JPH0550741B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0550741B2 JPH0550741B2 JP59062172A JP6217284A JPH0550741B2 JP H0550741 B2 JPH0550741 B2 JP H0550741B2 JP 59062172 A JP59062172 A JP 59062172A JP 6217284 A JP6217284 A JP 6217284A JP H0550741 B2 JPH0550741 B2 JP H0550741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- switching element
- photoreceptor
- charge
- element layer
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電子写真法に関するもので、より詳
細には、新しい原理により感光体メモリー像を形
成させる方法に関する。
細には、新しい原理により感光体メモリー像を形
成させる方法に関する。
従来技術
従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他
に、操作の手軽さ等の見地から、電子写真法よる
多数枚複写技術が採用されるに至つている。この
多数枚複写電子写真法の代表的なものとして、光
メモリー効果を有する光導電性感光層を画像露光
した後、帯電、現像、転写及びクリーニングの諸
工程を反復する、所謂リテンシヨ型静電印刷法が
知られている。この方法は、感光層の露光部では
光メモリー効果により導電性となり、この部分に
電荷がのりにくくなるという原理を使用するもの
であるが、公知の感光体は、所望の光メモリー効
果を与えるための感度が低く、感光体を大出力の
光源を用いて画像露光しなければならないという
不便さがある。
に、操作の手軽さ等の見地から、電子写真法よる
多数枚複写技術が採用されるに至つている。この
多数枚複写電子写真法の代表的なものとして、光
メモリー効果を有する光導電性感光層を画像露光
した後、帯電、現像、転写及びクリーニングの諸
工程を反復する、所謂リテンシヨ型静電印刷法が
知られている。この方法は、感光層の露光部では
光メモリー効果により導電性となり、この部分に
電荷がのりにくくなるという原理を使用するもの
であるが、公知の感光体は、所望の光メモリー効
果を与えるための感度が低く、感光体を大出力の
光源を用いて画像露光しなければならないという
不便さがある。
最近に至つて、光メモリー効果を利用する感光
体の開発も行なわれており、例えば井上教授等に
よつて、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
（PVK）、２，４，７−トリニトロフルオレノン
（TNF）及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウ
ム電極上に塗布した感光体、或いは上記混合溶液
塗布層の上に、PVKとTNFとの組成物の層を設
けた複層感光体を使用し、これを一回画像露光す
ることにより、感光体上にメモリー像（露光部の
電荷受容性の低下）を形成し、帯電−現像−転写
のプロセスを繰り返すことで多数枚の複写物を得
る研究が行われている（日本写真学会誌第44巻２
号第104乃至117頁（1981）参照）。これらの感光
体におけるメモリー形成は、TNFとロイコ色素
の作る電荷移動錯体の光吸収後の化学反応に起因
するものと言われている。
体の開発も行なわれており、例えば井上教授等に
よつて、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
（PVK）、２，４，７−トリニトロフルオレノン
（TNF）及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウ
ム電極上に塗布した感光体、或いは上記混合溶液
塗布層の上に、PVKとTNFとの組成物の層を設
けた複層感光体を使用し、これを一回画像露光す
ることにより、感光体上にメモリー像（露光部の
電荷受容性の低下）を形成し、帯電−現像−転写
のプロセスを繰り返すことで多数枚の複写物を得
る研究が行われている（日本写真学会誌第44巻２
号第104乃至117頁（1981）参照）。これらの感光
体におけるメモリー形成は、TNFとロイコ色素
の作る電荷移動錯体の光吸収後の化学反応に起因
するものと言われている。
発明の構成
本発明によれば、光誘化学反応による起メモリ
ー効果とは全く異なつた原理によりメモリー像の
