型や焼成炉の炉材の損傷も少く量産性にすぐれている
。また、分極をほどこして用いる一次電気光学素子や透
明圧電振動子などの場合、従来の透明磁器は一次電気光
学効果が大きく圧電率も大きい組成では分極すると透過
率が非常にわるくなるが、本発明にお゛いては、充分圧
電率も大きく、電気光学効果も大きな組成でかつ、分極
しても充分な透明度を有するものが得られる。これは透
明振動子、光変調素子、光シヤツタ一素子などの光学素
子として大変有効なことである。以下実施例に基いて本
発明を詳細に説明する。

本発明の磁器製造には出発原料として純度９９．５％の
一酸化鉛（ＰｂＯ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３
）、あるいは炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸カルシ
ウム（ＣａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、
酸化チタニウム（ＴｉＯ２）および純度９９．９％の五
酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ
５）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｃ）！，）、を用いた
。

まず、これらの原料を目的の組成になるよう秤量し蒸留
水を加えて、ボールミルにより約２時間湿式混合する。

次いで８２０℃で２時間一次焼成し、反応物を作る。さ
らに２時間乳鉢により乾式混合し粒径をそろえる。この
粉体にごく少量の水分を加え増粒し、金型を用いて油圧
プレスにより、１５０Ｋｆ／Ｃｄの圧力でたとえば直径
２５ｍＴｎ厚さ１０ｍ７７！の円柱に成形する。この圧
粉体を内径４０關の円筒形アルミナ製モールド型に置き
、まわりに安定化ジルコニア粉体を充填し、アルミナパ
ンチ棒を装入して電気炉にセツトする。ホツトプレスに
よる焼成条件は９００℃まで１Ｘ１０−２Ｔｅｒｒの真
空中で昇温し、９００℃で炉内に酸素ガスを導入し、酸
素零囲気とし、６０Ｋｆ／Ｃｄの圧力を加えつつ昇温し
炉内温度が１２２０℃になつた時、最終圧力１２０Ｋｑ
／Ｃｄとしこの温度で１〜１０時間保持し焼結する。昇
温速度は９０『Ｃまでは３０００Ｃ／Ｈｌ９ＯＯ℃〜１
２２０℃では２００℃／ｈである。所定時間の焼結終了
後、室温まで徐冷する。このようにして得られた磁器は
６００℃で１時間ほどアニールした後、加工して所望の
光学素子とする。たとえば０．５ｍ７１Ｌ程の厚さにス
ライスし、光学研磨して０．２ｍｍの円板状ウエフア一
に仕上げるごとくである。このような円板伏ウエフア一
を用いて測定した本発明の実施例の透明磁器の透光性キ
ユ一り一温度、誘電率、電気機械結合係数、電気光学定
数などの諸特性を第１表に示す。

−艮′．〒中暢宮卜＝中工 ある。

この図は誘電率、圧電率、自発分極抗電場、格子定数等
の測定結果から作成したものであり横軸はＰｂｚｒＯ３
とＰｂＴｉＯ３の比率を表わし、縦軸？′．？嚇！？＋
＝Ｙｉコ――（強誘電性）は正方晶（強誘電性）は立方
晶（常誘電性）の結晶構造をもちの斜線部で示した部分
は、反強誘電相である。

ＸＢａＮｂ＋０３一（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉｌ−，
）０３なる三成分固溶体を以下ではＰＢＮＸ／Ｙ／Ｚ、
〔Ｘ＝１００ｘ，Ｙ＝１００ｙ，Ｚ＝１００−ｙ〕と百
分率で表わすことにする。同様に第三成分がＳｒＮｂ＋
０３，ＣａＮｂ｛０３の場合はそれぞれＰＳＮＸ／Ｙ／
ＺＰＣＮＸ／Ｙ／Ｚと表わす。本発明の素材が透明圧電
素子、あるいは電気光学素子に用いる場合如何に優れて
いるかをＰＬＺＴと比較して示してみる。

ＰＬＺＴの場合光学素子としての最適組成は正方晶系の
三方晶寄りであり、一例としてＰＬＺＴｌＯ／５５／４
５がある。

ＰＬＺＴを第１表のセラミツクと同様に０．２ｍ７！Ｌ
の厚さに鏡面研磨したウエハア一の分光透過率は第２図
のａで示す点線のごとく短波長測の透光率が低いため黄
色昧が強くみえる。このウエハア一の両面に透明電極を
施すと、電極が反射防止の役をするため、透過率は一般
に増大する。膜の厚さを最適値に選んだものは第２図の
ｂの点線で示したように可視域でほぼ平担な分光透過率
を示す。しかし、透過率は８０％程度で全体にやや暗く
見える。これに対し、本発明の素材、例えば第１表の中
のＰＢＮｌ６／４６／５４〔０．８４Ｐｂ（ＺｒＯ．４
６ＴｌＯ．５４）０３−０．１６ＢａＮｂＬ０３〕あ
するいはＰＳＮｌ５
／５０／５０〔０．８５Ｐｂ（ＺｒＯ．５ＴｌＯ．５）
０３−０．１５ＳｒＮｂ＋０３〕などを０．２ｍｍの厚
さに鏡面研磨したウエハア一の分光透過率は第２図のｃ
の実線で示されているごとくＰＬＺＴｌＯ／５５／４５
と比較すると全体に透明度が高く、ことに、短波長側で
の吸収が少ないことが大きな特長である。

