JPS5973443A - 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPS5973443A JPS5973443A JP18124282A JP18124282A JPS5973443A JP S5973443 A JPS5973443 A JP S5973443A JP 18124282 A JP18124282 A JP 18124282A JP 18124282 A JP18124282 A JP 18124282A JP S5973443 A JPS5973443 A JP S5973443A
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- gas
- preform
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信用ファイバの母材の製造法に関し、特に
母材中の残留水分量を極力少なくしながら、かつ最適な
屈折率分布に制御しつつ、連続的に母材を製造する方法
に関する。
母材中の残留水分量を極力少なくしながら、かつ最適な
屈折率分布に制御しつつ、連続的に母材を製造する方法
に関する。
光伝送用ガラス母材を造る方法の一つに特公昭４９〜１
ａ５５５８号公報等に開示されている気相軸付は法（Ｖ
ＡＤ法）がある。ここで従来、実施されているＶＡＤ法
の概略を説明すると、第１図（、ａ）に示すように、容
器１の下部に設けたバーナ２にガラス微粒子の原料ガス
や燃焼用ガスおよびドーパントガスを供給し、バーナか
ら出発物質６に向けて火炎を吹き付け、ガラス微粒子の
ススをこの出発物質３の下面に付着、堆積させ、出発物
質３を回転して引き上げながらこのガラス微粒子スス体
を成長させ、集合体４を造り、母材とするものである。
ａ５５５８号公報等に開示されている気相軸付は法（Ｖ
ＡＤ法）がある。ここで従来、実施されているＶＡＤ法
の概略を説明すると、第１図（、ａ）に示すように、容
器１の下部に設けたバーナ２にガラス微粒子の原料ガス
や燃焼用ガスおよびドーパントガスを供給し、バーナか
ら出発物質６に向けて火炎を吹き付け、ガラス微粒子の
ススをこの出発物質３の下面に付着、堆積させ、出発物
質３を回転して引き上げながらこのガラス微粒子スス体
を成長させ、集合体４を造り、母材とするものである。
このＶＡＤ法では低損失で半径方向に任意の屈折率分布
を有し、円周および長手方向に均一な組成を有し安価な
光伝送用ファイバーを得ることができると共に、この方
法は原料収率が良く高純度製品が得られ、最大の不純物
である水分の除去もＶＡＤ多孔質母材が均一＝微粒子集
合体であるがゆえに焼結時、脱水が容易であることや、
工程数が少ないことなどの特徴があシ、実用上大きな利
点を有する。
を有し、円周および長手方向に均一な組成を有し安価な
光伝送用ファイバーを得ることができると共に、この方
法は原料収率が良く高純度製品が得られ、最大の不純物
である水分の除去もＶＡＤ多孔質母材が均一＝微粒子集
合体であるがゆえに焼結時、脱水が容易であることや、
工程数が少ないことなどの特徴があシ、実用上大きな利
点を有する。
その際、ＧｅＯ２などのドーパントは中央部に多く堆積
し周辺部へ向うにしたがって少なく堆積させ、これによ
シト−パント濃度を所望の分布に形成させ、第１図（ｂ
）に示すような屈折率分布のガラス母材が得られる。図
中、ｎｏ は石英ガラスの屈折率レベル、△ｎ （ｄ、
ＧｅＯ２によシ増大した屈折率レベルであシ、αは△
ｎ＝ｎ〔１−（−）） で示される屈折率分布曲線の
０ 指数である。このαは光ファイバにとって重要な帯域特
性に大きな影響を与える要素であシ、α２２．０前後が
最適とされておシ、使用波長域で、その値は微妙に変化
する。例えば０．８５μｍではα＝２．０．１．３０μ
ｍではα＝１，８Ｑとされている。更に近年、広帯域特
性を有した低損失の光ノア１バーの需要が２０Ｋｍ以上
