JPS5968629A - 光感応性アバランシエ部材のゲインを安定化させる方法及び装置 - Google Patents
光感応性アバランシエ部材のゲインを安定化させる方法及び装置Info
- Publication number
- JPS5968629A JPS5968629A JP58164261A JP16426183A JPS5968629A JP S5968629 A JPS5968629 A JP S5968629A JP 58164261 A JP58164261 A JP 58164261A JP 16426183 A JP16426183 A JP 16426183A JP S5968629 A JPS5968629 A JP S5968629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- gain
- temperature
- avalanche
- stabilizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 8
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/959—Circuit arrangements for devices having potential barriers for devices working in avalanche mode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光ファイバ等の光学媒体を介して送られる信
号上受ける光学レシーバに関する。よシ詳細に言うと、
本発明は、アバ２ン／エホトダイオード等の光感応性ア
バランシェ部材のゲインを安定化させる問題全敗シ扱う
。
号上受ける光学レシーバに関する。よシ詳細に言うと、
本発明は、アバ２ン／エホトダイオード等の光感応性ア
バランシェ部材のゲインを安定化させる問題全敗シ扱う
。
アバランシェホトダイオードは、例えば元７アイバ金介
して伝送される光信号の検出を行なう。
して伝送される光信号の検出を行なう。
アバランシェホトダイオードが用いられるのは、通常顕
著なゲインに伴なうＳＮ比が高いからである。アバラン
シェホトダイオードのゲインは、アバランフ工電圧と称
される逆バイアス磁圧に依存する。
著なゲインに伴なうＳＮ比が高いからである。アバラン
シェホトダイオードのゲインは、アバランフ工電圧と称
される逆バイアス磁圧に依存する。
とは言うもののアバランシェホトダイオードは、幾分不
安定な特性曲線を有する。特に、与えられた光学的パワ
ーについて、光学的に検出される電流は温度とともに変
化する。このような不安定性の他の原因は、偶発的な過
負荷やエージングに由来する。
安定な特性曲線を有する。特に、与えられた光学的パワ
ーについて、光学的に検出される電流は温度とともに変
化する。このような不安定性の他の原因は、偶発的な過
負荷やエージングに由来する。
アバランシェホトダイオードのゲイン全安定化する方法
は既に開示されている。
は既に開示されている。
公知の方法は、一定温度に詞整されたハウジング中にホ
トダイオード全位置させることでるる。
トダイオード全位置させることでるる。
しかしながら、この方法による安定化機能は不完全であ
る。というのも、この安定化方法は、ホトダイオードの
作動ゾーンとホトダイオードボックスとの間に存在する
温度差金考慮に入れていないからである。実際、作動ゾ
ーン中の電流に起因してホトダイオードによって発生さ
れる熱エネルギは到底無視し得ない。
る。というのも、この安定化方法は、ホトダイオードの
作動ゾーンとホトダイオードボックスとの間に存在する
温度差金考慮に入れていないからである。実際、作動ゾ
ーン中の電流に起因してホトダイオードによって発生さ
れる熱エネルギは到底無視し得ない。
他の公知方法は、ホトダイオードに印加されるバイアス
電圧を補正することによってホトダイオードのゲイン金
調整する。仏国特許出願第２，４９０．４０４号によれ
ば、バイアス電圧は、電圧比較器及び可調整電源金倉む
制御ループによって間接的に補正される。
電圧を補正することによってホトダイオードのゲイン金
調整する。仏国特許出願第２，４９０．４０４号によれ
ば、バイアス電圧は、電圧比較器及び可調整電源金倉む
制御ループによって間接的に補正される。
本発明の主要な目的は、光感応性アバランシェ部材のゲ
イン？補正することにある。このことは、電子部品を挿
入することによってなされ、光感応性部材のアバランシ
ェ電圧全直接的に補正することができる、。
イン？補正することにある。このことは、電子部品を挿
入することによってなされ、光感応性部材のアバランシ
ェ電圧全直接的に補正することができる、。
本発明の他の目的は、光感応性アバランシェ効果のゲイ
ン全安定化ちせる方法を提供することにある。このため
、温度による光感応性部材のゲインの変化は、一定の関
係のもとに温度につれて変化するバイアス電圧全光感応
性部材に印加することによって補償される。
ン全安定化ちせる方法を提供することにある。このため
