JPS6161105B2 - - Google Patents
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- JPS6161105B2 JPS6161105B2 JP8065578A JP8065578A JPS6161105B2 JP S6161105 B2 JPS6161105 B2 JP S6161105B2 JP 8065578 A JP8065578 A JP 8065578A JP 8065578 A JP8065578 A JP 8065578A JP S6161105 B2 JPS6161105 B2 JP S6161105B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外線可
視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な
電磁波を利用して像形成するのに使用される電子
写真用像形成部材に関する。 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料としては、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が一般的に使用されて
いる。 両乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写
真用像形成部材に於いては、未だ諸々の解決され
得る可き点があつて、ある程度の条件緩和をし
て、個々の状況に応じて各々適当な電子写真用像
形成部材を使用し、その傍、改善改良を計つてい
るのが実情である。 他方、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料として、新しい第３の材料の開発
も進められている。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと略記
する）がある。 ａ−Si膜は、開発初期のころは、その製造法や
製造条件によつて、その構造が左右される為に
種々の電気的特性、光学的特性を示し、再現性の
点に大きな問題を抱えていた。例えば、初期にお
いて、真空蒸着法やスパツタ−リング法で形成さ
れたａ−Si膜は、ポイド等の欠陥を多量に含んで
いて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程
注目されてはいず、応用の為の研究開発もされな
かつた。而乍ら、アモルフアスではＰ、ｎ制御が
不可能とされていたのが、ａ−Siに於いて、1976
年初頭にアモルフアスとして初めてｐ−ｎ接合が
実現し得るという報告（Applid Physics
Letter；Vol 28、No.２、15 January 1976）が成
されて以来、大きな関心が集められ、以後主とし
て太陽電池への応用に研究開発力が注がれて来て
いる。 この為、これ迄に報告されているａ−Si膜は、
太陽電池用として開発されたものであるので、そ
の電気的特性・光学的特性の点に於いて、電子写
真用像形成部材の光導電層としては使用し得ない
のが現状である。即ち、太陽電池は、太陽エネル
ギーを電流の形に変換して取り出すので、SN比
が良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ−Si
膜の抵抗は比較的小さくなければならないが、余
り抵抗が小さ過ぎると光感度が低下し、SN比が
悪くなるので、その特性の一つとしての抵抗は
105〜108Ωcm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ−Si膜は、電子写真用像形成部材
の光導電層としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が
低過ぎて、現在、知られている電子写真法を適用
するのでは全く使用し得ない。 又、電子写真用像形成部材の光導電層構成材料
としては、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に
較べて２〜４桁程度小さいことが要求されるが、
従来、報告されているａ−Si膜では精々２桁程度
あるので、この点に於いても従来のａ−Si膜で
は、その特性を充分満足し得る光導電層とは成り
得なかつた。 又、別には、これ迄のａ−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増大させると光感度が低下し、例え
ば、暗抵抗が1010Ω・cmでのａ−Si膜では、明
抵抗も同程度の値を示すことが示されているが、
この点に於ても、従来のａ−Si膜は電子写真用像
形成部材の光導電層とは成り得なかつた。 従つて、電子写真用像形成部材の光導電層とし
て充分適用される可き暗抵抗と光感度を具備する
ａ−Si膜が再現性と生産性を加味して開発される
必要がある。 ところで、ａ−Si層は一般的には、グロー放電
法やスパツタリング法等の放電現象を利用する堆
積法によつて適当な支持体上に形成される。 この様な堆積法によつてａ−Si層を形成する場
合、層形成時の支持体温度によつて形成された層
の暗抵抗と光感度が変わることは種々の報告書や
文献に示されている。 即ち、例えば、支持体温度を400℃程度の高温
に保持して層形成すれば電気的特性の一つである
明抵抗の減少を計る事が出来る。而乍らａ−Siの
層成長速度は、例えばSe等に較べて遥かに遅い
為、先の様な高温を電子写真用像形成部材の光導
電層に要求される層厚になる迄精度良く一定に維
持することは甚だ困難である。更に、電子写真用
像形成部材の光導電層としては、総受光面は、通
常の場合であつても、例えばA4判やB4判程度以
上の大面積を要するものであるから、この様な大
面積に亘つて層形成終了まで先に示した様な高温
状態を均一に保持する為に温度制御することは現
在の技術では至難の術である。然も、支持体温度
を変化させる場合に於いても、先の様な大面積に
亘つて、場所による温度の変化率斑のない様に制
御することすらも難かしい。 この様に所望の暗抵抗及び明抵抗を得る為に支
持体温度を高温で長時間且つ温度斑のない様に大
面積に亘つて制御するのは極めて困難である。従
つて、層形成時の場所及び時間による温度斑が生
じ大面積に亘つて層厚の均一化が計れないばかり
か、電子写真用像形成部材の光導電層に要求され
る電気的及び光学的特性の均一化を計ることも出
来ない。 本発明は上記の点に鑑み成されたものであつ
て、ａ−Si形成用の材料の存在下で後述するある
特定の条件下でプラズマを生起させれば極めて光
感度の高いａ−Siが粉末状として単時間に多量得
られ、然も斯かるａ−Si粉末粒子はそのまま単一
構成材料系の光導電層としたのでは、電子写真用
像形成部材の光導電層としては適用され得ない
が、親和性のある結着剤中に分散させたタイプの
光導電層とすれば、極めて電子写真特性に優れた
光導電層と成り得る事を見出した点に基いてい
る。 本発明の電子写真用像形成部材は、支持体と、
光導電材料粉末粒子が結着剤中に分散されて層形
成されている光導電層とを有する電子写真用像形
成部材に於いて、光導電材料粉末粒子が10〜40原
子％の水素を含有するアモルフアスシリコン粉末
粒子である事を特徴とする。 この様に、ａ−Si粉末を結着剤中に分散して光
導電層を形成する場合にはａ−Si粉末粒子が短時
間に多量生産され得るのでグロー放電法やスバツ
ターリング法等の放電現象を利用する堆積法によ
つて、ａ−Si光導電層を形成する場合に較べて、
厳密な支持体温度の制御を、然も長時間行う必要
がない、前記の堆積法によつてａ−Si光導電層を
形成する場合の様に層成長速度の緩慢さに由来す
る生産効率上の不利がない生産設備の資本投下が
それ程多くない、幾らでも大きな面積を有する光
導電層が、然も如何様な形状の支持体へも形成す
る事が出来る、等々、前記の堆積法によつてａ−
Si光導電層を形成する場合にはない工業的に優れ
た効果を有する。 又、形成された電子写真用像形成部材は、高感
度であり、繰返し使用に優れていると共に機械的
強度が強く、又、帯電作用や放電作用に対して常
時安定しており、クリーニング性、転写効率にも
優れ、常に多数枚の良質のコピーを提供し得る。 本発明の電子写真用像形成部材は、基本的に
は、後述する方法によつて製造されたａ−Si粉末
粒子を必要に応じて溶剤を使用して所定の特性を
有する結着剤と共に混練し、金属等の適当な支持
体上に塗布し、固化させて光導電層を形成する事
によつて得られる。 本発明に於て、使用される支持体としては、通
常電子写真分野に於いて使用される支持体の殆ん
どのものが有効であるが、製造される像形成部材
の形態、例えば静電像形成の為の帯電時に支持体
側より光導電層中に電荷が注入される必要がある
か否かによつて使用される支持体の種類は異なる
ものであるから、像形成部材の形態に合せて、適
宜選択して最良のものを使用する様にするのが望
ましい。 本発明に於いて、使用される支持体としては例
えば、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の
合金等の導電性支持体、或いは、合成樹脂のフイ
ルム又はシート、又はガラス、セラミツク等の電
気絶縁性支持体が挙げられる。支持体はその上に
光導電層が形成される前に、一連の清浄処理が施
されるのが望ましい。この様な清浄処理に於て、
一般的には、例えば金属性支持体であれば、エツ
チングによつて表面を効果的に清浄化するアルカ
リ性又は酸性の溶液と接触される。その後支持体
は清浄雰囲気中で乾燥され、その後の準備処理が
なければ、次いでその上に光導電層が形成され
る。電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じ
て、その表面を導電処理される。 例えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。 支持体の厚さは、所望通りの像形成部材が形成
される様に適宜決定されるが、像形成部材として
可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば、可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合、支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 ａ−Si粉末粒子と共に光導電層を構成する材料
である結着剤としては、本発明の目的を達成す可
く、製造されたａ−Si粉末粒子の電気的特性、光
学的物性及び該ａ−Si粉末粒子との化学的・物理
的親和性等を考慮して、所望とし得る材料から適
宜選択して使用される。その様な材料としては、
通常、電子写真分野において、使用されている、
成膜能を有し電気絶縁性である樹脂結着剤の多く
のものが有効に使用される。 この様な樹脂結着剤としては、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹
脂、Ｘ線硬化性樹脂等であり、具体的には、フエ
ノール樹脂：フラン樹脂：キシレン樹脂：ホルム
アルデヒト樹脂：尿素樹脂：メラミン樹脂：アニ
リン樹脂：スルホンアミド樹脂：アルキド樹脂：
不飽和ポリエステル樹脂：エポキシ樹脂：トリア
リルシアヌレート樹脂：ポリエチレン：ポリプロ
ピレン：ポリスチレン：ポリ酢酸ビニル：ポリア
クリレート：ポリメタクリレート：ポリ塩化ビニ
ル：ポリ塩化ビニリデン：ポリテトラフルオロエ
チレン：ポリクロロトリフルオロエチレン：ポリ
フツ化ビニル：ポリ弗化ビニリデン：テトラフル
オロエチレン：ヘキサフルオロプロピレン共重合
体：クロロトリフルオロエチレン：弗化ビニリデ
ン共重合体等の弗素樹脂：ポリアクリロニトリ
ル；ポリビニルエーテル：ポリビニルケトン：ポ
リエーテル：ポリカーボネート：ポリエステル：
ナイロン６、ナイロン66、ナイロン６／66等のポ
リアミド：ポリウレタン：シリコーン酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、プロピオン酢酸セルロ
ース、、等のセルロース誘導体：等々が挙げら
れ、これ等は、必要に応じて２種以上混合して使
用しても良い。 本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤
として、上記した樹脂結着剤から適宜選択して使
用されるものであるが又、別にはａ−Si粉末粒子
との化学的近似性の点から、成膜能を有するシリ
コーンワニス、シリコーンゴム等のシリコーン系
化合物も結合剤として有効に使用され得る。 シリコーンワニスとしては、塗膜形成用ワニ
ス、各種塗料用ビヒクル、あるいは成形材料用の
ベースレンジとして使用されるシリコーンワニス
が挙げられ、例えば次式で示されるようなポリシ
ロキサンを主体としてなる純シリコーンワニス、 ケイ素原子に結合した水酸基やアルコキシ基を
もつ例えば次式の如き低分子量ポリシロキサンを
主体としてなるシリコーン中間体、 また、各種樹脂をシリコーン中間体あるいはシ
ランカツプリング剤、純シリコーンワニスと反応