の無中継伝送方式を軸に急増している。特に１，３０μ
ｍ帯で０．８ｄＢ／ＫＩｎ 以下でかつ帯域特性が８
００ＭＨ８Ｋｍ以上の特性を有するファイバが望ましい
とされている。このような特性、低損失を確保するため
には、ファイバ中の残留水分量を０． ｌｐｐｍ以下、
また帯域特性を確保するためにはαを α。１０．０５
以内に制御する必要がある。
し周辺部へ向うにしたがって少なく堆積させ、これによ
シト−パント濃度を所望の分布に形成させ、第１図（ｂ
）に示すような屈折率分布のガラス母材が得られる。図
中、ｎｏ は石英ガラスの屈折率レベル、△ｎ （ｄ、
ＧｅＯ２によシ増大した屈折率レベルであシ、αは△
ｎ＝ｎ〔１−（−）） で示される屈折率分布曲線の
０ 指数である。このαは光ファイバにとって重要な帯域特
性に大きな影響を与える要素であシ、α２２．０前後が
最適とされておシ、使用波長域で、その値は微妙に変化
する。例えば０．８５μｍではα＝２．０．１．３０μ
ｍではα＝１，８Ｑとされている。更に近年、広帯域特
性を有した低損失の光ノア１バーの需要が２０Ｋｍ以上
の無中継伝送方式を軸に急増している。特に１，３０μ
ｍ帯で０．８ｄＢ／ＫＩｎ 以下でかつ帯域特性が８
００ＭＨ８Ｋｍ以上の特性を有するファイバが望ましい
とされている。このような特性、低損失を確保するため
には、ファイバ中の残留水分量を０． ｌｐｐｍ以下、
また帯域特性を確保するためにはαを α。１０．０５
以内に制御する必要がある。
しかしながら従来の公知方法では屈折率分布の係数αを
変化させる場合、原料ガス、ドーパントガス、燃焼用ガ
スの量比を微妙に変える必要があり、例えば１．３０μ
ｍ帯用のα値１．８゜±０，０５よシ０．８５μｍ帯用
のα値２．００±０．０５に変更することは非常に困難
である。
変化させる場合、原料ガス、ドーパントガス、燃焼用ガ
スの量比を微妙に変える必要があり、例えば１．３０μ
ｍ帯用のα値１．８゜±０，０５よシ０．８５μｍ帯用
のα値２．００±０．０５に変更することは非常に困難
である。
本発明者等は先に、最適な屈折率分布を任意に得られる
光伝送用ガラス母材の製法として、ガラス微粒子集合体
を焼結して透明ガラス体とするに際し、第２図に示すよ
うに ｃｔ２／ Ｈｅの雰囲気の１つの炉２１を用い、
そこで焼結と同時に脱水ならびにプロファイル制御を行
なう方法を提案した（特願昭５７−４９０１号）。図中
、２１が焼結炉、２２ガスバーナー、２３出発物質、２
４集合体、２５排気口、２６ヒーター、２７ ｃｔ２
／Ｈｅ 供給口である。
光伝送用ガラス母材の製法として、ガラス微粒子集合体
を焼結して透明ガラス体とするに際し、第２図に示すよ
うに ｃｔ２／ Ｈｅの雰囲気の１つの炉２１を用い、
そこで焼結と同時に脱水ならびにプロファイル制御を行
なう方法を提案した（特願昭５７−４９０１号）。図中
、２１が焼結炉、２２ガスバーナー、２３出発物質、２
４集合体、２５排気口、２６ヒーター、２７ ｃｔ２
／Ｈｅ 供給口である。
このたび、本発明者等は脱水反応と揮散反応の活性な領
域を鋭意、研究の結果、次のようなことを見出した。ス
ス体のカサ密度が０，１５〜０、４０１７ｃｍ３の範囲
のものでは、脱水反応は１０００〜１５００℃ で活性
であシ、この下限は脱水反応の活性化に由来し、上限は
スス体の収縮速度が脱水反応よシ上回ることに由来する
。
域を鋭意、研究の結果、次のようなことを見出した。ス
ス体のカサ密度が０，１５〜０、４０１７ｃｍ３の範囲
のものでは、脱水反応は１０００〜１５００℃ で活性
であシ、この下限は脱水反応の活性化に由来し、上限は
スス体の収縮速度が脱水反応よシ上回ることに由来する
。
一方、揮散反応は １２００〜１４００℃で活性であシ
、下限は、 Ｇｅ ０２ ＋２ Ｃ１２→Ｇｅ Ｃ１０＋ ０２の反
応の活性化に由来し、上限はスス体の収縮速度が非常に
速（ＧｅＯ２の揮散反応を阻害するためである。以上の
理由から、脱水反応とＧｅ ０２の揮散反応が共に活性