したがつて本発明の素材からなるウエハア一に透明電極
を施した試料の分光透過率は第２図のｄの実線で示すご
とく、ほぼ可視全域にわたつて９０〜９４％となり、無
色透明で明かるく見える。このことは実用上きわめて重
要であり、本発明の光学素子用透明セラミツクを用いる
ことによつて、透明発音体も、電気光学的シヤツタ一も
無色透明にすることが初めて可能となり実用化の可能性
が大きく開けることとなつた。なお本発明の素材は、分
極処理をほどこしても透過率はほとんど低下を示さない
。さらに圧電定数が大きいため透明振動子用として優れ
ている。本発明の光学素子用セラミツクを用いた透明振
動子について説明する。

第３図にその概略断面図を示す。透明振動子は酸化錫（
ＳｎＯ２）或は酸化インジウム（Ｎ２Ｏ３）などの透明
電極２および４で所定の組成の光学素子用セラミツクス
の板３をサンドイツチし、これを透明板１に貼りつけて
構成される。

これはいわゆるバイモルフ型の振動子である。そして上
記各電極にリード線５，６を通して所定の電気信号が印
加されると、透明なバイモルフ振動子が屈曲振動を行な
い、音声が放射される。第４図は透明振動子を腕時計の
アラーム用ブザーとして用いた場合の概略断面図を示す
。図は腕時計のガラス蓋等の透明蓋７の裏側に貼付し透
明ブザーとしたものを示す。２Ｋ１Ｉｚあるいは４Ｋｆ
Ｉｚで振幅８Ｖｐｐのパルス変調波からなる腕時計用ア
ラーム信号を印加することにより豊かな音量の腕時計用
アラームブザーとして作用させることができる。

次の応用例として電気光学素子として用いる場合につい
て説明する。

第５図はＰＢＮｌ５／５０／５０の複屈折率電界依存性
を示す。測定は波長６３３ｎｍにおいてバビネソレイユ
補正器を用い光学研磨した薄板試料の両面に１ｍ１Ｌ間
隔で金を蒸着し電極とした。実効複屈折率（△ｎ）が印
加電圧に対し線型に変化しており、これは電気光学効果
を示している。この図は一旦飽和伏態に分極したのちの
、電界に対する△ｎの変化を示している。これから一次
電気光学定数は、γｃｍ６．４１×１０−１０ｍ／と求
まる。この定数は、他の光学結晶に比較しても充分大き
く実用に供しうる値である。第６図はＰＢＮｌ５／５５
／４５の実効複屈折測定例であり、この場合△ｎは電場
の２乗に比例して変化する。すなわちこれは二次電気光
学効果である。この二次光学定数はＲ二５．５１Ｘ１０
−１６Ｔｒｌ／２であり、二次電気光学材料として有望
な値である。これら一次効果及び二次効果を利用した応
用の例をのべる。

第７図は二次電気光学効果を用いたデイスプレイデイバ
イスの一例を示す。

これは反射型デイスプレイであり図に示すように偏光板
２１＋波長板２２透明セラミツクウエハア一２３反射板
２４くし状透明電極２５，２６から構成されているもの
である。この透明セラミツクウエフア一には第８図で示
されるパターンの電極をもうけてある。ここで３０は共
通アース３１〜３７は７つのセグメントのそれぞれを作
動させる電極である。偏光板２１は光軸の方向を電極パ
ターンと４５度の角をなすように構成する。電極間に電
場を印加しないときこの素子は一様に明るい。共通アー
ス３０と３１〜３７の電極端子に半波長電圧の半分の電
圧を印加すると、電圧印加したセグメントの電極間の複
屈折（△ｎ）が変化し、これを通る光の偏光面が４５度
変化しこの電極間が暗くなる。これにより７つのセグメ
ントよりなるデスプレイは３１〜３７の７つの電極を選
択して電圧を印加すると０〜９までの数字を表示するこ
とができる。くし状電極の電極間隔を１０μｍとした場
合約１５Ｖの電圧印加により明瞭な数字をデイスプレイ
することが出来る。また第９図は一次電気光学効果を利
用した別の反射型デスプレイ素子の一例である。