させることにより得られる各種樹脂のシリコーン
変性ワニスが挙げられ、例えば アルキツド変性シリコーンワニスとしては分子
中に なる構造を有するもの、エポキシシリコーンワニ
スとしては例えば ポリエステル変性シリコーンワニス アクリル変性シリコーンワニス フエノール変性シリコーンワニス ポリウレタン変性シリコーンワニス メラミン変性シリコーンワニス等があり、 更に無溶剤シリコーンワニスとして次式で表わ
される如きシリコーンワニスも挙げられる。 （φ：C6H5、Me；CH3、Ｖ；CH2＝CH） シリコーンゴムとしては熱硬化型と常温硬化型
（一般にRTVと称す）とに区別されるが、本発明
では常温硬化型（RTV型）の方が好ましく使用
されるものである。 RTVシリコーンゴムには一液型と二液型があ
るがどちらも選択が可能である。 一液型RTVシリコーンゴムとしては一般式 （ここではR1、R2はアルキル基、フエニル基、ビ
ニル基、三フツ化プロピル基等）から成る主鎖の
末端にアセトキシ基、オキシム基、アコキシル
基、又はアルキル基を付けたもので、空気中の湿
分により脱酢酸、脱オキシム、脱アルコール、脱
アミンの縮合反応が進行し常温から比較的低い温
度で架橋構造をとるもので、前記縮合反応の型に
より脱酢酸型一液性常温硬化型シリコーンゴム、
脱オキシ型一液性常温硬化型シリコーンゴム、脱
アルコール型一液性常温硬化型シリコーンゴム、
脱アミン型一液性常温硬化型シリコーンゴムの４
つの型を挙げることができる。 次に二液性常温硬化型シリコーンゴムも使用可
能でありこのシリコーンゴムはベースオイルとし
てジオルガノポリシロキサンと架橋剤として３官
能性以上のシラン又はシロキサン及び硬化触媒な
どから構成され、硬化機構としては縮合反応型
（脱アルコール縮合反応型、脱水縮合反応型、脱
水素縮合反応型）及び付加反応型がある。 本発明の目的と達成する為に結着剤として使用
される上記シリコーン系化合物としては、市販さ
れているシリコーン系のワニス、ゴム等の多くの
ものが有効に使用され、例えば、具体例として信
越化学工業株式会社のKR251、KR255、
KR5240、KR114、KE10RTV、KE66RTV、
KE1204(B)、KE104Gel、KE103RTV、
KE111RTV、KE1400RTV、KE41RTV、
KE44RTV、KE445RTV、KE42S−RTV、
KE441RTV、KE45S−RTV、KE48RTV、
KE102RTV、KE1206RTV、KE16、
KE1091RTV、KE12RTV、KE112RTV、
KJR601、KJR4010、東芝シリコーン株式会社の
TSR144、TSR1205、TSR1291、YR3110、
TSE370RTV、TSE328RTV、TSE371RTV、
TSE353RTV、TSE380RTV、TSE3402RTV、
TSE3503RTV、TSE−350−5RTV、
TSE300RTV、RTV11、TSE370−RTV、
YE3085、YE5505、トーレ・シリコーン株式会社
のSH630、SH850、SH6005、R4−3117、
SH649、SH6101、SH6100、SE5011RTV、
SH780、SH738、SH9551、SH9583、SH9731、
SH1820、SH1840、SH643、SH2104、富士高分子
工業株式会社のベルガンＣ、ベルガンＤ、ベルガ
ンＦ、FSXR−2622、シラスコンRTV6501、シラ
スコンRTV6521、シラスコンRTV6700、シラス
コンRTV6601、シラスコンRTV6589、FSXS−
2279、シルポツト200、シラシール3FW、シロテ
ツクス32B、FSXF−2500等を上げることがで
き、必要に応じてこれ等結着剤として使用される
化合物を２種以上混合使用しても良い。 更に、本発明に於いては結着剤として、電気絶
縁性であつて、成膜性のある合成ゴムの多くのも
のが有効に使用され得る。具体的には例えば、ポ
リブタジエンゴム、ブタジエンアクリロニトクル
ゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられ
る。 これ迄に列挙した結着剤の中で、殊に体積固有
抵抗が1012Ω・cm以上、好適には1013Ω・cm以
上、最適には1014Ω・cm以上のものの中から選択
して使用するのが望ましい。 又、絶縁耐力として通常、10KV／mm以上、好
適には15KV／mm以上、最適には20KV／mm以上の
ものから選択されると良い。 本発明に於いて、光導電層を形成する際の上記
結着剤の量は、所望とする電子写真特性を有する
光導電層が形成される可く適宜決定されるもので
あるが、ａ−Si粉末粒子との重量比で通常は５〜
60Wt％、好適には８〜50wt％最適には10〜40wt
％とされる。 ａ−Si粉末粒子を結着剤と共に混練分散させる
為の溶剤としては使用される結着剤の種類に応じ
て、ａ−Si粉末粒子に悪影響を与えないものから
選択される。この様な溶剤としては、通常、市販
されている有機溶剤の多くのものが有効に使用さ
れ得る。具体的に挙げれば、例えば塩化メチレ
ン、クロロホルム、二塩化エタン、１・１・２三
塩化エタン、三塩化レチレン、四塩化エタン、四
塩化炭素、１・２塩化プロパン、１・１・１三塩
化エタン、四塩化エチレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸イソアミル、セロソルビアセテート、
トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ルおよびブチルアルコール等のアルコール類など
が挙げられる。 本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤
として、前記の材料の他、光感度の向上、層中で
の電荷移動性の向上等の目的で、所謂有機光電材
料を使用しても良い。 使用される有機光導電材料としては、非光照射
時の抵抗（暗抵抗）及び成膜性として前記した結
着剤に就て記した特性と同様の特性を有するもの
から選択して使用するのが望ましい。その様な有
機光導電材料としては、PVK、カルバゾール、
Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカル
バゾール、Ｎ−フエニルカルバゾール、テトラフ
エニルビレン、１−メチルビレン、ペリレン、ク
リセン、アトラセン、テトラセン、テトラフエ
ン、２−フエニルナフタリン、アザピレン、フル
オレン、フルオレノン、１−エチルピレン、アセ
チルピレン、２・３−ベンゾグリセリン、３・４
−ベンゾピレン、１・４−ブロモピレン、フエニ
ルインドール、ポリビニルピレン、ポリビニルテ
トラセン、ポリビニルベリレン、ポリビニルテト
ラフエン、ポリアクリロニトリル、PVK：TNF
（単量体でのモル比１：１）に、テトラニトロフ
ルオレノン、ジニトロアントラセン、ジニトロア
クリデン、テトラシアノフイレン、ジニトロアン
トラキノン等が挙げられる。 これらの有機光導電材料は、要求される特性を
低下させない範囲に於いて、２種以上混合して使
用しても良いし、又、前記した電気絶縁性の結着
剤と混合して使用しても良い。 ａ−Si系光導電層の層厚としては、所望される
電子写真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要
求されるか否か或いは、適用されるａ−Si粉末粒
子の粒経、暗減衰特性、又は形成された光導電層
の電気的、光学的特性の均一化の点等に応じて適
宜決定されるものがあるが、通常の場合10〜80
μ、好適には15〜70μ最適には20〜50μとされる
のが望ましい。 本発明の電子写真用像形成部材に於いては、上
記の様に支持体と光導電層を基本的層構成とする
ものであるが、更に光導電層上に所謂保護層や電
気絶縁層と称される表面被覆層を設けても良い。 本発明に於いて、表面被覆層に要求される特性
は、適用する電子写真プロセスによつて各々異な
る。即ち、例えば、特公昭42−23910号公報、同
43−24748号公報に記載されている如きNP方式の
様な電子写真プロセスを適用するのであれば、表
面被覆層は、電気的絶縁性であつて、帯電処理を
受けた際の静電荷保持能が充分あつて、ある程度
以上の厚みがあることが要求されるが、例えば、
カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適
用するのであれば、静電像形成後の明部の電位は
非常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚
さとしては非常に薄いことが要求される。表面被
覆層は、その所望される電気的特性を満足するの
に加えて、光導電層に化学的・物理的に悪影響を
与えないこと、光導電層との電気的接触性及び接
着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性
等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン一四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の合
成樹脂、シアセテート、トリアセテート等のセル
ロース誘導体等が挙げられる。これらの合成樹脂
又はセルロース誘導体は、フイルム状とされて光
導電層上に貼合されても良く、又、それ等の塗布
液を形成して、光導電層上に塗布し、層形成して
も良い。 表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合、10μ以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、こ
の保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる電子写真用像形成部材の構造によつて、変動
するもので、先に10μという値は絶対的なもので
はない。 基本的構成を支持体と光導電層とし、該光導電
層が自由表面を有するか、又は該光導電層上に設
けられた所謂保護層としての表面被覆層が自由表
面を有し、前記光篤導電層或いは保護層の自由表
面に静電像形成の為の帯電処理が施される像形成
部材に於いては、支持体と該支持体上に設けられ
る層との間に、静電線形成の際の帯電処理時に支
持体側からキヤリアーの注入を阻止する働きのあ
る障壁層を設けるのが一層好ましいものである。
この様な支持体側からのキヤリアーの注入を阻止
する働きのある障壁層を形成する材料としては、
選択される支持体の種類光導電層の電気的特性に
応じて適宜選択されて適当なものが使用される。
その様な障壁層形成材料としては、例えば
Al2O3、SiO、SiO2等の無機絶縁性化合物、ポリ
エチレン、ポリカーボネイト、ポリウレタン、パ
リレン等の有機絶縁性化合物Au、Ir、Pt、Rh、
Pd、Mo等の金属である。 本発明に於いては、形成される電子写真用像形
成部材の転写画像性、耐久性、繰返し使用性、或
いは光導電層、支持体、表面被覆層、障壁層等の
中間層等各層間に於ける電気的特性等の一層の改
善の目的で、層形成する際支持体或いは既に形成
した層の表面をシラン系処理剤で表面処理すると
良い。 本発明に於いて、好適に使用されるシラン系処
理剤としては、例えば次の様な化学式で表わされ
る化合物が挙げられる。即ち アミノシランのメタノール溶液等である。 本発明に使用されるシラン系処理剤として具体
的には通常市販されている多くのものが有効に使
用され、例えばトーレ・シリコーン株式会社の
SH6020、SH6026、SH6031、DC6032、SH6040、
SH6062、SH6075、SH6076、DC5456、X1−
6000、PRX−11、PRX−19、PRX−24、
SH6070、SH6079、SH2260、信越化学工業株式
会社のKA1003、KBE1003、KBC1003、
KBM403、KBM503、KBM602、KBM603、プラ
イマーMT、プライマーＵ、プライマーＷ、プラ
イマーＤ、プライーＴ、プライマーＡ、プライマ
ーＳ、プライマーNo.４、プライマーNo.５、東芝シ
リコーン株式会社のME11、ME13、ME121、
ME123、ME124、ME151、ME152、ME20、
ME21、富士高分子工業株式会社のFSプライマー
Ｓなどが挙げられる。 これらのシラン系処理剤は有機溶剤または水、
または結着剤を溶解した溶液で稀釈するか、ある
いは何ら稀釈せずに、そのままシラン系処理剤で
処理する表面にスプレー塗布、ハケ塗り、回転塗
布、コーテイングロツド塗布、デイツピング法な
どの塗布方法により単分子層から数10μ程度の厚
さで塗布される。 本発明に於いて、使用されるａ−Si粉末粒子
は、キヤパシタンスタイプ或いはインダンクタン
スタイプの気体放電装置を利用して、ａ−Si粉末
粒子形成用の原料ガス、例えばSiH4、Si2H6等や
必要に応じて混合されるHe、Ne等の稀釈ガスを
減圧にし得る気体放電室内に導入し、該放電室内
にグロー放電を生起させてプラズマ雰囲気を形成
する事によつて製造される。 本発明に於いて、その目的を達成する為のａ−
Si粉末粒子を得る為に、所望のプラズマ雰囲気を