形成が行われる電子写真伝が提供される。
ー効果とは全く異なつた原理によりメモリー像の
形成が行われる電子写真伝が提供される。
また、本発明によれば、従来の感光体とは層構
成の全く異なる新規複層構成を有する電子写真感
交体を用いる写真法が提供される。
成の全く異なる新規複層構成を有する電子写真感
交体を用いる写真法が提供される。
即ち、本発明は、導電性基質、該導電性基質上
に設けられた、電子受容性物質と銅又は銀との錯
体から成り、高電場で高電導状態となり且つ高電
導状態が維持されるスイツチング素子層、及び該
スイツチング素子上に設けられた電荷発生輸送層
乃至は電荷受容層から成る電子写真感光体に対し
て、帯電と画像露光とを行つて感光体上にメモリ
ー像を形成させることを特徴とする電子写真法に
関する。
に設けられた、電子受容性物質と銅又は銀との錯
体から成り、高電場で高電導状態となり且つ高電
導状態が維持されるスイツチング素子層、及び該
スイツチング素子上に設けられた電荷発生輸送層
乃至は電荷受容層から成る電子写真感光体に対し
て、帯電と画像露光とを行つて感光体上にメモリ
ー像を形成させることを特徴とする電子写真法に
関する。
本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説
明する。
明する。
本発明に用いる感光体の断面構造を示す第１図
において、導電性基質１の上にはスイツチング素
子層２が設けられ、この層２の上に更に電荷発生
輸送層乃至は電荷受容層３が設けられている。図
示していないが、導電性基質１とスイツチング素
子層２との間には、所望に応じ、電荷注入バリヤ
ー層或いは接着力を増強させるためのアンダー層
等が設けられていてもよい。
において、導電性基質１の上にはスイツチング素
子層２が設けられ、この層２の上に更に電荷発生
輸送層乃至は電荷受容層３が設けられている。図
示していないが、導電性基質１とスイツチング素
子層２との間には、所望に応じ、電荷注入バリヤ
ー層或いは接着力を増強させるためのアンダー層
等が設けられていてもよい。
本発明の重要な特徴は、このスイツチング素子
層２として、高電場で高電導状態となり且つこの
高電導状態が維持されるスイツチング素子層を用
いる点にある。
層２として、高電場で高電導状態となり且つこの
高電導状態が維持されるスイツチング素子層を用
いる点にある。
本発明による感光体のメモリー層の形成原理及
び静電像の形成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基
づき以下に説明する。
び静電像の形成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基
づき以下に説明する。
先ず、第２−Ａ図の帯電−画像露光工程におい
て、感光体４の表面を、コロナチヤージヤ５によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源６によ
りこの表面を画像露光させる。図の具体例では、
電荷受容層３の表面は正電荷に帯電され、導電性
基質１には負電荷が誘起される。
て、感光体４の表面を、コロナチヤージヤ５によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源６によ
りこの表面を画像露光させる。図の具体例では、
電荷受容層３の表面は正電荷に帯電され、導電性
基質１には負電荷が誘起される。
メモリー像形成の第１段階を示す第２−Ｂ図に
おいて、暗部Ｄでは表面電荷はそのままである
が、明部Ｌでは、電荷受容層３中に電荷（キヤリ
ヤ）が発生し、生じたホール（＋）が積層界面、
即ちスイツチング素子層２との界面迄移動して、
そこに蓄積され、その結果として明暗Ｌでは、ス
イツチング素子層２に高電場が印加されることに
なる。
おいて、暗部Ｄでは表面電荷はそのままである
が、明部Ｌでは、電荷受容層３中に電荷（キヤリ
ヤ）が発生し、生じたホール（＋）が積層界面、
即ちスイツチング素子層２との界面迄移動して、
そこに蓄積され、その結果として明暗Ｌでは、ス
イツチング素子層２に高電場が印加されることに
なる。
メモリー像形成の第２段階を示す第２−Ｃ図に
おいて、スイツチング素子層２の明部Ｌでは、印
加される高電場により高電導状態（ON
STATE）、即ち低抵抗状態に誘起される。スイ
ツチング素子層２の暗部Ｄでは、高抵抗状態
（OFF STATE）のまま残り、スイツチング素子
層２には、上述した状態が継続して維持され、そ
の結果として、明部Ｌでは導電性基質１からの電
子の注入が容易な状態となる。
おいて、スイツチング素子層２の明部Ｌでは、印
加される高電場により高電導状態（ON
