JPH03183632A - 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPH03183632A JPH03183632A JP32262489A JP32262489A JPH03183632A JP H03183632 A JPH03183632 A JP H03183632A JP 32262489 A JP32262489 A JP 32262489A JP 32262489 A JP32262489 A JP 32262489A JP H03183632 A JPH03183632 A JP H03183632A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ファイバ用ガラス母材、特に、コアが純石
英（ＳｊＯｔ）、クラッドが弗素添加石英（Ｆ ５ｈ
ｏｔ）の光ファイバ用ガラス母材の製造方法に関するも
のである。
英（ＳｊＯｔ）、クラッドが弗素添加石英（Ｆ ５ｈ
ｏｔ）の光ファイバ用ガラス母材の製造方法に関するも
のである。
コアが純石英（Ｓｊ Ｏｔ ）ガラスからなり、クラッ
ドが屈折率を下げるためにＦをドープした弗素添加石英
ガラスからなる、いわゆる純石英コア光ファイバは、伝
送損失が低く、長距離通信用線路として注目されている
。
ドが屈折率を下げるためにＦをドープした弗素添加石英
ガラスからなる、いわゆる純石英コア光ファイバは、伝
送損失が低く、長距離通信用線路として注目されている
。
この純石英コア光ファイバに使用されるクラツド材の弗
素添加石英ガラスは、焼結炉内で弗素添加を行なうのが
普通である。
素添加石英ガラスは、焼結炉内で弗素添加を行なうのが
普通である。
その方法を２．３挙げると、特開昭６０−９０８４２号
公報に記載された方法は、石英ガラス粒子集合体を脱水
し、不純物除去のためにα化合物含有雰囲気中にて第１
熱処理を行い、次に、弗素ないし弗素化合物を含むガス
雰囲気中で第２熱処理を行い、最後に、透明ガラス化の
ための第３の熱処理を行なう方法であり、特開昭６２−
２７５０３５号公報に記載された方法は、石英ガラス粒
子積層体が多孔質の状態にある温度で弗素を含浸させ、
その後、弗素化合物ガスを含む雰囲気の高温炉の中で透
明化する方法である。また、このとき使用する弗素化合
物としては、気密を保つため使用される石英、ＳＩＣ等
との反応を起こさない５ｉＦ４を用いるのが望ましい。
公報に記載された方法は、石英ガラス粒子集合体を脱水
し、不純物除去のためにα化合物含有雰囲気中にて第１
熱処理を行い、次に、弗素ないし弗素化合物を含むガス
雰囲気中で第２熱処理を行い、最後に、透明ガラス化の
ための第３の熱処理を行なう方法であり、特開昭６２−
２７５０３５号公報に記載された方法は、石英ガラス粒
子積層体が多孔質の状態にある温度で弗素を含浸させ、
その後、弗素化合物ガスを含む雰囲気の高温炉の中で透
明化する方法である。また、このとき使用する弗素化合
物としては、気密を保つため使用される石英、ＳＩＣ等
との反応を起こさない５ｉＦ４を用いるのが望ましい。
５ＦＩ−ＣＦ４、ＣＣｅｔＦｗは１０００℃以上で分解
し、Ｆ、ガスを生成し、５ｉＯｔ、ＳｉＣ等をエツチン
グする。
し、Ｆ、ガスを生成し、５ｉＯｔ、ＳｉＣ等をエツチン
グする。
しかしながら、ｓｌ Ｆ４と５ｉｆｔを１４００℃以上
又は５ＩＦｌとＳｊＣを１３８０℃以上で共存させると
、微量ながらＳｉｎｇ、 ｓｔｃの消耗が観測されるこ
とが確認された。このことは、高温下、特に１４００°
Ｃ以上でｓｉ Ｆ４共存下で母材の処理を行なう場合、
気密を保つ炉心管の材質であるＳｉｎｇないしはＳｉＣ
をコーティングしたカーボン等がエツチングされ、炉心
管内に含有される不純物が母材中に混入することを意味
する。
又は５ＩＦｌとＳｊＣを１３８０℃以上で共存させると
、微量ながらＳｉｎｇ、 ｓｔｃの消耗が観測されるこ
とが確認された。このことは、高温下、特に１４００°
Ｃ以上でｓｉ Ｆ４共存下で母材の処理を行なう場合、
気密を保つ炉心管の材質であるＳｉｎｇないしはＳｉＣ