形成するに有効な放電現象を放電室内に生起させ
る条件は、使用する気体放電装置の電極配置、電
極の形状、放電室の内部容積及び内部形状、電極
間距離、更には気体放電を維持する時の電極間の
電界強度、放電室内に導入される気体の種類等に
よつて適宜決定される。 例えば、電気的条件としては、キヤパシタンス
タイプの場合、電極間電圧として、通常20〜
2000V、好適には50〜1500Vに調整されると良
い。投入される電力としては、キヤパシタンスタ
イプ及びインダンクタンスタイプ共に、通常0.05
〜500w、好適には0.1〜300w、最適には１〜
200wとされるのが良く、又更には、ACの場合、
その周波数は、通常0.2〜30MHz、好適には５〜
20MHzとされるのが望ましい。 形成されるａ−Si粉末粒子は、目的とする電子
写真用としての光導電層が形成される可き特性を
有する可く、その暗抵抗及び光電利得が、その形
成時にＨを含有させて制御される。ここに於い
て、「ａ−Si粉末粒子中にＨが含有される」とい
うことは、「Ｈが、Siと結合した状態」、「Ｈがイ
オン化して粉末粒子中に取り込まれている状態」
又は「H2として粉末粒子中に取り込まれている
状態」の何れかの又はそれ等の複合されている状
態を意味する。ａ−Si粉末粒子へのＨの含有は、
ａ−Si粉末粒子を形成する際、製造装置系内に
SiH4、Si2H6等の化合物又はH2の形で導入し、気
体放電によつて、それらの化合物又はＨを分解し
て、ａ−Si粉末粒子中に、粉末粒子の形成に併せ
て含有させる。 本発明者の知見によれば、ａ−Si粉末粒子中へ
のＨの含有量は、形成される光導電層が、実際面
に於いて電子写真用として適用され得るか否かを
左右する大きな要因の一つであつて、極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電層を実際面
に充分適用させ得る為には、ａ−Si粉末粒子中に
含有されるＨの量は通常の場合10〜40atomic
％、好適には15〜30atomie％とされるのが望ま
しい。 ａ−Si粉末粒子は、製造時の不純物のドーピン
グによつて真性にし得、又その伝導型を制御する
ことができる。 ａ−Si粉末粒子中にドーピングされる不純物と
しては、ａ−Si粉末粒子をＰ型にするには、周期
律表第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ga、In、
Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする
場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、
Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げ
られる。 ａ−Si粉末粒子中にドーピングされる不純物の
量は、所望される電気的、光学的特性に応じて適
宜決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場
合には通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-3〜
10-4atomic％、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合
には、通常10-8〜10-5atomic％、好適には10-3〜
10-7atomic％とされるのが望ましい。 放電室内に導入される気体の量は、放電室内の
圧力表示で、通常は0.1〜20Torr、好適には0.5〜
10Torrとされ、ａ−Si粉末形成用の原料ガス圧
としては、通常10-2〜10Torr、好適には10-2〜
5Torr、最適には10-1〜2Torrとされるのが望ま
しいものである。 本発明に於いて、使用されるａ−Si粉末粒子を
製造するには、通常使用されている気体放電装置
を利用することが出来る。その様な気体放電装置
の一例を第１図に示す。 第１図はキヤパシタンスタイプグロー放電法に
よつて、ａ−Si粉末粒子を製造する為の気体放電
装置の模式的説明図である。 １はグロー放電室であり、該室１の上部外側に
は、高周波電源２と接続されているキヤパシタン
スタイプ電極３，４が巻かれており、前記高周波
電源２がONされると前記電極３，４に高周波電
力が印加されて室１内にグロー放電が生起される
様になつている。 放電室１の上端部には、ガス導入管が接続され
ており、ガスボンベ５，６，７，８より各々のボ
ンベ内のガスが必要時に放電室１内に導入される
様になつている。９，１０，１１，１２は各々フ
ロメータであつてガスの流量を検知する為のメー
タであり、又、１３，１４，１５，１６は流量調
整バルブ、バルブ２１は補助バルブである。 又放電室１の下側端部はメインバルブ２２を介
して排気装置（図示されていない）に接続されて
いる。２３は、放電室１内の真空を破る為のバル
ブである。 放電室１の下端部には、中心部に穴が設けられ
た円錐状の収集板２４が取り付けられており、収
集室２５内の前記収集板２４の穴の真下の位置に
は、製造されるａ−Si粉末を収納する為の収納器
２６が置かれてある。 ２７は、収集室２５内の収納器２６を出し入れ
る為の開閉扉であつて、閉じた状態に於いては、
収集室２６内の真空が充分保たれる様に設計され
ている。 収集板２４は、放電室１内で生成されるａ−Si
粉末を、その中心部に収集する機能がある他、生
成されたａ−Si粉末が排気系に取込まれるのでを
防止する機能も有している。 ２８は、ゲートバルブであつて、放電室１と収
集室２５間を遮断開放する為のバルブである。 ２９は、例えばゲートバルブ２８を閉めて放電
室１との機密を遮断した後、収集室２５内の真空
を破る為のバルブである。 第１図の装置を使用して、ａ−Si粉末を製造す
るには、先ずメインバルブ２２及びゲートバルブ
２８を全開して放電室１内及び収集室の空気を矢
印Ａで示す様に排気して、真空度10-5Torr程
度にする。放電室１内が所定の真空度に達した
後、次に補助バルブ２１を全開し、続いてガスボ
ンベ５のバルブ１７及びガスボンベ６のバルブ１
８を全開する。ガスボンベ５は例えばArガス等
の稀釈ガス用であり、ガスボンベ６はａ−Siを形
成する為の原料ガス用であつて、例えば、
SiH4、Si2H6、Si4H10又は、それ等の混合物等が
貯蔵されている。又、ボンベ７及びボンベ８は必
要に応じてａ−Si系光導電層中に不純物を導入す
る為の原料ガス用であつて、例えばボンベ７には
PH3、P2H4、ボンベ８にはB2H6等が貯蔵されて
いる。 その後ガスボンベ５及び６の流量調節バルブ１
３，１４を、フローメータ９及び１０を見乍ら、
徐々に開口し、放電室１内に稀釈ガスとして例え
ばArガス及び例えば、SiH4ガス等のａ−Si形成
用の原料ガスを導入する。この時Arガス等の稀
釈ガスは必ずしも要するものではなく、SiH4ガ
ス等の前記原料ガスのみ導入しても良い。Arガ
スをSiH4ガス等のａ−Si形成用の原料ガスに混合
して導入する場合、その量的割合は、所望に従つ
て決定されるが、通常の場合、稀釈ガスに対して
前記原料ガスが10Vol％以上とされる。尚稀釈ガ
スとしてArガスの代りにHeガス等の稀ガスを使
用しても良い。 放電室１内に、ボンベ５，６より所望のガスが
導入された時点に於いて、メインバルブ２２を調
節して、所定の真空度、通常の場合は、ａ−Si粉
末を形成する時の全ガス圧で0.1〜20Torrに保
つ。次いで、放電室１外に巻かれたキヤパシタン
スタイプの電極３，４に高周波電源２より所定周
波数、通常の場合は0.2〜30MHzの高周波電力を
加えてグロー放電を放電室１内に起すとプラズマ
雰囲気が形成され、例えばａ−Si形成用の原料ガ
スとしてSiH4を使用すると、該SiH4が分解され
て、ａ−Si粉末粒子が形成される。形成されたａ
−Si粉末粒子は、収集板２４によつて、収集板２
４の中央に収集されて、その下方に設置してある
収集室２５内の収納器２６中に収容される。 形成されるａ−Si粉末粒子中に不純物を導入す
る際には、ボンベ７又は／及びボンベ８より不純
物生成用のガスを、ａ−Si粉末形成時に放電室１
内に導入してやれば良い。この場合、流量調節バ
ルブ１５は／及び１６を適当に調節することによ
り、ボンベ７又は／及び８よりの放電室１へのガ
スの導入量を適切に制御することが出来るので、
形成されるａ−Si粉末粒子中に導入される不純物
の量を任意に制御することが出来る。 第１図に示される気体放電装置に於いては、キ
ヤパシタンスタイプグロー放電法が採用されてい
るが、この他、インダクタンスタイプグロー放電
法も本発明に於いて採用される。又、グロー放電
の為の電極は、放電室１の内に設けても良いし又
放電室１の外に設けても良い。 以下、本発明を実施例に従つて、具体的に説明
する。 実施例 １ 光導電性物質として平均粒径５〜10μのｎ型ａ
−Si粉末粒子20ｇと結着剤として平均粒径10μの
弗素樹脂（商品名MP−10；三井フロロケミカル
社）粉末20ｇとをトリニトン２ｇを含むフレオン
溶液50ml中に混合分散させて光導電層形成用の分
散液を作成した。 この分散液中に表面をマツト処理したアルミニ
ウム製円筒状ドラム支持体の浸漬した後、引上げ
て充分乾燥させた後約370℃で60分間焼成処理を
施して膜厚20μの光導電層を形成して、電子写真
用像形成部材とした。 得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面
は極めて平滑性に優れ、良好な外観を示してい
た。 この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、
6KVのコロナを与え次いで画像露光し、に荷電
したトナーを用いて現像を行い、得られたトナー
像を普通紙上に転写した。 クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリ
ーニングを採用した。この様な画像再生処理を繰
返し10万回行つたところ10万枚目の転写画像の画
質と一枚目の転写画像の画質とには、何等差はな
く、被りのない鮮明な極めて良好なものであり、
又、転写性も優れている為に画像再生処理の繰返
し毎には殆どクリーニングの必要がなく、本実施
例に於いては、30枚毎にクリーニング処理を適用
させた。又、感度も10 lux.secと良好であつて帯
電特性も6KVのコロナ放電を与えると500V
の表面電位が観測され実用的にも充分満足し得る
ものであることが立証された。 実施例 ２ 光導電性物質として平均粒径１μのＰ型ａ−Si
粉末20ｇと結着剤として平均粒径10μのポリフル
オロエチレンプロピレン樹脂粉末20ｇとトリニト
ン１ｇとをフレオン溶液50ml中に混合分散させて
光導電層形成用の分散液を作成した。 この分散液中に表面をマツト処理したアルミニ
ウム製円筒状ドラム支持体を浸漬した後、引上げ
て充分乾燥させた後約280℃で60分間焼成処理を
施して膜厚30μの光導電層を形成して、電子写真
用像形成部材とした。 得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面
は極めて平滑性に優れ、良好な外観を示してい
た。 この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、
6KVのコロナ放電を与え次いで画像露光し、に
荷重したトナーを用いて現象を行い、得られたト
ナー像を普通紙上に転写した。 クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリ
ーニングを採用した。この様な画像再生処理を繰
返し10万回行つたところ10万枚目の転写画像の画
質と一枚目の転写画像の画質とには、何等差はな
く、被りのない極めて良好なものであり、又、転
写性も優れている為に画像再生処理の繰返し毎に
は殆どクリーニングの必要がなく、本実施例に於
いては、10枚毎にクリーニング処理を適用させた
場合でもクリーニングには何等支障は生じなかつ
た。又、感度も7.0 lux.secと良好であつて帯電
特性も6KVのコロナ放電を与えると500Vの
表面電位が観測され実用的にも充分満足し得るも
のであることが立証された。 実施例 ３ 第１図に示した装置によつて製造したｎ型ａ−
Si粉末100重量部と樹脂固形分として芳香族ポリ
エステル化ウレタン樹脂（分子量約３万）（商品
名；CA101、日本油脂社製）50重量部とを含む分
散液を円筒状アルミニウムドラムに塗布乾燥し、
次いで、80℃で15分間乾燥後、4KW水銀ランプ
で５分間光照射して硬化させ、50μ厚の光導電層
を形成した。 次に、得られた光導電層表面を光硬化型不飽和
ポリエステル樹脂（商品名；UV−CM−102、カ
シユーKK製）の粘度が90CPSとなる様にメチル
エチルケトンで希釈した液に浸し、30mm／minの
速度で引き上げた後、4KW水銀ランプで５分間
照射して硬化させた。この操作を３回くり返して
30μの絶縁層を設けた。 この様にして形成された電子写真用像形成部材
の絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧6000V
