JPS5969950A - 多層配線形成方法 - Google Patents
多層配線形成方法Info
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- JPS5969950A JPS5969950A JP18112082A JP18112082A JPS5969950A JP S5969950 A JPS5969950 A JP S5969950A JP 18112082 A JP18112082 A JP 18112082A JP 18112082 A JP18112082 A JP 18112082A JP S5969950 A JPS5969950 A JP S5969950A
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- interlayer insulating
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線の形成方法に関し、特に平滑々層間絶
縁膜を形成する方法に関するものである。
縁膜を形成する方法に関するものである。
一般に、集積回路において多層配線を形成するには、段
差部における断線や短絡をなくするために眉間絶縁膜を
平滑化する必要がおる。例えば、ポリシリコン配ｍｔｔ
ｃおいてはリンを含むＰＥＧ膜を形成し、約１０００℃
の温度でＰＥＧ膜を流動させて平滑化させるＰＳＧフロ
ー法がある。しかし、このポリシリコンは配線抵抗率が
高いためアルミニウム配線を用いようとすると、このア
ルミニウムは１０００℃まで耐えられないのでＰＳＧフ
ロー法を用いることが出来ない。
差部における断線や短絡をなくするために眉間絶縁膜を
平滑化する必要がおる。例えば、ポリシリコン配ｍｔｔ
ｃおいてはリンを含むＰＥＧ膜を形成し、約１０００℃
の温度でＰＥＧ膜を流動させて平滑化させるＰＳＧフロ
ー法がある。しかし、このポリシリコンは配線抵抗率が
高いためアルミニウム配線を用いようとすると、このア
ルミニウムは１０００℃まで耐えられないのでＰＳＧフ
ロー法を用いることが出来ない。
このためドライエツチングによる眉間絶縁膜の平°滑法
がいくつか提案されている。この平滑法の一つに、アル
ミニウム配線を形成し層間絶縁膜としてプラズマ窒化シ
リコン膜で被覆した後、樹脂液を塗布して表面の断差を
小さくシ、イオンミーリングによりＡｒイオンの入射角
を選び樹脂膜がなくなるまでエツチングすることにより
、層間絶縁膜を平滑にする方法がある。その樹脂膜とし
てはホトレジストやホリイミドなどを用い、アルゴンＡ
ｒイオンの入射角を変えることにより平滑になるように
樹脂膜と層間絶縁膜のエツチング速度を調整するもので
ある。
がいくつか提案されている。この平滑法の一つに、アル
ミニウム配線を形成し層間絶縁膜としてプラズマ窒化シ
リコン膜で被覆した後、樹脂液を塗布して表面の断差を
小さくシ、イオンミーリングによりＡｒイオンの入射角
を選び樹脂膜がなくなるまでエツチングすることにより
、層間絶縁膜を平滑にする方法がある。その樹脂膜とし
てはホトレジストやホリイミドなどを用い、アルゴンＡ
ｒイオンの入射角を変えることにより平滑になるように
樹脂膜と層間絶縁膜のエツチング速度を調整するもので
ある。
また、他の方法として、段差がある層間絶縁膜上に樹脂
液を厚く塗布し、この塗布した面が平滑になることを利
用して樹脂膜と層間絶縁膜のエツチング速度がほぼ等し
くなるエツチング条件で樹脂膜がなくなるまでエツチン
グし、樹脂膜表面の平滑性を層間絶縁膜に写す方法があ
る。この樹脂液トしてはホトレジストやポリイミドなど
を用い、ドライエツチング方法としては円筒型プラズマ
エツチング、平行平板型プニズマエッチングなどを用い
て、ＣＦ４ガスに加える０２量を変えてエツチング速度
を調整するものである。
液を厚く塗布し、この塗布した面が平滑になることを利
用して樹脂膜と層間絶縁膜のエツチング速度がほぼ等し
くなるエツチング条件で樹脂膜がなくなるまでエツチン
グし、樹脂膜表面の平滑性を層間絶縁膜に写す方法があ
る。この樹脂液トしてはホトレジストやポリイミドなど
を用い、ドライエツチング方法としては円筒型プラズマ
エツチング、平行平板型プニズマエッチングなどを用い
て、ＣＦ４ガスに加える０２量を変えてエツチング速度
を調整するものである。
しかし、これらの方法において、層間絶縁膜の平滑化処
理の際［１’ｉ間絶縁膜が必然的に薄くな）、このため
第２層の配線を形成すると、第１層と第２層との配線間