をコーティングしたカーボン等がエツチングされ、炉心
管内に含有される不純物が母材中に混入することを意味
する。
それでは、透明化時に弗素化合物を使用しなければよい
のであるが、通常行われる１１５０℃〜１３００℃の弗
素添加処理では、スートの収縮が充分（カサ密度１．７
ｇ／ｅｎｒ以上）まで進まないため、透明化時に弗素
化合物を流さないと、母材外周部の弗素が揮散し、屈折
率が不良となる。また、弗素添加処理時に力→ノ密度１
．７ ｇ／ａ／以上程度に充分収縮させれば、弗素揮散
は防げるが、母材の処理時間が長くなり、生産性に問題
が生じる。
のであるが、通常行われる１１５０℃〜１３００℃の弗
素添加処理では、スートの収縮が充分（カサ密度１．７
ｇ／ｅｎｒ以上）まで進まないため、透明化時に弗素
化合物を流さないと、母材外周部の弗素が揮散し、屈折
率が不良となる。また、弗素添加処理時に力→ノ密度１
．７ ｇ／ａ／以上程度に充分収縮させれば、弗素揮散
は防げるが、母材の処理時間が長くなり、生産性に問題
が生じる。
本発明は上記した問題点を解決するためになされたもの
で、熱処理工程を改善することにより、弗素を均一に添
加した光ファイバ用ガラス母材を得ることを目的とする
ものである。
で、熱処理工程を改善することにより、弗素を均一に添
加した光ファイバ用ガラス母材を得ることを目的とする
ものである。
本発明は火炎加水分解法等で合成された５ｌｏｚガラス
粒子体を弗素系ガス含有雰囲気下で加熱処理を行なう弗
素添加工程を有する光ファイバ用ガラス母材の製造方法
において、θ；Ｉ記加熱加熱処理った後、炉温を弗素添
加温度と同一から１４００°Ｃまでの温度に設定し、弗
素系ガス含有雰囲気下で第２の加熱処理を行い、その後
不活性ガス雰囲気中で透明ガラス化を行なうことを特徴
とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法である。
粒子体を弗素系ガス含有雰囲気下で加熱処理を行なう弗
素添加工程を有する光ファイバ用ガラス母材の製造方法
において、θ；Ｉ記加熱加熱処理った後、炉温を弗素添
加温度と同一から１４００°Ｃまでの温度に設定し、弗
素系ガス含有雰囲気下で第２の加熱処理を行い、その後
不活性ガス雰囲気中で透明ガラス化を行なうことを特徴
とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法である。
第１の熱処理（弗素添加処理）における炉内温度は好ま
しくは１１５０°Ｃ以上〜１３００°Ｃまでであって、
第２の熱処理における炉内温度は好ましくは１３００℃
以上１４００℃以下である。
しくは１１５０°Ｃ以上〜１３００°Ｃまでであって、
第２の熱処理における炉内温度は好ましくは１３００℃
以上１４００℃以下である。
本発明における５ｉｎｔガラス粒子体は、ガラス原料例
えばｓｉ ＣＩ！ｓを加熱下０２雰囲気中で５ｉＣｆ＋
＋０ｔ−４ＳＩＯ＊＋ ２ Ｇｅｔのように反応させる
方法、 又は、Ｓｔ Ｃｌｈを加熱水蒸気中で ５ｉＣＪ’ｉ＋ ４ ＨｔＯ４ＳｉＯｔ＋ ４ ＨＣＩ
’のように反応させる方法により合成することができる
。
えばｓｉ ＣＩ！ｓを加熱下０２雰囲気中で５ｉＣｆ＋
＋０ｔ−４ＳＩＯ＊＋ ２ Ｇｅｔのように反応させる
方法、 又は、Ｓｔ Ｃｌｈを加熱水蒸気中で ５ｉＣＪ’ｉ＋ ４ ＨｔＯ４ＳｉＯｔ＋ ４ ＨＣＩ
’のように反応させる方法により合成することができる
。
本発明の第２の熱処理の後の透明化の不活性ガスとして
は、望ましくは１ｋを用いる。
は、望ましくは１ｋを用いる。
本発明者らは、先ず８１０！とＳＩＣ，５ＩＦｔとの反
応について、熱力学的な検討を行った。その結果、Ｓｉ
Ｆｌは５ｉｆｔと下記式（１）の反応を起こし得るこ
とがｉ認された。
応について、熱力学的な検討を行った。その結果、Ｓｉ
Ｆｌは５ｉｆｔと下記式（１）の反応を起こし得るこ
とがｉ認された。
ｓｔ Ｆ４ ＋ ３１０ｓ → ２ ｓｌ ＯＦ＊↑
・・・＋１１また、ＳＩＣとｓｔ Ｆ４の反応の場合
は下記（２）式％式％（２） の反応により、ＳｉＣのエツチングが起こる。
