JPH02212747A - 実装基板検査装置 - Google Patents
実装基板検査装置Info
- Publication number
- JPH02212747A JPH02212747A JP1033040A JP3304089A JPH02212747A JP H02212747 A JPH02212747 A JP H02212747A JP 1033040 A JP1033040 A JP 1033040A JP 3304089 A JP3304089 A JP 3304089A JP H02212747 A JPH02212747 A JP H02212747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- printed circuit
- mask
- soldering
- area ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、部品を実装し、たプリント基板上の十m付け
の実装不良を検査する実装基板検査装置に関するもので
ある。
の実装不良を検査する実装基板検査装置に関するもので
ある。
従来の技術
従来、プリント基板」−に半田付けされた半田部の検査
は、人間による目視検査に頼っていた。ところが、製品
の小型化や軽量化が進むに連れ、プリント基板上の部品
の小型化や高密度実装化もより一層進んできている。こ
のような状況の中で、人間による目視検査が困難杏なっ
てきており、検査の自動化が強く望まれてきでいる。
は、人間による目視検査に頼っていた。ところが、製品
の小型化や軽量化が進むに連れ、プリント基板上の部品
の小型化や高密度実装化もより一層進んできている。こ
のような状況の中で、人間による目視検査が困難杏なっ
てきており、検査の自動化が強く望まれてきでいる。
その一方法とし7て特願昭63−45206号には、二
次元のカメラで輝度データを用い、輝度の累積度数分布
から半田部の良否判定を行うことを提案L5でいる。
次元のカメラで輝度データを用い、輝度の累積度数分布
から半田部の良否判定を行うことを提案L5でいる。
第7図に、半田部に対し斜め上刃より照明i、+’ A
7場合の半[]1の良品と不良品の累積度数分布に示L
1横軸に輝度の階級を、縦軸に輝度の累積1u数を表し
ている。良品の半田部は、輝j浪の高い部分が多いだめ
に長部分の累積度数分布701のような分布特性を示す
。不良の1″′、■1部(・7j、輝iの暗l/′1部
分が多いために不良部分の累積度数分布702のような
分布特性を示す。第7シjに示すように、良品と不良品
の分布特性が異なるり、二めに1.ズ別ができるという
ものである。
7場合の半[]1の良品と不良品の累積度数分布に示L
1横軸に輝度の階級を、縦軸に輝度の累積1u数を表し
ている。良品の半田部は、輝j浪の高い部分が多いだめ
に長部分の累積度数分布701のような分布特性を示す
。不良の1″′、■1部(・7j、輝iの暗l/′1部
分が多いために不良部分の累積度数分布702のような
分布特性を示す。第7シjに示すように、良品と不良品
の分布特性が異なるり、二めに1.ズ別ができるという
ものである。
発明が解決しようとする課題
し7かし、従来例で示した検査方法では、部品の位置ず
れや半田の量等によって累積度数分布のカーブが異なり
、十分に信頼性のある判定ができない。捷/こ、最適な
照明条イ!1トでないと良否の4゛、?性の差がでにく
いという課題がある。さらに、プリント基板上の位置に
よる照明むらや照明条イ!1を最適化するために微小面
積で分割して撮像(,5なければならないという課題も
ある。
れや半田の量等によって累積度数分布のカーブが異なり
、十分に信頼性のある判定ができない。捷/こ、最適な
照明条イ!1トでないと良否の4゛、?性の差がでにく
いという課題がある。さらに、プリント基板上の位置に
よる照明むらや照明条イ!1を最適化するために微小面
積で分割して撮像(,5なければならないという課題も
ある。
本発明は、部品の位置ずれや半田の量に左右上5 へ−
・ れることなく、第1の目的は輝度信号を任意の閾値で2
値化し、ランド上に設定したマスク内において1とOの
面積比率により良否判定するものである。
・ れることなく、第1の目的は輝度信号を任意の閾値で2
値化し、ランド上に設定したマスク内において1とOの
面積比率により良否判定するものである。
第2の目的は、輝度(2号を得る手段として、レーザ光
を用いてポリゴンミラー吉fθレンズでプリント基板を
走査1−1搬送手段で搬送することによりプリント基板
の二次元輝度データを得るように[5,だものである。
を用いてポリゴンミラー吉fθレンズでプリント基板を
走査1−1搬送手段で搬送することによりプリント基板
の二次元輝度データを得るように[5,だものである。
才だ第3の目的は、1対の光量検+1+手段から得られ
る輝度信号を加算することにより半田付は不良の特徴を
更に明確にとらえ、判定精度の向上を図るものである。
る輝度信号を加算することにより半田付は不良の特徴を
更に明確にとらえ、判定精度の向上を図るものである。
第4の目的は、半FB sを2個所有する部品について
は、ペアの合算での1とOの面積比率を演算することに
より良否判定するものである。
は、ペアの合算での1とOの面積比率を演算することに
より良否判定するものである。
課題を解決するjv−めの手段
上記目的を達成するために、本発明の技術的解決手段は
、第1に、プリント基板の法線方向より照明する照明手
段と、前記プリント基板をその法線711向、t、0心
(φ像干る撮像1段1と、萌1.“1渭最f“ぐ丁段乃
・6、−2 らの輝度信号を任意の閾値で2値化する2値化手段、■
−、ランドの位置にマスク処理をする予め定めた任意サ
イズのマスクデータを格納するマスク記憶手段と、前記
