JPS5969758A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5969758A JPS5969758A JP18044182A JP18044182A JPS5969758A JP S5969758 A JPS5969758 A JP S5969758A JP 18044182 A JP18044182 A JP 18044182A JP 18044182 A JP18044182 A JP 18044182A JP S5969758 A JPS5969758 A JP S5969758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive layer
- base body
- photoreceptor
- substrate
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は純セレンおよびセレン／テルル系電子写真用感
光体の製造方法に関する。
光体の製造方法に関する。
この種の感光体は電子写真プロセスの繰り返しの際、交
流除電あるいは負極性の直流除１■、により、次のよう
な疲労現象が生ずることが知られている。
流除電あるいは負極性の直流除１■、により、次のよう
な疲労現象が生ずることが知られている。
１１１除電後負の電位が残ることによりその後の帯電プ
ロセスにて電位低下を起こす。
ロセスにて電位低下を起こす。
（２）画像地汚れに和尚する繰返し残留電位の上昇が強
くなる。特にＳｅおよびＳｅ／Ｔｅ系感光体においては
、例えば繰返し残留電位の上昇は、感光層中のトラップ
数の増加さして観察されるが、この程度は交流除電もし
くは直流負除電により極端に変化することが知られてい
る。この錘の疲労特性に対しては、ＳｅもしくはＳｅ／
’ｌ’ｅ系感光体において内因的なものより、外因的な
ものの方が効果が大きい。
くなる。特にＳｅおよびＳｅ／Ｔｅ系感光体においては
、例えば繰返し残留電位の上昇は、感光層中のトラップ
数の増加さして観察されるが、この程度は交流除電もし
くは直流負除電により極端に変化することが知られてい
る。この錘の疲労特性に対しては、ＳｅもしくはＳｅ／
’ｌ’ｅ系感光体において内因的なものより、外因的な
ものの方が効果が大きい。
従って外因的なものとして負帯電を抑える事、すなわち
感光層から導電基体へ向けて順方向の整流性の良好な感
光体であることが望才しい。この種の低疲労化の方策と
して、ＳｅへのＴｅ添加あるいは蒸着のための熱源への
入力の増大にょるＳｅの構造の変化などが知られている
が、例えば前者については温度特性の劣化、後者につい
ては蒸着条件の制御の困難さが問題とな礼でいる。
感光層から導電基体へ向けて順方向の整流性の良好な感
光体であることが望才しい。この種の低疲労化の方策と
して、ＳｅへのＴｅ添加あるいは蒸着のための熱源への
入力の増大にょるＳｅの構造の変化などが知られている
が、例えば前者については温度特性の劣化、後者につい
ては蒸着条件の制御の困難さが問題とな礼でいる。
本発明は、これに対して感光層、基体間の整流性の良好
な感光体の制御容易な製造方法を提供することを目的と
する。
な感光体の制御容易な製造方法を提供することを目的と
する。
この目的は、導電性基体上にセレンまたはセレン・テル
ル系合金よりなる感光層を蒸着する際に基体の温度を６
５℃以上に保持することによって達成される。基体温度
は６８〜７５℃が特に望ましい。
ル系合金よりなる感光層を蒸着する際に基体の温度を６
５℃以上に保持することによって達成される。基体温度
は６８〜７５℃が特に望ましい。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
１図に示すようなアルミニウム基板１の上に純Ｓｅより
なる感光層２を蒸着する際の基板温度を変えて円筒状感
光体を製作し、第２図に示す装置で負帯電値を測定した
。第２図において、回転する感光体１１に対向して直流
負極性帯電極１２および表面電位針プローブ１３が配置
されている。
１図に示すようなアルミニウム基板１の上に純Ｓｅより
なる感光層２を蒸着する際の基板温度を変えて円筒状感
光体を製作し、第２図に示す装置で負帯電値を測定した
。第２図において、回転する感光体１１に対向して直流
負極性帯電極１２および表面電位針プローブ１３が配置
されている。
測定の結果得られた負帯電値−基板温度の関係曲線と第
３図に示す。基板温度が６８℃を越えると負帯電はほと
んど零である。なお７９℃以上（Ａ領域）では、感光層
において基体側の結晶化が発生し、特性に大きな乱れが
起こる。
３図に示す。基板温度が６８℃を越えると負帯電はほと
んど零である。なお７９℃以上（Ａ領域）では、感光層
において基体側の結晶化が発生し、特性に大きな乱れが
起こる。
次に第３図に示した各試料の内基板温度６０℃のものと
７２℃のものと第４図に示す装置でプロセスを繰返して
残留電位を測定した。第４図において回転する感光体１
１の周りに、直流正極性帯電電極１２、表面電位針プロ
ーブ１３、露光１４、直流負極性除電電極１５、除電光
１６、残留電位測定用プローブ１７が順次配置されてい
る。この装置により測定した結果を第１表および第５図
に示す。
７２℃のものと第４図に示す装置でプロセスを繰返して
残留電位を測定した。第４図において回転する感光体１
１の周りに、直流正極性帯電電極１２、表面電位針プロ
ーブ１３、露光１４、直流負極性除電電極１５、除電光
１６、残留電位測定用プローブ１７が順次配置されてい
る。この装置により測定した結果を第１表および第５図
に示す。
第１表
試料Ａ、Ｂは基板温度を除いてはすべて同一条件で製造
されたものである。電位Ｖ＋、Ｖｚはプローブ１３によ
り、電位Ｖ３はプローブ１７により測定した。第５図は
プローブ１７で測定された残留電位とプロセス繰返し回
数、すなわち感光体１１の回転数との関係を示し、第１
表および第５図から分かるように、負帯電の影響を受け
ない初期黒紙電位は大きな差はないのに、負帯、電のの
りの悪い試料は負帯電ののりやすい試料に比して残留電
位を差引いた黒紙電位の電位低下量および残留電位にお
ける疲労特性の大幅な向上が見られる。
されたものである。電位Ｖ＋、Ｖｚはプローブ１３によ
り、電位Ｖ３はプローブ１７により測定した。第５図は
プローブ１７で測定された残留電位とプロセス繰返し回
数、すなわち感光体１１の回転数との関係を示し、第１
表および第５図から分かるように、負帯電の影響を受け
ない初期黒紙電位は大きな差はないのに、負帯、電のの
りの悪い試料は負帯電ののりやすい試料に比して残留電
位を差引いた黒紙電位の電位低下量および残留電位にお
ける疲労特性の大幅な向上が見られる。
以−Ｆ述べたように、本発明はＳｅおよびＳ ｅ ／Ｔ
ｅ電子写真用感光体の製造方法において、基体温度を高
く調整することにより感光層、基体間の整流性が良く、
負帯電ののりにくい感光体を得るもので、これによって
