JPS6126778A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6126778A JPS6126778A JP14604584A JP14604584A JPS6126778A JP S6126778 A JPS6126778 A JP S6126778A JP 14604584 A JP14604584 A JP 14604584A JP 14604584 A JP14604584 A JP 14604584A JP S6126778 A JPS6126778 A JP S6126778A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■技術分野Ｊ
本発明は１、−プラズマＣＶＤ技術を用いてドラム等の
円筒状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸
着して、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生
産することができるプラズマＣＶＤ装置に関し、ドラム
表面にアモルファス・シリコン膜を均等゛に蒸着するこ
とができるプラズマＣＶＤ装置に関するものである・ 【従来技術】 この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで亘上のような問題を考慮して、主としてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体ド
ラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑な
装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増やし
、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより、
従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量産
、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案され
た。 第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。 ■はドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室ｌ
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法（よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、Ｍ形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室１，２および３は気密構造を有している。６は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸 が互いに同一平面上になるように
、かっ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室１内に各室１，２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二重
構造となし、その間に配列方向が電極７と平行になるよ
うに配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する多数
の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側にはヒ
ータを有する。８は平板状電極７の外側に接続された。 同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための原料
ガス供給パイプ、８は電極７にパイプ８を介して接続し
て同電極７をカソード電極とし、かつこの電極７に高周
波パワーを供給するための電源、。 １０は保持枠６に保持されたドラム１５を７ノート電極
とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板１
１内に供給する水等の冷媒である。 ・１３は各室１，２および３を隔離し、かつドラム１５
が保持枠８とともに移動するときに開状態になるように
制御されるゲート・バルブ、１４は加熱室！及び冷却室
３の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すた
めのリーク・バルブである。 保持枠８に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ー）−バルブ１３内を通って、加熱室１に保持枠Ｂとと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター礁
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室！および２間のゲート令バ
ルブｌａ内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠６とともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５は保持枠８とともに
７−スｌＯに接続されて、カソード電極としての一対の
電極７に対する７ノード電極を形成する。電極７と電場
を形成し１図中矢印で示すように回転しながら、ヒータ
ーにより加熱されたドラム１５の表面には、原料ガス供
給パイプ８を介して一対の平板状電極７の内側の孔７Ａ
かも反応室２内に供給されたシラン等の原料ガスがプラ
ズマ中で分解することによってアモルファス番シリコン
膜が形成される。膜形成に寄与したガスは、反応室２の
排気系５から外に排気される。 膜形成の終ったドラム！５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４によす大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲート・バルブ１３内を通って冷却室
３外に、出される。 しかしながら以゛上のような構成のプラズマＣＶＤ装置
においては次のような欠点がある。すなわち、第２図は
反応室２の断面を示し、図中矢印で示すように原料ガス
は、平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガ
ス噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する０図
中右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ドラム
１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左側
の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気さる。一
方、図中左側の平板状電極７から噴出した原料ガスはド
ラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の平