2値化手段からの2値化伯号と前記マスク記憶手段から
のマスクデータにより、マスク内におけるl(!:Oの
面積比率を演算し、面積比率から半田付けの良否を判定
処理手段とから構成したものである。
、第1に、プリント基板の法線方向より照明する照明手
段と、前記プリント基板をその法線711向、t、0心
(φ像干る撮像1段1と、萌1.“1渭最f“ぐ丁段乃
・6、−2 らの輝度信号を任意の閾値で2値化する2値化手段、■
−、ランドの位置にマスク処理をする予め定めた任意サ
イズのマスクデータを格納するマスク記憶手段と、前記
2値化手段からの2値化伯号と前記マスク記憶手段から
のマスクデータにより、マスク内におけるl(!:Oの
面積比率を演算し、面積比率から半田付けの良否を判定
処理手段とから構成したものである。
第2は、第1の輝度イハ号を得る別の手段として、プリ
ント基板を搬送する搬送手段と、レーザ光源からのレー
ザ光をポリゴンミラーとfθ レンズにより前記プリン
ト基板上を走査するレーザ光走査手段と、前記レーザ光
の走査により前記プリント基板上から反射して得られる
散乱光を、的記fθレンズとポリゴンミラーを介して反
射させ、更に集光レンズで光検出素子に集光し輝度信号
を出力する光量検出手段とから構成したものである。
ント基板を搬送する搬送手段と、レーザ光源からのレー
ザ光をポリゴンミラーとfθ レンズにより前記プリン
ト基板上を走査するレーザ光走査手段と、前記レーザ光
の走査により前記プリント基板上から反射して得られる
散乱光を、的記fθレンズとポリゴンミラーを介して反
射させ、更に集光レンズで光検出素子に集光し輝度信号
を出力する光量検出手段とから構成したものである。
第3は、第2の構成において、2つの光量検出手段をレ
ーザ光の走査面に対称な位置に設け、そIトぞ゛れの光
計検出手段づ・ら得らカイ、がjLlす(1、l、;、
、5−ぞ7 ベージ れぞれ2値化手段によ!l12値化した後、両方の2値
化信号を合成手段により合成するか、もしくはそれぞれ
の輝度信号を加算手段により加算した後、2値化手段に
より2値化信号を得る構成にしたものである。
ーザ光の走査面に対称な位置に設け、そIトぞ゛れの光
計検出手段づ・ら得らカイ、がjLlす(1、l、;、
、5−ぞ7 ベージ れぞれ2値化手段によ!l12値化した後、両方の2値
化信号を合成手段により合成するか、もしくはそれぞれ
の輝度信号を加算手段により加算した後、2値化手段に
より2値化信号を得る構成にしたものである。
第4は、第1、第2もしくは第3の構成に加え、半田の
良否の判定を行う判定処理手段において、半田付けする
個所が2個所ある部品については、両方のマスク内の1
とOの面積をそれぞれ加算し、ベアでひとつの面積比率
を演算することによシ半田付けの良否を判定する判定処
理手段とする構成にしたものである。
良否の判定を行う判定処理手段において、半田付けする
個所が2個所ある部品については、両方のマスク内の1
とOの面積をそれぞれ加算し、ベアでひとつの面積比率
を演算することによシ半田付けの良否を判定する判定処
理手段とする構成にしたものである。
作 用
本発明は上記構成により、第1にプリント基板の法線方
向より照明されたプリント基板を同じ法線方向より撮像
し、その撮像手段からの輝度信号を2値化し、その2値
化信号からマスク内において1とOの面積比率を演算し
、面積比率によシ半田付けの良否を判定するものである
。第2に、輝度信号を得る手段として、レーザ光をプリ
ント基板上に照射し、その散乱反射光をポリゴンミラー
とfθレンズで反射させ、更に集光レンズで光検出素子
に集光し輝度信号を出力するものである。
向より照明されたプリント基板を同じ法線方向より撮像
し、その撮像手段からの輝度信号を2値化し、その2値
化信号からマスク内において1とOの面積比率を演算し
、面積比率によシ半田付けの良否を判定するものである
。第2に、輝度信号を得る手段として、レーザ光をプリ
ント基板上に照射し、その散乱反射光をポリゴンミラー
とfθレンズで反射させ、更に集光レンズで光検出素子
に集光し輝度信号を出力するものである。
第3に、2つの光量検出手段をレーザ光の走査面に対称
な位置に設け、それぞれの光量検出手段から得られる輝
度信号を合成手段もしくは加算手段によシ総合して2値
化信号を得ることにより、半田不良の特徴を更に明確に
とらえるものである。
な位置に設け、それぞれの光量検出手段から得られる輝
度信号を合成手段もしくは加算手段によシ総合して2値
化信号を得ることにより、半田不良の特徴を更に明確に
とらえるものである。
また第4に、両端に半田付けするような部品においては
、判定処理手段においてペアで合わせた半田付は部の2
値化信号の1とOの面積比により評価することで、位置
ずれのある部品の半田付は部の良否をも総合的に判定す
ることができる。
、判定処理手段においてペアで合わせた半田付は部の2
値化信号の1とOの面積比により評価することで、位置
ずれのある部品の半田付は部の良否をも総合的に判定す
ることができる。
実施例
以下、第1図を参照しながら本発明の第1の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図は、本発明の実装基板検査装置の第1の実施例を
示すブロック図である。第1図において、101はプリ
ント基板、102はプリント基板101上に実装された
部品、103はプリント基板101を照9 ページ 明する照明手段、104はプリント基板101を撮像す
るCCDカメラ等の撮像手段である。106は撮像手段
104からの輝度信号105を2値化する2値化手段、
107はマスク処理するためのマスクを予め格納するマ
スク記憶手段である。108は半田付けの良否を判定す
る判定処理手段であり、各構成要素は以下のとおりであ
る。109はマスク内の全面積を計算する全カウンタ、