STATE）、即ち低抵抗状態に誘起される。スイ
ツチング素子層２の暗部Ｄでは、高抵抗状態
（OFF STATE）のまま残り、スイツチング素子
層２には、上述した状態が継続して維持され、そ
の結果として、明部Ｌでは導電性基質１からの電
子の注入が容易な状態となる。
静電像形成工程を示す第２−図において、一度
露光が行われた部分Ｌでは、その後の正帯電に対
して注入が容易となつた電子（−）が高電導状態
のスイツチング層２を介して電荷受容層３に注入
され、該層３を通つて表面に到達し、表面の正電
荷（＋）を消去することにより、電荷像の形成が
行われる。図示していないが、この電荷像を、そ
れ自体公知の方法により、トナーで現像し、形成
されるトナー像を紙等に転写することにより、複
写物乃至印刷物を得ることができる。かくして、
第２−Ａ乃至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形
成の後に、第２−Ｄ図に示す所望回数の帯電工程
を行うことにより、所望枚数の複写が可能とな
る。
露光が行われた部分Ｌでは、その後の正帯電に対
して注入が容易となつた電子（−）が高電導状態
のスイツチング層２を介して電荷受容層３に注入
され、該層３を通つて表面に到達し、表面の正電
荷（＋）を消去することにより、電荷像の形成が
行われる。図示していないが、この電荷像を、そ
れ自体公知の方法により、トナーで現像し、形成
されるトナー像を紙等に転写することにより、複
写物乃至印刷物を得ることができる。かくして、
第２−Ａ乃至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形
成の後に、第２−Ｄ図に示す所望回数の帯電工程
を行うことにより、所望枚数の複写が可能とな
る。
本発明では、上述した説明から明らかな通り、
光は電荷発生輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発
生、換言すれば、スイツチング素子層２への高電
場印加の目的にのみ使用されるという特徴があ
る。即ち、従来の複層感光体では、電荷輸送層或
いは電荷受容層を介してメモリー形成層をも露光
し、該メモリー形成層中に光化学変化を起させる
必要があつたのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層乃至１は電荷受容層中に電荷（キヤリヤ）
を発生させることのみが要求されるものであるか
ら、従来法に比して著しく少ない露光量でメモリ
ー像の形成が可能となるという利点が達成される
ものである。
光は電荷発生輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発
生、換言すれば、スイツチング素子層２への高電
場印加の目的にのみ使用されるという特徴があ
る。即ち、従来の複層感光体では、電荷輸送層或
いは電荷受容層を介してメモリー形成層をも露光
し、該メモリー形成層中に光化学変化を起させる
必要があつたのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層乃至１は電荷受容層中に電荷（キヤリヤ）
を発生させることのみが要求されるものであるか
ら、従来法に比して著しく少ない露光量でメモリ
ー像の形成が可能となるという利点が達成される
ものである。
第３図は、本発明に使用するスイツチング素子
層の或るもの（後述するCu・TCNQ）について、
印加電圧と電流との関係を示したものであり、曲
線１は未処理のスイツチング素子層についての電
圧と電流との関係、曲線２は高電圧印加後のスイ
ツチング素子層について同様の関係を調べたもの
である。曲線１から、このスイツチング素子層は
傾斜のゆるやか高抵抗状態Ａと傾斜の極めて大き
い低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２か
ら一旦高電導状態（ON STATE）となつたスイ
ツチング素子層では、高抵抗状態Ａが殆んど消失
していることが明らかである。
層の或るもの（後述するCu・TCNQ）について、
印加電圧と電流との関係を示したものであり、曲
線１は未処理のスイツチング素子層についての電
圧と電流との関係、曲線２は高電圧印加後のスイ
ツチング素子層について同様の関係を調べたもの
である。曲線１から、このスイツチング素子層は
傾斜のゆるやか高抵抗状態Ａと傾斜の極めて大き
い低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２か
ら一旦高電導状態（ON STATE）となつたスイ
ツチング素子層では、高抵抗状態Ａが殆んど消失
していることが明らかである。
