JPS5970762A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS5970762A JPS5970762A JP17912882A JP17912882A JPS5970762A JP S5970762 A JPS5970762 A JP S5970762A JP 17912882 A JP17912882 A JP 17912882A JP 17912882 A JP17912882 A JP 17912882A JP S5970762 A JPS5970762 A JP S5970762A
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- Japan
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- electrodes
- chamber
- plasma
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。
出願人は先に電子写真用ドラムとして使用されルＡｔ
ドラム等の円筒状金属ザブストレートの表面にアモル
ファスシリコンの薄膜を形成する手段として第１図示の
工うな゛プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装に、全提案した。この
装置は円筒状金属サブストレートａをＳｉＨ４その他の
ガスを導入した其望処理堅す内に回転自在に収電−シ、
該ガスをプラズマ発生装置ｃ ＶＣ、Ｊ： ＃）励起お
よび電１３＋ｃ して反応を起さしめ、その生成物ｔｉ
Ｊサノストレートａの局面に附着させて薄膜を形成プ“
るが、この場合該プラズマ発生装喧Ｃはサブストレート
ａを囲繞する電極ｄで結成されるので、１本のサブスト
レー）ａの薄膜形成処理毎に真空処理室すを大気圧に戻
してサブストレー）ａｆｆｉ送り込み或は取り出すを侠
し処理能率が恋い欠点がある。
ドラム等の円筒状金属ザブストレートの表面にアモル
ファスシリコンの薄膜を形成する手段として第１図示の
工うな゛プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装に、全提案した。この
装置は円筒状金属サブストレートａをＳｉＨ４その他の
ガスを導入した其望処理堅す内に回転自在に収電−シ、
該ガスをプラズマ発生装置ｃ ＶＣ、Ｊ： ＃）励起お
よび電１３＋ｃ して反応を起さしめ、その生成物ｔｉ
Ｊサノストレートａの局面に附着させて薄膜を形成プ“
るが、この場合該プラズマ発生装喧Ｃはサブストレート
ａを囲繞する電極ｄで結成されるので、１本のサブスト
レー）ａの薄膜形成処理毎に真空処理室すを大気圧に戻
してサブストレー）ａｆｆｉ送り込み或は取り出すを侠
し処理能率が恋い欠点がある。
本発明はこうした欠点を解消することを目的としたもの
で、Ａｔ ドラムその他の円筒状金属サブストレー）
ＳｉＨａその他のガスを尋人した真空処理室内に回転自
在に収容し、該ガスをプラズマ発生装置にエフ励起およ
び電離して反応を起さしめ、その生成物を該サブストレ
ートの局面に附着させて薄膜音形成するものに於て、該
プラズマ発生装置離Ｒ′？ｉ二該ザブストレートが介在
し２［ｉる間１’ｆＡ ’に存して対向した１対の平板
状の電極で４’ｆ４成し、該ザブストレートをこオＬに
回転を与える回転装置を（＋：ｉＪえた移動台に数句け
して前記間隔に送り込むこと’に、 ％徴とする。
で、Ａｔ ドラムその他の円筒状金属サブストレー）
ＳｉＨａその他のガスを尋人した真空処理室内に回転自
在に収容し、該ガスをプラズマ発生装置にエフ励起およ
び電離して反応を起さしめ、その生成物を該サブストレ
ートの局面に附着させて薄膜音形成するものに於て、該
プラズマ発生装置離Ｒ′？ｉ二該ザブストレートが介在
し２［ｉる間１’ｆＡ ’に存して対向した１対の平板
状の電極で４’ｆ４成し、該ザブストレートをこオＬに
回転を与える回転装置を（＋：ｉＪえた移動台に数句け
して前記間隔に送り込むこと’に、 ％徴とする。
本発明の実施例を別紙図面につきｒｊｌ ｉ’Ｊするに