110は2値化信号のうちマスク内の0の面積を計算す
るOカウンタ、111はマスク内における1と0の面積
比率を計算する割算器、112は半田付けの良否を判定
するための閾値を格納する閾値記憶手段、113は割算
器111の結果と閾値記憶手段112からの閾値とを比
較する比較器、114は2値化信号である。
示すブロック図である。第1図において、101はプリ
ント基板、102はプリント基板101上に実装された
部品、103はプリント基板101を照9 ページ 明する照明手段、104はプリント基板101を撮像す
るCCDカメラ等の撮像手段である。106は撮像手段
104からの輝度信号105を2値化する2値化手段、
107はマスク処理するためのマスクを予め格納するマ
スク記憶手段である。108は半田付けの良否を判定す
る判定処理手段であり、各構成要素は以下のとおりであ
る。109はマスク内の全面積を計算する全カウンタ、
110は2値化信号のうちマスク内の0の面積を計算す
るOカウンタ、111はマスク内における1と0の面積
比率を計算する割算器、112は半田付けの良否を判定
するための閾値を格納する閾値記憶手段、113は割算
器111の結果と閾値記憶手段112からの閾値とを比
較する比較器、114は2値化信号である。
以下その動作を説明する。
部品102が実装されているプリント基板101を、リ
ング照明などの照明手段103でプリント基板]01の
法線方向より照明し、CCDカメラ等の撮像手段で同じ
くプリント基板101の法線方向より撮像し、輝度信号
】05を得る。輝度信号105を、210 ベージ 値化手段106で任意の閾値で比較し2値化信号114
を出力する。判定処理手段108では、プリント基板1
01上に設けてある半田付は用のランドの位置にマスク
処理をするために予め定めた任意サイズのマスクデータ
をマスク記憶手段107より入力し、そのマスクデータ
と2値化手段106からの2値化信号114を用いて、
マスク内における1と0の面積比率を演算し、その面積
比率から半田付けの良否を判定する。即ち、マスク記憶
手段107からのマスクデータに従い、マスク内の2値
化信号のみを全カウンタ109で全数カウントし、また
0カウンタ110ではマスク内の2値化信号のうち0の
信号の時のみカウントしている。割算器111では全カ
ウンタ109の出力と0カウンタ110の出力の比率を
計算し、比較器1]3では割算器111からの面積比率
値と半田部の良否判定用閾値を格納しである閾値記憶手
段112からの値とを比較し、半田付は部の良否を判定
するものである。
ング照明などの照明手段103でプリント基板]01の
法線方向より照明し、CCDカメラ等の撮像手段で同じ
くプリント基板101の法線方向より撮像し、輝度信号
】05を得る。輝度信号105を、210 ベージ 値化手段106で任意の閾値で比較し2値化信号114
を出力する。判定処理手段108では、プリント基板1
01上に設けてある半田付は用のランドの位置にマスク
処理をするために予め定めた任意サイズのマスクデータ
をマスク記憶手段107より入力し、そのマスクデータ
と2値化手段106からの2値化信号114を用いて、
マスク内における1と0の面積比率を演算し、その面積
比率から半田付けの良否を判定する。即ち、マスク記憶
手段107からのマスクデータに従い、マスク内の2値
化信号のみを全カウンタ109で全数カウントし、また
0カウンタ110ではマスク内の2値化信号のうち0の
信号の時のみカウントしている。割算器111では全カ
ウンタ109の出力と0カウンタ110の出力の比率を
計算し、比較器1]3では割算器111からの面積比率
値と半田部の良否判定用閾値を格納しである閾値記憶手
段112からの値とを比較し、半田付は部の良否を判定
するものである。
この半田付は部の良否判定方法について第2図及び第3
図を用いて更に詳しく説明する。
図を用いて更に詳しく説明する。
11 ベー−
第2図(,1)、(1))はプリント基板201上に部
品202を半Llけし/こ側面及び平面の様子を示し5
ている。プリント基板201上に、リング照明などの尤
による照明手段により照射された照射光203(■、(
■、 ■)は、部品202−1−や半田面からの反射光
20.1となってプリント基板201の法線j)向(同
図では一ヒカ向)に設置し7であるCCDカメラの光電
変換素子に集光さハ、輝度信号に変換される。
品202を半Llけし/こ側面及び平面の様子を示し5
ている。プリント基板201上に、リング照明などの尤
による照明手段により照射された照射光203(■、(
■、 ■)は、部品202−1−や半田面からの反射光
20.1となってプリント基板201の法線j)向(同
図では一ヒカ向)に設置し7であるCCDカメラの光電
変換素子に集光さハ、輝度信号に変換される。
特に半田部2()5や電極部206は、鏡面を形成し7
ており正反射する特徴がある。第2図(a)において、
照射′N′、203(■、■、 ■)がそ、flぞれラ
ンド207上、電極部206上、および半田フィレット
205上に照射され、それぞれの反射光204(■′。
ており正反射する特徴がある。第2図(a)において、
照射′N′、203(■、■、 ■)がそ、flぞれラ
ンド207上、電極部206上、および半田フィレット
205上に照射され、それぞれの反射光204(■′。
■′、 ■′)が反射される。この時、平面である電極
部206や一テンド207の一部では、反射光204の
■笈び■籐:尤電変換素子側に反射され輝度レベルとし
て高い輝度信号に変換される。平面でない半田フイシン
)205上に照射された照射光203■は、半[1リイ
レノ) 2(15で正反射され反射光204の■′とし
て光電変換素子側には戻ってこない特徴が(F’する。
部206や一テンド207の一部では、反射光204の
■笈び■籐:尤電変換素子側に反射され輝度レベルとし