・・・＋１１また、ＳＩＣとｓｔ Ｆ４の反応の場合
は下記（２）式％式％（２） の反応により、ＳｉＣのエツチングが起こる。
以上のことから、１４００℃以上でＳｔ Ｏｆないしは
ＳｉＣのＳｔ Ｆｌによるエツチングが進むことがわが
る。
ＳｉＣのＳｔ Ｆｌによるエツチングが進むことがわが
る。
炉心管がエツチングされると、炉心管に内在する不純物
の雰囲気ガス中への飛散が起こり、不純物が原因となる
伝送損失の増加を引き起こす。従って、１４５０℃以上
の透明化条件においては、Ｓｉ Ｆｌを使用しない方が
望ましい。
の雰囲気ガス中への飛散が起こり、不純物が原因となる
伝送損失の増加を引き起こす。従って、１４５０℃以上
の透明化条件においては、Ｓｉ Ｆｌを使用しない方が
望ましい。
しかしながら、従来の弗素添加工程（１１５０℃〜１３
００℃）の後、Ｓｉ Ｆｌのない雰囲気下でスートの透
明化を行なうと、スート外周部の弗素が揮散し、第２図
に示すような屈折率分布となる。
００℃）の後、Ｓｉ Ｆｌのない雰囲気下でスートの透
明化を行なうと、スート外周部の弗素が揮散し、第２図
に示すような屈折率分布となる。
弗素添加温度を」二げた場合、外周部の揮散はなくなる
が、スートの弗素添加に伴う収縮のため、中心部への弗
素添加が充分になされず、第３図に示すプロファイルと
なる。
が、スートの弗素添加に伴う収縮のため、中心部への弗
素添加が充分になされず、第３図に示すプロファイルと
なる。
本発明においては、第１の熱処理（温度１１５０℃〜１
３００℃）にて、弗素をガラス粒子体全域に添加した後
、第２の熱処理を１４００℃以下の温度で行なうことで
、外周部の弗素の揮散を防ぎ得るだけのスートの収縮を
行い、さらに不活性ガス中、１４５０℃以上の温度で透
明化を行なうことで、高温下におけるＳｉ Ｆ４による
炉心管エツチングを防止し、母材への均質な弗素添加を
実現し、且つ高純度なガラス体を得ることができる。
３００℃）にて、弗素をガラス粒子体全域に添加した後
、第２の熱処理を１４００℃以下の温度で行なうことで
、外周部の弗素の揮散を防ぎ得るだけのスートの収縮を
行い、さらに不活性ガス中、１４５０℃以上の温度で透
明化を行なうことで、高温下におけるＳｉ Ｆ４による
炉心管エツチングを防止し、母材への均質な弗素添加を
実現し、且つ高純度なガラス体を得ることができる。
火炎加水分解法等で作成されたＳＩＯ！スート中には通
常約１０００〜２０００ｐｐｍのＩＩｓ Ｏが含有され
ている。１１．ＯとＳｔ Ｆ４との反応により生成する
１−Ｉ Ｆにより石英物品がエツチングされること、ま
た更にｌｉｔ Ｏが１０００℃以上で分解し、Ｏ３を生
成するため、弗素添加に先立ちスート中の水分はα系ガ
ス、例えばＣＬ、 Ｓｉｉ’４、Ｃα４等により除去す
ることが望ましい。脱水条件は、８５０℃以上１１００
°Ｃ以下の温度範囲にてα濃度０，５〜８％＜ｃｅ＊−
ｃは０．２５〜４％、５ＩＣ１１，Ｃα４では０、１２
５〜２％）の範囲で行なうことが好ましい。
常約１０００〜２０００ｐｐｍのＩＩｓ Ｏが含有され
ている。１１．ＯとＳｔ Ｆ４との反応により生成する
１−Ｉ Ｆにより石英物品がエツチングされること、ま
た更にｌｉｔ Ｏが１０００℃以上で分解し、Ｏ３を生
成するため、弗素添加に先立ちスート中の水分はα系ガ
ス、例えばＣＬ、 Ｓｉｉ’４、Ｃα４等により除去す
ることが望ましい。脱水条件は、８５０℃以上１１００
°Ｃ以下の温度範囲にてα濃度０，５〜８％＜ｃｅ＊−
ｃは０．２５〜４％、５ＩＣ１１，Ｃα４では０、１２
５〜２％）の範囲で行なうことが好ましい。
実施例１
ＶＡＤ法により合成した、外径１２０ｍｍ、長さ５００
ｍｍのＳｔｏｗガラス粒子体を、５ｌｏｔ炉心管を有
するリング状の抵抗加熱ヒーターによる加熱炉内で温度
１０５０℃、）Ｉｅ１５Ｊ！／分、Ｃ４’、３００ｃｃ
／分の雰囲気下でトラバース速度１０ａｎ／分で脱水処
理を行った。脱水終了後、１２２０℃、賜１５１！／分
、ＳｉＦ＊ ６００ ｃｃ／分にガスを切替え、１０＋
＋ｕａ／分で弗素添加処理を行った。次いで、炉温を１
３７５℃まで昇温し、同一のガス量にて１２ａｎ／分の