な温度領域は１２００〜１４００℃であることが判る。
、下限は、 Ｇｅ ０２ ＋２ Ｃ１２→Ｇｅ Ｃ１０＋ ０２の反
応の活性化に由来し、上限はスス体の収縮速度が非常に
速（ＧｅＯ２の揮散反応を阻害するためである。以上の
理由から、脱水反応とＧｅ ０２の揮散反応が共に活性
な温度領域は１２００〜１４００℃であることが判る。
脱水反応に比べ上限温度が１００℃低くなるのは、スス
体内でのＧｅＣ／！４ ＝スの拡散が脱水反応で生ず
るＨＣｔガスに比べ遅いためである。
体内でのＧｅＣ／！４ ＝スの拡散が脱水反応で生ず
るＨＣｔガスに比べ遅いためである。
一方、透明ガラス化するには１５００℃以上の温度が必
要である。このため先に挙げた先願発明のように単一の
炉を使用し、脱水と同時に揮散反応を利用しプロファイ
ル制御を行ないながら透明ガラス化することは非常に困
難であシ、特にプロファイル制御の自由度が著しく阻害
される。
要である。このため先に挙げた先願発明のように単一の
炉を使用し、脱水と同時に揮散反応を利用しプロファイ
ル制御を行ないながら透明ガラス化することは非常に困
難であシ、特にプロファイル制御の自由度が著しく阻害
される。
本発明は上記先願方法における、プロファイルの制御を
更に容易にすると共に、ガラス母材のｃｔ２による泡の
発生を抑えることを目的として開発されたもので、２つ
の炉を用いて、まず脱水とプロファイル制御ケ行ない、
次の炉で付加的な脱水と焼結を行なうことを特徴とする
ものである。
更に容易にすると共に、ガラス母材のｃｔ２による泡の
発生を抑えることを目的として開発されたもので、２つ
の炉を用いて、まず脱水とプロファイル制御ケ行ない、
次の炉で付加的な脱水と焼結を行なうことを特徴とする
ものである。
すなわち、本発明は光フアイバ用多孔質母材を軸方向へ
成長させながら、これを同軸上に置かれた透明ガラス化
炉を用いて連続的に透明ガラ、ス化する方法において、
多孔質母材の成長点と透明ガラス化炉の間に、多孔質母
材を完全に収縮させない温度範囲に調整した予備加熱炉
を設け、この炉内で不活性ガス、とドーパントを還元揮
散させる作用を有する脱水剤を含む雰囲気下、上記母材
の脱水を行・ないながら、ドーパントの揮散による屈折
率分布の制御を行ない、更に透明ガラス化炉で不活性ガ
・スと脱水剤を含む雰囲気下、母材の透明ガラス化を行
なうことを特徴とする方法、に関するものである。
成長させながら、これを同軸上に置かれた透明ガラス化
炉を用いて連続的に透明ガラ、ス化する方法において、
多孔質母材の成長点と透明ガラス化炉の間に、多孔質母
材を完全に収縮させない温度範囲に調整した予備加熱炉
を設け、この炉内で不活性ガス、とドーパントを還元揮
散させる作用を有する脱水剤を含む雰囲気下、上記母材
の脱水を行・ないながら、ドーパントの揮散による屈折
率分布の制御を行ない、更に透明ガラス化炉で不活性ガ
・スと脱水剤を含む雰囲気下、母材の透明ガラス化を行
なうことを特徴とする方法、に関するものである。
本発明で用いられる脱水剤としてはＣｔａガス等のハロ
ゲン、ＣＣｌ４．５ＯＣ１ｚ 等のハロゲン化物、−
酸化炭素、ＣＯＣｌ２ 等のカルボニル化・金物等が
挙げられる。不活性ガスとしてはＨｅ、Ａｒ。
ゲン、ＣＣｌ４．５ＯＣ１ｚ 等のハロゲン化物、−
酸化炭素、ＣＯＣｌ２ 等のカルボニル化・金物等が
挙げられる。不活性ガスとしてはＨｅ、Ａｒ。
Ｎ２ 等が用いられる。
本発明では、脱水剤としてｃｔ２ガスを使用し、予備加
熱炉の炉温は １２００〜１３０ｏ℃ で、ｃｔ２ガス
濃度が０．５〜５容量チである不活性ガス（Ｈｅ等）雰
囲気であシ、透明ガラス化炉の炉温は １５００〜１７
００℃で、ｃｔ２ガス濃度が０．１〜０．２容量チであ
るＨｅガス雰囲気で、光フアイバ母材をＶＡＤ法で製造
することによって、特゛性のよいものを効率よく製造す
ることができるＯ 他方、光フアイバ母材の製造に当シ２つの加熱部あるい
は炉を用い第１の加熱部で脱水、第２の加熱部で透明化