て高い輝度信号に変換される。平面でない半田フイシン
)205上に照射された照射光203■は、半[1リイ
レノ) 2(15で正反射され反射光204の■′とし
て光電変換素子側には戻ってこない特徴が(F’する。
これを輝度信号として見ると、第2図(I))のように
平面である電極部206やランド207の−11;は明
るく明部208となり、半田フイシンb 205のよう
にm度のついだ部分は暗く暗部209となる5、このよ
うな落射照明1ミでの半[11付は部1M辺の輝度信号
の特徴に対し、第2図(1))で示1y 7A−様f、
) −7スクA210 (破線表示)をランド207十
任意サイズで設定する。このマスクA210内で、任意
の輝度レベルで輝度信号を2値化して生成さf′Vる:
2 (iji化信号の1(明部209)と0(暗部21
0)を比較して、半田付は部の良否を判定するものであ
る。
平面である電極部206やランド207の−11;は明
るく明部208となり、半田フイシンb 205のよう
にm度のついだ部分は暗く暗部209となる5、このよ
うな落射照明1ミでの半[11付は部1M辺の輝度信号
の特徴に対し、第2図(1))で示1y 7A−様f、
) −7スクA210 (破線表示)をランド207十
任意サイズで設定する。このマスクA210内で、任意
の輝度レベルで輝度信号を2値化して生成さf′Vる:
2 (iji化信号の1(明部209)と0(暗部21
0)を比較して、半田付は部の良否を判定するものであ
る。
例えば第3図に示すように、2値化化号の0(暗部)の
マスク内全体に対する面積比で#!田例は部の良否を判
定する場合、閾値A 301より暗部の面積比が大きい
か小さいかで大別できる。即ち、半田なしくa) 30
2や半田不足(++) 303の場合+(j、゛1′−
田フィレノトの形成が少ないグこめ、マスク内の暗部の
面積比は小さくなる。まIL良品(C) 304に対し
異常に暗部の面積比が大きくなり過きるような13 、 半田過多(d) 305の場合をも判定する時は、閾値
B506を設けることにより良品と区別する事ができる
。
マスク内全体に対する面積比で#!田例は部の良否を判
定する場合、閾値A 301より暗部の面積比が大きい
か小さいかで大別できる。即ち、半田なしくa) 30
2や半田不足(++) 303の場合+(j、゛1′−
田フィレノトの形成が少ないグこめ、マスク内の暗部の
面積比は小さくなる。まIL良品(C) 304に対し
異常に暗部の面積比が大きくなり過きるような13 、 半田過多(d) 305の場合をも判定する時は、閾値
B506を設けることにより良品と区別する事ができる
。
以上の様に本実施例においては、半田付は部の光の反射
の特徴を的確(Cとらえる照明手段、撮像手段、マスク
及び半田付は部の輝度信号を2値化し、その面積比から
生田付部の良否を判定する2値化及び判定処理手段によ
り、微妙な照明条件の設定の必要もなく、また半田付け
されるランド上に一アスクを設定り5、その−7スク内
の2値化信号の相対的な面積比を比較しているため、半
田の量や形状・部品の大きさ等(パC左右されることが
ないため、非常に信頼性のある判定を行うことができる
。
の特徴を的確(Cとらえる照明手段、撮像手段、マスク
及び半田付は部の輝度信号を2値化し、その面積比から
生田付部の良否を判定する2値化及び判定処理手段によ
り、微妙な照明条件の設定の必要もなく、また半田付け
されるランド上に一アスクを設定り5、その−7スク内
の2値化信号の相対的な面積比を比較しているため、半
田の量や形状・部品の大きさ等(パC左右されることが
ないため、非常に信頼性のある判定を行うことができる
。
次に、第・1図を用いて本発明の第2の実施例について
説明する。
説明する。
第4図は、本発明の実装基板検査装置の第2の実施例を
示すブロック図である。本実施例では、第1の実施例に
おいで輝度信号を得るだめの照明手段及び撮像手段のか
わりにレーザ光をIlf]いた別の干3段を用いており
、第1の実施例と同様の輝度1・1 、 信号が得られるものである。
示すブロック図である。本実施例では、第1の実施例に
おいで輝度信号を得るだめの照明手段及び撮像手段のか
わりにレーザ光をIlf]いた別の干3段を用いており
、第1の実施例と同様の輝度1・1 、 信号が得られるものである。
第4図において、401はプリント基板、=1.02け
プリント基板40上に実装されている部品、7103は
プリント基板401を移動させる搬送手段、404はそ
の移動方向を示す矢印である。レーザ光走査手段として
、405はレーザ光(原、406はレーf光源405か
らのレーザ光、407はポリゴンミラ=408はレーザ
光406をポリゴンミラー407に導くだめの鏡、40
9はfθレンズである。また光量検出手段として、41
0は集光レンズ、41]け光検出素子である。なお、1
05は光検出素子411からの輝度信号、106は2値
化手段、107はマスク記憶手段、108は判定処理手
段であり、これらは本発明の第1の実施例と同一である
ため同一番号を付して詳細な説明は省略する。
プリント基板40上に実装されている部品、7103は
プリント基板401を移動させる搬送手段、404はそ
の移動方向を示す矢印である。レーザ光走査手段として
、405はレーザ光(原、406はレーf光源405か
らのレーザ光、407はポリゴンミラ=408はレーザ
光406をポリゴンミラー407に導くだめの鏡、40
9はfθレンズである。また光量検出手段として、41
0は集光レンズ、41]け光検出素子である。なお、1
05は光検出素子411からの輝度信号、106は2値
化手段、107はマスク記憶手段、108は判定処理手
段であり、これらは本発明の第1の実施例と同一である
ため同一番号を付して詳細な説明は省略する。
以上その動作を説明する。
部品402が実装されているプリント基板4月を搬送手
