JPS5970761A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS5970761A JPS5970761A JP18347782A JP18347782A JPS5970761A JP S5970761 A JPS5970761 A JP S5970761A JP 18347782 A JP18347782 A JP 18347782A JP 18347782 A JP18347782 A JP 18347782A JP S5970761 A JPS5970761 A JP S5970761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- raw material
- reaction
- film
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガスを原料とし、放電反応によって膜支持体
上に膜を形成する膜形成装置に関するものである。
上に膜を形成する膜形成装置に関するものである。
膜形成装置は、加熱可能な膜支持体を内蔵し、排気系に
設けたポンプによって減圧にし得る反応容器内に原料ガ
スを流通させ、そこで放電反応を生起することによって
前記膜支持体上に膜形成を行ない、その後前記反応容器
を流通した原料ガスを排気系に尋いて排出する装置であ
る。
設けたポンプによって減圧にし得る反応容器内に原料ガ
スを流通させ、そこで放電反応を生起することによって
前記膜支持体上に膜形成を行ない、その後前記反応容器
を流通した原料ガスを排気系に尋いて排出する装置であ
る。
しかしながらこの種の膜形成製ａｒｔにあっては、前記
反応容器内での放電反応の副生成物として不要な粉体を
生ずる場合が多い。このため、従来装置では不要な粉体
が排気系の排気管 、Ｉｐタンプフィルタ、種々の弁に
堆積し、排気能力すなわち反応容器内の減圧能力が低下
して成膜を困難にするという問題があった。また同様の
理由により、頻繁に排気系の清掃をしなければならなく
なシ、長時間の連続成膜が不可能になるという問題があ
った。
反応容器内での放電反応の副生成物として不要な粉体を
生ずる場合が多い。このため、従来装置では不要な粉体
が排気系の排気管 、Ｉｐタンプフィルタ、種々の弁に
堆積し、排気能力すなわち反応容器内の減圧能力が低下
して成膜を困難にするという問題があった。また同様の
理由により、頻繁に排気系の清掃をしなければならなく
なシ、長時間の連続成膜が不可能になるという問題があ
った。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、成膜の
際に放電反応の副生成物として不要な粉体を生じても、
成膜中に排気能力が低下することを防止することができ
、しかも長時間の連続成膜を可能にすることのできる膜
形成装置を提供することを目的とするものである。
際に放電反応の副生成物として不要な粉体を生じても、
成膜中に排気能力が低下することを防止することができ
、しかも長時間の連続成膜を可能にすることのできる膜
形成装置を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するために、反応容器内での放
電反応にょ多副生成物として生じた不要な粉体を捕獲す
る粉体捕獲手段を原料ガスの排気系に設けたものである
。
電反応にょ多副生成物として生じた不要な粉体を捕獲す
る粉体捕獲手段を原料ガスの排気系に設けたものである
。
以下本発明を１図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例装説を示す概略断面図である
。図において１で示すものは加熱可能な膜支持体２を内
蔵した減圧にし得る反応容器である。この反応容器１は
、円筒状の容器１人に上蓋１Ｂと下蓋１０とが取付けら
れ、そのほぼ中央には前記膜支持体２例えばヒータ２Ａ
＝５１−内蔵しだ円筒形のアルミ製支持体２Ｂが回転自
在に配置され、さらにその外方には放電′１１１．極６
が設けられて構成されている。この放ｒ、（１電極３は
、前記円筒状の容器１人の上下瑞部に取付けられている
Ｏリング付きテフロンリング４を介し容器１人内部に設
けられていて、接地されている前記容器ＩＡ、上蓋ＩＢ
。
。図において１で示すものは加熱可能な膜支持体２を内
蔵した減圧にし得る反応容器である。この反応容器１は
、円筒状の容器１人に上蓋１Ｂと下蓋１０とが取付けら
れ、そのほぼ中央には前記膜支持体２例えばヒータ２Ａ
＝５１−内蔵しだ円筒形のアルミ製支持体２Ｂが回転自
在に配置され、さらにその外方には放電′１１１．極６
が設けられて構成されている。この放ｒ、（１電極３は
、前記円筒状の容器１人の上下瑞部に取付けられている
Ｏリング付きテフロンリング４を介し容器１人内部に設
けられていて、接地されている前記容器ＩＡ、上蓋ＩＢ
。
下蓋１Ｃとは電気的に絶縁されている。なお前記放電電
極６と容器１人の内面との間には原料ガス導入部空間５
が形成され、かつ前記放電電極６には多数の孔から成る
原ネ・１ガス流出口３Ａが形成されている。そして前記