を行う方法も特開昭５４−１３４７２２号、同５４−ｆ
３４１２８号、同５４−９４０５０号、同５５−１０４
１２号公報に記載されているが、第１の加熱部でプロフ
ァイル制御が行なわれていない点、第２の加熱部に脱水
剤が存在せず単に焼結のみが行なわれている点で本発明
と異なり、本発明ではこの相違する構成によって、光フ
アイバ中の残留水分を取シ除き、更に帯域特性にとシ重
要なα値を連続的に変化させ、しかもその制御範囲をα
ｂ±０．０５以内にすることを可能にし、これによシ任
意の屈折率分布を有する光ファイバが連続的に製造でき
、光ファイバを安価に提供することを可能ならしめたも
のである。
熱炉の炉温は １２００〜１３０ｏ℃ で、ｃｔ２ガス
濃度が０．５〜５容量チである不活性ガス（Ｈｅ等）雰
囲気であシ、透明ガラス化炉の炉温は １５００〜１７
００℃で、ｃｔ２ガス濃度が０．１〜０．２容量チであ
るＨｅガス雰囲気で、光フアイバ母材をＶＡＤ法で製造
することによって、特゛性のよいものを効率よく製造す
ることができるＯ 他方、光フアイバ母材の製造に当シ２つの加熱部あるい
は炉を用い第１の加熱部で脱水、第２の加熱部で透明化
を行う方法も特開昭５４−１３４７２２号、同５４−ｆ
３４１２８号、同５４−９４０５０号、同５５−１０４
１２号公報に記載されているが、第１の加熱部でプロフ
ァイル制御が行なわれていない点、第２の加熱部に脱水
剤が存在せず単に焼結のみが行なわれている点で本発明
と異なり、本発明ではこの相違する構成によって、光フ
アイバ中の残留水分を取シ除き、更に帯域特性にとシ重
要なα値を連続的に変化させ、しかもその制御範囲をα
ｂ±０．０５以内にすることを可能にし、これによシ任
意の屈折率分布を有する光ファイバが連続的に製造でき
、光ファイバを安価に提供することを可能ならしめたも
のである。
１つの炉を用いて脱水と焼結を行なう先願方法（特願昭
５７−４９０１号）と本願発明の差を図を用いて説明す
る。
５７−４９０１号）と本願発明の差を図を用いて説明す
る。
１５００℃とした場合（先願方法）のヒータの炉温分布
とスス体の収縮は第３図（ａ）、１１００〜１３００℃
とした場合（本発明方法）のヒータの炉温分布とスス体
の収縮は第３図（ｂ）に示される通シである。図中、斜
線部ｔで示されるのが反応領域で、ここでドーパント揮
散、続いて脱水が行なわれるが、この領域はｔｌ（先願
） ＜＜ ｔ２ （本発明）で、本発明のものが非常に
長いことが判る。
とスス体の収縮は第３図（ａ）、１１００〜１３００℃
とした場合（本発明方法）のヒータの炉温分布とスス体
の収縮は第３図（ｂ）に示される通シである。図中、斜
線部ｔで示されるのが反応領域で、ここでドーパント揮
散、続いて脱水が行なわれるが、この領域はｔｌ（先願
） ＜＜ ｔ２ （本発明）で、本発明のものが非常に
長いことが判る。
一方、ブロンアイル制御（ドーパント揮散、）のパラメ
ータは温度Ｔ１反応時間ｔ１塩素濃度Ｃの６つで、これ
によシプロファイルｆが決定される。
ータは温度Ｔ１反応時間ｔ１塩素濃度Ｃの６つで、これ
によシプロファイルｆが決定される。
ゾｉン焼結の場合、ｔは反応領域ｔを下降ｒａｔｅ
Ｒで割った値 ｔ、 ＝ ｔｌＲ（２） で表示され、ズ２）より（１）は ｆｔ （Ｔ、 ｔ／Ｒ％ ｃ ） となる。 （
３）またＴは反応の活性度を示し、 で表示できる。
Ｒで割った値 ｔ、 ＝ ｔｌＲ（２） で表示され、ズ２）より（１）は ｆｔ （Ｔ、 ｔ／Ｒ％ ｃ ） となる。 （
３）またＴは反応の活性度を示し、 で表示できる。
■ 先願の場合（第３図（ａ） ） ｔが小さく、ｆｌ
を大きくするためにはＲを小さくするがＣを大きくする
必要がある。
を大きくするためにはＲを小さくするがＣを大きくする
必要がある。
一方、では透明ガラス化するため姉は
１５００℃以上である必要がある。このような温度領域
では気泡が発生し易く、ｃ（ｃｔ２濃度）を小さく抑え