段403により矢印404の方向に移動させつつ、レー
ザ光源405からのけザ源406に対して3つの鏡10
8を用いて、回転しているポリゴンミラ156−ン ー407に導き、ポリゴンミラー407とfθ レンズ
409によりレーザ光406をプリント基板401上に
垂直に照射する。これにより、プリント基板401上に
レーザ光406を2次元的に全面走査することになる。
段403により矢印404の方向に移動させつつ、レー
ザ光源405からのけザ源406に対して3つの鏡10
8を用いて、回転しているポリゴンミラ156−ン ー407に導き、ポリゴンミラー407とfθ レンズ
409によりレーザ光406をプリント基板401上に
垂直に照射する。これにより、プリント基板401上に
レーザ光406を2次元的に全面走査することになる。
レーザ光406の走査によりプリント基板401上から
反射してくる散乱光を、fθレンズ409とポリゴンミ
ラー407を介して、更に集光レンズ410全通して光
電変換素子である光検出素子41]K集光し、輝度信号
105を出力する。
反射してくる散乱光を、fθレンズ409とポリゴンミ
ラー407を介して、更に集光レンズ410全通して光
電変換素子である光検出素子41]K集光し、輝度信号
105を出力する。
これ以後の動作は第1の実施例と同一であるので簡単に
説明するが、輝度信号105を2値化手段1.06で2
値化し、その2値化信号とマスク記憶手段107からの
マスクデータを用いて、判定処理手段108ではマスク
内における1と0の面積比率を演算し、その面積比率か
ら半田付けの良否を判定する。
説明するが、輝度信号105を2値化手段1.06で2
値化し、その2値化信号とマスク記憶手段107からの
マスクデータを用いて、判定処理手段108ではマスク
内における1と0の面積比率を演算し、その面積比率か
ら半田付けの良否を判定する。
以上の様に本実施例では、レーザ光とポリゴンミラー
fθレンズ、集光レンズ及び光検出素子を用いることに
より第1の実施例とは別手段でプリント基板の同様な輝
度信号を得ることができ、プリント基板に対して垂直に
レーザ光を照射することにより、プリント基板上の位置
による照明むらの悪影響を除去することができる。また
、ポリゴンミラーの回転数、レーザ光のスポット径及び
搬送手段の移動速度を選択することにより、CCDカメ
ラ等を用いた場合に比べて、非常に簡単にプリント基板
上の輝度信号の分解能を上げることが可能で、より精度
の高い半田付部の検査をすることができる。
fθレンズ、集光レンズ及び光検出素子を用いることに
より第1の実施例とは別手段でプリント基板の同様な輝
度信号を得ることができ、プリント基板に対して垂直に
レーザ光を照射することにより、プリント基板上の位置
による照明むらの悪影響を除去することができる。また
、ポリゴンミラーの回転数、レーザ光のスポット径及び
搬送手段の移動速度を選択することにより、CCDカメ
ラ等を用いた場合に比べて、非常に簡単にプリント基板
上の輝度信号の分解能を上げることが可能で、より精度
の高い半田付部の検査をすることができる。
以下第5図を参照しながら本発明の第3の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第5図は本発明の実装基板検査装置の第3の実施例を示
すブロック図である。第5図において、レーザ光の走査
面に対称な位置に更にひとつずつ、光量検出手段である
集光レンズ501及び光検出素子502を設け、加算手
段504により、これらの2つの光検出素子からの輝度
信号(1o5及び5o3)を加算し、2値化手段106
へ出力している以外は、本発明の実装基板検査装置の第
2の実施例に示す17 ページ 第4図と同一の構成であるため、第4図と同一の番号を
付して説明は省略する。
すブロック図である。第5図において、レーザ光の走査
面に対称な位置に更にひとつずつ、光量検出手段である
集光レンズ501及び光検出素子502を設け、加算手
段504により、これらの2つの光検出素子からの輝度
信号(1o5及び5o3)を加算し、2値化手段106
へ出力している以外は、本発明の実装基板検査装置の第
2の実施例に示す17 ページ 第4図と同一の構成であるため、第4図と同一の番号を
付して説明は省略する。
以下その動作を説明する。
第2の実施例と同様に、部品402が実装されたプリン
ト基板401を搬送手段403によシ移動させつつ、レ
ーザ光406をポリゴンミラー407に導きfθ レン
ズ409を通してプリント基板401上に垂直に照射す
る。
ト基板401を搬送手段403によシ移動させつつ、レ
ーザ光406をポリゴンミラー407に導きfθ レン
ズ409を通してプリント基板401上に垂直に照射す
る。
レーザ光406の走査によりプリント基板4旧上から反
射してくる散乱光を、 fθレンズ409とポリゴンミ
ラー407を介して、レーザ光の走査面に対称な位置に
設けた集光レンズ410 、501及び光検出素子4]
、1 、502へ導いている。そして光検出素子411
. 、502からは輝度信号105 、503が出力さ
れ、加算手段504て両輝度信号は加算され、その後2
値化手段106で2値化される。その2値化信号とマス
ク記憶手段107からのマスクデータを用いて、判定処
理手段108ではマスク内における1とOの面積比率を
演算し、その面積比率から半田(=1けの良否を判定す
る。
射してくる散乱光を、 fθレンズ409とポリゴンミ
ラー407を介して、レーザ光の走査面に対称な位置に
設けた集光レンズ410 、501及び光検出素子4]
、1 、502へ導いている。そして光検出素子411
. 、502からは輝度信号105 、503が出力さ
れ、加算手段504て両輝度信号は加算され、その後2
値化手段106で2値化される。その2値化信号とマス
ク記憶手段107からのマスクデータを用いて、判定処