図で明らかなように偏光板４１、十波長板４２、透明セ
ラミツクウエフア一４３パターン透明電極４４全面透明
電極４５、反射板４６から構成されるものである。ただ
し、この場合用いられる透明セラミツクウエフア一は一
次電気光学効果を示す材料たとえばＰＢＮｌ６／４６／
５４などを用い、あらかじめ図の矢印Ｐｓの方向に分極
をほどこしてある。そして偏光板の光軸は自発分極と４
５度の角度をなすよう構成してある。無電圧の状態で素
子は光を反射し全面一様に明るくみえるが電極間に適当
な電圧を印加すると、パターン電極の電圧印加されたセ
グメント部分は半波長のリターデーシヨンを生じ、光を
通さないようになりその部分は反射光がなく暗くみえる
。そのため電極を適当に選択して電圧印加すると、０〜
９までの数字を表示することができる。これらのデイス
プレイ素子の場合本発明の材料はその高い透光性のため
従来の材料を用いた場合より一段とすぐれた明瞭度とコ
ントラスト比を有するので大変見やすいものである。

この場合、液晶デイスプレイとの大きな違いは高速度走
査（ダイナミツクドライブ）が可能なことで周波数応答
特性も数段まさつている。またこれらの磁器の比抵抗は
きわめて高く素子の周囲を絶縁物でコーテイングし表面
リークをのぞいた状態では一旦電圧を印加し、表示させ
ると電圧を取り去つても表面電極に蓄積したチヤージは
なくならず数週間も表示が消えることはない。このよう
なメモリー効果は新しい応用の可能性を含んでいる。終
り本発明において、その組成をｘ二０．０５〜０．３０
，ｙ＝０．１０〜０．９０，α二０．９〜１．１の範囲
に選んだ理由は、その範囲外の組成では透光率が低く、
電気光学効果が小さく実用に適さないためである。

以上のように、本発明は透光性、色調に優れ、電気光学
効果が大きく広範囲の電気光学的応用デバイスに利用で
き、かつ低温焼結が可能であり鉛の蒸発が少く製造面で
の利点も多いなど工業上顕著な効果を奏するものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例としてＢａＮｂを０３一Ｐｂ
ＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３三成分固溶体の相図であり、第
２図は波長透率特性を示す線図にて本発明と従来のもの
の比較を示す。 第３図は本発明の応用例としての透明圧電ブザーの断面
構成図、第４図は同じく透明圧電ブザーを付けた腕時計
の断面構成図、第５図および第６図は本発明の実施例の
電界に対する実効複屈折率変化を示す線図、第７図は同
じく応用例としての反射型デイスプレイ素子の断面構成
図、第８図は同じく反射型デイスプレイ素子に用いる電
極パターンの一例を示す。第９図は同じく別の反射型デ
イスプレイ素子の構成概略図を示す。１・・・・・・透
明板、２，４・・・・・・透明電極、３・・・・・・透
明圧電セラミツクウエフア一、５，６・・・・・・リー
ド線、７・・・・・・蓋ガラス、９，１０・・・・・・
透明電極、１１・・・・・・透明圧電セラミツクウエフ
ア一、８・・・・・・ケース、１２・・・・・・ＩＣモ
ジユール、１３・・・・・・液晶デイスプレイ素子、１
５，１６・・・・・・リード線、２１・・・・・・偏光
板、２２・・・・・・十波長板、２３・・・・・・透明
圧電セラミツクウエフア一、２４・・・・・・反射板、
２５，２６・・・・・・透明くし型電極、２７・・・・
・・ベース、２８，２９・・・・・・リード線、３０・
・・・・・共通アース端子、３１〜３７・・・・・・プ
ラス側電極端子、４１・・・・・・偏光板、４２・・・
・・・十波長板、４３・・・・・・透明圧電セラミツク
ウエフア一、４４・・・・・・透明パターン電極、４５
・・・・・・アース電極、４６・・・・・・反射板、４
７・・・・・・基板、４８，４９・・・・・・リード線
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ Ａ＿αＢ＿２＿／＿５＿（＿３＿−＿α＿）Ｏ＿３
   −ＰｂＺｒＯ＿３−ＰｂＴｉＯ＿３で構成される３成分
   系固溶体にして、これを〔Ａ＿αＢ＿２＿／＿５＿（＿
   ３＿−＿α＿）Ｏ＿３〕＿ｘ〔Ｐｂ（Ｚｒ＿ｙＴｉ＿１
   ＿−＿ｙ）Ｏ＿３〕＿１＿−＿ｘとあらわしたときｘ、
   ｙ、αの値がそれぞれｘ＝０．０５〜０．３０、ｙ＝０
   ．１〜０．９、α＝０．９〜１．１の範囲にある組成比
   を有することを特徴とする光学素子用透明磁器組成物。 ただしＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａの群から選ばれた少くとも
   一者、ＢはＮｂ、Ｔａの群から選ばれた一者である。