低疲労の感光体を安定して製造することが可能になり、
得られる効果は極めて大きい。
ｅ電子写真用感光体の製造方法において、基体温度を高
く調整することにより感光層、基体間の整流性が良く、
負帯電ののりにくい感光体を得るもので、これによって
低疲労の感光体を安定して製造することが可能になり、
得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の対象である電子写真用感光体の構造を
示す断面図、第２図は負帯電実験装置の配置図、第３図
は第２図の装置で得られた負帯電値−基板温度関係線図
、第４図はプロセス繰返し試験装置の配置図、第５図は
第４図に示す装置で得られた本発明の一実施例による感
光体試料と比較感光体試料の残留電位−繰返し数関係線
図である。 １・・・アルミニウム基板、２・・・８ｅ感光層。 オｌｌ５０ ′ｆ２ｍ 基鈑シＷｒｊｇ（ａｃ） 才４区
示す断面図、第２図は負帯電実験装置の配置図、第３図
は第２図の装置で得られた負帯電値−基板温度関係線図
、第４図はプロセス繰返し試験装置の配置図、第５図は
第４図に示す装置で得られた本発明の一実施例による感
光体試料と比較感光体試料の残留電位−繰返し数関係線
図である。 １・・・アルミニウム基板、２・・・８ｅ感光層。 オｌｌ５０ ′ｆ２ｍ 基鈑シＷｒｊｇ（ａｃ） 才４区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）導電性基体上にセレンまたはセレン・テルル系合金
よりなる感光層を蒸着する際に、基体の温度を６５℃以
上に保持することを特徴とする電子写真用感光体の製造
方法。 ２、特許請求の範囲第１項記範の方法において、基体の
温度を６８℃ないし７５℃に保持することを特徴とする
電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18044182A JPS5969758A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18044182A JPS5969758A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969758A true JPS5969758A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16083285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18044182A Pending JPS5969758A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508257A (ja) * | 2000-03-29 | 2004-03-18 | ラファルゲ・アルミネイテス | 非白華形成性セメント質ボディ |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP18044182A patent/JPS5969758A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004508257A (ja) * | 2000-03-29 | 2004-03-18 | ラファルゲ・アルミネイテス | 非白華形成性セメント質ボディ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2803542A (en) | Xerographic plate | |
| US4286033A (en) | Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device | |
| US4338387A (en) | Overcoated photoreceptor containing inorganic electron trapping and hole trapping layers | |
| US2901349A (en) | Xerographic plate | |
| JPS59223439A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US3914126A (en) | Nickel oxide interlayers for photoconductive elements | |
| JPH021303B2 (ja) | ||
| JPS59223444A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS61204637A (ja) | 多層型像形成部材 | |
| US4126457A (en) | Evaporation technique for producing high temperature photoreceptor alloys | |
| US2863768A (en) | Xerographic plate | |
| JPS5969758A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPS5860746A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US3498835A (en) | Method for making xerographic plates | |
| JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
| US3975635A (en) | Xeroradiographic plate | |
| JPH04278957A (ja) | 電子写真用感光体とその製造方法 | |
| US3619153A (en) | Photoconductive element and process employing a substituted silylisobutylethylenediamine adhesive interlayer | |
| JPH01179166A (ja) | 両極性帯電型電子写真感光体 | |
| JPS6161105B2 (ja) | ||
| US3508918A (en) | Xerographic plate containing aluminum selenide barrier layer | |
| JP4231179B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60111254A (ja) | 電子写真感光層の製造方法 | |
| US4330609A (en) | Method of imaging a trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device | |
| JPS6335978B2 (ja) |