理手段108ではマスク内における1とOの面積比率を
演算し、その面積比率から半田(=1けの良否を判定す
る。
18 ページ
以上の動作の中で、光量検出手段を2つ設け、得られる
2つの輝度信号を加算する作用を第6図を用いて説明す
る。
2つの輝度信号を加算する作用を第6図を用いて説明す
る。
第6図は、プリント基板上に半田付けされた部品の位置
ずれ等の原因によって生じた半田不良の様子を示す。6
01はプリント基板、602はプリント基板601に半
田付けされている部品、603は部品602の電極部、
604はランド、605は半田付は不良部、606はレ
ーザ照射光、607は反射光である。第6図(a)に示
す様な半田不良状態では、照射光606の■及び■はそ
れぞれ反射光607の■′及び■′として異なる方向へ
反射する。これを輝度信号として見ると、第6図(b)
のように、片方の光検出素子からの輝度信号では、明る
い部分は明部A608と明部B609であシ、暗い部分
は暗部61]であるのに対し、もう一方の光検出素子か
らの輝度信号では、明るい部分は明部A608と明部C
(破線部内)610であり、暗い部分は暗部61】であ
る。即ち、第6図(a)のような半田不良の場合、不良
の特徴として現われる明部の面積が、光検出19 K−
。
ずれ等の原因によって生じた半田不良の様子を示す。6
01はプリント基板、602はプリント基板601に半
田付けされている部品、603は部品602の電極部、
604はランド、605は半田付は不良部、606はレ
ーザ照射光、607は反射光である。第6図(a)に示
す様な半田不良状態では、照射光606の■及び■はそ
れぞれ反射光607の■′及び■′として異なる方向へ
反射する。これを輝度信号として見ると、第6図(b)
のように、片方の光検出素子からの輝度信号では、明る
い部分は明部A608と明部B609であシ、暗い部分
は暗部61]であるのに対し、もう一方の光検出素子か
らの輝度信号では、明るい部分は明部A608と明部C
(破線部内)610であり、暗い部分は暗部61】であ
る。即ち、第6図(a)のような半田不良の場合、不良
の特徴として現われる明部の面積が、光検出19 K−
。
手段を2つ設け、その両輝度信号を加算することにより
、より大きくとらえることができるのである。
、より大きくとらえることができるのである。
以」−の様に本実施例では、光検出手段をレーザ光の走
査面に対称な位置に設け、加算手段で両光検出手段から
の輝度信号を加算することにより、更に半田不良の特徴
を明確にとらえることができるようになり、半田付は部
の良否の判定精度を向上させることができる。
査面に対称な位置に設け、加算手段で両光検出手段から
の輝度信号を加算することにより、更に半田不良の特徴
を明確にとらえることができるようになり、半田付は部
の良否の判定精度を向上させることができる。
なお本実施例では、両光検出手段からの輝度信号を加算
手段で加算し、た後2値化手段で2値化しているが、両
輝度信号をまずそれぞれ2値化手段により2値化U2、
その後置2値化信号を論理OR。
手段で加算し、た後2値化手段で2値化しているが、両
輝度信号をまずそれぞれ2値化手段により2値化U2、
その後置2値化信号を論理OR。
回路などの合成手段により合成しても、本実施例と同様
の効果を得ることができ、この2値化手段表両輝度伯号
の合成の順序は何ら本発明を限定するものではない。
の効果を得ることができ、この2値化手段表両輝度伯号
の合成の順序は何ら本発明を限定するものではない。
次に、本発明の実装基板検査装置の第・1の実施例を、
本発明の第1の実施例で用いた第2図(b)を用いて説
明する。同図では部品が半田イ」けされだ位置(4両ラ
ンド207のほぼ中央であるが、部品の位置ずれ等によ
って生ずる半田不良は右側あるいは左側だけの明部と暗
部の[h1積比だけては判定が微妙になり、不良として
検出い((< < 7(、ることかある。
本発明の第1の実施例で用いた第2図(b)を用いて説
明する。同図では部品が半田イ」けされだ位置(4両ラ
ンド207のほぼ中央であるが、部品の位置ずれ等によ
って生ずる半田不良は右側あるいは左側だけの明部と暗
部の[h1積比だけては判定が微妙になり、不良として
検出い((< < 7(、ることかある。
よって、判定処理手段108においてマスクA2o)と
マスクB211の両刀の]9]部と暗部をそノ1ぞれ加
算手段(図示せず)により加算し、ベアでひとつの面積
比率を演算して総合的に比較することにより判定精度が
向上でき、位(6ずれ等に対(7ても許容範囲が広く設
定できる。
マスクB211の両刀の]9]部と暗部をそノ1ぞれ加
算手段(図示せず)により加算し、ベアでひとつの面積
比率を演算して総合的に比較することにより判定精度が
向上でき、位(6ずれ等に対(7ても許容範囲が広く設
定できる。
発明の効果
以上述べてきたように本発明の効果としては、輝度信号
を任意の閾値で2値化し、その2値化信号とマスクデー
タによりマスク内における]と0の面積比率を演算し、
その面積比率から半a1イiけの良否を判定することに
より、位置ずれに左右されることなく、半田の量をも判
定できるようになり、検査の自動化や作業効率向上とい
う多大な効果を得ることができる。
を任意の閾値で2値化し、その2値化信号とマスクデー
タによりマスク内における]と0の面積比率を演算し、
その面積比率から半a1イiけの良否を判定することに
より、位置ずれに左右されることなく、半田の量をも判
定できるようになり、検査の自動化や作業効率向上とい
う多大な効果を得ることができる。
2] ベージ
まだ輝度信号を得る方法上して、レーザ光を用い、fθ
レンズとポリゴンミラーによりプリント基板に対し2
て垂直に照射することにより、プリント基板上の位置に
よる照明むらを考える必要がなくなる。また、光検出手
