JPS5970976A - 撮像装置試験器 - Google Patents
撮像装置試験器Info
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- JPS5970976A JPS5970976A JP18201182A JP18201182A JPS5970976A JP S5970976 A JPS5970976 A JP S5970976A JP 18201182 A JP18201182 A JP 18201182A JP 18201182 A JP18201182 A JP 18201182A JP S5970976 A JPS5970976 A JP S5970976A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は固体撮像素子自体或は固体撮像素子を組込ん
だ撮像装置の良否を判定する試験器に関し、44に固体
撮像素子の感度試験を簡単な構造により実行できるよう
に4t’を成したものである。
だ撮像装置の良否を判定する試験器に関し、44に固体
撮像素子の感度試験を簡単な構造により実行できるよう
に4t’を成したものである。
〈発明の背景ン
テレビンヨンカメラの小形化及び低11勺費電ソJイヒ
等を目的として固体撮像素子が開発さイ1実用イヒされ
つつある。固体撮像素子は周知のよう(こ半導イ本によ
って構成される光電友換セルか一面」一番こ多数配列形
成され、その光電変換セルを選↑フク1言号番こよって
逐次−個ずつ選択してその光電変換セル(こ月・1照さ
れる光量に対応した画素信号を得るよ這こし、その光電
変換セルの選択を順次切換で走査し、画像・信号を得る
ものである。
等を目的として固体撮像素子が開発さイ1実用イヒされ
つつある。固体撮像素子は周知のよう(こ半導イ本によ
って構成される光電友換セルか一面」一番こ多数配列形
成され、その光電変換セルを選↑フク1言号番こよって
逐次−個ずつ選択してその光電変換セル(こ月・1照さ
れる光量に対応した画素信号を得るよ這こし、その光電
変換セルの選択を順次切換で走査し、画像・信号を得る
ものである。
ここで各光電変換セルは半導体基板」二番こ集積lpJ
路製造技術により形成されるものである力)らその製造
過程における不都合から、光電置換セルの中に不良が発
生することがある。また各充電変換セルの相互間におい
て、例えば感光特性番こ差力≦/I:、したり、或はダ
イナミックレンジに差か生じたり、またセル相互間にお
いて電、気的な’tliii fM力≦41ニしたりす
ることがある。
路製造技術により形成されるものである力)らその製造
過程における不都合から、光電置換セルの中に不良が発
生することがある。また各充電変換セルの相互間におい
て、例えば感光特性番こ差力≦/I:、したり、或はダ
イナミックレンジに差か生じたり、またセル相互間にお
いて電、気的な’tliii fM力≦41ニしたりす
ることがある。
一個の固体撮像素子は大略500X500イト′、l
Rj度の光電変換素子によって構成さ]1、光電友15
〜セルの数は大きな値となる。このように多(の光電変
換セルを各−偏ずつ、例えばその光量に対する光電*ユ
換の感度について試験することはかな嶋大変な作業とな
る。
Rj度の光電変換素子によって構成さ]1、光電友15
〜セルの数は大きな値となる。このように多(の光電変
換セルを各−偏ずつ、例えばその光量に対する光電*ユ
換の感度について試験することはかな嶋大変な作業とな
る。
〈発明の1−1的〉
この分明は固体撮像素子を構成する各光電変換セルの感
度試験を簡単な構造により然も精度よく試験することが
できる試験装置を提供しようとするものである。
度試験を簡単な構造により然も精度よく試験することが
できる試験装置を提供しようとするものである。
尚この発明ては固体撮像素子自体を試験することはもち
ろんであるが、固体撮像素子を組込んだカメラも試験対
称とするものである。
ろんであるが、固体撮像素子を組込んだカメラも試験対
称とするものである。
〈発明の概要〉
この発明では固体撮像素子の各光電変換セルから取出さ
れる画素信号をAD変換し、このAD変換したディジタ
ル画素信号を記憶器に取込むものである。ここでこの発
明では予め定めた2値の光量を固体撮像素子に与え、そ
の各光量を与えた場合に得られる画素信号の差を算出し
、その差の値が許容範囲内にあるか否かを判定し、各光
電変換セルの感度が規定された感度を持っているか否か
を判定するようにしたものである。
れる画素信号をAD変換し、このAD変換したディジタ
ル画素信号を記憶器に取込むものである。ここでこの発
明では予め定めた2値の光量を固体撮像素子に与え、そ
の各光量を与えた場合に得られる画素信号の差を算出し
、その差の値が許容範囲内にあるか否かを判定し、各光
電変換セルの感度が規定された感度を持っているか否か
を判定するようにしたものである。