、温度による光感応性部材のゲインの変化は、一定の関
係のもとに温度につれて変化するバイアス電圧全光感応
性部材に印加することによって補償される。
本発明の他の目的は、光感応性アバランシェ部拐のゲイ
ン全安定化させる装置全提供することにある。該装置は
、温度について安定した電圧源と、光感応性都Ｉにバイ
アス電圧を印加する出力金有する電圧変換手段と、該電
圧源及び電圧変換手段の人力の間に直列接続された少な
くとも１個のダイオードとを有する。
ン全安定化させる装置全提供することにある。該装置は
、温度について安定した電圧源と、光感応性都Ｉにバイ
アス電圧を印加する出力金有する電圧変換手段と、該電
圧源及び電圧変換手段の人力の間に直列接続された少な
くとも１個のダイオードとを有する。
以下、図面？参照して、本発明の実施例につき詳却１に
説明する。
説明する。
図面において、ホトダイオード−１は、アバランシェ効
果のもとで作動するように、逆バイアスがかけられてい
る。ホトダイオード１０カソードは、本発明に係るゲイ
ン安定化回路２の出力０に接続されている。ホトダイオ
ードｌのアノードは、負荷回路３０入力３０に接続され
ている。
果のもとで作動するように、逆バイアスがかけられてい
る。ホトダイオード１０カソードは、本発明に係るゲイ
ン安定化回路２の出力０に接続されている。ホトダイオ
ードｌのアノードは、負荷回路３０入力３０に接続され
ている。
ゲイン安定化回路２は、例えばツェナーダイオード等の
手段によって温度について安定化された低電圧源２０金
含む。直流電圧源２００グラスクーミナル２１は、はぼ
ＩＯないし２０ポルトの温度について安定化された低バ
イアス重圧■Ｂ全山す。回路２において、電圧源ターミ
ナル２１は、直列接続されしかも逆バイアスがかけられ
たＮ個の通常のダイオード２２ から２２、までに接続
されている。各々のダイオード２２ から２２Ｎまでの
ターミナルにおける畦土は、符号■９によって示される
。
手段によって温度について安定化された低電圧源２０金
含む。直流電圧源２００グラスクーミナル２１は、はぼ
ＩＯないし２０ポルトの温度について安定化された低バ
イアス重圧■Ｂ全山す。回路２において、電圧源ターミ
ナル２１は、直列接続されしかも逆バイアスがかけられ
たＮ個の通常のダイオード２２ から２２、までに接続
されている。各々のダイオード２２ から２２Ｎまでの
ターミナルにおける畦土は、符号■９によって示される
。
ゲイン安定化回路２は、直流−直流電圧コンノく一夕２
３を有する。このコンバータ２３は、Ｖｏｌｔａｇｅ
−ｔｏ −ｈｉｇｈ 重圧コンノ（−タトモ称される
。コンバータ２３の入力Ｅは、レジスタ２４全介してダ
イオード２２ のアノードに接続されるとともに、入力
レジスタ２５を介して接地ターミナルに接続されている
。
３を有する。このコンバータ２３は、Ｖｏｌｔａｇｅ
−ｔｏ −ｈｉｇｈ 重圧コンノ（−タトモ称される
。コンバータ２３の入力Ｅは、レジスタ２４全介してダ
イオード２２ のアノードに接続されるとともに、入力
レジスタ２５を介して接地ターミナルに接続されている
。
レジスタ２４及び２５の抵抗ｉｔ 及び１稲更にはダ
イオード２２ から２２ までの開数Ｎは、以１
Ｎ 下に示される数式によって決定される。コンノ（−タ２
３のゲインＧは、比■。／Ｖ工によって決定される。こ
こで■。は、コンバータ２３の出力と結合されたターミ
ナルＯにおける出力電圧を示し、また■□は、ターミナ
ル間におけるコンバータの入力電圧全示す。結果として
Ｖ。は、温度について安定化されるべきアバランシェホ
トダイオード１にかけられるバイアス１区圧を示す。と
の電圧ｖｏは、通常約１００ないし２００ボルトといっ
たように商い。このことは、電圧コンバータ２３の介在
を正当化する。
イオード２２ から２２ までの開数Ｎは、以１
Ｎ 下に示される数式によって決定される。コンノ（−タ２
３のゲインＧは、比■。／Ｖ工によって決定される。こ
こで■。は、コンバータ２３の出力と結合されたターミ
ナルＯにおける出力電圧を示し、また■□は、ターミナ
ル間におけるコンバータの入力電圧全示す。結果として
Ｖ。は、温度について安定化されるべきアバランシェホ
トダイオード１にかけられるバイアス１区圧を示す。と
の電圧ｖｏは、通常約１００ないし２００ボルトといっ
たように商い。このことは、電圧コンバータ２３の介在
を正当化する。
図示された実施例における負荷回路は、通常の形式のも
のである。回路３において、ターミナル３０と接地ター
ミナルとの間にはレジスタ３１が存在し、また、ターミ
ナル３０と出力ターミナル３３との間には、高インピー
ダンスアンブリファイア３２が存在する。図示しない他
の実施例においでｔま、負荷回路にトランスインピーダ
ンスを用いてもよく、その場合にはネガティブゲイン金
有するアンブリファイアから成シ、光の流れを測定する
負荷レジスタ金倉むフィードバックルーズに接続される
。いずれの実施例にあっても、負荷レジスタのターミナ
ル間（例えば３１０）において測定される電圧は、光の
流れに比例する。この光の流れは、光線りによってホト
ダイオードｌが照らされたときに、該ホトダイオードｌ
によって供給されるものである。