、第２図に於て（１）ＱよＡｔ ドラム等の円筒状金
属ザブストレー）、（２１は刊°気管（３）を介して真
箪圧と大気圧とに１ｉｉｌＪ御さｆＬる真空処理室、（
４）は該真空処理室（２）内に設けたプラズマ発生装置
を示し、図示のものでは２組のプラズマ発生装置（４，
１（４）を直線的に配設するようにした。各プラズマ発
生装置；：ｊ （４）はサブストレー ト（１）が通過
し得る間隔（５）を存して幻回した１対の平板状の電極
（６ａ）（６ｂ）で４’４成され、両１に祢又は一方の
電極は詐処理室（２）外のＲＦ 電ｍ１ （７）にマツ
チング装置（８）全弁して接続される。平板状の各電イ
へ（６ａ）（６ｂ）の背後にｔよヒータ（９１（９１が
設けられ、一方の電極（６ａ）には第４図示の如くガス
導入管ａＯ１Ｖｃ連らなる中空部旧、）百二形成すると
共に間隔（５）に向けて多数のガス噴出孔（１２）を形
成し、該ガス導入管（１０）を介して導入されたＳ ｉ
ｉＩ４ガス等はプラズマ発生装ｆｆｆ（４）とアース
１εＬ位の一リブスト１／−ト（１）との間に発生ずる
プラズマにより励起および電離され反応を起してその生
成物がサブストレート（１）の周面に耐着し、アモルフ
ァスシリコン等の薄膜全形成する。（１３）は複数本の
ザブストレー） （１） ’に回転自在に取付けた移動
台で、該移動台（１３）Ｆｉその一側に設けたシック（
１４）が処、Ｌ！ｌ！案（２）の外部から駆動されるピ
ニオン０５）と係合すると下方の案内レールθＧ）に沿
って車輪α７）で移動する。該移動台θ□□□上にはサ
ブストレート（１）が嵌着される筒状の回転ホルダθ８
）とその外周に形成した歯車ａ１に咬合するか１１車■
＠とで４７３成される回転装置ｅυが設けられ＃歯車（
２０）が処ｖｌ！室（２）の外部から導入された回転Ｔ
ＪＱＩ＋ （２功で回転する歯車（２２ａ）と係合する
と回転ホルダ（Ｉ８１かサブストレート（Ｉ）と共に回
転する。（２３）は筒状のサブストレート（１）の内側
を加熱すべく中空の回転ホルダａ８の内部に直立して設
けたヒータ、しａ（２つはシールド板である。真空処理
室／２１の左右にＣよゲートバルブａｅ ａｎを介して
連通する仕込室Ｃ１！８）と取出室Ｃ２！１とを連設す
るものとし、該仕込室（２８）に於て移動台θ■の回転
ホルダａｅｖｃｎ（至）を開いてサブストレート（１）
を取付け、移動台α９の移動で処理室（２）の間隔（５
）内にザブストレート（１１Ｔｔ？送ジ込み、そこでの
処理が終ると反対側の取出室（２ωに該移動台（１３）
により運ばれ扉（３］）を開いて処理済のサブストレー
ト（１）を取出すようにした。該仕込室−及び取出室（
ハ）には夫々排気装置に連らなる排気管（３乃と移動台
α□□□の駆動用のビニオフ Ｃ３３）及び案内レール
（３４）が設けられ、更に仕込室（ハ）にはザブストレ
ート（１）を予熱する予熱ヒータＧ■と回転装置ｅυの
駆ｆｉｉｌＪ用の回転軸０６）を設けるようにした。而
して取出室Ｃ２１にも予熱ヒータＧ■及び回転軸００ヲ
設けて仕込室（２印と同様の構成とし、各室（２Ｂ）（
２９）から処理案（２）に交互にザブストレーｌ）を送
フ込むようにすることも出来る。
、第２図に於て（１）ＱよＡｔ ドラム等の円筒状金
属ザブストレー）、（２１は刊°気管（３）を介して真
箪圧と大気圧とに１ｉｉｌＪ御さｆＬる真空処理室、（
４）は該真空処理室（２）内に設けたプラズマ発生装置
を示し、図示のものでは２組のプラズマ発生装置（４，
１（４）を直線的に配設するようにした。各プラズマ発
生装置；：ｊ （４）はサブストレー ト（１）が通過
し得る間隔（５）を存して幻回した１対の平板状の電極
（６ａ）（６ｂ）で４’４成され、両１に祢又は一方の
電極は詐処理室（２）外のＲＦ 電ｍ１ （７）にマツ
チング装置（８）全弁して接続される。平板状の各電イ
へ（６ａ）（６ｂ）の背後にｔよヒータ（９１（９１が
設けられ、一方の電極（６ａ）には第４図示の如くガス
導入管ａＯ１Ｖｃ連らなる中空部旧、）百二形成すると
共に間隔（５）に向けて多数のガス噴出孔（１２）を形
成し、該ガス導入管（１０）を介して導入されたＳ ｉ
ｉＩ４ガス等はプラズマ発生装ｆｆｆ（４）とアース