第４図は、後述するCu.TCNQをスイツチング
素子層、及びPVK・TNF錯体を電荷発生輸送層
乃至電荷受容層とした感光体の表面電位と時間と
の関係を示す線図であつて、曲線１は未処理感光
体の表面帯電電位、曲線２は露光開始後の表面帯
電電位、曲線３は帯電露光によりスイツチング素
子層が高電導状態となつた感光体を再帯電した際
の表面帯電電位を示す。第４図中、V0は高抵抗
状態（OFF STATE）でのスイツチング層を備
えた感光体の初期飽和帯電電位であり、V1は高
電導状態（ON STATE）でのスイツチング層を
備えた感光体の飽和帯電電位であり、メモリー効
果(F)は下記式 Ｆ＝V0−V1／V0＝△Ｖ／V0 で表わされる。
素子層、及びPVK・TNF錯体を電荷発生輸送層
乃至電荷受容層とした感光体の表面電位と時間と
の関係を示す線図であつて、曲線１は未処理感光
体の表面帯電電位、曲線２は露光開始後の表面帯
電電位、曲線３は帯電露光によりスイツチング素
子層が高電導状態となつた感光体を再帯電した際
の表面帯電電位を示す。第４図中、V0は高抵抗
状態（OFF STATE）でのスイツチング層を備
えた感光体の初期飽和帯電電位であり、V1は高
電導状態（ON STATE）でのスイツチング層を
備えた感光体の飽和帯電電位であり、メモリー効
果(F)は下記式 Ｆ＝V0−V1／V0＝△Ｖ／V0 で表わされる。
本発明に用いるスイツチング素子層は、高抵抗
状態（OFF STATE）の電気抵抗（RH）が108乃
至1014Ω−cm、特に109乃至1011Ω−cmの範囲にあ
ることが電荷保持性の点で望ましく、一方RHと
低抵抗状態（ON STATE）の電気抵抗（RL−
Ω−cm）との比（RH／RL）は、１×101乃至１×
105の範囲内にあることが、コントラストの面で
望ましい。
状態（OFF STATE）の電気抵抗（RH）が108乃
至1014Ω−cm、特に109乃至1011Ω−cmの範囲にあ
ることが電荷保持性の点で望ましく、一方RHと
低抵抗状態（ON STATE）の電気抵抗（RL−
Ω−cm）との比（RH／RL）は、１×101乃至１×
105の範囲内にあることが、コントラストの面で
望ましい。
前述した特性スイツチング素子としては、テト
ラシアノエチレン（TCNE）、テトラシアノキノ
ジメタン（TCNQ）、テトラシアノナフトキノジ
メタン（TNAP）、２，３，５，６−テトラフル
オロ−７，７，８，８−テトラシアキノジメタン
（TCNQF4）等の電子受容性物質と、銅又は銀と
の錯体が好適に使用される。
ラシアノエチレン（TCNE）、テトラシアノキノ
ジメタン（TCNQ）、テトラシアノナフトキノジ
メタン（TNAP）、２，３，５，６−テトラフル
オロ−７，７，８，８−テトラシアキノジメタン
（TCNQF4）等の電子受容性物質と、銅又は銀と
の錯体が好適に使用される。
これらの錯体は、蒸着等の手段で導電性基質上
に結晶薄膜の形で直接形成させることもできる
し、或いは微結晶のものを樹脂バインダー中に分
散させて導電性基質上に設けることもできる。樹
脂バインダーとしては、電気絶縁性の樹脂、例え
ばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、フエノキシ樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、アルキド樹脂等が使用される。
微結晶錯体と樹脂バインターとは、１：４乃至
４：１の重量比で使用される。これらの樹脂バイ
ンダーを、テトラヒドロフラン、クロロホルム、
ジオキサン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒に溶
解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質上に塗
布し、乾燥してスイツチング素子層を形成させ
る。
に結晶薄膜の形で直接形成させることもできる
し、或いは微結晶のものを樹脂バインダー中に分
散させて導電性基質上に設けることもできる。樹
脂バインダーとしては、電気絶縁性の樹脂、例え
ばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、フエノキシ樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、アルキド樹脂等が使用される。
微結晶錯体と樹脂バインターとは、１：４乃至
４：１の重量比で使用される。これらの樹脂バイ
ンダーを、テトラヒドロフラン、クロロホルム、
ジオキサン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒に溶