段をレーザ光の走査面に対称な位置に設け、両光検出手
段から得られる2つの輝度信号を加え合わせることによ
り、半田不良の特徴を更に明確にとらえることができる
よう(でなり、判定精度を向上させることができる。
レンズとポリゴンミラーによりプリント基板に対し2
て垂直に照射することにより、プリント基板上の位置に
よる照明むらを考える必要がなくなる。また、光検出手
段をレーザ光の走査面に対称な位置に設け、両光検出手
段から得られる2つの輝度信号を加え合わせることによ
り、半田不良の特徴を更に明確にとらえることができる
よう(でなり、判定精度を向上させることができる。
捷だ半田部が2個所ある場合、ペアで判定することによ
りさらに判定精度を向上させることができる。
りさらに判定精度を向上させることができる。
第1図は本発明の第1の実施例における実装基板検査装
置のブロック結線図、第2図は同装置による半田付は部
長否判定方法の説明図、第3図は同装置による半田の状
態と0の面積比率の関係を示す図、第4図は本発明の第
2の実施例における実装基板検査装置のブロック結線図
、第5図は本発明の第3の実施例における実装基板検査
装置の22ベ ブロック結線図、第6図は位置ずれ等に起因する半田不
良の状態図、第7図は従来の半aE付は部検査の累積度
数分布の特性図である。 101・・プリント基板、102・部品、103 照
明手段、104・撮像手段、1.06−・2値化手段、
107・・・マスク記憶手段、108・・判定処理手段
、405・レーザ光源、407・・・ポリゴンミラー
409・・ fOレンズ、410 ・集光レンズ、41
]・・・光検出素子。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第 図 第 図 HRの階振
置のブロック結線図、第2図は同装置による半田付は部
長否判定方法の説明図、第3図は同装置による半田の状
態と0の面積比率の関係を示す図、第4図は本発明の第
2の実施例における実装基板検査装置のブロック結線図
、第5図は本発明の第3の実施例における実装基板検査
装置の22ベ ブロック結線図、第6図は位置ずれ等に起因する半田不
良の状態図、第7図は従来の半aE付は部検査の累積度
数分布の特性図である。 101・・プリント基板、102・部品、103 照
明手段、104・撮像手段、1.06−・2値化手段、
107・・・マスク記憶手段、108・・判定処理手段
、405・レーザ光源、407・・・ポリゴンミラー
409・・ fOレンズ、410 ・集光レンズ、41
]・・・光検出素子。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第 図 第 図 HRの階振
Claims (4)
- (1) プリント基板上に配置・半田付けされた部品を
前記プリント基板の法線方向より照明する照明手段と、
前記プリント基板の法線方向より前記プリント基板を撮
像する撮像手段と、前記撮像手段からの輝度信号を任意
の閾値で2値化する2値化手段と、前記プリント基板上
に設けてある半田付け用のランドの位置にマスク処理を
する予め定めた任意サイズのマスクデータを格納するマ
スク記憶手段と、前記2値化手段からの2値化信号と前
記マスク記憶手段からのマスクデータにより、マスク内
における1と0の面積比率を演算し、面積比率から半田
付けの良否を判定する判定処理手段とを具備する実装基
板検査装置。 - (2) 輝度信号を得る手段として、プリント基板を搬
送する搬送手段と、レーザ光源からのレーザ光をポリゴ
ンミラーとfθレンズにより前記プリント基板上を走査
するレーザ光走査手段と、前記レーザ光の走査により前
記プリント基板上から反射して得られる散乱光を、前記
fθレンズとポリゴンミラーを介して反射させ、更に集
光レンズで光検出素子に集光し輝度信号を出力する光量
検出手段とからなることを特徴とする請求項1記載の実
装基板検査装置。 - (3) 2つの光量検出手段を、レーザ光の走査面に対
称な位置に設け、それぞれの光量検出手段から得られる
輝度信号をそれぞれ2値化手段により2値化した後、両
方の2値化信号を合成手段により合成するか、もしくは
それぞれの輝度信号を加算手段により加算した後、2値
化手段により2値化信号を得ることを特徴とする請求項
2記載の実装基板検査装置。 - (4) 半田の良否の判定を行う判定処理手段は、半田
付けする個所が2個所ある部品については、両方のマス
ク内の1と0の面積をそれぞれ加算し、ペアでひとつの
面積比率を演算することにより半田付けの良否を判定す
る判定処理手段としたことを特徴とする請求項1記載の
実装基板検査装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033040A JPH0752158B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 実装基板検査装置 |
| US07/478,339 US5027418A (en) | 1989-02-13 | 1990-02-12 | Electro-optical inspection apparatus for printed-circuit boards with components mounted thereon |
| EP90301491A EP0383532B1 (en) | 1989-02-13 | 1990-02-13 | Electro-optical inspection apparatus for printed-circuit boards with components mounted thereon |