〈発明の実施例〉
第1図にこの考案の一実施例を示す。図中101は被試
験固体1最像素子を示す。この固体撮像素子10 ]は
CCD形式或はMO3形式更にはこれらの特徴を兼ね備
えたCPD形式の何れを問わないものとする。これらの
形式の違いは光電変換セルの形成惜造と光電変換セルの
選択方法が異なるたけて光学的な特性は同じと考えてよ
い。
験固体1最像素子を示す。この固体撮像素子10 ]は
CCD形式或はMO3形式更にはこれらの特徴を兼ね備
えたCPD形式の何れを問わないものとする。これらの
形式の違いは光電変換セルの形成惜造と光電変換セルの
選択方法が異なるたけて光学的な特性は同じと考えてよ
い。
102は固体撮像素子101にセルの選択信号を与える
駆動回路を示す。この駆動回路102によりCCD形式
或はMO3形式、CPD形式の各固体撮像素子がその各
光電変換セルの配列に従って選択されて走査され画素信
号が順次後られるものとする。この走査速度はテレビジ
ョン信号における標準走査速度と同等に設定することが
できる。
駆動回路を示す。この駆動回路102によりCCD形式
或はMO3形式、CPD形式の各固体撮像素子がその各
光電変換セルの配列に従って選択されて走査され画素信
号が順次後られるものとする。この走査速度はテレビジ
ョン信号における標準走査速度と同等に設定することが
できる。
固体撮像素子101から得られた画素信号103は前置
増幅器104により増幅され、AD変換器105に与え
られる。AD変換器105は駆動回路102から与えら
れるクロックパルスと同期して画素信号をA D 置換
し、例えば8ビツトのディジタル画素信号に縫換する。
増幅器104により増幅され、AD変換器105に与え
られる。AD変換器105は駆動回路102から与えら
れるクロックパルスと同期して画素信号をA D 置換
し、例えば8ビツトのディジタル画素信号に縫換する。
AD変換器105でAD変換された画素信号は記憶器1
06に取込まれる。記憶器106は駆動回路102から
与えられるクロックパルスをアドレスカウンタ107で
計数し、その計数出力によりアドレスが順次1番地ずつ
歩進されAD変換器105から出力されるディジタル画
素信号を順次記憶する。
06に取込まれる。記憶器106は駆動回路102から
与えられるクロックパルスをアドレスカウンタ107で
計数し、その計数出力によりアドレスが順次1番地ずつ
歩進されAD変換器105から出力されるディジタル画
素信号を順次記憶する。
記憶器106に取込まれたディジタル画素信号はデータ
プロセッサ108に逐次転送される。こ(7) 5’−
タプロセッサ108は後述するように各種の比較及び判
定手段を有し、この判定手段により光電変換セルの良否
及び固体撮、像素子101全体の良否を判定する。
プロセッサ108に逐次転送される。こ(7) 5’−
タプロセッサ108は後述するように各種の比較及び判
定手段を有し、この判定手段により光電変換セルの良否
及び固体撮、像素子101全体の良否を判定する。
]、 09はコントローラである。このコントローラ1
09により駆動回路102の起動停止及びデータプロセ
ッサ108の制御を行なう。また光学制御系]11に制
御信号を与え光源112の光量を試験の進行に伴なって
漸次変化させる等の制御を行なう。
09により駆動回路102の起動停止及びデータプロセ
ッサ108の制御を行なう。また光学制御系]11に制
御信号を与え光源112の光量を試験の進行に伴なって
漸次変化させる等の制御を行なう。
113はモニタを示し、記憶器106に取込んだディジ
タル画素信号をDA変換して画面に各光電変換セルから
得られた画素信号に基ずく画像を映出するようにしてい
る。
タル画素信号をDA変換して画面に各光電変換セルから
得られた画素信号に基ずく画像を映出するようにしてい
る。
〈記憶器106の詳細説明〉
固体撮像素子101においてただ一度の走査によって得
られた画素信号によってその固体撮像素子101の良否
を判定した場合、たまたま混入したノイズによって期待
値と不一致が生し、これが基で不良と判定されるおそれ
がある。このような不都合を解消するためにこの例では
撮像素子101の各光電変換セルを複数回走査して得ら
れた各光電変換セルの画素゛信号の平均値を記憶器10
Gに記憶するようにし、ている。
られた画素信号によってその固体撮像素子101の良否
を判定した場合、たまたま混入したノイズによって期待
値と不一致が生し、これが基で不良と判定されるおそれ
がある。このような不都合を解消するためにこの例では
撮像素子101の各光電変換セルを複数回走査して得ら
れた各光電変換セルの画素゛信号の平均値を記憶器10
Gに記憶するようにし、ている。
この平均値を得るための構成を第2図に示すっ第2図に
おいて105は第1図で説明したAD変換器である。こ
のAD変換器105から出力される例えば8ビツトのA
D変換出力が記憶器106に供給される。記憶器106