板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。 このように反応室２内においては、第２図に示すように
ドラム１５の左側における軸方向の中間部分近傍の原料
ガスおよび左側の平板状電極７の内側の上下両端部分か
ら噴出した原料ガスなどがよどみやすい、その結果、ド
ラム１５の周囲において、原料ガスの密度は不均一にな
りやすく、そのため、ドラム１５の表面に得られたアモ
ルファス・シリコンの膜厚および膜質は不均一になりや
すい。 【目的】 本発明の目的は以上のような問題を解消し、適切な原料
ガスの流れを形成して膜厚および膜質の均一なドラム等
の円筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことにある。 【実施例】 第３図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の要部を示す斜視図、第４図は同装置の要部の水平断面
図、第５図は同装置の要部の垂直断面図である０本発明
にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、反応室内の電
極および原料ガス供給排気のための構造を除いた他の構
成は、第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成
であるので図示省略し、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第３図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の平板状電
極２２が、従来の平板状電極７と同様の位置に、互いに
平行になるように直立して配置されている。なお図示省
略したが、排気系は、反応室２１の側壁に設けられてい
る。 一対の電極２２の間の所定位置には、保持枠（図示省略
）によって、配列方向が電極２２と平行になるように複
数のドラム１５が配置される。 一対の平板状電極２２は、従来の平板状電極７と同様の
構造になっている。すなわちこの一対の平板状電極２２
は、原料ガス供給のため二重構造となし、その間の所定
位置に配置されたドラム１５に向って原料ガスを噴出す
る多数の孔２３を内側全面にわたって有し、さらにヒー
ター（図示省略）によって加熱される。２４は平板状電
極２２の外側に接続された、同電極２２の二重構造内に
原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプである。 一対の平板状電極２２はパイプ２４を介して高周波電極
８に接続し、カソード電極とする。 一対の電極２２の間の所定位置に配置された複数のドラ
ム１５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分
には、ドラム１５と平行に排気管２５を各々配置する。 各排気管２５は、一対の電極２２と対向する部分に軸方
向に適当な間隔で吸気口２６を有する。吸気口２Ｂの径
９個数９間隔等を適当に設定することによって、後述す
るようにドラム１５の軸方向のガス密度が均一になるよ
うな原料ガスの流れ（層流）をつくりだすことができる
、各排気管２５は反応室２１の底壁２１Ａを貫通して１
木の集合管２７に固定されている。この集合管２７は排
気装置（図示せず）に接続され、かつ適当な昇降手段（
図示せず）に支持されている。したがって、各排気管２
５は、昇降手段によって、一対の電極２２の間の所定位
置に配置した複数のドラム１５の間の間隙およびその配
列方向の両端の外側部分に配置される。 なお、原料ガス供給パイプ２４は、図示しない原料ガス
供給源に接続されている。ドラム１５はアースされて、
７ノード電極となっている。 以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の反
応室における作用を次′に説明する。 まず排気管２５を下げておき、反応室２１内の一対の電
極２２の間の所定位置に複数のドラム１５を配置し、ア
ースする。ついで昇降手段によって、複数のドラム１５
の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に排気
管２５を各々配置する。ついでドラム１５を回転させ、
第２図に矢印で示すように、原料ガスを、一対の電極２
２の内側の孔２３から複数のドラム１５に向って噴出し
、一対の電極２２に電源８から高周波電力を供給する。 その結果、ドラム１５の周囲のガス密度が軸方向に均一
化し、ドラム１５が回転することと相俟ってドラム１５
の表面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリ
コン膜が形成される。 なお、放電強度が比較的弱い（成膜速度が遅い）複数の
ドラム１５の間の間隙および配列方向の両端の外側部分
に排気管２５を配置して原料ガスを強制的に導くように
したので、原料ガスの分解によって生じたシリコン活性
種の濃度を複数のドラム１５の間の部分において濃くし
、この部分での成膜速度の低下を有効に防止するとかで
きる。 加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。 また、上記実施例では、一対の電極２２は共に高周波電
源８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれ
か一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続
せずにアースして、７ノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合もアースする）。 ゛ 【効果】 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。 ４、 ｒＩ！Ｊ面の簡単な説明 第１ｙｊは電子写真感光体ドラム製造用の従来のプラズ
マＣＶｒｊ ＃置の平面図。 ｔＪ２図は同装置における反応室の垂直断面図、 第３図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例の要部を示す斜視図、 第４図は同装置の要部の水平断面図、 第５図は同装置の要部の垂直断面図である。 １５・・・ドラム、 ２１・・・反応室、 ２２・・・電極、 ２５・・・排気管。 第４図 ↓
円筒状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸
着して、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生
産することができるプラズマＣＶＤ装置に関し、ドラム
表面にアモルファス・シリコン膜を均等゛に蒸着するこ
とができるプラズマＣＶＤ装置に関するものである・ 【従来技術】 この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで亘上のような問題を考慮して、主としてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体ド
ラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑な