原料ガス導入部空間５には、流量制御装置６を介して原
料ガスゼンペ７から導かれたＪＪｌｔ料ガスが供給され
るようになっている。
極６と容器１人の内面との間には原料ガス導入部空間５
が形成され、かつ前記放電電極６には多数の孔から成る
原ネ・１ガス流出口３Ａが形成されている。そして前記
原料ガス導入部空間５には、流量制御装置６を介して原
料ガスゼンペ７から導かれたＪＪｌｔ料ガスが供給され
るようになっている。
特に、原料ガスは前記原料ガス導入部空間５に供給され
、その後原料ガス流出口６Ａから反応容器１中に導入さ
れるので、原料ガスの流束の均一性を保つことができる
。また「１「記放電電極３と前記アルミ製支持体２Ｂ表
面との間に放電例えばグロー放電を生起させるだめに、
マッチングヂツクス１０と高周波電源１１とが設けられ
ている。そして前記反応容器１を流通した原料ガスを反
応容器１内から排出する排出口１２が前記下蓋１Ｂに形
成されており、この排出Ｉコ１２には原料ガスの排気系
１６が接続されている、この排気系１６は、前記排出口
１２に一端部が接続され、かつ他端部にロータリー月？
ンゾ１４が取付けられた排気管１５と、この排気管１５
の中間部に順次（前記排出口１２に近い順）取付けた粉
体捕獲手段例えば粉体４１（Ｉ獲器１６．圧力調整用ス
ロットルバルブ１７゜バルブ１８．メカニカルブースタ
ーポンプ１９とによって構成されている。前記粉体捕獲
器１６は、前記反応容器１内での放電反応によシ副生成
物として生じた不要な粉体を捕獲するものであシ、例え
ば円筒状容器１６Ａ中に円筒状金属メツシュ１６Ｂが配
置され、側方から上方へ排気できる構成になっている６
時にこの上うな構成にすれば粉体捕獲器１６によって捕
獲した粉体を排気系の下流にもれにくくすることができ
る。なお前記粉体捕獲器１６中に捕獲された粉体は、蓋
１６０を開けることによって定期的に除去することが可
能である。
、その後原料ガス流出口６Ａから反応容器１中に導入さ
れるので、原料ガスの流束の均一性を保つことができる
。また「１「記放電電極３と前記アルミ製支持体２Ｂ表
面との間に放電例えばグロー放電を生起させるだめに、
マッチングヂツクス１０と高周波電源１１とが設けられ
ている。そして前記反応容器１を流通した原料ガスを反
応容器１内から排出する排出口１２が前記下蓋１Ｂに形
成されており、この排出Ｉコ１２には原料ガスの排気系
１６が接続されている、この排気系１６は、前記排出口
１２に一端部が接続され、かつ他端部にロータリー月？
ンゾ１４が取付けられた排気管１５と、この排気管１５
の中間部に順次（前記排出口１２に近い順）取付けた粉
体捕獲手段例えば粉体４１（Ｉ獲器１６．圧力調整用ス
ロットルバルブ１７゜バルブ１８．メカニカルブースタ
ーポンプ１９とによって構成されている。前記粉体捕獲
器１６は、前記反応容器１内での放電反応によシ副生成
物として生じた不要な粉体を捕獲するものであシ、例え
ば円筒状容器１６Ａ中に円筒状金属メツシュ１６Ｂが配
置され、側方から上方へ排気できる構成になっている６
時にこの上うな構成にすれば粉体捕獲器１６によって捕
獲した粉体を排気系の下流にもれにくくすることができ
る。なお前記粉体捕獲器１６中に捕獲された粉体は、蓋
１６０を開けることによって定期的に除去することが可
能である。
また前記ロータリーポンプ１４とメカニカルブースター
ポンプ１９とは、原料ガスや不要な粉体を前記反応容器
１内から排気するだめのものであるが、同時に前記反応
容器１内を減圧するためのものである。したがって、そ
れらによって排気を行なうとともに、前記圧力調整用ス
ロットルバルブ１７を操作する仁とによって反応容器１
内は所定圧力に減圧されることになる。なお図において
２０で示すものは）々ルブであシ、２１で示すものは反
応容器リーク弁であり、２２で示すものは排気系リーク
弁である。
ポンプ１９とは、原料ガスや不要な粉体を前記反応容器
１内から排気するだめのものであるが、同時に前記反応
容器１内を減圧するためのものである。したがって、そ
れらによって排気を行なうとともに、前記圧力調整用ス
ロットルバルブ１７を操作する仁とによって反応容器１
内は所定圧力に減圧されることになる。なお図において
２０で示すものは）々ルブであシ、２１で示すものは反
応容器リーク弁であり、２２で示すものは排気系リーク
弁である。
次に上記実施例装置の作用について説明する。
前記流量制御装置６を介して原料ガスゼンペ７から原料
ガスを反応容器１内に導入するとともに、前記ロータリ
ーポンプ１４とメカニカルブースターポンプ１９とによ
って排気を行ない、かつ前記圧力調整用スロットルバル
ブ１７を操作して反応容器１内・を所望の定常圧力に減
圧する。そして前記ヒータ２Ａを介して前記アルミ製支
持体２Ｂを加熱し、かつ前記マッチングゼックス１０と
高周波電源１１とを介して前記アルミ製支持体２Ｂの表
面と放電電極６との間にグロー放電を生起させると、前
記アルミ製支持体２Ｂの表面に膜が形成される。そして
、原料ガスは、前記放電反応による成膜が行なわれた後
、前記メカニカルブースターポンプ１９及びロータリー
ポンプ１４によって原料ガス排出口１２から排気される