トラバース速度で収縮処理を行った。
ｍｍのＳｔｏｗガラス粒子体を、５ｌｏｔ炉心管を有
するリング状の抵抗加熱ヒーターによる加熱炉内で温度
１０５０℃、）Ｉｅ１５Ｊ！／分、Ｃ４’、３００ｃｃ
／分の雰囲気下でトラバース速度１０ａｎ／分で脱水処
理を行った。脱水終了後、１２２０℃、賜１５１！／分
、ＳｉＦ＊ ６００ ｃｃ／分にガスを切替え、１０＋
＋ｕａ／分で弗素添加処理を行った。次いで、炉温を１
３７５℃まで昇温し、同一のガス量にて１２ａｎ／分の
トラバース速度で収縮処理を行った。
最後に、ガスをｌ１ｅｌＯ１／分のみに変え、炉温を１
５８０℃として１２ＩＩＩｌ／分のトラバース速度で透
明ガラス化を行った。このときの処理時間は約６時間で
あった。
５８０℃として１２ＩＩＩｌ／分のトラバース速度で透
明ガラス化を行った。このときの処理時間は約６時間で
あった。
以上で得られた母材の屈折率分布は第４図のようになり
、内部と外周の屈折率差は０．０１％未満であった。上
記処理と同一の弗素添加ガラス化処理を行った母材１０
本について、純５ｌｏｔコアＳＭファイバ（Δｎ＝０．
３４％、コア径９．６ ｔｓ ）を製造した。ファイバ
の損失平均値は、波長１．５５４にて０．１７３５ ｄ
Ｂ／ｋｍであった。
、内部と外周の屈折率差は０．０１％未満であった。上
記処理と同一の弗素添加ガラス化処理を行った母材１０
本について、純５ｌｏｔコアＳＭファイバ（Δｎ＝０．
３４％、コア径９．６ ｔｓ ）を製造した。ファイバ
の損失平均値は、波長１．５５４にて０．１７３５ ｄ
Ｂ／ｋｍであった。
実施例２
実施例１と同様の形状のＳＩＯ！ガラス粒子体を、Ｓａ
ｃをＣＶＤ法で８０−にコーティングした不純物量５ｐ
ｐｍ未満のカーボン製炉心管を有する抵抗加熱ヒーター
による加熱炉内を、温度１０５０°Ｃ１）＆１５１／分
、５ｉＣ１’４１５０ｃｃ／分の雰囲気下でトラバース
速度１ＯＮ／分で脱水処理した。
ｃをＣＶＤ法で８０−にコーティングした不純物量５ｐ
ｐｍ未満のカーボン製炉心管を有する抵抗加熱ヒーター
による加熱炉内を、温度１０５０°Ｃ１）＆１５１／分
、５ｉＣ１’４１５０ｃｃ／分の雰囲気下でトラバース
速度１ＯＮ／分で脱水処理した。
以後の弗素添加処理は実施例１と同様にしてガラス体を
製造した。
製造した。
得られた母材の屈折率分布は第４図のようになった。ま
た、上記処理と同一の弗素添加ガラス化処理を行った母
材１０本について、純５ｉｎｓコアＳＭファイバ（Δｎ
＝０．３４％、コア径９．５ ｐｐｍ ）を製造した。
た、上記処理と同一の弗素添加ガラス化処理を行った母
材１０本について、純５ｉｎｓコアＳＭファイバ（Δｎ
＝０．３４％、コア径９．５ ｐｐｍ ）を製造した。
該ファイバの損失平均値は波長１．５５ｐにて０．１７
４０ ｄＢ／ｋｍであった。
４０ ｄＢ／ｋｍであった。
比較例１
実施例１と同一の加熱炉、炉心管を用い、Ｓｊ Ｏｔガ
ラス粒子体を、先ず１０５０℃、Ｃｆ＊３００ｃｃ／分
、Ｉｂ１５Ｚ／分の雰囲気下、トラバース速度１０ａｎ
／分で脱水処理した。脱水終了後、１２２０℃、ｌ１ｅ
１５ｆ／分、５ｉＦ４６００ ｃｃ／分にガス、温度条
件を変え、トラバース速度１０ａｎ／分で弗素添加処理
を行った。次いで、ガスを同一として、炉温を１６００
℃とし、８ｍｍ／分の速度でヒーターを通過せしめ、透
明ガラス化を行った。
ラス粒子体を、先ず１０５０℃、Ｃｆ＊３００ｃｃ／分
、Ｉｂ１５Ｚ／分の雰囲気下、トラバース速度１０ａｎ
／分で脱水処理した。脱水終了後、１２２０℃、ｌ１ｅ
１５ｆ／分、５ｉＦ４６００ ｃｃ／分にガス、温度条
件を変え、トラバース速度１０ａｎ／分で弗素添加処理
を行った。次いで、ガスを同一として、炉温を１６００
℃とし、８ｍｍ／分の速度でヒーターを通過せしめ、透
明ガラス化を行った。
以上で得られた母材の屈折率分布は第４図に示すように
なった。該母材をもとに、純ＳＩＯ！コアＳＭファイバ
を製造したところ、１０本の損失平均値は０．１７９２
ｄＢ／ｋｍであった。
なった。該母材をもとに、純ＳＩＯ！コアＳＭファイバ
