JPS596837U - 薄膜の形成装置 - Google Patents

薄膜の形成装置

Info

Publication number
JPS596837U
JPS596837U JP10287582U JP10287582U JPS596837U JP S596837 U JPS596837 U JP S596837U JP 10287582 U JP10287582 U JP 10287582U JP 10287582 U JP10287582 U JP 10287582U JP S596837 U JPS596837 U JP S596837U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film forming
processing chamber
forming equipment
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10287582U
Other languages
English (en)
Inventor
喜美 塩谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP10287582U priority Critical patent/JPS596837U/ja
Publication of JPS596837U publication Critical patent/JPS596837U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜形成装置の概略図、第２図　　　−
は本考案による薄膜の形成装置の概略図である。 図において、１．１９は基台、２．１３はペルジャー、
３．１７は排気孔、４．４Ａ、　　１６゜１６Ａはガス
導入孔、５．１２は基板設置台、６゜１４は電極、７，
１８はヒーター、８，１５は高周波電流、９，１１はＳ
ｉ基板、１０．２０は入口扉を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ４　　処理室内に反応ガスを導入するガス導入孔と、該
    処理室内を排気する排気孔とを有する処理室と、基板を
    複数個設置する基板設置台と、該基板設置台に対向する
    複数の電極と、該基板を加熱するヒーターと、該基板を
    処理室の内外に運搬する手段とからなることを特徴とす
    る薄膜の形成装置。
JP10287582U 1982-07-06 1982-07-06 薄膜の形成装置 Pending JPS596837U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10287582U JPS596837U (ja) 1982-07-06 1982-07-06 薄膜の形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10287582U JPS596837U (ja) 1982-07-06 1982-07-06 薄膜の形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS596837U true JPS596837U (ja) 1984-01-17

Family

ID=30242275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10287582U Pending JPS596837U (ja) 1982-07-06 1982-07-06 薄膜の形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS596837U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS596837U (ja) 薄膜の形成装置
JPS5249094A (en) Gas detecting device
JPS5877043U (ja) プラズマ処理装置
JPS60140764U (ja) プラズマ処理装置
JPS5944770U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS6142831U (ja) 半導体製造装置
JPS592132U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS58196838U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS60181367U (ja) プラズマ処理装置
JPS6071140U (ja) 半導体製造装置
JPS59187136U (ja) 半導体薄膜形成装置
JPS58101458U (ja) 質量分析装置
JPS60140774U (ja) 分子線エピタキシヤル成長装置
JPS60118236U (ja) プラズマエツチング装置用電極
JPS62152436U (ja)
JPH02119124A (ja) プラズマ処理装置
JPS60172342U (ja) プラズマ処理装置用シ−ルド形電極
JPS60165463U (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS60136137U (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JPS59153368U (ja) マグネトロンスパツタリング装置
JPS59187135U (ja) 半導体薄膜形成装置
JPS5965498U (ja) 高周波加熱装置
JPS5855358U (ja) 高真空装置用試料出入機構
JPS6144830U (ja) 光ｃｖｄ装置
JPS60106336U (ja) プラズマエツチング装置