| DE69018668T DE69018668T2 (de) | 1989-02-13 | 1990-02-13 | Elektro-optisches Inspektionsgerät für gedruckte Leiterplatten mit darauf montierten Bauelementen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033040A JPH0752158B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 実装基板検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212747A true JPH02212747A (ja) | 1990-08-23 |
| JPH0752158B2 JPH0752158B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12375676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1033040A Expired - Lifetime JPH0752158B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 実装基板検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752158B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464761U (ja) * | 1990-10-17 | 1992-06-03 | ||
| JPH0593699A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Hitachi Eng Co Ltd | ボトルシ−ルの外観検査装置とその方法 |
| JPH07209205A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Shimu:Kk | 半田付状態検査方法及びその装置 |
| JP2007305724A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペーストの転写状態判定装置およびペーストの転写状態判定方法 |
| JP2008041758A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Juki Corp | フラックスの転写状態検査方法及び装置 |
| JP2016070723A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 大日本印刷株式会社 | 半田検査装置および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969728A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Fujitsu Ltd | 楕円ビ−ムの形成方法 |
| JPS6413442A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Toyo Denshi Kk | Inspection device for soldered part |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1033040A patent/JPH0752158B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969728A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Fujitsu Ltd | 楕円ビ−ムの形成方法 |
| JPS6413442A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Toyo Denshi Kk | Inspection device for soldered part |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464761U (ja) * | 1990-10-17 | 1992-06-03 | ||
| JPH0593699A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Hitachi Eng Co Ltd | ボトルシ−ルの外観検査装置とその方法 |
| JPH07209205A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Shimu:Kk | 半田付状態検査方法及びその装置 |
| JP2007305724A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペーストの転写状態判定装置およびペーストの転写状態判定方法 |
| JP2008041758A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Juki Corp | フラックスの転写状態検査方法及び装置 |
| JP2016070723A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 大日本印刷株式会社 | 半田検査装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752158B2 (ja) | 1995-06-05 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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