解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質上に塗
布し、乾燥してスイツチング素子層を形成させ
る。
本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層
は、光照射により電荷（キヤリヤ）を発生し、界
面へこれを移送すると共に、スイツチング素子か
ら注入される電荷を表面迄移送するものでなけれ
ばならない。かかる見地からは、この層は正孔及
び電子の両方を移送させ得るものでなければなら
ない。
は、光照射により電荷（キヤリヤ）を発生し、界
面へこれを移送すると共に、スイツチング素子か
ら注入される電荷を表面迄移送するものでなけれ
ばならない。かかる見地からは、この層は正孔及
び電子の両方を移送させ得るものでなければなら
ない。
この目的のために、正孔輸送物と電子輸送物質
との混合物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用され
る。適当な正孔輸送物質の例は、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、フエナントレン、Ｎ−エチルカ
ルバゾール、２，５−ジフエニル−１，３，４−
オキサジアゾール、２，５−ビス−（４−ジエチ
ルアミノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール、ビス−ジエチルアミノフエニル−１，３，
６−オキサジアゾール、４，4′−ビス（ジエチル
アミノ−２，2′−ジメチルトリフエニルメタン、
２，４，５−トリアミノフエニルイミダゾール、
２，５−ビス（４−ジメチルアミノフエニル）−
１，３，４−トリアゾール、１−フエニル−３−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエ
チルアミノフエニル）−２−ピラゾリン、ｐ−ジ
エチルアミノベンツアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）などであり、適当な電子輸送物質の例
は２−ニトロ−９−フルオレノン、２，７−ジニ
トロ−９−フルオレノン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノ、２，４，５，７−テトラニ
トロ−９−フルオレノン、２−ニトロベンゾチオ
フエン、２，４，８−トリニトロチオキサント
ン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジ
ン、ジニトロアントラキノン、テトラシアノキノ
ジメタンなどである。
との混合物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用され
る。適当な正孔輸送物質の例は、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、フエナントレン、Ｎ−エチルカ
ルバゾール、２，５−ジフエニル−１，３，４−
オキサジアゾール、２，５−ビス−（４−ジエチ
ルアミノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール、ビス−ジエチルアミノフエニル−１，３，
６−オキサジアゾール、４，4′−ビス（ジエチル
アミノ−２，2′−ジメチルトリフエニルメタン、
２，４，５−トリアミノフエニルイミダゾール、
２，５−ビス（４−ジメチルアミノフエニル）−
１，３，４−トリアゾール、１−フエニル−３−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエ
チルアミノフエニル）−２−ピラゾリン、ｐ−ジ
エチルアミノベンツアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）などであり、適当な電子輸送物質の例
は２−ニトロ−９−フルオレノン、２，７−ジニ
トロ−９−フルオレノン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノ、２，４，５，７−テトラニ
トロ−９−フルオレノン、２−ニトロベンゾチオ
フエン、２，４，８−トリニトロチオキサント
ン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジ
ン、ジニトロアントラキノン、テトラシアノキノ
ジメタンなどである。
これらの混合物乃至錯体が造膜性を有する場合
には、これを有機溶媒の溶液として、スイツチン
グ素子層上に塗布すればよく、また造膜性を有し
ない場合には、前に例示した樹脂バインダーの溶