を製造したところ、１０本の損失平均値は０．１７９２
ｄＢ／ｋｍであった。
比較例２
実施例１と同一の加熱炉、炉心管を用い、ＳＩ Ｏ！ガ
ラス粒子体を脱水（１０５０℃、Ｃｌｔ／ １−１ｅ
＝０．３／１５、トラバース速度１ＯＮ／分）処理した
後、弗素添加（１２２０℃、ＳｉＦ４／ｌも＝ ０．６
／１５、トラバース速度５關／分）処理の後、ガス種
を１ｋに切替え１６００℃で透明化した。得られた母材
のプロファイルは第２図に示す如く外周部の弗素揮散が
大であった。
ラス粒子体を脱水（１０５０℃、Ｃｌｔ／ １−１ｅ
＝０．３／１５、トラバース速度１ＯＮ／分）処理した
後、弗素添加（１２２０℃、ＳｉＦ４／ｌも＝ ０．６
／１５、トラバース速度５關／分）処理の後、ガス種
を１ｋに切替え１６００℃で透明化した。得られた母材
のプロファイルは第２図に示す如く外周部の弗素揮散が
大であった。
以上説明したように、本発明ではＳｌ Ｏ＊ガラス粒予
備に１６素を均一に添加することができ、また、炉心管
からの汚染を最小限に抑えることができる。
備に１６素を均一に添加することができ、また、炉心管
からの汚染を最小限に抑えることができる。
それゆえ、本発明の方法により製造された母材から作成
された純５ｉｆｔコア光ファイバの伝送損失を安定化さ
せることができる。
された純５ｉｆｔコア光ファイバの伝送損失を安定化さ
せることができる。
第１図は本発明の熱処理の工程を示したフロー閃であり
、第２図〜第４図は非素添加ガラス母材の屈折率分布図
であり、第２図は比較例２によるもの、第３図は高温で
弗素添加した場合の不十分なり１；素添加の例を示すも
の、第４図は実施例１、実施例２及び比較例１によるも
のである。
、第２図〜第４図は非素添加ガラス母材の屈折率分布図
であり、第２図は比較例２によるもの、第３図は高温で
弗素添加した場合の不十分なり１；素添加の例を示すも
の、第４図は実施例１、実施例２及び比較例１によるも
のである。
Claims (1)
- （１）火炎加水分解法等で合成されたＳｉＯ＿２ＴＥＬ
ガラス粒子体を弗素系ガス含有雰囲気下で加熱処理を行
なう弗素添加工程を有する光ファイバ用ガラス母材の製
造方法において、前記加熱処理を行った後、炉温を弗素
添加温度と同一から１４００℃までの温度に設定し、弗
素系ガス含有雰囲気下で第２の加熱処理を行い、その後
不活性ガス雰囲気中で透明ガラス化を行なうことを特徴
とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32262489A JPH03183632A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32262489A JPH03183632A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183632A true JPH03183632A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18145793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32262489A Pending JPH03183632A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221430A3 (en) * | 2001-01-05 | 2003-01-08 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32262489A patent/JPH03183632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221430A3 (en) * | 2001-01-05 | 2003-01-08 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
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