は各光電変換セルの画素データを平均化する回路200
と、この平均化回路200で得られた第1平均値と、次
に光量を変えて得た第2平均値の差を算出して感度を求
める減算手段211とにより構成される。平均化回路2
00は加算器201と、メモリ部202とによって構成
される。メモリ部202はAD変換器105から出力さ
れるディジタル画素信号と同一の前回の画素信号を読出
し、その続出出力と今回得られたディジタ/’L/画素
信号とを加算器201において加算し、その加算結果を
メモリ部202の同一アト゛レスに再書込を行なう。
おいて105は第1図で説明したAD変換器である。こ
のAD変換器105から出力される例えば8ビツトのA
D変換出力が記憶器106に供給される。記憶器106
は各光電変換セルの画素データを平均化する回路200
と、この平均化回路200で得られた第1平均値と、次
に光量を変えて得た第2平均値の差を算出して感度を求
める減算手段211とにより構成される。平均化回路2
00は加算器201と、メモリ部202とによって構成
される。メモリ部202はAD変換器105から出力さ
れるディジタル画素信号と同一の前回の画素信号を読出
し、その続出出力と今回得られたディジタ/’L/画素
信号とを加算器201において加算し、その加算結果を
メモリ部202の同一アト゛レスに再書込を行なう。
ここで読出と書込を高速度で行なわなくてはならないた
め、この例ではメモリ部202を4枚のメモリカーF2
02a、202b、202c、202dによって構成し
、これら複数のメモリカー1’202a〜202dを時
分割的に使用することにより各メモリカード202a〜
202dを遅い速度で動作させるようにしている。
め、この例ではメモリ部202を4枚のメモリカーF2
02a、202b、202c、202dによって構成し
、これら複数のメモリカー1’202a〜202dを時
分割的に使用することにより各メモリカード202a〜
202dを遅い速度で動作させるようにしている。
各メモリカード202a〜202dはそれぞれ同一の構
造である。つまりメモリカード202aに示すようにカ
ードセレクタ203と、メモリ本体204と、出力ラッ
チ回路205と、入力ラッチ回路206とによって構成
される。
造である。つまりメモリカード202aに示すようにカ
ードセレクタ203と、メモリ本体204と、出力ラッ
チ回路205と、入力ラッチ回路206とによって構成
される。
カードセレクタ203には制御バス207からカードセ
レクト信号と、アドレスバス208からアドレス信号を
受け、自己が呼び出されたことを知り、そのときのアド
レス信号を取込んでそのアドレス信号によりメモリ本体
204をアクセスする。メモリ本体204はアクセスの
初期状態でそのアドレスにストアされているデータを読
出し、出力ラッチ回路205にラッチさせる。そのラッ
チ出力を加算器201に与え、この加算器201におい
て前回と今回のデジタル画素信号を加算し、その加算結
果を入力ラッチ回路206にラッチする。
レクト信号と、アドレスバス208からアドレス信号を
受け、自己が呼び出されたことを知り、そのときのアド
レス信号を取込んでそのアドレス信号によりメモリ本体
204をアクセスする。メモリ本体204はアクセスの
初期状態でそのアドレスにストアされているデータを読
出し、出力ラッチ回路205にラッチさせる。そのラッ
チ出力を加算器201に与え、この加算器201におい
て前回と今回のデジタル画素信号を加算し、その加算結
果を入力ラッチ回路206にラッチする。
入力ラッチ回路206に加算結果をランチすると、カー
ドの選択は次のカードに移される。従って各メモリカー
ド202a〜202dが加算器201に接続されている
時間は出力ラッチ回路205がメモリ本体204の続出
出力をラッチした時点から入力ラッチ回路206が加算
結果をラッチするまでの時間でよく、入力ラッチ回路2
06に加算結果がラッチされると、その直後にカードは
加算器201から切離される。よって次に選択されたメ
モリカード、例えば202bが加算器201に接続され
ている状態でメモリカード202aは入力ラッチ回路2
06にラッチした加算結果を同一アドレスに再書込すれ
ばよい。よって各メモリカードでは読出から書込終了ま
での処理をAD変換器105の変換速度の4倍の時間で
実行すればよ(、各メモリカード202a〜202dの
動作速度の負担を軽減するようにしている。。
ドの選択は次のカードに移される。従って各メモリカー
ド202a〜202dが加算器201に接続されている
時間は出力ラッチ回路205がメモリ本体204の続出
出力をラッチした時点から入力ラッチ回路206が加算
結果をラッチするまでの時間でよく、入力ラッチ回路2
06に加算結果がラッチされると、その直後にカードは
加算器201から切離される。よって次に選択されたメ
モリカード、例えば202bが加算器201に接続され