でコロナ放電を0.2sec間行つたところ、
2000Vに帯電した。次に、二次帯電として電源電
圧5500Vでコロナ放電を行うと同時に露光量15
lux.secで画像露光を行い、次いで像形成部材表
面を一様に全面照射して静電像を形成した。この
静電像をカスケード法によつてに荷電されたト
ナーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極
めて良品質の画像が得られた。又、上記の画像再
生処理を繰返し10万回行つたところ10万枚目の転
写画像の画質と１枚目の転写画像の器画質とに
は、何等差はなく、被りのない極めて良質なもの
であつた。 実施例 ４ 第１図に示した装置によつて製造したＰ型ａ−
Si粉末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポ
リマー10重量部、希釈剤としてメチルイソブチル
ケトン10重量部を混合してロールミルで良く分散
し、ペースト状光導電性組成物を調整し、更にメ
チルエチルケトンを加えて20℃で700cpsの粘度
に調製した。その組成物溶液中にアルミニウム製
円筒形ドラムをデイツピング、30mm／minの速度
で引き上げて塗布し、70℃20分間乾燥して溶媒を
完全に揮発させて厚さ50μの光導電層を形成し
た。次いで上記ドラムをα、ωポリブタジエンジ
カルボン酸樹脂のカルボキシル基をアンモニアで
中和して得た水系分散液（粘度；20℃70cps）に
デイツピングし、30mm／minの速度で引き上げて
塗布し、70℃で30分間乾燥して、水及びアンモニ
アを揮発させて、上記光導電層上に厚さ４μの目
止層を形成した。更に上記ドラムを光硬化型アク
リル化ウレタン樹脂をエチルアルコールで希釈し
た（粘度；20℃70cps）溶液中にデイツピング
し、30mm／minの速度で引き上げ目止層に上記物
質の薄膜を形成した後、紫外線照射装置中で、
100秒間紫外線を照射して硬化し、絶縁層を形成
した。この絶縁層は、１回の塗布でできる膜の厚
さは10μで、この後更に２回同じ操作をくり返し
て合計30μの絶縁層とした。 この様にして製造した電子写真用像形成部材の
絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧6000Vで
コロナ放電を0.2sec間行つたところ、2000V
に帯電した。次に、二次帯電として電源電圧
5500Vでコロナ放電を行うと同時に露光量15
lux.secで画像露光を行い、次いで像形成部材表
面を一様に全面照射して静電像を形成した。この
静電像をカスケード法によつてに荷電されたト
ナーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極
めて良品質の画像が得られた。又、上記の画像再
生処理を繰返し10万回行つたところ10万枚目の転
写画像の画質と１枚目の転写画像の画質とには、
何等差はなく、被りのない極めて良質のものであ
つた。 実施例 ５ 第１表に示す様に光導電層形成用の分散液を調
合した。これ等の分散液をステンレス製円筒状ド
ラム支持体上に浸漬法にて塗布し、所定の硬化処
理を施して約35μ厚の光導電層を形成して試料
NosS51〜S56の電子写真用像形成部材を得た。こ
れ等の像形成部材の中試料NosS51〜S53の像形成
部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ
放電を光導電層表面に行い、次いで15 lux.secの
露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該
静電像をカスケード法により荷電されたトナー
で現像して転写紙上に転写・定着したところ解像
力が高く極めて鮮明な画像が得られた。 一方、試料NosS54〜S56の像形成部材に就て、
暗中で電源電圧6000Vでコロナ放電を施し、次
いで15 lux.secの光量で画像露光を行い、前記の
コロナ放電を施して画像出しをした時と同様の
条件で画像出しを行つたところ、得られた転写紙
上の画像は、解像力が高く極めて鮮明で良質の画
像であつた。 各々に適した上記の様な画像形成処理を繰返
し、試料NosS51〜S56の電子写真用像形成部材に
施し、これ等の電子写真用像形成部材の耐久性に
就て試験したところ、15万枚目の転写紙上に得ら
れた画像も極めて良質であつて、１枚目の転写紙
上の画像と較べても何等差違はなく、これ等の電
子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、耐摩耗
性に優れ著しく耐久性に富んでいることが実証さ
れた。
視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な
電磁波を利用して像形成するのに使用される電子
写真用像形成部材に関する。 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料としては、Se、CdS、ZnO等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が一般的に使用されて
いる。 両乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写
真用像形成部材に於いては、未だ諸々の解決され
得る可き点があつて、ある程度の条件緩和をし
て、個々の状況に応じて各々適当な電子写真用像
形成部材を使用し、その傍、改善改良を計つてい
るのが実情である。 他方、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する光導電材料として、新しい第３の材料の開発
も進められている。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと略記
する）がある。 ａ−Si膜は、開発初期のころは、その製造法や
製造条件によつて、その構造が左右される為に
種々の電気的特性、光学的特性を示し、再現性の
点に大きな問題を抱えていた。例えば、初期にお
いて、真空蒸着法やスパツタ−リング法で形成さ
れたａ−Si膜は、ポイド等の欠陥を多量に含んで
いて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程
注目されてはいず、応用の為の研究開発もされな
かつた。而乍ら、アモルフアスではＰ、ｎ制御が
不可能とされていたのが、ａ−Siに於いて、1976
年初頭にアモルフアスとして初めてｐ−ｎ接合が
実現し得るという報告（Applid Physics
Letter；Vol 28、No.２、15 January 1976）が成
されて以来、大きな関心が集められ、以後主とし
て太陽電池への応用に研究開発力が注がれて来て
いる。 この為、これ迄に報告されているａ−Si膜は、
太陽電池用として開発されたものであるので、そ
の電気的特性・光学的特性の点に於いて、電子写
真用像形成部材の光導電層としては使用し得ない
のが現状である。即ち、太陽電池は、太陽エネル
ギーを電流の形に変換して取り出すので、SN比
が良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ−Si
膜の抵抗は比較的小さくなければならないが、余
り抵抗が小さ過ぎると光感度が低下し、SN比が
悪くなるので、その特性の一つとしての抵抗は
105〜108Ωcm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ−Si膜は、電子写真用像形成部材
の光導電層としては、余りにも抵抗（暗抵抗）が
低過ぎて、現在、知られている電子写真法を適用
するのでは全く使用し得ない。 又、電子写真用像形成部材の光導電層構成材料
としては、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に
較べて２〜４桁程度小さいことが要求されるが、
従来、報告されているａ−Si膜では精々２桁程度
あるので、この点に於いても従来のａ−Si膜で
は、その特性を充分満足し得る光導電層とは成り
得なかつた。 又、別には、これ迄のａ−Si膜に関する報告で
は、暗抵抗を増大させると光感度が低下し、例え
ば、暗抵抗が1010Ω・cmでのａ−Si膜では、明
抵抗も同程度の値を示すことが示されているが、
この点に於ても、従来のａ−Si膜は電子写真用像
形成部材の光導電層とは成り得なかつた。 従つて、電子写真用像形成部材の光導電層とし
て充分適用される可き暗抵抗と光感度を具備する
ａ−Si膜が再現性と生産性を加味して開発される
必要がある。 ところで、ａ−Si層は一般的には、グロー放電
法やスパツタリング法等の放電現象を利用する堆
積法によつて適当な支持体上に形成される。 この様な堆積法によつてａ−Si層を形成する場
合、層形成時の支持体温度によつて形成された層
の暗抵抗と光感度が変わることは種々の報告書や
文献に示されている。 即ち、例えば、支持体温度を400℃程度の高温
に保持して層形成すれば電気的特性の一つである
明抵抗の減少を計る事が出来る。而乍らａ−Siの
層成長速度は、例えばSe等に較べて遥かに遅い
為、先の様な高温を電子写真用像形成部材の光導
電層に要求される層厚になる迄精度良く一定に維
持することは甚だ困難である。更に、電子写真用
像形成部材の光導電層としては、総受光面は、通
常の場合であつても、例えばA4判やB4判程度以
上の大面積を要するものであるから、この様な大
面積に亘つて層形成終了まで先に示した様な高温
状態を均一に保持する為に温度制御することは現
在の技術では至難の術である。然も、支持体温度
を変化させる場合に於いても、先の様な大面積に
亘つて、場所による温度の変化率斑のない様に制
御することすらも難かしい。 この様に所望の暗抵抗及び明抵抗を得る為に支
持体温度を高温で長時間且つ温度斑のない様に大
面積に亘つて制御するのは極めて困難である。従
つて、層形成時の場所及び時間による温度斑が生
じ大面積に亘つて層厚の均一化が計れないばかり
か、電子写真用像形成部材の光導電層に要求され
る電気的及び光学的特性の均一化を計ることも出
来ない。 本発明は上記の点に鑑み成されたものであつ
て、ａ−Si形成用の材料の存在下で後述するある
特定の条件下でプラズマを生起させれば極めて光
感度の高いａ−Siが粉末状として単時間に多量得
られ、然も斯かるａ−Si粉末粒子はそのまま単一
構成材料系の光導電層としたのでは、電子写真用
像形成部材の光導電層としては適用され得ない
が、親和性のある結着剤中に分散させたタイプの
光導電層とすれば、極めて電子写真特性に優れた
光導電層と成り得る事を見出した点に基いてい
る。 本発明の電子写真用像形成部材は、支持体と、
光導電材料粉末粒子が結着剤中に分散されて層形
成されている光導電層とを有する電子写真用像形
成部材に於いて、光導電材料粉末粒子が10〜40原
子％の水素を含有するアモルフアスシリコン粉末
粒子である事を特徴とする。 この様に、ａ−Si粉末を結着剤中に分散して光
導電層を形成する場合にはａ−Si粉末粒子が短時
間に多量生産され得るのでグロー放電法やスバツ
ターリング法等の放電現象を利用する堆積法によ
つて、ａ−Si光導電層を形成する場合に較べて、
厳密な支持体温度の制御を、然も長時間行う必要
がない、前記の堆積法によつてａ−Si光導電層を
形成する場合の様に層成長速度の緩慢さに由来す
る生産効率上の不利がない生産設備の資本投下が
それ程多くない、幾らでも大きな面積を有する光
導電層が、然も如何様な形状の支持体へも形成す
る事が出来る、等々、前記の堆積法によつてａ−
Si光導電層を形成する場合にはない工業的に優れ
た効果を有する。 又、形成された電子写真用像形成部材は、高感
度であり、繰返し使用に優れていると共に機械的
強度が強く、又、帯電作用や放電作用に対して常
時安定しており、クリーニング性、転写効率にも
優れ、常に多数枚の良質のコピーを提供し得る。 本発明の電子写真用像形成部材は、基本的に
は、後述する方法によつて製造されたａ−Si粉末
粒子を必要に応じて溶剤を使用して所定の特性を
有する結着剤と共に混練し、金属等の適当な支持
体上に塗布し、固化させて光導電層を形成する事
によつて得られる。 本発明に於て、使用される支持体としては、通
常電子写真分野に於いて使用される支持体の殆ん
どのものが有効であるが、製造される像形成部材
の形態、例えば静電像形成の為の帯電時に支持体
側より光導電層中に電荷が注入される必要がある
か否かによつて使用される支持体の種類は異なる
ものであるから、像形成部材の形態に合せて、適
宜選択して最良のものを使用する様にするのが望
ましい。 本発明に於いて、使用される支持体としては例
えば、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の
合金等の導電性支持体、或いは、合成樹脂のフイ
ルム又はシート、又はガラス、セラミツク等の電
気絶縁性支持体が挙げられる。支持体はその上に
光導電層が形成される前に、一連の清浄処理が施
されるのが望ましい。この様な清浄処理に於て、