が、前記放電反応の副生成物として不要の粉体が生じた
場合には、この粉体は前記粉体捕獲器１６にて捕獲され
ることになる。したがって、この不要な粉体は、前記圧
力調整用スロットルバルブ１７．ノ々ルプ１８゜メカニ
カルブースターポンプ１９及びロータリーポンプ１４の
メツシュトラップ上に堆積したシ、前記排気管１５の内
壁に堆積したシすることはない。このため、粉体捕獲器
１６に捕獲された不要な粉体を定期的に除去してやれば
、成膜中に排気系１５の排気能力が低下して（すなわち
反応容器内の減圧能力が低下して）成膜が困難になると
いうことはなく、しかも長時間の連続成膜が可能になる
。
ガスを反応容器１内に導入するとともに、前記ロータリ
ーポンプ１４とメカニカルブースターポンプ１９とによ
って排気を行ない、かつ前記圧力調整用スロットルバル
ブ１７を操作して反応容器１内・を所望の定常圧力に減
圧する。そして前記ヒータ２Ａを介して前記アルミ製支
持体２Ｂを加熱し、かつ前記マッチングゼックス１０と
高周波電源１１とを介して前記アルミ製支持体２Ｂの表
面と放電電極６との間にグロー放電を生起させると、前
記アルミ製支持体２Ｂの表面に膜が形成される。そして
、原料ガスは、前記放電反応による成膜が行なわれた後
、前記メカニカルブースターポンプ１９及びロータリー
ポンプ１４によって原料ガス排出口１２から排気される
が、前記放電反応の副生成物として不要の粉体が生じた
場合には、この粉体は前記粉体捕獲器１６にて捕獲され
ることになる。したがって、この不要な粉体は、前記圧
力調整用スロットルバルブ１７．ノ々ルプ１８゜メカニ
カルブースターポンプ１９及びロータリーポンプ１４の
メツシュトラップ上に堆積したシ、前記排気管１５の内
壁に堆積したシすることはない。このため、粉体捕獲器
１６に捕獲された不要な粉体を定期的に除去してやれば
、成膜中に排気系１５の排気能力が低下して（すなわち
反応容器内の減圧能力が低下して）成膜が困難になると
いうことはなく、しかも長時間の連続成膜が可能になる
。
欠如本発明の他の実施例装置を第２図に基づいて説明す
る。第１図と同一の部材には同符号を付してその詳細な
説明を省略する。第１図に示すものと異なる構成は、前
記粉体捕獲器１６を２個並列に配置し、かつ各々の粉体
捕獲器１６を隔離バルブ２４．２５によって隔離可能に
して排気系１６を構成したことである。特にこのよう建
構成すれば、一方の粉体捕獲器１６に原料ガスを流して
いる間に、他方の粉体捕獲器１６を洗浄することが可能
であり、この結果粉体捕獲器からの粉体除去時間の装置
体ＩＥ損失をなくすことができ、よシ長時間の連続成膜
が可能になる。
る。第１図と同一の部材には同符号を付してその詳細な
説明を省略する。第１図に示すものと異なる構成は、前
記粉体捕獲器１６を２個並列に配置し、かつ各々の粉体
捕獲器１６を隔離バルブ２４．２５によって隔離可能に
して排気系１６を構成したことである。特にこのよう建
構成すれば、一方の粉体捕獲器１６に原料ガスを流して
いる間に、他方の粉体捕獲器１６を洗浄することが可能
であり、この結果粉体捕獲器からの粉体除去時間の装置
体ＩＥ損失をなくすことができ、よシ長時間の連続成膜
が可能になる。
ここで上記実ｈＮ ｆ９１装置と従来装置との連続成膜
時間の比軸実験結果について説明する。例えば、電子写
真用感光体に使用するだめに、モノシランのグロー放電
分解により前記アルミ’ｌＵ支持体２Ｂの表面に非晶質
シリコン膜を形成した１箱合について説明する。
時間の比軸実験結果について説明する。例えば、電子写
真用感光体に使用するだめに、モノシランのグロー放電
分解により前記アルミ’ｌＵ支持体２Ｂの表面に非晶質
シリコン膜を形成した１箱合について説明する。
先ず、従来装置（第１図及び第２図に示す装置から粉体
捕獲器１６を除去しだ（１ｑ成の装置ｆｆ、 ）によっ
て、以下の条件でアルミ製支持体２Ｂ表面にａ−８ｉ膜
の形成を行なった。
捕獲器１６を除去しだ（１ｑ成の装置ｆｆ、 ）によっ
て、以下の条件でアルミ製支持体２Ｂ表面にａ−８ｉ膜
の形成を行なった。
アルミ製支持体温度 ２２０℃
Ｓ ｉ Ｈ４流ｊＨ，’ ２００ ＣＣ／ＭＭ
反応圧力 ［１４，１ｏｒｒ 高周波社力 １００ｗ 成膜速度 ４μｍ／ｈ ｒ コノトキには、排気系特にメカニカルブースターポンプ
上のフィルターに粉体（この場合には、アルミ製支持体
上の副反応として、気相中のプラズマ重合のｔ青果生成
される（ＳｉＨ２）ｎ）が堆積し、排気能力が急速に低
下して反応圧力（反応容器内の減圧圧力）Ｏ−４ｔｏｒ
ｒを維持できたのは３時間に過ぎなかった。
反応圧力 ［１４，１ｏｒｒ 高周波社力 １００ｗ 成膜速度 ４μｍ／ｈ ｒ コノトキには、排気系特にメカニカルブースターポンプ
上のフィルターに粉体（この場合には、アルミ製支持体
上の副反応として、気相中のプラズマ重合のｔ青果生成
される（ＳｉＨ２）ｎ）が堆積し、排気能力が急速に低
下して反応圧力（反応容器内の減圧圧力）Ｏ−４ｔｏｒ
ｒを維持できたのは３時間に過ぎなかった。
これに対し１本実施例装置を使用して上記と同様の条件
でａ−８ｉ膜を形成した場合には、従来装置とは比較に
ならない程の長時間成膜が可能であった。