のである。回路３において、ターミナル３０と接地ター
ミナルとの間にはレジスタ３１が存在し、また、ターミ
ナル３０と出力ターミナル３３との間には、高インピー
ダンスアンブリファイア３２が存在する。図示しない他
の実施例においでｔま、負荷回路にトランスインピーダ
ンスを用いてもよく、その場合にはネガティブゲイン金
有するアンブリファイアから成シ、光の流れを測定する
負荷レジスタ金倉むフィードバックルーズに接続される
。いずれの実施例にあっても、負荷レジスタのターミナ
ル間（例えば３１０）において測定される電圧は、光の
流れに比例する。この光の流れは、光線りによってホト
ダイオードｌが照らされたときに、該ホトダイオードｌ
によって供給されるものである。
アバランシェホトダイオードｌのバイアス電圧ｖｏは以
下の数式によって与えられる。
下の数式によって与えられる。
上記数式から、次の式が導かれる。
Ｖ＝ＧＶ工
電圧源２０が温度について安定化されているので、電圧
Ｖ工は、各々のダイオード２２□から２２Ｎまでのター
ミナルにおける電圧ｖＤのみに依存する。
Ｖ工は、各々のダイオード２２□から２２Ｎまでのター
ミナルにおける電圧ｖＤのみに依存する。
公知の如く、該電圧ＶＤ は、次式によって示される温
度に比例して変化する。
度に比例して変化する。
ここで、ｋはボルツマン常数、Ｔは絶対温度、ｇは電子
の電荷、■はダイオード２２ から２２ までを流れる
電流、１ｓａｔはダイオードの飽和電流である。
の電荷、■はダイオード２２ から２２ までを流れる
電流、１ｓａｔはダイオードの飽和電流である。
さてここで、α９＝（ΔＴＤ／７．Ｔ） 凱各々のダイ
オード２２ から２２Ｎ−ｊでの端子におけす る温度についての電圧ｖＤの変化の負の係数とし、また
、α。＝（Δｖｏ／、Ｔ）’を温度についての電圧■。
オード２２ から２２Ｎ−ｊでの端子におけす る温度についての電圧ｖＤの変化の負の係数とし、また
、α。＝（Δｖｏ／、Ｔ）’を温度についての電圧■。
の変化の正の係数とする。温度に依存しないホトダイオ
ードｌの一定の固有ゲインを得るため、ホトダイオード
のバイアス重圧Ｖ。は、第１式で示されたようにダイオ
ード２２ から２２Ｎまでの端子において電圧の変化に
応じて変化しなくてばならない。ここで、α、、Ｒ，Ｉ
Ｇ及びα。は、り゛イオード、コンバータ及びホトダイ
オードの製造業者によって与えられるパラメータである
から、レジスタ２４の抵抗値Ｒは、第１式から導かれる
。
ードｌの一定の固有ゲインを得るため、ホトダイオード
のバイアス重圧Ｖ。は、第１式で示されたようにダイオ
ード２２ から２２Ｎまでの端子において電圧の変化に
応じて変化しなくてばならない。ここで、α、、Ｒ，Ｉ
Ｇ及びα。は、り゛イオード、コンバータ及びホトダイ
オードの製造業者によって与えられるパラメータである
から、レジスタ２４の抵抗値Ｒは、第１式から導かれる
。
すなわち
Ｒ４＝−４も。（１−ＮＧαＤ／αＤ） ・・・（
２）上記の第２式は、コンバータ２３のゲインＧが一定
である限９において成υ立つ。このために該コンバータ
２３は、温度について安定の供給電圧全有するものが選
択される。
２）上記の第２式は、コンバータ２３のゲインＧが一定
である限９において成υ立つ。このために該コンバータ
２３は、温度について安定の供給電圧全有するものが選
択される。
一例として、α ＝０．４Ｖ／ Ｋ。
α、 ＝−２，２５ｍＶ／ ０に１Ｇ＝１００、Ｒ，＝
２０にΩ そしてＮ＝３とすると、第２式％式％ 結論的に、安定化回路２０部材の値全選択し、また、回
路２のダイオード２２ から２２、までの介在物全選択
することによシ、温度変化の影響を受けても、アバラン
シェホトダイオードのゲインを完全に補償することがＯ
Ｊ′能となる。
２０にΩ そしてＮ＝３とすると、第２式％式％ 結論的に、安定化回路２０部材の値全選択し、また、回
路２のダイオード２２ から２２、までの介在物全選択
することによシ、温度変化の影響を受けても、アバラン
シェホトダイオードのゲインを完全に補償することがＯ
Ｊ′能となる。
他側にあっては、コンバータ２が電圧コンバータであっ
て用調整ゲインＧを有し、このゲインＧが第２式によっ
て所与の抵抗値Ｒについて補償４ される。竹に、レジスタ２４の抵抗Ｒが０に等しくされ
ると、第１式によるケインＧば、電圧変換ゲインヲ叛わ
すこととなる。この電圧変換ゲインは、電圧源２０及び
ダイオード２２ から２２Ｎまで全含む電圧供給手段に
ついてのものである。＼図示した実施例はアバランシェ
ホトダイオードについてのものでめったが、ゲイン安定
化回路は、アバランシェホトトランジスタ等の他の光感
応性アバランシェ部Ｕにも利用することができる。
て用調整ゲインＧを有し、このゲインＧが第２式によっ
て所与の抵抗値Ｒについて補償４ される。竹に、レジスタ２４の抵抗Ｒが０に等しくされ
ると、第１式によるケインＧば、電圧変換ゲインヲ叛わ
すこととなる。この電圧変換ゲインは、電圧源２０及び
ダイオード２２ から２２Ｎまで全含む電圧供給手段に
ついてのものである。＼図示した実施例はアバランシェ
ホトダイオードについてのものでめったが、ゲイン安定