液中に、前述した組合せ物質を分散させ、これを
塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受容層を形成
させればよい。
には、これを有機溶媒の溶液として、スイツチン
グ素子層上に塗布すればよく、また造膜性を有し
ない場合には、前に例示した樹脂バインダーの溶
液中に、前述した組合せ物質を分散させ、これを
塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受容層を形成
させればよい。
本発明において、導電性基質としては、銅、ア
ルミニウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電
処理した紙、或いはネサ（NESA）ガラス等が使
用され、これらはシート或いはドラムの形で用い
られる。
ルミニウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電
処理した紙、或いはネサ（NESA）ガラス等が使
用され、これらはシート或いはドラムの形で用い
られる。
本発明に用いる感光体において、スイツチング
素子層の厚みは、一般に１乃至5μｍ、特に1.5乃
至3.5μｍの範囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷
輸送層の厚みは一般に６乃至2μｍ、特に７乃至
12μｍの範囲にあることが、帯電時の表面電位を
高いレベルに維持しつつ、しかもメモリー効果を
最大限に利用する上で好ましい。
素子層の厚みは、一般に１乃至5μｍ、特に1.5乃
至3.5μｍの範囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷
輸送層の厚みは一般に６乃至2μｍ、特に７乃至
12μｍの範囲にあることが、帯電時の表面電位を
高いレベルに維持しつつ、しかもメモリー効果を
最大限に利用する上で好ましい。
本発明の電子写真法では、スイツチング素子層
と電荷発生輸送層乃至電荷受容層との組合せ或い
はそれらの厚みや厚み比を選択することにより、
40％以上、特に60％以上のメモリー効果(F)が得ら
れる。
と電荷発生輸送層乃至電荷受容層との組合せ或い
はそれらの厚みや厚み比を選択することにより、
40％以上、特に60％以上のメモリー効果(F)が得ら
れる。
本発明の電子写真法において、感光体の帯電
は、一般に正極性のコロナチヤージヤを用いて、
飽和帯電電位が500乃至700ボルトのように帯電を
行なう。
は、一般に正極性のコロナチヤージヤを用いて、
飽和帯電電位が500乃至700ボルトのように帯電を
行なう。
次いで、帯電された感光体を画像露光する。光
源としては、タングステンハロゲンランプのよう
な通常の電子写真法光源を使用し得るのが本発明
の特徴である。必要な露光量は、感光体の層構成
によつても相違するが、一般に、0.1乃至100ｍ
Ｗ／cm2の範囲から選択するのがよい。勿論、光源
としては、ガスレーザー、半導体レーザー等のレ
ーザービームを用いることができる。
源としては、タングステンハロゲンランプのよう
な通常の電子写真法光源を使用し得るのが本発明
の特徴である。必要な露光量は、感光体の層構成
によつても相違するが、一般に、0.1乃至100ｍ
Ｗ／cm2の範囲から選択するのがよい。勿論、光源
としては、ガスレーザー、半導体レーザー等のレ
ーザービームを用いることができる。
メモリー像が形成された感光体を、直接或いは
前述したのと同様な手段で帯電し、形成される静
電潜像を、それ自体公知の１成分或いは２成分系
の現像用トナーと接触させてトナー像を形成さ
せ、トナー像を紙等の転写シートに転移させ、必
要により定着して複写物或いは印刷物する。トナ
ー転写後の感光体は、静電的或いは機械的にクリ
ーニングした後、上述した帯電、現像、転写、ク
リーニングを必要枚数だけ反復する。
前述したのと同様な手段で帯電し、形成される静
電潜像を、それ自体公知の１成分或いは２成分系
の現像用トナーと接触させてトナー像を形成さ
せ、トナー像を紙等の転写シートに転移させ、必
要により定着して複写物或いは印刷物する。トナ
ー転写後の感光体は、静電的或いは機械的にクリ
ーニングした後、上述した帯電、現像、転写、ク
リーニングを必要枚数だけ反復する。
新たに、メモリー像を形成する場合には、感光
体中のスイツチング素子層を、赤外線ランプ照
射、ジユール熱加熱、強力なレーザー光照射、熱
風吹付、熱ローラとの接触等の手段で加熱して、
スイツチング素子層を、高抵抗状態（OFF
STATE）に復帰させ、しかる後前述した操作を
行えばよい。加熱温度は50乃至200℃の範囲から
適当な温度を選ぶ。