る必要があシ、事実０．６〜１ ｍａｔチが限界（スス
体にょシ差あシ）−′Ｃ−１それ以下に抑えねばならず
、このためＣの量を変化させてｆｌ の制御をはかる
ことは困難でおる。
では気泡が発生し易く、ｃ（ｃｔ２濃度）を小さく抑え
る必要があシ、事実０．６〜１ ｍａｔチが限界（スス
体にょシ差あシ）−′Ｃ−１それ以下に抑えねばならず
、このためＣの量を変化させてｆｌ の制御をはかる
ことは困難でおる。
またＲについても透明ガラス化に要する加熱時間より４
簡／分以下が必要であり、これが上限となる。下降は効
率の問題より１籟／分が限度（５６０ｔのススで６時間
要する）でおる。
簡／分以下が必要であり、これが上限となる。下降は効
率の問題より１籟／分が限度（５６０ｔのススで６時間
要する）でおる。
以上より先願の単一炉を・用いる方法ではフ。
ロファイル制御の自由度は非常に狭く、プロファイル制
御は困難である。
御は困難である。
■ 一方、本発明の方式（第３図（ｂ））では、反応領
域ｔが長くまたＣも５モルチとしても気泡の発生もなく
、Ｔも透明ガラス化する必要がないため可変領域が大き
い。
域ｔが長くまたＣも５モルチとしても気泡の発生もなく
、Ｔも透明ガラス化する必要がないため可変領域が大き
い。
ｆｌが効率的な領域は
１０００＜Ｔ＜ （１５００℃）＠
０．５＜Ｃ＜５モルチ
Ｒ〈 １０
■は他の要因で決まる。
Ｔ＜１３００℃は１３００℃以上だとスス体が収縮し、
スス体のわずかの変化（Ｐ童女ど）で収縮速度が変化し
、負 が同一条件でもリン量（例えばｐｏｃｔ、 ガ
スの形で導入する）によシ変動する。
スス体のわずかの変化（Ｐ童女ど）で収縮速度が変化し
、負 が同一条件でもリン量（例えばｐｏｃｔ、 ガ
スの形で導入する）によシ変動する。
以上の点からＴ、 Ｃ，Ｈのいずれか１つを固定しても
ｆｌ を一定の値にできる（Ｔ−Ｃの選択領域が広い
）という広い自由度をもった方式本発明ではＲを選択し
てもｆ、はＴ−Ｃで調整でき、スス付はタンデムにとり
非常に有利である。この方法で大力の水分の除去も可能
でｓｂ、また脱水の不足分は更に上記の透明化炉で若干
のｃｔ２を添加することによシ補うことである。
ｆｌ を一定の値にできる（Ｔ−Ｃの選択領域が広い
）という広い自由度をもった方式本発明ではＲを選択し
てもｆ、はＴ−Ｃで調整でき、スス付はタンデムにとり
非常に有利である。この方法で大力の水分の除去も可能
でｓｂ、また脱水の不足分は更に上記の透明化炉で若干
のｃｔ２を添加することによシ補うことである。
以上述べたように、引上げスピード（下降に対応）がス
ス付けｒａｔθ で決まることから、第６図（ａ）の先
願の方式では高速化した場合限度があるが、第６図（ｂ
）の本発明方式では高速化の場合にも対応でき、非常に
有利な方法といえる。
ス付けｒａｔθ で決まることから、第６図（ａ）の先
願の方式では高速化した場合限度があるが、第６図（ｂ
）の本発明方式では高速化の場合にも対応でき、非常に
有利な方法といえる。
以下に本発明をＶＡＤ法を例にとった第４図を用いて詳
細に説明する。第４図は本発明を実施する装置構成の一
例である。ここでは、反応容器３１の下部にバーナ５２
が設けられておシ、バーナ５２に対向して出発物質３３
が容器内部に回転自在に吊下され、更に各盤３１の内周
にヒータ３６．３８が設けられている。また容器３１上
部や側面に容器内に所定のガスを送シ込むガス供給口３
７．５９が段付られていると共に、反応容器３１の下部
には容器内のガスを排出する排気口３５が設けられてい
る。
細に説明する。第４図は本発明を実施する装置構成の一
例である。ここでは、反応容器３１の下部にバーナ５２
が設けられておシ、バーナ５２に対向して出発物質３３
が容器内部に回転自在に吊下され、更に各盤３１の内周
にヒータ３６．３８が設けられている。また容器３１上
部や側面に容器内に所定のガスを送シ込むガス供給口３
７．５９が段付られていると共に、反応容器３１の下部
には容器内のガスを排出する排気口３５が設けられてい