１εＬ位の一リブスト１／−ト（１）との間に発生ずる
プラズマにより励起および電離され反応を起してその生
成物がサブストレート（１）の周面に耐着し、アモルフ
ァスシリコン等の薄膜全形成する。（１３）は複数本の
ザブストレー） （１） ’に回転自在に取付けた移動
台で、該移動台（１３）Ｆｉその一側に設けたシック（
１４）が処、Ｌ！ｌ！案（２）の外部から駆動されるピ
ニオン０５）と係合すると下方の案内レールθＧ）に沿
って車輪α７）で移動する。該移動台θ□□□上にはサ
ブストレート（１）が嵌着される筒状の回転ホルダθ８
）とその外周に形成した歯車ａ１に咬合するか１１車■
＠とで４７３成される回転装置ｅυが設けられ＃歯車（
２０）が処ｖｌ！室（２）の外部から導入された回転Ｔ
ＪＱＩ＋ （２功で回転する歯車（２２ａ）と係合する
と回転ホルダ（Ｉ８１かサブストレート（Ｉ）と共に回
転する。（２３）は筒状のサブストレート（１）の内側
を加熱すべく中空の回転ホルダａ８の内部に直立して設
けたヒータ、しａ（２つはシールド板である。真空処理
室／２１の左右にＣよゲートバルブａｅ ａｎを介して
連通する仕込室Ｃ１！８）と取出室Ｃ２！１とを連設す
るものとし、該仕込室（２８）に於て移動台θ■の回転
ホルダａｅｖｃｎ（至）を開いてサブストレート（１）
を取付け、移動台α９の移動で処理室（２）の間隔（５
）内にザブストレート（１１Ｔｔ？送ジ込み、そこでの
処理が終ると反対側の取出室（２ωに該移動台（１３）
により運ばれ扉（３］）を開いて処理済のサブストレー
ト（１）を取出すようにした。該仕込室−及び取出室（
ハ）には夫々排気装置に連らなる排気管（３乃と移動台
α□□□の駆動用のビニオフ Ｃ３３）及び案内レール
（３４）が設けられ、更に仕込室（ハ）にはザブストレ
ート（１）を予熱する予熱ヒータＧ■と回転装置ｅυの
駆ｆｉｉｌＪ用の回転軸０６）を設けるようにした。而
して取出室Ｃ２１にも予熱ヒータＧ■及び回転軸００ヲ
設けて仕込室（２印と同様の構成とし、各室（２Ｂ）（
２９）から処理案（２）に交互にザブストレーｌ）を送
フ込むようにすることも出来る。
その作動を説明するに仕込室（至）に於て移動台（１３
）の複数個の回転ボルダα印に夫々ザブストレート（１
）を取付けしたのち該室（２８１を真空化し、各サブス
トレー） （１）に回転を与え、これが予熱ヒータＣ３
っで予熱されると真空の処理室（２）内の平板状の電極
（６ａ）（６ｂ）間の間隔（５）に移動台α□□□によ
り送シ込まれ再び回転装置（２１）が作動してサブスト
レート（１）が回転される。そして電極（６ａ ）（６
ｂ）にＲＦ電源から電力を投入すると共にヒ〜り（９）
を作動させ、５ｉｌＬａガスを電極（６ａ）のガス噴出
口０シから導入すると電極（６ａ）（６ｂ）と各ザブス
トレート（１）との間に発生するプラズマにより５ｉＩ
Ｚ４ガスが励起、ｋ・よび電離して反応音生じこのとき
生成されるアモルファスシリコンが回転するザブストレ
ートの周面に均一に薄膜状に耐着する。この薄膜形成処
理が終ると予め真空化した取出室（２９）に移動台α□
□□が移動し、処理の終えたサブストレート（１）が取
出される。この場合ゲートパルプＣＩ！７）を閉じて処
理室（２）と取出室Ｑ印の連通全遮断し、取出室Ｑ印が
大気圧となっても処理室（２）内の真空を維持すること
が望ましい。
）の複数個の回転ボルダα印に夫々ザブストレート（１
）を取付けしたのち該室（２８１を真空化し、各サブス
トレー） （１）に回転を与え、これが予熱ヒータＣ３
っで予熱されると真空の処理室（２）内の平板状の電極
（６ａ）（６ｂ）間の間隔（５）に移動台α□□□によ
り送シ込まれ再び回転装置（２１）が作動してサブスト
レート（１）が回転される。そして電極（６ａ ）（６
ｂ）にＲＦ電源から電力を投入すると共にヒ〜り（９）
を作動させ、５ｉｌＬａガスを電極（６ａ）のガス噴出
口０シから導入すると電極（６ａ）（６ｂ）と各ザブス
トレート（１）との間に発生するプラズマにより５ｉＩ
Ｚ４ガスが励起、ｋ・よび電離して反応音生じこのとき
生成されるアモルファスシリコンが回転するザブストレ
ートの周面に均一に薄膜状に耐着する。この薄膜形成処