にリークが生じ易くなる問題がある。これは特に層間絶
縁膜を多くエツチングしたものに顕著に生じることにな
る。
理の際［１’ｉ間絶縁膜が必然的に薄くな）、このため
第２層の配線を形成すると、第１層と第２層との配線間
にリークが生じ易くなる問題がある。これは特に層間絶
縁膜を多くエツチングしたものに顕著に生じることにな
る。
この現象は次のようにして確認できる。す女わち、平滑
化処理した基板を７０°Ｃの濃リン酸に漬けると、へｌ
配線上が点状に溶け、層間絶縁膜のエツチング量が多い
ものでは配線の両脇が部分的に溶ける。この結果からＡ
Ａ配線上には小さなピンホールやクラックが生じており
、′ｔ！た、層間絶縁膜を多くエツチングしすぎたとき
には配線の側壁が部分的に出ていることが分かる。一般
に角部に成長した絶縁膜は結晶性が悪いためにエツチン
グ速度が運＜、Ａ７配線の粒子化した突起（ヒル四ツク
）や配線の角において穴が開くと考えられる。
化処理した基板を７０°Ｃの濃リン酸に漬けると、へｌ
配線上が点状に溶け、層間絶縁膜のエツチング量が多い
ものでは配線の両脇が部分的に溶ける。この結果からＡ
Ａ配線上には小さなピンホールやクラックが生じており
、′ｔ！た、層間絶縁膜を多くエツチングしすぎたとき
には配線の側壁が部分的に出ていることが分かる。一般
に角部に成長した絶縁膜は結晶性が悪いためにエツチン
グ速度が運＜、Ａ７配線の粒子化した突起（ヒル四ツク
）や配線の角において穴が開くと考えられる。
本発明の目的は、前記のような問題点全解決し、層間絶
縁膜の平滑化処理をしても配線の層間にリークの生じな
いようにした多層配線形成方法を提供することにある。
縁膜の平滑化処理をしても配線の層間にリークの生じな
いようにした多層配線形成方法を提供することにある。
本発明の多層配線形成方法の構成は、基板上の第１層の
配線上に層間絶縁膜全形成し、この層間絶縁膜を平滑化
した後、再度層間絶縁膜を被覆し、この層間絶縁膜上に
第２層の配線を形成１゛ることを特徴とする。
配線上に層間絶縁膜全形成し、この層間絶縁膜を平滑化
した後、再度層間絶縁膜を被覆し、この層間絶縁膜上に
第２層の配線を形成１゛ることを特徴とする。
以下、本発明全図面により詳細に酸５明する。
第１図〜第５図は本発明の一実施例全製造工程順に説明
する断面図である。廿ず、第１図のように、Ｓｉ窒化膜
で全面が被覆されたＳｉ基板１の上に、高さ１．０μｍ
、幅２．０μｍのＡ７配線２を形成し、プラズマ窒化膜
３全２０μｍ 成長してＡ１配線２全被覆する。次に、
第２図のように、ホトレジスト膜４ ’ｒ １．０μｍ
塗布し、第３図のようにＡｒイオンミーリングによフ基
板１を回転させ入射角３０°で＆ｒイオンを打込んでプ
ラズマ窒化膜３が出るまでエツチングして平滑化し、Ｓ
ｉ基板１を有機洗浄する。次に、第４図のように、再度
、プラズマ窒化膜５を全面に０．５μｍ成長させ、この
窒化膜５の上に、第５図のように第２層Ａ７配線６を形
成する。
する断面図である。廿ず、第１図のように、Ｓｉ窒化膜
で全面が被覆されたＳｉ基板１の上に、高さ１．０μｍ
、幅２．０μｍのＡ７配線２を形成し、プラズマ窒化膜
３全２０μｍ 成長してＡ１配線２全被覆する。次に、
第２図のように、ホトレジスト膜４ ’ｒ １．０μｍ
塗布し、第３図のようにＡｒイオンミーリングによフ基
板１を回転させ入射角３０°で＆ｒイオンを打込んでプ
ラズマ窒化膜３が出るまでエツチングして平滑化し、Ｓ
ｉ基板１を有機洗浄する。次に、第４図のように、再度
、プラズマ窒化膜５を全面に０．５μｍ成長させ、この
窒化膜５の上に、第５図のように第２層Ａ７配線６を形
成する。
このようにして形成した多層配線のリーク抵抗を３イン
チのＳ＋基板５０枚について調べたところ、第１層およ
び第２層の間の抵抗値はすべて１０ＭΩ以上であった。
チのＳ＋基板５０枚について調べたところ、第１層およ
び第２層の間の抵抗値はすべて１０ＭΩ以上であった。
なお、従来の層間絶縁膜を平滑化処理をしただけのもの
では、１枚につき４００点測定した中で最小値から２０
点の平均のリーク抵抗について、１〜ＩＯＫΩが２枚、
１０〜１００痘Σが５枚、１１００Ｋ−ＩΩが７枚、Ｉ
ＭΩ〜ｉｏｕΩが１１枚、１０ＭΩ以上が２５枚であっ
た。
では、１枚につき４００点測定した中で最小値から２０
点の平均のリーク抵抗について、１〜ＩＯＫΩが２枚、
１０〜１００痘Σが５枚、１１００Ｋ−ＩΩが７枚、Ｉ
ＭΩ〜ｉｏｕΩが１１枚、１０ＭΩ以上が２５枚であっ
た。
なお、この実施例の再度被覆するプラズマ窒化膜５の厚