ている状態でメモリカード202aは入力ラッチ回路2
06にラッチした加算結果を同一アドレスに再書込すれ
ばよい。よって各メモリカードでは読出から書込終了ま
での処理をAD変換器105の変換速度の4倍の時間で
実行すればよ(、各メモリカード202a〜202dの
動作速度の負担を軽減するようにしている。。
このようにして各メモリカード202a〜202dのメ
、モリ本体2゛04・に同二画素の、’4n回の′ディ
。ジタル血1素データの加算値が同一アドレスに積算さ
れる。ここでその加算値から平均値を得る方法としては
、例えばAD変換器105の出力を8ビツトとした場合
メモリ本体204の書込データのビット容量を16ビツ
トとする。このようにして8ビツトのディジタル信号を
128回加算し、その加算結果の桁上出力として得られ
た上位8ビ゛ツトを取出すと各画素の128回分の平均
値を得ることができる。この上位8ビツトのデータを出
力端子209から1[)出すことにより光電変換セルを
128回走査して得られた画素データの平均値を得るこ
とができる。
、モリ本体2゛04・に同二画素の、’4n回の′ディ
。ジタル血1素データの加算値が同一アドレスに積算さ
れる。ここでその加算値から平均値を得る方法としては
、例えばAD変換器105の出力を8ビツトとした場合
メモリ本体204の書込データのビット容量を16ビツ
トとする。このようにして8ビツトのディジタル信号を
128回加算し、その加算結果の桁上出力として得られ
た上位8ビ゛ツトを取出すと各画素の128回分の平均
値を得ることができる。この上位8ビツトのデータを出
力端子209から1[)出すことにより光電変換セルを
128回走査して得られた画素データの平均値を得るこ
とができる。
このように画素子信号を平均化することにより雑音の混
入があってもその雑音の影響を軽減できる。画素信号に
混入する雑音は例えば固体−撮像素子1.01と光源1
12との間をチリ、ホコリのような物体が通過したよう
な場合に生じることが考えられる。よって一度の走査結
果だけで各光電変換セルの良否を判定すると、その判定
結果は信頼性の低いものとなるか、」1記したようにこ
の実施例では複数回の走査結果を平均して良否の判定を
行なうから信頼性の高い判定結果を得ることができる。
入があってもその雑音の影響を軽減できる。画素信号に
混入する雑音は例えば固体−撮像素子1.01と光源1
12との間をチリ、ホコリのような物体が通過したよう
な場合に生じることが考えられる。よって一度の走査結
果だけで各光電変換セルの良否を判定すると、その判定
結果は信頼性の低いものとなるか、」1記したようにこ
の実施例では複数回の走査結果を平均して良否の判定を
行なうから信頼性の高い判定結果を得ることができる。
この発明では、出力端子209に得られる平均化出力を
更に感度試験を行なうための減算手段211に供給する
。減算手段211は減算器212と、基準光量を与えた
ときの画素データを収納するメモリ部213とによって
構成することができる。
更に感度試験を行なうための減算手段211に供給する
。減算手段211は減算器212と、基準光量を与えた
ときの画素データを収納するメモリ部213とによって
構成することができる。
メモリ部213は平均値を得るための平均化回路200
と同様にこの例では4枚のメモリカード214a、21
4b、214c、214dによって構成した場合を示す
。この4枚のメモリカード214a、214b、214
c、214dに時分割的に各光電変換セルから得られる
画素信号の平均値を収納する。このメモリ部213に収
納する平均値は光源112を第1基準光量に設定した場
合に得られる平均値とする。つまり第3図に示す光fu
L+を与えた場合の各光電変換セルの画素信号の平均値
とする。平均化回路200から減算手段2’llに画素
データを転送するにはメモリ部213の各メモリカード
214a〜214dの内容をオールゼロにクリヤし、そ
の状態でアンドゲート215を開閉制御し、減算器21
2に入力される各光電変換セルの平均画素データから各
メモリカード214a〜214dに記憶されているゼロ
値を減算して取出し、その減算結果をアンドゲート21
5を介して各メモリカード214a〜214dに時分割
的に書込し、平均化回路200をイ11癖成するメモリ
カード202a〜202dと同一アドレスに同じ画素デ
ータを転送する。
と同様にこの例では4枚のメモリカード214a、21
4b、214c、214dによって構成した場合を示す
。この4枚のメモリカード214a、214b、214
c、214dに時分割的に各光電変換セルから得られる
画素信号の平均値を収納する。このメモリ部213に収
納する平均値は光源112を第1基準光量に設定した場
合に得られる平均値とする。つまり第3図に示す光fu
L+を与えた場合の各光電変換セルの画素信号の平均値
とする。平均化回路200から減算手段2’llに画素