一般的には、例えば金属性支持体であれば、エツ
チングによつて表面を効果的に清浄化するアルカ
リ性又は酸性の溶液と接触される。その後支持体
は清浄雰囲気中で乾燥され、その後の準備処理が
なければ、次いでその上に光導電層が形成され
る。電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じ
て、その表面を導電処理される。 例えば、ガラスであれば、In2O3、SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。 支持体の厚さは、所望通りの像形成部材が形成
される様に適宜決定されるが、像形成部材として
可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内であれば、可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合、支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 ａ−Si粉末粒子と共に光導電層を構成する材料
である結着剤としては、本発明の目的を達成す可
く、製造されたａ−Si粉末粒子の電気的特性、光
学的物性及び該ａ−Si粉末粒子との化学的・物理
的親和性等を考慮して、所望とし得る材料から適
宜選択して使用される。その様な材料としては、
通常、電子写真分野において、使用されている、
成膜能を有し電気絶縁性である樹脂結着剤の多く
のものが有効に使用される。 この様な樹脂結着剤としては、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹
脂、Ｘ線硬化性樹脂等であり、具体的には、フエ
ノール樹脂：フラン樹脂：キシレン樹脂：ホルム
アルデヒト樹脂：尿素樹脂：メラミン樹脂：アニ
リン樹脂：スルホンアミド樹脂：アルキド樹脂：
不飽和ポリエステル樹脂：エポキシ樹脂：トリア
リルシアヌレート樹脂：ポリエチレン：ポリプロ
ピレン：ポリスチレン：ポリ酢酸ビニル：ポリア
クリレート：ポリメタクリレート：ポリ塩化ビニ
ル：ポリ塩化ビニリデン：ポリテトラフルオロエ
チレン：ポリクロロトリフルオロエチレン：ポリ
フツ化ビニル：ポリ弗化ビニリデン：テトラフル
オロエチレン：ヘキサフルオロプロピレン共重合
体：クロロトリフルオロエチレン：弗化ビニリデ
ン共重合体等の弗素樹脂：ポリアクリロニトリ
ル；ポリビニルエーテル：ポリビニルケトン：ポ
リエーテル：ポリカーボネート：ポリエステル：
ナイロン６、ナイロン66、ナイロン６／66等のポ
リアミド：ポリウレタン：シリコーン酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、プロピオン酢酸セルロ
ース、、等のセルロース誘導体：等々が挙げら
れ、これ等は、必要に応じて２種以上混合して使
用しても良い。 本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤
として、上記した樹脂結着剤から適宜選択して使
用されるものであるが又、別にはａ−Si粉末粒子
との化学的近似性の点から、成膜能を有するシリ
コーンワニス、シリコーンゴム等のシリコーン系
化合物も結合剤として有効に使用され得る。 シリコーンワニスとしては、塗膜形成用ワニ
ス、各種塗料用ビヒクル、あるいは成形材料用の
ベースレンジとして使用されるシリコーンワニス
が挙げられ、例えば次式で示されるようなポリシ
ロキサンを主体としてなる純シリコーンワニス、 ケイ素原子に結合した水酸基やアルコキシ基を
もつ例えば次式の如き低分子量ポリシロキサンを
主体としてなるシリコーン中間体、 また、各種樹脂をシリコーン中間体あるいはシ
ランカツプリング剤、純シリコーンワニスと反応
させることにより得られる各種樹脂のシリコーン
変性ワニスが挙げられ、例えば アルキツド変性シリコーンワニスとしては分子
中に なる構造を有するもの、エポキシシリコーンワニ
スとしては例えば ポリエステル変性シリコーンワニス アクリル変性シリコーンワニス フエノール変性シリコーンワニス ポリウレタン変性シリコーンワニス メラミン変性シリコーンワニス等があり、 更に無溶剤シリコーンワニスとして次式で表わ
される如きシリコーンワニスも挙げられる。 （φ：C6H5、Me；CH3、Ｖ；CH2＝CH） シリコーンゴムとしては熱硬化型と常温硬化型
（一般にRTVと称す）とに区別されるが、本発明
では常温硬化型（RTV型）の方が好ましく使用
されるものである。 RTVシリコーンゴムには一液型と二液型があ
るがどちらも選択が可能である。 一液型RTVシリコーンゴムとしては一般式 （ここではR1、R2はアルキル基、フエニル基、ビ
ニル基、三フツ化プロピル基等）から成る主鎖の
末端にアセトキシ基、オキシム基、アコキシル
基、又はアルキル基を付けたもので、空気中の湿
分により脱酢酸、脱オキシム、脱アルコール、脱
アミンの縮合反応が進行し常温から比較的低い温
度で架橋構造をとるもので、前記縮合反応の型に
より脱酢酸型一液性常温硬化型シリコーンゴム、
脱オキシ型一液性常温硬化型シリコーンゴム、脱
アルコール型一液性常温硬化型シリコーンゴム、
脱アミン型一液性常温硬化型シリコーンゴムの４
つの型を挙げることができる。 次に二液性常温硬化型シリコーンゴムも使用可
能でありこのシリコーンゴムはベースオイルとし
てジオルガノポリシロキサンと架橋剤として３官
能性以上のシラン又はシロキサン及び硬化触媒な
どから構成され、硬化機構としては縮合反応型
（脱アルコール縮合反応型、脱水縮合反応型、脱
水素縮合反応型）及び付加反応型がある。 本発明の目的と達成する為に結着剤として使用
される上記シリコーン系化合物としては、市販さ
れているシリコーン系のワニス、ゴム等の多くの
ものが有効に使用され、例えば、具体例として信
越化学工業株式会社のKR251、KR255、
KR5240、KR114、KE10RTV、KE66RTV、
KE1204(B)、KE104Gel、KE103RTV、
KE111RTV、KE1400RTV、KE41RTV、
KE44RTV、KE445RTV、KE42S−RTV、
KE441RTV、KE45S−RTV、KE48RTV、
KE102RTV、KE1206RTV、KE16、
KE1091RTV、KE12RTV、KE112RTV、
KJR601、KJR4010、東芝シリコーン株式会社の
TSR144、TSR1205、TSR1291、YR3110、
TSE370RTV、TSE328RTV、TSE371RTV、
TSE353RTV、TSE380RTV、TSE3402RTV、
TSE3503RTV、TSE−350−5RTV、
TSE300RTV、RTV11、TSE370−RTV、
YE3085、YE5505、トーレ・シリコーン株式会社
のSH630、SH850、SH6005、R4−3117、
SH649、SH6101、SH6100、SE5011RTV、
SH780、SH738、SH9551、SH9583、SH9731、
SH1820、SH1840、SH643、SH2104、富士高分子
工業株式会社のベルガンＣ、ベルガンＤ、ベルガ
ンＦ、FSXR−2622、シラスコンRTV6501、シラ
スコンRTV6521、シラスコンRTV6700、シラス
コンRTV6601、シラスコンRTV6589、FSXS−
2279、シルポツト200、シラシール3FW、シロテ
ツクス32B、FSXF−2500等を上げることがで
き、必要に応じてこれ等結着剤として使用される
化合物を２種以上混合使用しても良い。 更に、本発明に於いては結着剤として、電気絶
縁性であつて、成膜性のある合成ゴムの多くのも
のが有効に使用され得る。具体的には例えば、ポ
リブタジエンゴム、ブタジエンアクリロニトクル
ゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられ
る。 これ迄に列挙した結着剤の中で、殊に体積固有
抵抗が1012Ω・cm以上、好適には1013Ω・cm以
上、最適には1014Ω・cm以上のものの中から選択
して使用するのが望ましい。 又、絶縁耐力として通常、10KV／mm以上、好
適には15KV／mm以上、最適には20KV／mm以上の
ものから選択されると良い。 本発明に於いて、光導電層を形成する際の上記
結着剤の量は、所望とする電子写真特性を有する
光導電層が形成される可く適宜決定されるもので
あるが、ａ−Si粉末粒子との重量比で通常は５〜
60Wt％、好適には８〜50wt％最適には10〜40wt
％とされる。 ａ−Si粉末粒子を結着剤と共に混練分散させる
為の溶剤としては使用される結着剤の種類に応じ
て、ａ−Si粉末粒子に悪影響を与えないものから
選択される。この様な溶剤としては、通常、市販
されている有機溶剤の多くのものが有効に使用さ
れ得る。具体的に挙げれば、例えば塩化メチレ
ン、クロロホルム、二塩化エタン、１・１・２三
塩化エタン、三塩化レチレン、四塩化エタン、四
塩化炭素、１・２塩化プロパン、１・１・１三塩
化エタン、四塩化エチレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸イソアミル、セロソルビアセテート、
トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ルおよびブチルアルコール等のアルコール類など
が挙げられる。 本発明に於いては、光導電層を構成する結着剤
として、前記の材料の他、光感度の向上、層中で
の電荷移動性の向上等の目的で、所謂有機光電材
料を使用しても良い。 使用される有機光導電材料としては、非光照射
時の抵抗（暗抵抗）及び成膜性として前記した結
着剤に就て記した特性と同様の特性を有するもの
から選択して使用するのが望ましい。その様な有
機光導電材料としては、PVK、カルバゾール、
Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカル
バゾール、Ｎ−フエニルカルバゾール、テトラフ
エニルビレン、１−メチルビレン、ペリレン、ク
リセン、アトラセン、テトラセン、テトラフエ
ン、２−フエニルナフタリン、アザピレン、フル
オレン、フルオレノン、１−エチルピレン、アセ
チルピレン、２・３−ベンゾグリセリン、３・４
−ベンゾピレン、１・４−ブロモピレン、フエニ
ルインドール、ポリビニルピレン、ポリビニルテ
トラセン、ポリビニルベリレン、ポリビニルテト
ラフエン、ポリアクリロニトリル、PVK：TNF
（単量体でのモル比１：１）に、テトラニトロフ
ルオレノン、ジニトロアントラセン、ジニトロア
クリデン、テトラシアノフイレン、ジニトロアン
トラキノン等が挙げられる。 これらの有機光導電材料は、要求される特性を
低下させない範囲に於いて、２種以上混合して使
用しても良いし、又、前記した電気絶縁性の結着
剤と混合して使用しても良い。 ａ−Si系光導電層の層厚としては、所望される
電子写真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要
求されるか否か或いは、適用されるａ−Si粉末粒
子の粒経、暗減衰特性、又は形成された光導電層
の電気的、光学的特性の均一化の点等に応じて適
宜決定されるものがあるが、通常の場合10〜80
μ、好適には15〜70μ最適には20〜50μとされる
のが望ましい。 本発明の電子写真用像形成部材に於いては、上
記の様に支持体と光導電層を基本的層構成とする
ものであるが、更に光導電層上に所謂保護層や電
気絶縁層と称される表面被覆層を設けても良い。 本発明に於いて、表面被覆層に要求される特性
は、適用する電子写真プロセスによつて各々異な
る。即ち、例えば、特公昭42−23910号公報、同
43−24748号公報に記載されている如きNP方式の
様な電子写真プロセスを適用するのであれば、表
面被覆層は、電気的絶縁性であつて、帯電処理を
受けた際の静電荷保持能が充分あつて、ある程度
以上の厚みがあることが要求されるが、例えば、
カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適
用するのであれば、静電像形成後の明部の電位は
非常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚
さとしては非常に薄いことが要求される。表面被
覆層は、その所望される電気的特性を満足するの
に加えて、光導電層に化学的・物理的に悪影響を
与えないこと、光導電層との電気的接触性及び接
着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性
等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン一四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の合
成樹脂、シアセテート、トリアセテート等のセル
ロース誘導体等が挙げられる。これらの合成樹脂
又はセルロース誘導体は、フイルム状とされて光
導電層上に貼合されても良く、又、それ等の塗布
液を形成して、光導電層上に塗布し、層形成して