でａ−８ｉ膜を形成した場合には、従来装置とは比較に
ならない程の長時間成膜が可能であった。
なお上記実施例は一例であシ、本発明の要旨の範囲内で
種々の変形実施が可能である。例えば排気系に粉体捕獲
器１６を並列配置する場合には２個に限定されるもので
はなく、それ以上の個数を並列配置することも可能であ
る。また粉体捕獲器１６を直列に接続することも可能で
あシ、直列に接続した複数組のものを並列配置すること
も可能である。さらに粉体捕獲器自体の構造も実施例で
説明した横１に限定されるものではなく、粉体の性質や
排気系の構造などに応じて適宜構造とすることが可能で
ある。
種々の変形実施が可能である。例えば排気系に粉体捕獲
器１６を並列配置する場合には２個に限定されるもので
はなく、それ以上の個数を並列配置することも可能であ
る。また粉体捕獲器１６を直列に接続することも可能で
あシ、直列に接続した複数組のものを並列配置すること
も可能である。さらに粉体捕獲器自体の構造も実施例で
説明した横１に限定されるものではなく、粉体の性質や
排気系の構造などに応じて適宜構造とすることが可能で
ある。
以上の説明から明らかなように本発明の膜形成装置にあ
っては、成膜の際に放電反応の副生成物として不要な粉
体を生じても、成膜中に排気能力が低下して成膜が困難
になることを防止することができ、しかもし時間の連続
成膜を可能にすることができるなどの優れた効果を有す
るものである。
っては、成膜の際に放電反応の副生成物として不要な粉
体を生じても、成膜中に排気能力が低下して成膜が困難
になることを防止することができ、しかもし時間の連続
成膜を可能にすることができるなどの優れた効果を有す
るものである。
第１図は本発明の一実施例製置を示す概略断面図、第２
図は本発明の他の実施例装置を示す概略断面図である。 １・・・反応容器、２・・・膜支持体、１６・・・排気
系、１６・・・粉体捕獲手段、２４．２５・・・隔離ノ
々ルプ。
図は本発明の他の実施例装置を示す概略断面図である。 １・・・反応容器、２・・・膜支持体、１６・・・排気
系、１６・・・粉体捕獲手段、２４．２５・・・隔離ノ
々ルプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）膜支持体を内蔵した反応容器内に原料ガスを導入
させて放電反応を生起させることにより前記膜支持体上
に膜を形成し、前記反応容器に導入した原料ガ、スを排
気系に導いて排出する膜形成装置において、前記反応容
器内での放電反応により副生成、物として生じた不要な
粉体を捕獲する粉体捕獲手段を前記排気系に設けたこと
を特徴とする膜形成装置。 Ｑ）前記粉体捕獲手段は、前記排気系に複数個並列に設
けられている特許請求の範囲第１項記載の膜形成装置。 （６）前記粉体捕獲手段は、排気系に設けた隔離ノ々ル
ブによつ１隔離可能に設けられている特許請求の範囲第
２項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18347782A JPS5970761A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18347782A JPS5970761A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970761A true JPS5970761A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16136481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18347782A Pending JPS5970761A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970761A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220875A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPS6220874A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPH0225573A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
| JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100671A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Canon Inc | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5969494A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Ulvac Corp | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