体中のスイツチング素子層を、赤外線ランプ照
射、ジユール熱加熱、強力なレーザー光照射、熱
風吹付、熱ローラとの接触等の手段で加熱して、
スイツチング素子層を、高抵抗状態（OFF
STATE）に復帰させ、しかる後前述した操作を
行えばよい。加熱温度は50乃至200℃の範囲から
適当な温度を選ぶ。
本発明を次の例で説明する。
参考例
スイツチング素子層の形成
ボールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキ
ノジメタン錯体（Cu・TCNQ）10重量部を、ポ
リアクリレート樹脂（Ｕ−polymer8000ユニチカ
製）10重量部、ポリエチレングリコール（PEG
1000三洋化成工業社製）0.5重量部、クロロホル
ム90重量の組成から成る溶液と混合し、30分間超
音波分散した後、銅基板上にワイヤーバーによ
り、塗布、乾燥した。乾燥は80℃で15分間、さら
に必要に応じて６時間の真空乾燥を行ない、膜厚
2μｍのスイツチング素子層を形成した。
ノジメタン錯体（Cu・TCNQ）10重量部を、ポ
リアクリレート樹脂（Ｕ−polymer8000ユニチカ
製）10重量部、ポリエチレングリコール（PEG
1000三洋化成工業社製）0.5重量部、クロロホル
ム90重量の組成から成る溶液と混合し、30分間超
音波分散した後、銅基板上にワイヤーバーによ
り、塗布、乾燥した。乾燥は80℃で15分間、さら
に必要に応じて６時間の真空乾燥を行ない、膜厚
2μｍのスイツチング素子層を形成した。
スイツチング現象の測定
上記スイツチング素子層にAlを真空蒸着し、
Al蒸着膜と銅基板を電極としてサンドイツチ型
セルを形成した。
Al蒸着膜と銅基板を電極としてサンドイツチ型
セルを形成した。
次に銅基板側に対し、＋3.0V〜−3.0Vの電圧を
印加した。第１回目の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲
線を第３図の曲線１に示す。さらに第２回目以降
の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を曲線２に示す。
印加した。第１回目の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲
線を第３図の曲線１に示す。さらに第２回目以降
の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を曲線２に示す。
実施例
感光体の作製
参考例と同様な方法により、スイツチング素子
層を銅基板上に形成させた。
層を銅基板上に形成させた。
次に、ポリビニルカルバゾール（Luvican Ｍ
−170BASF社製）10重量部にテトヒドロフラン
90重量部に加えて10％PVK溶液を作製した。こ
の10％PVK溶液10重量部に２，４，５，７−テ
トラニトロ−９−フルオレノ0.6重量部及びテト
ラヒドロフラン2.0重量部を加え、超音波分散機
で充分に溶解させ、感光層塗布液を作製した。
−170BASF社製）10重量部にテトヒドロフラン
90重量部に加えて10％PVK溶液を作製した。こ
の10％PVK溶液10重量部に２，４，５，７−テ
トラニトロ−９−フルオレノ0.6重量部及びテト
ラヒドロフラン2.0重量部を加え、超音波分散機
で充分に溶解させ、感光層塗布液を作製した。
この塗布液を先に形成させたスイツチング層上
にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行ない、7μｍ
の感光層を形成させ、感光体を得た。
にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行ない、7μｍ
の感光層を形成させ、感光体を得た。
複写テスト
上述の作製した感光体を表面電位光減衰装置に
セツトし、約30秒間正コロナ放電（＋6.0KV）を
行なつた後、原稿露光を行なつた。なお照射光と
してタングステンランプ（14ｍＷ／cm2）を用い約
１分間露光を行なつた。
セツトし、約30秒間正コロナ放電（＋6.0KV）を
行なつた後、原稿露光を行なつた。なお照射光と
してタングステンランプ（14ｍＷ／cm2）を用い約
１分間露光を行なつた。
次に市販の静電写真複写機（TC−162：三田工
業社製）の感光体ドラムをアルマイト・ドラムに
取り換え、そこに露光後の本感光体を貼付し、銅
基板を接地した後正コロナ放電（＋6KV）、トナ
ー現像、普通紙への転写クリーニングのサイクル
を連続的に繰り返し、静電印刷を行なつた。
業社製）の感光体ドラムをアルマイト・ドラムに
取り換え、そこに露光後の本感光体を貼付し、銅
基板を接地した後正コロナ放電（＋6KV）、トナ