も良い。 表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合、10μ以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、こ
の保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる電子写真用像形成部材の構造によつて、変動
するもので、先に10μという値は絶対的なもので
はない。 基本的構成を支持体と光導電層とし、該光導電
層が自由表面を有するか、又は該光導電層上に設
けられた所謂保護層としての表面被覆層が自由表
面を有し、前記光篤導電層或いは保護層の自由表
面に静電像形成の為の帯電処理が施される像形成
部材に於いては、支持体と該支持体上に設けられ
る層との間に、静電線形成の際の帯電処理時に支
持体側からキヤリアーの注入を阻止する働きのあ
る障壁層を設けるのが一層好ましいものである。
この様な支持体側からのキヤリアーの注入を阻止
する働きのある障壁層を形成する材料としては、
選択される支持体の種類光導電層の電気的特性に
応じて適宜選択されて適当なものが使用される。
その様な障壁層形成材料としては、例えば
Al2O3、SiO、SiO2等の無機絶縁性化合物、ポリ
エチレン、ポリカーボネイト、ポリウレタン、パ
リレン等の有機絶縁性化合物Au、Ir、Pt、Rh、
Pd、Mo等の金属である。 本発明に於いては、形成される電子写真用像形
成部材の転写画像性、耐久性、繰返し使用性、或
いは光導電層、支持体、表面被覆層、障壁層等の
中間層等各層間に於ける電気的特性等の一層の改
善の目的で、層形成する際支持体或いは既に形成
した層の表面をシラン系処理剤で表面処理すると
良い。 本発明に於いて、好適に使用されるシラン系処
理剤としては、例えば次の様な化学式で表わされ
る化合物が挙げられる。即ち アミノシランのメタノール溶液等である。 本発明に使用されるシラン系処理剤として具体
的には通常市販されている多くのものが有効に使
用され、例えばトーレ・シリコーン株式会社の
SH6020、SH6026、SH6031、DC6032、SH6040、
SH6062、SH6075、SH6076、DC5456、X1−
6000、PRX−11、PRX−19、PRX−24、
SH6070、SH6079、SH2260、信越化学工業株式
会社のKA1003、KBE1003、KBC1003、
KBM403、KBM503、KBM602、KBM603、プラ
イマーMT、プライマーＵ、プライマーＷ、プラ
イマーＤ、プライーＴ、プライマーＡ、プライマ
ーＳ、プライマーNo.４、プライマーNo.５、東芝シ
リコーン株式会社のME11、ME13、ME121、
ME123、ME124、ME151、ME152、ME20、
ME21、富士高分子工業株式会社のFSプライマー
Ｓなどが挙げられる。 これらのシラン系処理剤は有機溶剤または水、
または結着剤を溶解した溶液で稀釈するか、ある
いは何ら稀釈せずに、そのままシラン系処理剤で
処理する表面にスプレー塗布、ハケ塗り、回転塗
布、コーテイングロツド塗布、デイツピング法な
どの塗布方法により単分子層から数10μ程度の厚
さで塗布される。 本発明に於いて、使用されるａ−Si粉末粒子
は、キヤパシタンスタイプ或いはインダンクタン
スタイプの気体放電装置を利用して、ａ−Si粉末
粒子形成用の原料ガス、例えばSiH4、Si2H6等や
必要に応じて混合されるHe、Ne等の稀釈ガスを
減圧にし得る気体放電室内に導入し、該放電室内
にグロー放電を生起させてプラズマ雰囲気を形成
する事によつて製造される。 本発明に於いて、その目的を達成する為のａ−
Si粉末粒子を得る為に、所望のプラズマ雰囲気を
形成するに有効な放電現象を放電室内に生起させ
る条件は、使用する気体放電装置の電極配置、電
極の形状、放電室の内部容積及び内部形状、電極
間距離、更には気体放電を維持する時の電極間の
電界強度、放電室内に導入される気体の種類等に
よつて適宜決定される。 例えば、電気的条件としては、キヤパシタンス
タイプの場合、電極間電圧として、通常20〜
2000V、好適には50〜1500Vに調整されると良
い。投入される電力としては、キヤパシタンスタ
イプ及びインダンクタンスタイプ共に、通常0.05
〜500w、好適には0.1〜300w、最適には１〜
200wとされるのが良く、又更には、ACの場合、
その周波数は、通常0.2〜30MHz、好適には５〜
20MHzとされるのが望ましい。 形成されるａ−Si粉末粒子は、目的とする電子
写真用としての光導電層が形成される可き特性を
有する可く、その暗抵抗及び光電利得が、その形
成時にＨを含有させて制御される。ここに於い
て、「ａ−Si粉末粒子中にＨが含有される」とい
うことは、「Ｈが、Siと結合した状態」、「Ｈがイ
オン化して粉末粒子中に取り込まれている状態」
又は「H2として粉末粒子中に取り込まれている
状態」の何れかの又はそれ等の複合されている状
態を意味する。ａ−Si粉末粒子へのＨの含有は、
ａ−Si粉末粒子を形成する際、製造装置系内に
SiH4、Si2H6等の化合物又はH2の形で導入し、気
体放電によつて、それらの化合物又はＨを分解し
て、ａ−Si粉末粒子中に、粉末粒子の形成に併せ
て含有させる。 本発明者の知見によれば、ａ−Si粉末粒子中へ
のＨの含有量は、形成される光導電層が、実際面
に於いて電子写真用として適用され得るか否かを
左右する大きな要因の一つであつて、極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電層を実際面
に充分適用させ得る為には、ａ−Si粉末粒子中に
含有されるＨの量は通常の場合10〜40atomic
％、好適には15〜30atomie％とされるのが望ま
しい。 ａ−Si粉末粒子は、製造時の不純物のドーピン
グによつて真性にし得、又その伝導型を制御する
ことができる。 ａ−Si粉末粒子中にドーピングされる不純物と
しては、ａ−Si粉末粒子をＰ型にするには、周期
律表第族Ａの元素、例えばＢ、Al、Ga、In、
Tl等が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする
場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、
Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なものとして挙げ
られる。 ａ−Si粉末粒子中にドーピングされる不純物の
量は、所望される電気的、光学的特性に応じて適
宜決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場
合には通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-3〜
10-4atomic％、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合
には、通常10-8〜10-5atomic％、好適には10-3〜
10-7atomic％とされるのが望ましい。 放電室内に導入される気体の量は、放電室内の
圧力表示で、通常は0.1〜20Torr、好適には0.5〜
10Torrとされ、ａ−Si粉末形成用の原料ガス圧
としては、通常10-2〜10Torr、好適には10-2〜
5Torr、最適には10-1〜2Torrとされるのが望ま
しいものである。 本発明に於いて、使用されるａ−Si粉末粒子を
製造するには、通常使用されている気体放電装置
を利用することが出来る。その様な気体放電装置
の一例を第１図に示す。 第１図はキヤパシタンスタイプグロー放電法に
よつて、ａ−Si粉末粒子を製造する為の気体放電
装置の模式的説明図である。 １はグロー放電室であり、該室１の上部外側に
は、高周波電源２と接続されているキヤパシタン
スタイプ電極３，４が巻かれており、前記高周波
電源２がONされると前記電極３，４に高周波電
力が印加されて室１内にグロー放電が生起される
様になつている。 放電室１の上端部には、ガス導入管が接続され
ており、ガスボンベ５，６，７，８より各々のボ
ンベ内のガスが必要時に放電室１内に導入される
様になつている。９，１０，１１，１２は各々フ
ロメータであつてガスの流量を検知する為のメー
タであり、又、１３，１４，１５，１６は流量調
整バルブ、バルブ２１は補助バルブである。 又放電室１の下側端部はメインバルブ２２を介
して排気装置（図示されていない）に接続されて
いる。２３は、放電室１内の真空を破る為のバル
ブである。 放電室１の下端部には、中心部に穴が設けられ
た円錐状の収集板２４が取り付けられており、収
集室２５内の前記収集板２４の穴の真下の位置に
は、製造されるａ−Si粉末を収納する為の収納器
２６が置かれてある。 ２７は、収集室２５内の収納器２６を出し入れ
る為の開閉扉であつて、閉じた状態に於いては、
収集室２６内の真空が充分保たれる様に設計され
ている。 収集板２４は、放電室１内で生成されるａ−Si
粉末を、その中心部に収集する機能がある他、生
成されたａ−Si粉末が排気系に取込まれるのでを
防止する機能も有している。 ２８は、ゲートバルブであつて、放電室１と収
集室２５間を遮断開放する為のバルブである。 ２９は、例えばゲートバルブ２８を閉めて放電
室１との機密を遮断した後、収集室２５内の真空
を破る為のバルブである。 第１図の装置を使用して、ａ−Si粉末を製造す
るには、先ずメインバルブ２２及びゲートバルブ
２８を全開して放電室１内及び収集室の空気を矢
印Ａで示す様に排気して、真空度10-5Torr程
度にする。放電室１内が所定の真空度に達した
後、次に補助バルブ２１を全開し、続いてガスボ
ンベ５のバルブ１７及びガスボンベ６のバルブ１
８を全開する。ガスボンベ５は例えばArガス等
の稀釈ガス用であり、ガスボンベ６はａ−Siを形
成する為の原料ガス用であつて、例えば、
SiH4、Si2H6、Si4H10又は、それ等の混合物等が
貯蔵されている。又、ボンベ７及びボンベ８は必
要に応じてａ−Si系光導電層中に不純物を導入す
る為の原料ガス用であつて、例えばボンベ７には
PH3、P2H4、ボンベ８にはB2H6等が貯蔵されて
いる。 その後ガスボンベ５及び６の流量調節バルブ１
３，１４を、フローメータ９及び１０を見乍ら、
徐々に開口し、放電室１内に稀釈ガスとして例え
ばArガス及び例えば、SiH4ガス等のａ−Si形成
用の原料ガスを導入する。この時Arガス等の稀
釈ガスは必ずしも要するものではなく、SiH4ガ
ス等の前記原料ガスのみ導入しても良い。Arガ
スをSiH4ガス等のａ−Si形成用の原料ガスに混合
して導入する場合、その量的割合は、所望に従つ
て決定されるが、通常の場合、稀釈ガスに対して
前記原料ガスが10Vol％以上とされる。尚稀釈ガ
スとしてArガスの代りにHeガス等の稀ガスを使
用しても良い。 放電室１内に、ボンベ５，６より所望のガスが
導入された時点に於いて、メインバルブ２２を調
節して、所定の真空度、通常の場合は、ａ−Si粉
末を形成する時の全ガス圧で0.1〜20Torrに保
つ。次いで、放電室１外に巻かれたキヤパシタン
スタイプの電極３，４に高周波電源２より所定周
波数、通常の場合は0.2〜30MHzの高周波電力を
加えてグロー放電を放電室１内に起すとプラズマ
雰囲気が形成され、例えばａ−Si形成用の原料ガ
スとしてSiH4を使用すると、該SiH4が分解され
て、ａ−Si粉末粒子が形成される。形成されたａ
−Si粉末粒子は、収集板２４によつて、収集板２
４の中央に収集されて、その下方に設置してある
収集室２５内の収納器２６中に収容される。 形成されるａ−Si粉末粒子中に不純物を導入す
る際には、ボンベ７又は／及びボンベ８より不純
物生成用のガスを、ａ−Si粉末形成時に放電室１
内に導入してやれば良い。この場合、流量調節バ
ルブ１５は／及び１６を適当に調節することによ
り、ボンベ７又は／及び８よりの放電室１へのガ
スの導入量を適切に制御することが出来るので、
形成されるａ−Si粉末粒子中に導入される不純物
の量を任意に制御することが出来る。 第１図に示される気体放電装置に於いては、キ
ヤパシタンスタイプグロー放電法が採用されてい
るが、この他、インダクタンスタイプグロー放電
法も本発明に於いて採用される。又、グロー放電
の為の電極は、放電室１の内に設けても良いし又
放電室１の外に設けても良い。 以下、本発明を実施例に従つて、具体的に説明
する。 実施例 １ 光導電性物質として平均粒径５〜10μのｎ型ａ
−Si粉末粒子20ｇと結着剤として平均粒径10μの
弗素樹脂（商品名MP−10；三井フロロケミカル
社）粉末20ｇとをトリニトン２ｇを含むフレオン
溶液50ml中に混合分散させて光導電層形成用の分
散液を作成した。 この分散液中に表面をマツト処理したアルミニ
ウム製円筒状ドラム支持体の浸漬した後、引上げ
て充分乾燥させた後約370℃で60分間焼成処理を
施して膜厚20μの光導電層を形成して、電子写真
用像形成部材とした。 得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面