理が終ると予め真空化した取出室（２９）に移動台α□
□□が移動し、処理の終えたサブストレート（１）が取
出される。この場合ゲートパルプＣＩ！７）を閉じて処
理室（２）と取出室Ｑ印の連通全遮断し、取出室Ｑ印が
大気圧となっても処理室（２）内の真空を維持すること
が望ましい。
このように本発明によるときは、ザブストレートを移動
台の回転装置に取付け、該サブストレ−トを１対の平板
状の電極で構成したプラズマ発生装置の間隔に移１１ｉ
Ｉ！させるようにしたので複数本のザブストレートに同
時に薄膜形成処理を施せると共にプラズマ発生装置内の
サブストレートの移送が容易でインライン式の連続処理
装置に好都合に適用できる等の効果がある。
台の回転装置に取付け、該サブストレ−トを１対の平板
状の電極で構成したプラズマ発生装置の間隔に移１１ｉ
Ｉ！させるようにしたので複数本のザブストレートに同
時に薄膜形成処理を施せると共にプラズマ発生装置内の
サブストレートの移送が容易でインライン式の連続処理
装置に好都合に適用できる等の効果がある。
第１図は従来例の断面図、第２図は本発明装置の実施例
の裁断平面図、第３図はその側面臼、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ線拡大断面図である。 （１）・・・サブストレート（２）・・・真空処理室（
４）・・・プラズマ発生装置 （５）・・・間隔（６
ａ ） （６ｂ）−電極 （１３１・・・移ｉＱＩ
＋台（２１）・・・回転装置 外２名
の裁断平面図、第３図はその側面臼、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ線拡大断面図である。 （１）・・・サブストレート（２）・・・真空処理室（
４）・・・プラズマ発生装置 （５）・・・間隔（６
ａ ） （６ｂ）−電極 （１３１・・・移ｉＱＩ
＋台（２１）・・・回転装置 外２名
Claims (1)
- ｈｔ）ラムそｔＤ他の円筒状金属サブストレートをＳｉ
Ｈ４その他のガスを導入し７Ｃ真空処理室内に回転自在
に収容し、該ガスをプラズマ発生装置によジｌ５）Ｊ起
および電離して反応奮起さしめ、その生成物を該ザブス
トレートの局面に附着させて薄膜を形成する式のものに
於て、該プラズマ発生装ｆＲを該サブストレートが介在
し得る間隔を存して対向した１対の平板状の電極で構成
し、該ザブストレートをこれに回転を与える回転装ｅを
備えた移動台に取付けして前記間隔に送り込むことを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17912882A JPS5970762A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17912882A JPS5970762A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970762A true JPS5970762A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16060474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17912882A Pending JPS5970762A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970762A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116370A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP17912882A patent/JPS5970762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116370A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
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