JPS5969728A - 楕円ビ−ムの形成方法 - Google Patents

楕円ビ−ムの形成方法

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Publication number
JPS5969728A
JPS5969728A JP18118282A JP18118282A JPS5969728A JP S5969728 A JPS5969728 A JP S5969728A JP 18118282 A JP18118282 A JP 18118282A JP 18118282 A JP18118282 A JP 18118282A JP S5969728 A JPS5969728 A JP S5969728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
double refraction
plate
wavelength plate
refraction crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18118282A
Other languages
English (en)
Inventor
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Kikuo Mita
三田 喜久夫
Giichi Kakigi
柿木 義一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP18118282A priority Critical patent/JPS5969728A/ja
Publication of JPS5969728A publication Critical patent/JPS5969728A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a)  開明の技術分野 本発明は銅箔パターンを形成したプリント基板’11査
するのに用いるレーザ光の楕円ビームの形成方法に関す
る。
(b)  技イ4(iの背景 最近有機樹脂等の基板に所定の銅箔パターンをル成して
電子回路を形成したプリント基板の前記銅箔パターンを
検査する方法として、従来の目視検査に代って、レーザ
光を利用した自動検査方法が提案されている。
((3)  従来技術と問題点 このようなレーザ光を用いた従来のプリント基板のパタ
ーンの自!llb検査方法について第1図を用いながら
説明する。第1図は従来のパターンの検査方法を示す概
略図でHe−Neレーザ光源1より出射したレーデ光は
平面鏡2によってビームの方向を曲げられ、ビーム拡大
器8でビームを拡大されたのち、ハーフミラ−4を通過
し、回転ミラー5で走査され、偏向されてヌギーVニン
グレンズ6で走査された光が、銅箔パターン7が形成さ
れたプリント基板8J:に投射される。
そして銅箔パターン7あるいはプリント基板上より反射
された光が再びスキャニングレンズ6゜回転ミラー5と
逆行してハーフミラ−4に至り、ハーフミラ−4で反射
され゛C結像レンズ9.直経数100μmのビンホー/
l’lOが設けられたピンホールマスク11を通過して
、光増倍管12により光強度が検知される。
このビンホー/L’lOを反射ビームが通過する際。
銅箔パターン7上より反射した反射光と銅箔パターン7
以外のプリント基板上より反射した反射光との光の強度
比が大きく現われる。そしてこのようにして得られた強
度の異なる反射光を光増倍管等を用いて検知してTIL
気信秒信号る。そしてこの電気信号と銅箔パターン、プ
リント基板より反射される標準の光信号を電気1d号に
斐換して設定した基準紙圧と比較検討することで銅箔パ
ターンの設計寸法とのずれを検知するようにしている。
ところでスキャニングレンズ6を用いてMKパターン7
を形成したプリント基板8上を走査する際、走査回数を
減少させかつ効果的に銅箔パターンの位1f’lにレー
ザ光を照射して反射強度を高めるために楕円形状のビー
ムで走査することが有効である。ところでこの楕円形状
のビームとしては形成される楕円状のビームの長軸と短
軸との比が小さい即ちその比が4〜10となるような楕
円ビームを用いると走査回数が減少し反射される光強度
比が大となって精度良くパターンが検査できることが実
験的に確められている。
いた。然しこのようなシリンFリカルレンズハ製造が回
帰で調整が難しく前述した如く1ぐ軸と短軸との比の小
さい楕円ビームを容易に形成することが困帷であるとい
った矢はを生じていた。
μ)ブi明の目的 本イ6明けお述した問題φ、欠解決するもので、il1
記した銅箔パターンを形成したフ゛リント基板をレーザ
ビームで走査して光の反射強庶を利用してプリンl糸板
の銅箔パターンを検介する揚重において、MLf己レー
ザビームの形状が短軸と長軸との比の小さい楕円状ビー
ムとなるような新規な楕円ビームの形成方法の提供を目
的とするものである。
(e)@明の構成 かかる目的を達成するための本開明の楕円ビームの形成
方法は、厚さの異なる複屈折結晶板と、該複屈折結晶板
に入射して出側されるレーザ光の(社)内面を回転せし
める外波長板とをそれぞれ交互に組み合せたものを複数
個設置し、前記複屈折結晶板にレーザ光を照射して出射
される光を楕円ビームとすることを特徴とするものであ
る。
(f)@明の実施例 以F図面ケ用いて本発明の一実施例につき詳利1に説明
する。第2図は本発明の楕円ビームの形成方法を説明す
るための概略図である。
図示するように本発明の楕円ビームの形成方法に用いる
光学系は厚さtが100μmの方解石よりなる複屈折結
晶板21と厚さtが50μmの方解石よりなる複屈折結
晶板22との間に雲母等により形成した外波長板が設け