装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増やし
、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより、
従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量産
、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案され
た。 第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。 ■はドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室ｌ
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ
法（よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反
応室、および３は反応室２に続けて設けられ、Ｍ形成後
のドラム１５を冷却するための冷却室である。これらの
室１，２および３は気密構造を有している。６は保持枠
であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると共
に、これらの中心軸 が互いに同一平面上になるように
、かっ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室１内に各室１，２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二重
構造となし、その間に配列方向が電極７と平行になるよ
うに配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する多数
の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側にはヒ
ータを有する。８は平板状電極７の外側に接続された。 同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための原料
ガス供給パイプ、８は電極７にパイプ８を介して接続し
て同電極７をカソード電極とし、かつこの電極７に高周
波パワーを供給するための電源、。 １０は保持枠６に保持されたドラム１５を７ノート電極
とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板１
１内に供給する水等の冷媒である。 ・１３は各室１，２および３を隔離し、かつドラム１５
が保持枠８とともに移動するときに開状態になるように
制御されるゲート・バルブ、１４は加熱室！及び冷却室
３の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すた
めのリーク・バルブである。 保持枠８に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ー）−バルブ１３内を通って、加熱室１に保持枠Ｂとと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター礁
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室！および２間のゲート令バ
ルブｌａ内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠６とともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５は保持枠８とともに
７−スｌＯに接続されて、カソード電極としての一対の
電極７に対する７ノード電極を形成する。電極７と電場
を形成し１図中矢印で示すように回転しながら、ヒータ
ーにより加熱されたドラム１５の表面には、原料ガス供
給パイプ８を介して一対の平板状電極７の内側の孔７Ａ
かも反応室２内に供給されたシラン等の原料ガスがプラ
ズマ中で分解することによってアモルファス番シリコン
膜が形成される。膜形成に寄与したガスは、反応室２の
排気系５から外に排気される。 膜形成の終ったドラム！５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク・バルブ１４によす大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲート・バルブ１３内を通って冷却室
３外に、出される。 しかしながら以゛上のような構成のプラズマＣＶＤ装置
においては次のような欠点がある。すなわち、第２図は
反応室２の断面を示し、図中矢印で示すように原料ガス
は、平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガ
ス噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する０図
中右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ドラム
１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左側
の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気さる。一
方、図中左側の平板状電極７から噴出した原料ガスはド
ラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の平
板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。 このように反応室２内においては、第２図に示すように
ドラム１５の左側における軸方向の中間部分近傍の原料
ガスおよび左側の平板状電極７の内側の上下両端部分か
ら噴出した原料ガスなどがよどみやすい、その結果、ド
ラム１５の周囲において、原料ガスの密度は不均一にな
りやすく、そのため、ドラム１５の表面に得られたアモ
ルファス・シリコンの膜厚および膜質は不均一になりや
すい。 【目的】 本発明の目的は以上のような問題を解消し、適切な原料
ガスの流れを形成して膜厚および膜質の均一なドラム等
の円筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことにある。 【実施例】 第３図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の要部を示す斜視図、第４図は同装置の要部の水平断面
図、第５図は同装置の要部の垂直断面図である０本発明
にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、反応室内の電
極および原料ガス供給排気のための構造を除いた他の構
成は、第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成
であるので図示省略し、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第３図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の平板状電