データを転送するにはメモリ部213の各メモリカード
214a〜214dの内容をオールゼロにクリヤし、そ
の状態でアンドゲート215を開閉制御し、減算器21
2に入力される各光電変換セルの平均画素データから各
メモリカード214a〜214dに記憶されているゼロ
値を減算して取出し、その減算結果をアンドゲート21
5を介して各メモリカード214a〜214dに時分割
的に書込し、平均化回路200をイ11癖成するメモリ
カード202a〜202dと同一アドレスに同じ画素デ
ータを転送する。
転送が完了すると、アンドゲート215を閉しると共に
光源112の光量を第3図に示す第2基準光量L2に設
定する。この第2基準光量L2において再び各光電変換
素子を走査−し、その各光電変換素子から得られる画素
データの平均値をメモリカード202a−202dに取
込む。
光源112の光量を第3図に示す第2基準光量L2に設
定する。この第2基準光量L2において再び各光電変換
素子を走査−し、その各光電変換素子から得られる画素
データの平均値をメモリカード202a−202dに取
込む。
メモリカード202a〜202dに第2基準光量L2に
ける画素データの平均値が取込まれると、その画素デー
タの平均値は逐次出力端子209に取出され、減算器2
12に与えられる。これと同期してメモリカード214
a〜214dからは第1基準光量L1における各光電変
換素子の画素データを読出し、減算器212で第2基準
光量L2において得られた画素データの平均値から第1
基QQ光ff1L+において得られた画素データを減算
し、その減算結果をデータプロセッサ108に送る。
ける画素データの平均値が取込まれると、その画素デー
タの平均値は逐次出力端子209に取出され、減算器2
12に与えられる。これと同期してメモリカード214
a〜214dからは第1基準光量L1における各光電変
換素子の画素データを読出し、減算器212で第2基準
光量L2において得られた画素データの平均値から第1
基QQ光ff1L+において得られた画素データを減算
し、その減算結果をデータプロセッサ108に送る。
データプロセッサ108には比較器216と、感度に関
する期待値か収納されたデータファイル217が設けら
れる。データファイル217がら第1と第2基準光量L
1とL2を与えたときの光電変換出力の期待値が読出さ
れ、比較器216に与えられる。この期待値は成る許容
rl]を持ち減算器212から出力される各光電変換セ
ルの画素データの差の値が、この許容範囲に入るが否が
を判定し、許容範囲に入らない場合はセル不良信号21
8を出力する。第3図の横軸Xは光電変換セルの番号を
示す。この例ではセル番号6〜11において感度不足の
状態を示す。この感度不足の光電変換セルの数を例えば
計数器219て計数し、その計数値を比較器221に与
える。比較器221にはデータファイル222から感度
不足セルの数の許容値が与えられ、許容値を越えると撮
像素子101を不良と判定するように構成することがで
きる。
する期待値か収納されたデータファイル217が設けら
れる。データファイル217がら第1と第2基準光量L
1とL2を与えたときの光電変換出力の期待値が読出さ
れ、比較器216に与えられる。この期待値は成る許容
rl]を持ち減算器212から出力される各光電変換セ
ルの画素データの差の値が、この許容範囲に入るが否が
を判定し、許容範囲に入らない場合はセル不良信号21
8を出力する。第3図の横軸Xは光電変換セルの番号を
示す。この例ではセル番号6〜11において感度不足の
状態を示す。この感度不足の光電変換セルの数を例えば
計数器219て計数し、その計数値を比較器221に与
える。比較器221にはデータファイル222から感度
不足セルの数の許容値が与えられ、許容値を越えると撮
像素子101を不良と判定するように構成することがで
きる。
222はこの判定を行なうためのデータファイルを示す
。
。
このような試験を光量Ll、L2の値を変えて複数回行
なうことにより、各種の光量領域における感度を試験す
ることができる。
なうことにより、各種の光量領域における感度を試験す
ることができる。
〈発明の効果〉
上記したようにこの発明によれは固体撮像素子から得ら
れる画素信号をAD変換し、そのAD変換した画素デー
タを光量差に応じて差の値を算出し、その差の値から感
度試験を行なうようにしたから、アナログ回路で減算す
る場合と比較して回路のドリフトの影響を受けることが
なく、精度の高い試験を行なうことができる。また各光
電変換セルの画素データを複数回平均化した場合には雑
音による影響が除去される。よって更に一層精度の高い
試験を行なうことができる。またメモリ部213と減算
器212を設けるだけで感度試験を行なうことができる
ため簡単な構造により感度試験を行なうことができる。
れる画素信号をAD変換し、そのAD変換した画素デー