| JPS647728U (ja) * | 1987-07-01 | 1989-01-17 |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18347782A patent/JPS5970761A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100671A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Canon Inc | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5969494A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Ulvac Corp | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
| JPS647728U (ja) * | 1987-07-01 | 1989-01-17 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220875A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPS6220874A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPH0225573A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
| JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3468859B2 (ja) | 気相処理装置及び気相処理方法 | |
| JP4256480B2 (ja) | セラミックライニングを用いて、ｃｖｄチャンバ内の残渣堆積を減少させる装置 | |
| JP4335438B2 (ja) | 非対称の流動形状を用いるプロセスチャンバ用リッドアセンブリ | |
| US12300523B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| KR100721504B1 (ko) | 플라즈마 강화 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 | |
| KR20190032077A (ko) | 리모트 플라즈마를 이용한 원자층 증착 시스템 | |
| WO2016014136A1 (en) | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates | |
| JP4845269B2 (ja) | 半導体ウエーハ処理システム、コンピュータ可読媒体、及び、半導体プロセスチャンバの洗浄方法 | |
| JPS5970761A (ja) | 膜形成装置 | |
| WO2021257773A1 (en) | High temperature chemical vapor deposition lid | |
| WO2025106339A1 (en) | Plasma showerhead assembly and method of reducing defects | |
| JPS6323827B2 (ja) | ||
| JPH02184022A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JPH0892746A (ja) | プラズマ化学蒸着方法及び装置 | |
| JPS58100671A (ja) | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 | |
| RU2049830C1 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы | |
| FI130920B1 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD | |
| KR20190074922A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR20230137124A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| US6217660B1 (en) | Method for cleaning a throttle valve and apparatus | |
| TW202421824A (zh) | 具有加熱的噴淋頭的噴淋頭組件 | |
| JPS58175823A (ja) | プラズマ気相成長装置の反応管 | |
| JPH04293784A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6010619A (ja) | グロ−放電による膜形成方法 | |
| JPH06140335A (ja) | 成膜装置 |