極２２が、従来の平板状電極７と同様の位置に、互いに
平行になるように直立して配置されている。なお図示省
略したが、排気系は、反応室２１の側壁に設けられてい
る。 一対の電極２２の間の所定位置には、保持枠（図示省略
）によって、配列方向が電極２２と平行になるように複
数のドラム１５が配置される。 一対の平板状電極２２は、従来の平板状電極７と同様の
構造になっている。すなわちこの一対の平板状電極２２
は、原料ガス供給のため二重構造となし、その間の所定
位置に配置されたドラム１５に向って原料ガスを噴出す
る多数の孔２３を内側全面にわたって有し、さらにヒー
ター（図示省略）によって加熱される。２４は平板状電
極２２の外側に接続された、同電極２２の二重構造内に
原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプである。 一対の平板状電極２２はパイプ２４を介して高周波電極
８に接続し、カソード電極とする。 一対の電極２２の間の所定位置に配置された複数のドラ
ム１５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分
には、ドラム１５と平行に排気管２５を各々配置する。 各排気管２５は、一対の電極２２と対向する部分に軸方
向に適当な間隔で吸気口２６を有する。吸気口２Ｂの径
９個数９間隔等を適当に設定することによって、後述す
るようにドラム１５の軸方向のガス密度が均一になるよ
うな原料ガスの流れ（層流）をつくりだすことができる
、各排気管２５は反応室２１の底壁２１Ａを貫通して１
木の集合管２７に固定されている。この集合管２７は排
気装置（図示せず）に接続され、かつ適当な昇降手段（
図示せず）に支持されている。したがって、各排気管２
５は、昇降手段によって、一対の電極２２の間の所定位
置に配置した複数のドラム１５の間の間隙およびその配
列方向の両端の外側部分に配置される。 なお、原料ガス供給パイプ２４は、図示しない原料ガス
供給源に接続されている。ドラム１５はアースされて、
７ノード電極となっている。 以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の反
応室における作用を次′に説明する。 まず排気管２５を下げておき、反応室２１内の一対の電
極２２の間の所定位置に複数のドラム１５を配置し、ア
ースする。ついで昇降手段によって、複数のドラム１５
の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に排気
管２５を各々配置する。ついでドラム１５を回転させ、
第２図に矢印で示すように、原料ガスを、一対の電極２
２の内側の孔２３から複数のドラム１５に向って噴出し
、一対の電極２２に電源８から高周波電力を供給する。 その結果、ドラム１５の周囲のガス密度が軸方向に均一
化し、ドラム１５が回転することと相俟ってドラム１５
の表面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリ
コン膜が形成される。 なお、放電強度が比較的弱い（成膜速度が遅い）複数の
ドラム１５の間の間隙および配列方向の両端の外側部分
に排気管２５を配置して原料ガスを強制的に導くように
したので、原料ガスの分解によって生じたシリコン活性
種の濃度を複数のドラム１５の間の部分において濃くし
、この部分での成膜速度の低下を有効に防止するとかで
きる。 加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。 また、上記実施例では、一対の電極２２は共に高周波電
源８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれ
か一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続
せずにアースして、７ノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合もアースする）。 ゛ 【効果】 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。 ４、 ｒＩ！Ｊ面の簡単な説明 第１ｙｊは電子写真感光体ドラム製造用の従来のプラズ
マＣＶｒｊ ＃置の平面図。 ｔＪ２図は同装置における反応室の垂直断面図、 第３図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例の要部を示す斜視図、 第４図は同装置の要部の水平断面図、 第５図は同装置の要部の垂直断面図である。 １５・・・ドラム、 ２１・・・反応室、 ２２・・・電極、 ２５・・・排気管。 第４図 ↓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに平行になるように配置し、かつ内側に原料ガスの
噴出部を有する一対の平行平板電極と、 各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、かつ
互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対の
電極の間の所定位置に配置するための基体保持手段と、 前記所定位置に配置した複数の円筒状基体の間の間隙中
に前記円筒状基体と平行に配置した排気手段とを具えた
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604584A JPS6126778A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604584A JPS6126778A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126778A true JPS6126778A (ja) | 1986-02-06 |
Family
ID=15398853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14604584A Pending JPS6126778A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5765238A (en) * | 1990-06-18 | 1998-06-16 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Human private parts washing apparatus |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14604584A patent/JPS6126778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5765238A (en) * | 1990-06-18 | 1998-06-16 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Human private parts washing apparatus |
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