タを光量差に応じて差の値を算出し、その差の値から感
度試験を行なうようにしたから、アナログ回路で減算す
る場合と比較して回路のドリフトの影響を受けることが
なく、精度の高い試験を行なうことができる。また各光
電変換セルの画素データを複数回平均化した場合には雑
音による影響が除去される。よって更に一層精度の高い
試験を行なうことができる。またメモリ部213と減算
器212を設けるだけで感度試験を行なうことができる
ため簡単な構造により感度試験を行なうことができる。
よって安価に感度試験器を作ることができる。
尚」二連では固体撮像素子を被試験体として説明したが
、固体撮像素子を組込んだカメラを試験することもでき
る。この場合には固体撮像素子を含む画像信号系の全て
を試験することができる。、
、固体撮像素子を組込んだカメラを試験することもでき
る。この場合には固体撮像素子を含む画像信号系の全て
を試験することができる。、
第1図はこの発明の詳細な説明するためのブロック図、
第2図はこの発明の要部の一実施例を示すブロック図、
第3図はこの発明の詳細な説明するためのグラフである
。 101:固体撮像素子、105:AD変換器、106:
記憶器、108:データプロセッサ、211:減算手段
、212:減算器、216光電変換セルの良否を判定す
る比較器、219、不良セルの数を計数する計数器、2
21:固体撮像素子の良否を判定する比較器。 特許出願人 タケダ理研工業株式会社代理人 草野
卓
第2図はこの発明の要部の一実施例を示すブロック図、
第3図はこの発明の詳細な説明するためのグラフである
。 101:固体撮像素子、105:AD変換器、106:
記憶器、108:データプロセッサ、211:減算手段
、212:減算器、216光電変換セルの良否を判定す
る比較器、219、不良セルの数を計数する計数器、2
21:固体撮像素子の良否を判定する比較器。 特許出願人 タケダ理研工業株式会社代理人 草野
卓
Claims (1)
- (1) A 、一つの面」二に配列された複数の光電変
換素子が配列形成され選択信号により各光電変換セルの
受光量に対応して得られる画素信号を順次AD変換する
AD変換器と、 B、このAD変換器から得られる2値の光量を受光した
ときのディジタル画素信号を減算する減算手段と、 C0この減算手段で得られた減算値を期待値と比較し、
減算値が予め定めた許容範囲内にあるか否かを判定する
比較手段と、 を具備して成る撮像装置試験器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18201182A JPS5970976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 撮像装置試験器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18201182A JPS5970976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 撮像装置試験器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970976A true JPS5970976A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16110762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18201182A Pending JPS5970976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 撮像装置試験器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970976A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744867A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Toshiba Corp | Measuring device for charge coupled element |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18201182A patent/JPS5970976A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744867A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Toshiba Corp | Measuring device for charge coupled element |
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