ー現像、普通紙への転写クリーニングのサイクル
を連続的に繰り返し、静電印刷を行なつた。
印刷を50サイクルまで行なつたところ、初期画
像と比較しても画像のノイズや、コントラストの
乱れはほとんど観測されず、鮮明な印刷物が得ら
れた。
像と比較しても画像のノイズや、コントラストの
乱れはほとんど観測されず、鮮明な印刷物が得ら
れた。
第１図は本発明の感光体の断面構造を示し、第
２−Ａ乃至２−Ｄ図は本発明に用いる感光体のメ
モリー像の形成原理及び静電像の形成原理を示
し、第３図は本発明に使用するスイツチング素子
層について印加電圧と電流との関係を示したもの
である。第４図は本発明に用いる感光体の表面電
位と時間との関係を示したものである。 １……導電性基質、２……スイツチング素子
層、３……電荷発生輸送乃至電荷受容層。
２−Ａ乃至２−Ｄ図は本発明に用いる感光体のメ
モリー像の形成原理及び静電像の形成原理を示
し、第３図は本発明に使用するスイツチング素子
層について印加電圧と電流との関係を示したもの
である。第４図は本発明に用いる感光体の表面電
位と時間との関係を示したものである。 １……導電性基質、２……スイツチング素子
層、３……電荷発生輸送乃至電荷受容層。
Claims (1)
- １ 導電性基質、該導電性基質上に設けられた、
電子受容性物質と銅又は銀との錯体から成り、高
電場で高電導状態となり且つ高電導状態が維持さ
れるスイツチング素子層、及び該スイツチング素
子層上に設けられた電荷発生輸送層乃至は電荷受
容層から成る電子写真感光体に対して、帯電と画
像露光とを行つて感光体上にメモリー像を形成さ
せることを特徴とする電子写真法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217284A JPS60207151A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217284A JPS60207151A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207151A JPS60207151A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0550741B2 true JPH0550741B2 (ja) | 1993-07-29 |
Family
ID=13192435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217284A Granted JPS60207151A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60207151A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488127A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-13 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor and copying method using this |
| JPS55111952A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic method |
| JPS5613304A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-09 | Iseki Agricult Mach | Safety device against ripping of sack |
| JPS5624358A (en) * | 1979-08-03 | 1981-03-07 | Mita Ind Co Ltd | Electrostatic photography and photoreceptor for its use |
| JPS56168663A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic copying method |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6217284A patent/JPS60207151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60207151A (ja) | 1985-10-18 |
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