化回路は、アバランシェホトトランジスタ等の他の光感
応性アバランシェ部Ｕにも利用することができる。
図面は、アバランシェホトダイオードのゲイン安定化回
路及び負荷回路のブロック図である。 特許出願人 ソシエテ アノニム ド テレコミニュカゾヨンス
路及び負荷回路のブロック図である。 特許出願人 ソシエテ アノニム ド テレコミニュカゾヨンス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 光感応性アバランシェ部材のゲインを安定化させ
る方法であって、一定の関係で温度とともに変化するバ
イアス電圧を光感応性部材に印加することにより、温度
についての光感応性部材の利得の変化が補償されるもの
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法であって、温度に
ついてのバイアス電圧の変化が、少なくとも１個のダイ
オードのターミナルに印加される電圧における温度の変
化に依存するもの。 ３、 光感応性アバランシェ部材のゲインを安定化させ
る装置であって、■温度について安定化された電圧供給
手段と、■光感応性部材にパイデス電圧全印加するｕ４
力金する電圧変換手段と、■前記′屯圧供給手段と゛電
圧変換手段の入力との間に直列接続された少なくとも１
個のダイオードと、を有するもの。 ４、％許請求の範囲巣３項記載の装置において、一つの
入力がダイオードに、また、他の入力が接地ターミナル
に接続されたレジスタに接続された直流−直流電圧コン
バータ全、電圧変換手段が有するもの。 ５、特許請求の範囲第４項記載の装置であって、電圧コ
ンバータの入力とダイオードとの間に直列接続されたレ
ジスタ全電圧変換手段が有するもの。 ６、特許請求の範囲第４項又は第５項記載の装置可 であって、電圧変換手段が１！１′調整ゲインを有する
もの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8215479A FR2533073A1 (fr) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | Procede et dispositif de stabilisation d'une photodiode a avalanche |
| FR8215479 | 1982-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968629A true JPS5968629A (ja) | 1984-04-18 |
Family
ID=9277418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164261A Pending JPS5968629A (ja) | 1982-09-14 | 1983-09-08 | 光感応性アバランシエ部材のゲインを安定化させる方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599527A (ja) |
| EP (1) | EP0106728B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5968629A (ja) |
| DE (1) | DE3375257D1 (ja) |
| FR (1) | FR2533073A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0762986B2 (ja) * | 1987-01-14 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | 受光装置 |
| JPH02209029A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-20 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
| JP2686036B2 (ja) * | 1993-07-09 | 1997-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオードのバイアス回路 |
| US6188059B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-02-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photocurrent monitor circuit and optical receiver |
| US6313459B1 (en) | 2000-05-31 | 2001-11-06 | Nortel Networks Limited | Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver |
| JP5616368B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-10-29 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 放射線検出器モジュール、当該モジュールを有するイメージング装置、放射線検出器アレイのドリフト補償方法、当該方法を実行するためのコンピュータ可読媒体 |
| US9869582B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-01-16 | Applied Materials Israel Ltd. | Method and device for control of avalanche photo-diode characteristics for high speed and high gain applications |
| US9269835B2 (en) | 2014-04-04 | 2016-02-23 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and device for control of avalanche photo-diode characteristics for high speed and high gain applications |
| CN117148368B (zh) * | 2023-08-31 | 2024-04-12 | 探维科技(苏州)有限公司 | Apd及其最优增益确定方法、控制方法、装置、激光雷达 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121087A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Fujitsu Ltd | Apd temperature compensating circuit |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3363105A (en) * | 1963-02-28 | 1968-01-09 | Navy Usa | Temperature compensation of photoconductive detectors |
| FR2080029A6 (ja) * | 1968-03-29 | 1971-11-12 | Comp Generale Electricite | |
| GB1367884A (en) * | 1970-09-30 | 1974-09-25 | Mullard Ltd | Temperature compensating circuits for photoconductive cells |
| DE2257181A1 (de) * | 1972-11-22 | 1974-05-30 | Licentia Gmbh | Schaltungsanordnung zur umwandlung von lichtsignalen in elektrische signale mit einer avalanche-photodiode |
| JPS5161243A (en) * | 1974-11-25 | 1976-05-27 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Taisuzofukuki |
| JPS583073Y2 (ja) * | 1975-07-19 | 1983-01-19 | 株式会社島津製作所 | ブンコウコウドケイ |
| GB1532262A (en) * | 1976-04-03 | 1978-11-15 | Ferranti Ltd | Photodiode circuit arrangements |
| JPS546727A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Seiko Epson Corp | Mark read-out circuit |
| US4153835A (en) * | 1977-08-25 | 1979-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Temperature compensation circuit |
| US4438348A (en) * | 1978-10-06 | 1984-03-20 | Harris Corporation | Temperature compensated avalanche photodiode optical receiver circuit |
| US4236069A (en) * | 1978-10-16 | 1980-11-25 | Varo, Inc. | Avalanche photodiode gain control system |
| JPS6017051B2 (ja) * | 1978-11-20 | 1985-04-30 | 東京光学機械株式会社 | アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法 |