られている。このような光学系の複屈折結晶板21にH
e −N Clレーザ光源よりI11′径20μmのレ
ーザ光24を入射すると、複屈折結晶板21によってビ
ームの中心位置が20μmll距り偏向面が90異った
二つの光ビーム25゜26に分離される。次にこのよう
に分離された光ビーム25.26(il−外波長板28
に入射させ、光ビーム25.26の偏向面を45斐化さ
せて、光ビーム27.28を出射させる。次にこの光ビ
ーム2?、28を複屈折結晶板22に入射させて、更に
中心の位置が1011m距りた光ビーム29.80゜8
1.82を得る。
このようにして最初に複屈折結晶板21に入射しだ光ビ
ーム24け、ビームの中心位1ρが始めのビームより8
0μm変位した四つの光ビームが得られ、この光ビーム
は偏向面が外波長板28によって45分階されているの
で、相互に干渉を持たずそれぞれの光強度の和の強度を
持つ楕円ビームが形を戊される。
ここで複屈折結晶板21.22の厚坏をそれぞれ変化さ
せることで、この複屈折結晶板によって分離される光ビ
ームの中・し位置が適宜調節できるので、この複屈折結
晶板の厚さを個室変化させて組み合せて用いることで長
軸と短軸の1しか所望の貌の楕円ビームが得られる。
このように厚さの異なる複屈折結晶板と外波長板とを組
み合せることで、この複屈折結晶板の有する光分離作用
と外波長板の持つ光ビームの偏向作用とによって所定の
長軸と短軸の比が4〜10となるような光ビームが容易
に得られ、このような元ビームをtHいてプリント基板
上に形成されている銅箔パターンを検査すれば走査回数
を減少させ得るような短軸と長軸との比が4〜10の楕
円ビームが得られるため検査工数が減少でき得る。
(2)つd明の効果 以J二述べたように不発明の方法によれば、所望の長軸
と短軸の比を有する楕円ビームがl’IIi Qiな光
学系で容易に得られ、このような楕円ビームを用イテ7
’ iント基根上に形成されている銅箔パターン嵜の舎
属パターンの形状を検査すれば(ψ査情度の白玉した+
Mi信頼曳のパターン検査を実施できる利点を生じる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のプリント基板の検査方法を示す概略図、
第27 Ii$、発明の楕円ビーム形成方法に用いる光
学系の概略図である。 図において1はHe−Neレーザ、2は平面鏡、8eよ
ビーム拡大器、4はハーフミラ−15は回転ミラー、6
はスキャニングレンズ、7は銅箔パターン、8はプリン
ト基板、9は結像レンズ、10はピンホール、11はマ
スク、【2は光増倍管、21.22は複屈折結晶板、2
3は1/1波長板、24はレーザ光、25.26.27
.28.29.80.81.82は光ビームを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 厚さの異なる複屈折結晶板と該複屈折結晶板に入射して
    出射されるレーザ光の偏向面を回転せしめる%波長板と
    をそれぞれ父互に組み合せたものを複数個設置し、前記
    複屈折結晶板にレーザ光を照射して出射される光を楕円
    ビームとすることを特徴とする楕円ビームの形成方法。
JP18118282A 1982-10-14 1982-10-14 楕円ビ−ムの形成方法 Pending JPS5969728A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18118282A JPS5969728A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 楕円ビ−ムの形成方法

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JP18118282A JPS5969728A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 楕円ビ−ムの形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5969728A true JPS5969728A (ja) 1984-04-20

Family

ID=16096300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18118282A Pending JPS5969728A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 楕円ビ−ムの形成方法

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JP (1) JPS5969728A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61198210A (ja) * 1985-02-28 1986-09-02 Nec Corp レ−ザ加工用光学装置
JPH02212747A (ja) * 1989-02-13 1990-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装基板検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61198210A (ja) * 1985-02-28 1986-09-02 Nec Corp レ−ザ加工用光学装置
JPH02212747A (ja) * 1989-02-13 1990-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装基板検査装置

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