る。
上記装置を用いてバーナ３２から原料ガスを燃焼させて
生じたガラス微粒子のススを出発物質３３の下面に堆積
させ、ガラス微粒子集合体３４を形成する。この場合ガ
ス供給口５７．５９を通し不活性ガスに希釈されたハロ
ゲン、ハロゲン化物やカルボニルガス（ＣＯを含む）な
どの脱水作用と共にドーパント揮散作用を有するガスを
供給して炉３６内を不活性ガス芽囲気、炉３８内を脱水
作用やドーパント揮散可能な雰囲気とし、これらの雰囲
気で上記ガラス微粒子集合体３４を形成すると共に、該
ガラス微粒子体４０を′上方へ引上け、ヒータ３゛８で
脱水を行ないつつプロファイル制御（ドーパントを揮散
）させながら、ヒータ３６で脱水と透明ガラス化を行な
う。ヒータ３８は当該母材の脱水とプロファイル制御を
行々う目的で設置されておシ、この場合、ヒータは１台
となっているが２台であっても差し支えない。またヒー
タ３６は微粒子体３４を透明ガラス化に使用する目的で
設置されている。ヒータ３６．３８の加熱温度や雰囲気
ガスを変化させることによシ、“帯域特性にとって重要
な係数αを容易に変化させることが可能である。
生じたガラス微粒子のススを出発物質３３の下面に堆積
させ、ガラス微粒子集合体３４を形成する。この場合ガ
ス供給口５７．５９を通し不活性ガスに希釈されたハロ
ゲン、ハロゲン化物やカルボニルガス（ＣＯを含む）な
どの脱水作用と共にドーパント揮散作用を有するガスを
供給して炉３６内を不活性ガス芽囲気、炉３８内を脱水
作用やドーパント揮散可能な雰囲気とし、これらの雰囲
気で上記ガラス微粒子集合体３４を形成すると共に、該
ガラス微粒子体４０を′上方へ引上け、ヒータ３゛８で
脱水を行ないつつプロファイル制御（ドーパントを揮散
）させながら、ヒータ３６で脱水と透明ガラス化を行な
う。ヒータ３８は当該母材の脱水とプロファイル制御を
行々う目的で設置されておシ、この場合、ヒータは１台
となっているが２台であっても差し支えない。またヒー
タ３６は微粒子体３４を透明ガラス化に使用する目的で
設置されている。ヒータ３６．３８の加熱温度や雰囲気
ガスを変化させることによシ、“帯域特性にとって重要
な係数αを容易に変化させることが可能である。
なお、３７よ、り Ｃ１ｚガスを添加するのは、上部外
気の浸入水分を塩酸にするもので積極的に母材を脱水す
るものではない。Ｃ１２０，１容量チで充分で、０．２
容量−以上とした場合、透明化母材に泡の発生が見られ
ることがあった。またＣｌ２Ｏ，２容量チ以下の場合プ
ロファイルが段状となってしまうし、５容量チ以上の場
合、周辺部がすそ引きを起こし、共に帯域特性に悪影響
を及ばず。
気の浸入水分を塩酸にするもので積極的に母材を脱水す
るものではない。Ｃ１２０，１容量チで充分で、０．２
容量−以上とした場合、透明化母材に泡の発生が見られ
ることがあった。またＣｌ２Ｏ，２容量チ以下の場合プ
ロファイルが段状となってしまうし、５容量チ以上の場
合、周辺部がすそ引きを起こし、共に帯域特性に悪影響
を及ばず。
第４図の装置を用いてファイバ母材を製造した例を次に
示す。
示す。
実施例１
多孔質母材の生成条件を一定とし炉３８での加熱温度＞
１２０ ｏ℃とし、ガス供給口３９よりＣｔ２２容量係
を含むＨｅ ガ、＜ｓｔ１分を流し、炉３６での加熱温
度１６０ｏ℃とし、ガス供給１コ３７よシＣ４２０，１
容量係を含む５ｔ／分のＨｅ ガスを流したところ、
残留水分量０．０１ ｐｐｍ。
１２０ ｏ℃とし、ガス供給口３９よりＣｔ２２容量係
を含むＨｅ ガ、＜ｓｔ１分を流し、炉３６での加熱温
度１６０ｏ℃とし、ガス供給１コ３７よシＣ４２０，１
容量係を含む５ｔ／分のＨｅ ガスを流したところ、
残留水分量０．０１ ｐｐｍ。
屈折率分布α−１，９５のファイバーが得られた。
実施例２
ガス供給口３９よｐｃｔ２１容量チを含むＨｅガス５ｔ
を流し、他は実施例１と同様にした場合、残留水分０．
Ｏ５ｐｐｍ、 α＝２．００のファイバが得られた。