| FR2490404A1 (fr) * | 1980-09-16 | 1982-03-19 | Pophillat Lucien | Procede et dispositif de stabilisation du gain d'une photodiode a avalanche |
| JPS587618A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Canon Inc | 測光回路の温度補償方式 |
-
1982
- 1982-09-14 FR FR8215479A patent/FR2533073A1/fr active Granted
-
1983
- 1983-09-07 DE DE8383401763T patent/DE3375257D1/de not_active Expired
- 1983-09-07 EP EP83401763A patent/EP0106728B1/fr not_active Expired
- 1983-09-08 JP JP58164261A patent/JPS5968629A/ja active Pending
- 1983-09-09 US US06/530,647 patent/US4599527A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121087A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Fujitsu Ltd | Apd temperature compensating circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4599527A (en) | 1986-07-08 |
| FR2533073A1 (fr) | 1984-03-16 |
| DE3375257D1 (en) | 1988-02-11 |
| EP0106728A1 (fr) | 1984-04-25 |
| EP0106728B1 (fr) | 1988-01-07 |
| FR2533073B1 (ja) | 1985-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5548112A (en) | Photodetecting circuit using avalanche photodiode | |
| US4096382A (en) | Photo-current log-compression circuit | |
| CA1085462A (en) | Automatic bias control circuit for injection lasers | |
| JPS5968629A (ja) | 光感応性アバランシエ部材のゲインを安定化させる方法及び装置 | |
| US4709154A (en) | Opto-electrical signal converter with stabilization | |
| US4891603A (en) | Logarithmic amplifier | |
| JPH10276048A (ja) | オフセット補償回路 | |
| US7067788B2 (en) | Control loop apparatus or current measuring circuit including a current sensor or method of current calculation | |
| JP2674110B2 (ja) | アバランシエホトダイオードのバイアス回路の温度補償回路 | |
| CN223377663U (zh) | 一种适用于mppc的温度补偿系统 | |
| JPH0563273A (ja) | レーザーダイオード駆動回路 | |
| JPH05129706A (ja) | 半導体レーザ駆動制御回路 | |
| JPH05180695A (ja) | 測光回路と出力電圧レンジ設定方法 | |
| JP2841743B2 (ja) | 光センサ用発受光回路 | |
| SU1019412A1 (ru) | Стабилизатор посто нного тока | |
| KR960012910B1 (ko) | 정전압 궤환 제어회로 | |
| JPS62266470A (ja) | ピ−ク値検出回路 | |
| KR900002461Y1 (ko) | 광전송장치에서 자동이득 조절회로의 전압 조정회로 | |
| JPH01126032A (ja) | Ａｐｄのバイアス回路 | |
| JPS59598Y2 (ja) | 交流光の測光装置 | |
| JPS59218520A (ja) | 自動制御回路 | |
| JP2638498B2 (ja) | レーザ駆動回路 | |
| JP3062213B2 (ja) | 半導体レーザ制御回路 | |
| JPS60234382A (ja) | 受光素子の電力損失一定化装置 | |
| JP2840276B2 (ja) | 半導体レーザ制御装置 |