は極めて平滑性に優れ、良好な外観を示してい
た。 この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、
6KVのコロナを与え次いで画像露光し、に荷電
したトナーを用いて現像を行い、得られたトナー
像を普通紙上に転写した。 クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリ
ーニングを採用した。この様な画像再生処理を繰
返し10万回行つたところ10万枚目の転写画像の画
質と一枚目の転写画像の画質とには、何等差はな
く、被りのない鮮明な極めて良好なものであり、
又、転写性も優れている為に画像再生処理の繰返
し毎には殆どクリーニングの必要がなく、本実施
例に於いては、30枚毎にクリーニング処理を適用
させた。又、感度も10 lux.secと良好であつて帯
電特性も6KVのコロナ放電を与えると500V
の表面電位が観測され実用的にも充分満足し得る
ものであることが立証された。 実施例 ２ 光導電性物質として平均粒径１μのＰ型ａ−Si
粉末20ｇと結着剤として平均粒径10μのポリフル
オロエチレンプロピレン樹脂粉末20ｇとトリニト
ン１ｇとをフレオン溶液50ml中に混合分散させて
光導電層形成用の分散液を作成した。 この分散液中に表面をマツト処理したアルミニ
ウム製円筒状ドラム支持体を浸漬した後、引上げ
て充分乾燥させた後約280℃で60分間焼成処理を
施して膜厚30μの光導電層を形成して、電子写真
用像形成部材とした。 得られた電子写真用像形成部材の光導電層表面
は極めて平滑性に優れ、良好な外観を示してい
た。 この電子写真用像形成部材に暗所に於いて、
6KVのコロナ放電を与え次いで画像露光し、に
荷重したトナーを用いて現象を行い、得られたト
ナー像を普通紙上に転写した。 クリーニングはウレタンゴム製のブレードクリ
ーニングを採用した。この様な画像再生処理を繰
返し10万回行つたところ10万枚目の転写画像の画
質と一枚目の転写画像の画質とには、何等差はな
く、被りのない極めて良好なものであり、又、転
写性も優れている為に画像再生処理の繰返し毎に
は殆どクリーニングの必要がなく、本実施例に於
いては、10枚毎にクリーニング処理を適用させた
場合でもクリーニングには何等支障は生じなかつ
た。又、感度も7.0 lux.secと良好であつて帯電
特性も6KVのコロナ放電を与えると500Vの
表面電位が観測され実用的にも充分満足し得るも
のであることが立証された。 実施例 ３ 第１図に示した装置によつて製造したｎ型ａ−
Si粉末100重量部と樹脂固形分として芳香族ポリ
エステル化ウレタン樹脂（分子量約３万）（商品
名；CA101、日本油脂社製）50重量部とを含む分
散液を円筒状アルミニウムドラムに塗布乾燥し、
次いで、80℃で15分間乾燥後、4KW水銀ランプ
で５分間光照射して硬化させ、50μ厚の光導電層
を形成した。 次に、得られた光導電層表面を光硬化型不飽和
ポリエステル樹脂（商品名；UV−CM−102、カ
シユーKK製）の粘度が90CPSとなる様にメチル
エチルケトンで希釈した液に浸し、30mm／minの
速度で引き上げた後、4KW水銀ランプで５分間
照射して硬化させた。この操作を３回くり返して
30μの絶縁層を設けた。 この様にして形成された電子写真用像形成部材
の絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧6000V
でコロナ放電を0.2sec間行つたところ、
2000Vに帯電した。次に、二次帯電として電源電
圧5500Vでコロナ放電を行うと同時に露光量15
lux.secで画像露光を行い、次いで像形成部材表
面を一様に全面照射して静電像を形成した。この
静電像をカスケード法によつてに荷電されたト
ナーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極
めて良品質の画像が得られた。又、上記の画像再
生処理を繰返し10万回行つたところ10万枚目の転
写画像の画質と１枚目の転写画像の器画質とに
は、何等差はなく、被りのない極めて良質なもの
であつた。 実施例 ４ 第１図に示した装置によつて製造したＰ型ａ−
Si粉末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポ
リマー10重量部、希釈剤としてメチルイソブチル
ケトン10重量部を混合してロールミルで良く分散
し、ペースト状光導電性組成物を調整し、更にメ
チルエチルケトンを加えて20℃で700cpsの粘度
に調製した。その組成物溶液中にアルミニウム製
円筒形ドラムをデイツピング、30mm／minの速度
で引き上げて塗布し、70℃20分間乾燥して溶媒を
完全に揮発させて厚さ50μの光導電層を形成し
た。次いで上記ドラムをα、ωポリブタジエンジ
カルボン酸樹脂のカルボキシル基をアンモニアで
中和して得た水系分散液（粘度；20℃70cps）に
デイツピングし、30mm／minの速度で引き上げて
塗布し、70℃で30分間乾燥して、水及びアンモニ
アを揮発させて、上記光導電層上に厚さ４μの目
止層を形成した。更に上記ドラムを光硬化型アク
リル化ウレタン樹脂をエチルアルコールで希釈し
た（粘度；20℃70cps）溶液中にデイツピング
し、30mm／minの速度で引き上げ目止層に上記物
質の薄膜を形成した後、紫外線照射装置中で、
100秒間紫外線を照射して硬化し、絶縁層を形成
した。この絶縁層は、１回の塗布でできる膜の厚
さは10μで、この後更に２回同じ操作をくり返し
て合計30μの絶縁層とした。 この様にして製造した電子写真用像形成部材の
絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧6000Vで
コロナ放電を0.2sec間行つたところ、2000V
に帯電した。次に、二次帯電として電源電圧
5500Vでコロナ放電を行うと同時に露光量15
lux.secで画像露光を行い、次いで像形成部材表
面を一様に全面照射して静電像を形成した。この
静電像をカスケード法によつてに荷電されたト
ナーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極
めて良品質の画像が得られた。又、上記の画像再
生処理を繰返し10万回行つたところ10万枚目の転
写画像の画質と１枚目の転写画像の画質とには、
何等差はなく、被りのない極めて良質のものであ
つた。 実施例 ５ 第１表に示す様に光導電層形成用の分散液を調
合した。これ等の分散液をステンレス製円筒状ド
ラム支持体上に浸漬法にて塗布し、所定の硬化処
理を施して約35μ厚の光導電層を形成して試料
NosS51〜S56の電子写真用像形成部材を得た。こ
れ等の像形成部材の中試料NosS51〜S53の像形成
部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ
放電を光導電層表面に行い、次いで15 lux.secの
露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該
静電像をカスケード法により荷電されたトナー
で現像して転写紙上に転写・定着したところ解像
力が高く極めて鮮明な画像が得られた。 一方、試料NosS54〜S56の像形成部材に就て、
暗中で電源電圧6000Vでコロナ放電を施し、次
いで15 lux.secの光量で画像露光を行い、前記の
コロナ放電を施して画像出しをした時と同様の
条件で画像出しを行つたところ、得られた転写紙
上の画像は、解像力が高く極めて鮮明で良質の画
像であつた。 各々に適した上記の様な画像形成処理を繰返
し、試料NosS51〜S56の電子写真用像形成部材に
施し、これ等の電子写真用像形成部材の耐久性に
就て試験したところ、15万枚目の転写紙上に得ら
れた画像も極めて良質であつて、１枚目の転写紙
上の画像と較べても何等差違はなく、これ等の電
子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、耐摩耗
性に優れ著しく耐久性に富んでいることが実証さ
れた。
【表】
【表】
実施例 ６
第１図に示した装置によつて製造したｎ型ａ−
Si粉末10重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポリ
マー10重量部、希釈剤としてメチルイソブチルケ
トン10重量部を混合してロールミルで良く分散
し、ペースト状光導電性組成物を調整し、更にメ
チルエチルケトンを加えて20℃で700cpsの粘度
に調製した。その組成物溶液中にアルミニウム製
円筒形ドラムをデイツピングし、30mm／minの速
度で引き上げて塗布し、70℃20分間乾燥して溶媒
を完全に揮発させて厚さ50μの光導電層を形成し
た。次いで上記ドラムを、ポリビニールアルコー
ル（商品名：ポバールＣ−17、信越化学社製）の
水系分散液（粘度：20℃70cps）にデイツピング
し、30mm／minの速度で引き上げて塗布し、70℃
で30分間乾燥して、水を揮発させて、上記光導電
層上に厚さ２μの保護層を形成した。 この様にして製造した電子写真用像形成部材
に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電
を光導電層表面に行い、次いで15 lux.secの露光
量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電
像をカスケード法により、荷電されたトナーで
現像して転写紙上に転写・定着したところ解像力
が高く極めて鮮明な画像が得られた。 又、更には上記の画像再生処理を繰返し２万回
行つたところ２万枚目の転写画像の画質と一枚目
の転写画像の画質とには何等差違はなく、被りの
ない極めて良質なものであつた。 実施例 ７ 実施例６の保護層形成材料としてのポリビニル
アルコールの代りに第２表に示す保護層形成材料
を用いた以外は、実施例６と同様の条件と手順で
試料NosS71〜S74の電子写真用像形成部材を製造
した。これ等の像形成部材に就て実施例６と同様
の画像再生処理を施したところ実施例６の場合と
同様に良好な結果を得た。
Si粉末10重量部に塩化ビニル−酢酸ビニルコポリ
マー10重量部、希釈剤としてメチルイソブチルケ
トン10重量部を混合してロールミルで良く分散
し、ペースト状光導電性組成物を調整し、更にメ
チルエチルケトンを加えて20℃で700cpsの粘度
に調製した。その組成物溶液中にアルミニウム製
円筒形ドラムをデイツピングし、30mm／minの速
度で引き上げて塗布し、70℃20分間乾燥して溶媒
を完全に揮発させて厚さ50μの光導電層を形成し
た。次いで上記ドラムを、ポリビニールアルコー
ル（商品名：ポバールＣ−17、信越化学社製）の
水系分散液（粘度：20℃70cps）にデイツピング
し、30mm／minの速度で引き上げて塗布し、70℃
で30分間乾燥して、水を揮発させて、上記光導電
層上に厚さ２μの保護層を形成した。 この様にして製造した電子写真用像形成部材
に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電
を光導電層表面に行い、次いで15 lux.secの露光
量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電
像をカスケード法により、荷電されたトナーで
現像して転写紙上に転写・定着したところ解像力
が高く極めて鮮明な画像が得られた。 又、更には上記の画像再生処理を繰返し２万回
行つたところ２万枚目の転写画像の画質と一枚目
の転写画像の画質とには何等差違はなく、被りの
ない極めて良質なものであつた。 実施例 ７ 実施例６の保護層形成材料としてのポリビニル
アルコールの代りに第２表に示す保護層形成材料
を用いた以外は、実施例６と同様の条件と手順で
試料NosS71〜S74の電子写真用像形成部材を製造
した。これ等の像形成部材に就て実施例６と同様
の画像再生処理を施したところ実施例６の場合と
同様に良好な結果を得た。
【表】
実施例 ８
アルミニウム製円筒状ドラム６本を用意し各々
の表面を第３表に示すシラン系処理剤（溶剤はエ
チルアルコールを使用）で表面処理した。 別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−Si粉
末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワ
ニス（商品名Ｖ−１・森川インキ社製）を固形分
で10重量部、稀釈剤としてメチルイソブチルケト
ン５重量部を混合してロールミルで良く分散しペ
ースト状光導電性組成物を調製した。次いでこの
組成物にメチルエチルケトンを加えて500〜
600C.P.Sの粘度とした。その組成物溶液中に前
記の６本のアルミニウム組円筒形ドラムを別々に
各々デイツピングし、30cm／minの速度で引上
げ、70℃で20分間乾燥して溶剤を完全に揮発させ
て厚さ35μの光導電層を形成した。 次いで上記６本のドラムを各々40℃に加熱溶解
させた10％ゼラチン水溶液（新田ゼラチン社製）