を流し、他は実施例１と同様にした場合、残留水分０．
Ｏ５ｐｐｍ、 α＝２．００のファイバが得られた。
実施例６
炉３８を１１００℃とし他は実施例１と同様とした場合
、残留水分量０５ ｐｐｍ 、 α−１，８５のファ
イバが得られた。
、残留水分量０５ ｐｐｍ 、 α−１，８５のファ
イバが得られた。
実施例４
炉３８を１１００℃としガス供給口３９よシＣ１２１容
量チを含むＨｅガス５１−７分を流し７、他は実施例１
と同様とした場合、残留水分は０、Ｏ４ｐｐｍ、 α
＝１．８０のファイバが得られた。
量チを含むＨｅガス５１−７分を流し７、他は実施例１
と同様とした場合、残留水分は０、Ｏ４ｐｐｍ、 α
＝１．８０のファイバが得られた。
実施例５
実施例１においてガス供給口３７よりのＣｔ２添加を止
めた場合、残留水分量は０．０３ ｐｐｍとなり屈折率
分布はα＝ｊ、９５となった。
めた場合、残留水分量は０．０３ ｐｐｍとなり屈折率
分布はα＝ｊ、９５となった。
第１図（ａ）はＶＡＤ法の概略を示す図であり、第１図
（ｂ）はＶＡＤ法における屈折率分布を示す図であシ、
第２図ｉｄ ＶＡＤ法において１つの炉を用いる先行発
明の方法を示す図であり、第６図（ａ）は第２図の先行
発明の法におけるヒータの炉温分布とスス体の収縮を示
す図であり、第６図（ｂ）は゛本発明方法におけるヒー
タの炉温分布とスス体の収縮を示す図であシ、第４図は
本発明方法の概略を示す図である。 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
（ｂ）はＶＡＤ法における屈折率分布を示す図であシ、
第２図ｉｄ ＶＡＤ法において１つの炉を用いる先行発
明の方法を示す図であり、第６図（ａ）は第２図の先行
発明の法におけるヒータの炉温分布とスス体の収縮を示
す図であり、第６図（ｂ）は゛本発明方法におけるヒー
タの炉温分布とスス体の収縮を示す図であシ、第４図は
本発明方法の概略を示す図である。 代理人 内 １） 明 代理人 萩 原 亮 −
Claims (2)
- （１）光フアイバ用多孔質母材を軸方向へ成長させなが
ら、これを同軸上に置かれた透明ガラス化炉を用いて連
続的に透明ガラス化する方法において、多孔質母材の成
長源と透明ガラス化炉の間に、多孔質母材な完全に収縮
させない温度範囲に調整した予備加熱炉を設け、この炉
内で不活性ガス′とドーパントを還元揮散させる１作用
を有する脱水剤を含む雰囲気下、上記母材の脱水を行な
いながち、ドーパントの揮散による屈折率分布の制御を
行ない、更に透明ガラス化炉で不活性ガスと脱水剤を含
む雰囲気下、母材の透明ガラス化を行なうことを特徴と
する光フアイバ用ガラス母材の製造方法。 - （２）脱水剤としてＣｔ２ガスを使用し、予備加熱炉の
炉温は１２００〜１３００℃で、ｃｔ２ガス濃度が０．
５〜５容量チである不活性ガス（Ｈｅ等）雰囲気であシ
、透明ガラス化炉の炉温は１５００〜１７００℃ で、
ｃｔ２ガス濃度がＱ、 ｆ〜０．２容量チであるＨｅガ
ス雰囲気である、特許請求の範囲第（１）項記載の光フ
アイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18124282A JPS5973443A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18124282A JPS5973443A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5973443A true JPS5973443A (ja) | 1984-04-25 |
| JPS6219367B2 JPS6219367B2 (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16097274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18124282A Granted JPS5973443A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5973443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230636A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ母材のガラス化方法 |
| EP0561371A3 (en) * | 1992-03-17 | 1994-09-14 | Sumitomo Electric Industries | Method and apparatus for producing glass thin film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134128A (en) * | 1978-04-04 | 1979-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of basic material for light transmitting fiber |
| JPS5659635A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing apparatus for anhydrous quartz optical fiber base material |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18124282A patent/JPS5973443A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134128A (en) * | 1978-04-04 | 1979-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of basic material for light transmitting fiber |
| JPS5659635A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing apparatus for anhydrous quartz optical fiber base material |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230636A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ母材のガラス化方法 |
| EP0561371A3 (en) * | 1992-03-17 | 1994-09-14 | Sumitomo Electric Industries | Method and apparatus for producing glass thin film |
| US5503650A (en) * | 1992-03-17 | 1996-04-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing a glass thin film with controlloing an oxide vapor of an additive |
| US5660611A (en) * | 1992-03-17 | 1997-08-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing glass thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219367B2 (ja) | 1987-04-28 |
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