さとしては、０２μｍ位から効果が見られる。そして、
平滑化処理により第２層配線には段差による新線はない
。また、実施例では層間絶縁膜としてプラズマ窒化シリ
コン膜を用いたが、気相成長やスパッター蒸着による二
酸化シリコン膜、−酸化シリコン膜、ＰＳＧ膜、窒化シ
リコン膜などであってもよい。
さとしては、０２μｍ位から効果が見られる。そして、
平滑化処理により第２層配線には段差による新線はない
。また、実施例では層間絶縁膜としてプラズマ窒化シリ
コン膜を用いたが、気相成長やスパッター蒸着による二
酸化シリコン膜、−酸化シリコン膜、ＰＳＧ膜、窒化シ
リコン膜などであってもよい。
以上のように、本発明によれば、多層配線における配線
の層間にリークがなり、シかも層間絶縁膜が平滑化され
ているため断線も生じることがない。
の層間にリークがなり、シかも層間絶縁膜が平滑化され
ているため断線も生じることがない。
第１図〜第５商は本発明の実施例を製造工程順に説明す
る断面図である。 図において、
る断面図である。 図において、
Claims (1)
- 基板上の第１層の配線上に層間絶縁膜を形成し、この層
間絶縁膜を平滑化した後、再度層間絶縁膜を被覆し、゛
この層間絶縁膜上に第２層の配線を形成することる特徴
とする多層配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18112082A JPS5969950A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 多層配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18112082A JPS5969950A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 多層配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969950A true JPS5969950A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16095197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18112082A Pending JPS5969950A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 多層配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969950A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231340A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-16 | Sony Corp | 半導体装置の製法 |
| JPS61232636A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63266645A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 対物レンズ駆動装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261980A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18112082A patent/JPS5969950A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261980A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231340A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-16 | Sony Corp | 半導体装置の製法 |
| JPS61232636A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63266645A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 対物レンズ駆動装置 |
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