中にデイツピングし、約４cm／minの速度で引上
げ、上記光導電層上に厚さ１μの目止め層を形成
した。 更に上記６本のドラムを光硬化型アクリルウレ
タン樹脂（商品名ゾンネ：関西ペイント社製）を
エチルアルコールで100C.P.Sに稀釈した溶液中
に各々、別々にデイツピングし、４cm／minの速
度で引上げ、目止層上に上記物質の薄膜を形成し
た後紫外線照射装置中で120秒間紫外線を照射し
て硬化させた。この塗布を６本のドラムに対して
各々３回くり返えし30μの厚さの絶縁層を形成し
て、試料NosS81〜S85の電子写真用像形成部材を
得た。 これ等の電子写真用像形成部材の絶縁層表面に
一次帯電として、電源電圧6000Vでコロナ放電
を0.2sec間行つたところ、2000Vに帯電した。
次に、二次帯電として電源電圧5500Vでコロナ
放電を行うと同時に露光量15 lux.secで画像露光
を行い、次いで像形成部材表面を一様に全面照射
して静電像を形成した。この静電像をカスケード
法によつてに荷重されたトナーで現像し、転写
紙上に転写定着したところ極めて良品質の画像が
得られ。又、上記の画像再生処理を繰返し10万回
行つたところ10万枚目の転写像の画質と１枚目の
転写画像の画質とには、何等差はなく、被りのな
い極めて良質のものであつた。
の表面を第３表に示すシラン系処理剤（溶剤はエ
チルアルコールを使用）で表面処理した。 別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−Si粉
末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワ
ニス（商品名Ｖ−１・森川インキ社製）を固形分
で10重量部、稀釈剤としてメチルイソブチルケト
ン５重量部を混合してロールミルで良く分散しペ
ースト状光導電性組成物を調製した。次いでこの
組成物にメチルエチルケトンを加えて500〜
600C.P.Sの粘度とした。その組成物溶液中に前
記の６本のアルミニウム組円筒形ドラムを別々に
各々デイツピングし、30cm／minの速度で引上
げ、70℃で20分間乾燥して溶剤を完全に揮発させ
て厚さ35μの光導電層を形成した。 次いで上記６本のドラムを各々40℃に加熱溶解
させた10％ゼラチン水溶液（新田ゼラチン社製）
中にデイツピングし、約４cm／minの速度で引上
げ、上記光導電層上に厚さ１μの目止め層を形成
した。 更に上記６本のドラムを光硬化型アクリルウレ
タン樹脂（商品名ゾンネ：関西ペイント社製）を
エチルアルコールで100C.P.Sに稀釈した溶液中
に各々、別々にデイツピングし、４cm／minの速
度で引上げ、目止層上に上記物質の薄膜を形成し
た後紫外線照射装置中で120秒間紫外線を照射し
て硬化させた。この塗布を６本のドラムに対して
各々３回くり返えし30μの厚さの絶縁層を形成し
て、試料NosS81〜S85の電子写真用像形成部材を
得た。 これ等の電子写真用像形成部材の絶縁層表面に
一次帯電として、電源電圧6000Vでコロナ放電
を0.2sec間行つたところ、2000Vに帯電した。
次に、二次帯電として電源電圧5500Vでコロナ
放電を行うと同時に露光量15 lux.secで画像露光
を行い、次いで像形成部材表面を一様に全面照射
して静電像を形成した。この静電像をカスケード
法によつてに荷重されたトナーで現像し、転写
紙上に転写定着したところ極めて良品質の画像が
得られ。又、上記の画像再生処理を繰返し10万回
行つたところ10万枚目の転写像の画質と１枚目の
転写画像の画質とには、何等差はなく、被りのな
い極めて良質のものであつた。
【表】
数値は、溶剤とシラン系処理剤との重量比。
実施例 ９ アルミニウム製円筒状ドラム表面にシラン系処
理剤（CH3O）3Si（CH2）3NHCH2CH2NH22.0重量
％エチルアルコール溶液をスプレーで吹付けて塗
布処理した。 別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−Si粉
末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワ
ニス（商品名ｖ−１：森川インキ社製）を固形分
で10重量部、稀釈剤としてメチルイソブチルケト
ン５重量部を混合してロールミルで良く分散しペ
ースト状光導電性組成物を調製した。次いでこの
組成物にメチルエチルケトンを加えて約550C.P.
Sの粘度とした。その組成物溶液中に前記アルミ
ニウム製円筒形ドラムをデイツピングし、30cm／
minの速度で引上げ、70℃で20分間乾燥して溶剤
を完全に揮発させて厚さ35μの光導電層を形成し
た。 この光導電層表面を前記と同様のシラン系処理
剤で表面処理した後、ポリカーボネイト樹脂を乾
燥後の厚さが15μとなる様に塗布して、電気的絶
縁層を形成して、電子写真用像形成部材とした。
この像形成部材の絶縁層表面に一次帯電として、
電源電圧6000Vでコロナ放電を0.2sec間行つた
ところ、2000Vに帯電した。次に、二次帯電と
して電源電圧5500Vでコロナ放電を行うと同時
に露光量15 lux.secで画像露光を行い、次いで感
光体表面を一様に全面照射して静電像を形成し
た。この静電像をカスケード法によつてに荷電
されたトナーで現像し、転写紙上に転写定着した
ところ極めて良品質の画像が得られた。 実施例 10 実施例６に於けるアルミニウム円筒状ドラムの
表面をアルマイト処理して厚さ約２μの障壁層を
形成した以外は、実施例６と同様の条件と手順で
電子写真用像形成部材を製造した。 この像形成部材に就て、実施例６と同様の画像
再生処理を施したところ、実施例６と同様に良好
な転写画像が得られた。
実施例 ９ アルミニウム製円筒状ドラム表面にシラン系処
理剤（CH3O）3Si（CH2）3NHCH2CH2NH22.0重量
％エチルアルコール溶液をスプレーで吹付けて塗
布処理した。 別に第１図に示す装置で製造したｎ型ａ−Si粉
末100重量部に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合ワ
ニス（商品名ｖ−１：森川インキ社製）を固形分
で10重量部、稀釈剤としてメチルイソブチルケト
ン５重量部を混合してロールミルで良く分散しペ
ースト状光導電性組成物を調製した。次いでこの
組成物にメチルエチルケトンを加えて約550C.P.
Sの粘度とした。その組成物溶液中に前記アルミ
ニウム製円筒形ドラムをデイツピングし、30cm／
minの速度で引上げ、70℃で20分間乾燥して溶剤
を完全に揮発させて厚さ35μの光導電層を形成し
た。 この光導電層表面を前記と同様のシラン系処理
剤で表面処理した後、ポリカーボネイト樹脂を乾
燥後の厚さが15μとなる様に塗布して、電気的絶
縁層を形成して、電子写真用像形成部材とした。
この像形成部材の絶縁層表面に一次帯電として、
電源電圧6000Vでコロナ放電を0.2sec間行つた
ところ、2000Vに帯電した。次に、二次帯電と
して電源電圧5500Vでコロナ放電を行うと同時
に露光量15 lux.secで画像露光を行い、次いで感
光体表面を一様に全面照射して静電像を形成し
た。この静電像をカスケード法によつてに荷電
されたトナーで現像し、転写紙上に転写定着した
ところ極めて良品質の画像が得られた。 実施例 10 実施例６に於けるアルミニウム円筒状ドラムの
表面をアルマイト処理して厚さ約２μの障壁層を
形成した以外は、実施例６と同様の条件と手順で
電子写真用像形成部材を製造した。 この像形成部材に就て、実施例６と同様の画像
再生処理を施したところ、実施例６と同様に良好
な転写画像が得られた。
第１図は、本発明に於いて使用される光導電材
料粉末を製造する為の気体放電装置の一例を説明
する為の模式的説明図である。 １……放電室、２……高周波電源、３，４……
電極、５，６，７，８……ボンベ、２５……収集
室、２６……収納器、２７……開閉扉、２８……
ゲートバルブ。
料粉末を製造する為の気体放電装置の一例を説明
する為の模式的説明図である。 １……放電室、２……高周波電源、３，４……
電極、５，６，７，８……ボンベ、２５……収集
室、２６……収納器、２７……開閉扉、２８……
ゲートバルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、光導電材料粉末粒子が結着剤中に
分散されて層形成されている光導電層とを有する
電子写真用像形成部材において、光導電材料粉末
粒子が10〜40原子％の水素を含有するアモルフア
スシリコン粉末粒子である事を特徴とする電子写
真用像形成部材。 ２ 結着剤がアモルフアスシリコン粉末粒子との
重量比で５〜60wt％含有されている特許請求の
範囲第１項の電子写真用像形成部材。 ３ 光導電層の厚さが10〜80μである特許請求の
範囲第１項の電子写真用像形成部材。 ４ 結着剤が樹脂結着剤である特許請求の範囲第
１項乃至第２項の電子写真用像形成部材。 ５ 結着剤がシリコーン化合物である特許請求の
範囲第１項の電子写真用像形成部材。 ６ 結着剤が有機光導電材料である特許請求の範
囲第１項の電子写真用像形成部材。 ７ 結着剤の絶縁耐力が10KV／mm以上である特
許請求の範囲第１項の電子写真用像形成部材。 ８ 結着剤の体積固有抵抗が1012Ωcm以上である
特許請求の範囲第１項の電子写真用像形成部材。 ９ 支持体と光導電層との界面がシラン系処理剤
で処理されている特許請求の範囲第１項乃至第８
項の電子写真用像形成部材。 １０ 光導電層上に表面被覆層を有する特許請求
の範囲第１項乃至第８項の電子写真用像形成部
材。 １１ 前記支持体と前記光導電層との間に障壁層
が設けられている特許請求の範囲第１項の電子写
真用像形成部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065578A JPS557761A (en) | 1978-07-03 | 1978-07-03 | Image forming member for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065578A JPS557761A (en) | 1978-07-03 | 1978-07-03 | Image forming member for electrophotography |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59148311A Division JPS6068348A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | アモルフアスシリコン粉末粒子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS557761A JPS557761A (en) | 1980-01-19 |
| JPS6161105B2 true JPS6161105B2 (ja) | 1986-12-24 |
Family
ID=13724365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065578A Granted JPS557761A (en) | 1978-07-03 | 1978-07-03 | Image forming member for electrophotography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS557761A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166647A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive composition and electrophotographic receptor using this |
| US4349617A (en) * | 1979-10-23 | 1982-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Function separated type electrophotographic light-sensitive members and process for production thereof |
| JPS5669658A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Formation of electrophotography picture |
| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
-
1978
- 1978-07-03 JP JP8065578A patent/JPS557761A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS557761A (en) | 1980-01-19 |
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