JPS5976433A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
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- JPS5976433A JPS5976433A JP57187746A JP18774682A JPS5976433A JP S5976433 A JPS5976433 A JP S5976433A JP 57187746 A JP57187746 A JP 57187746A JP 18774682 A JP18774682 A JP 18774682A JP S5976433 A JPS5976433 A JP S5976433A
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- Japan
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- quartz
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2913—Materials being Group IIB-VIA materials
- H10P14/2917—Tellurides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3424—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IIB-VIA materials
- H10P14/3432—Tellurides
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は密閉構造で゛傾斜法を用いた液相エピタキシャ
ル成長装置の改良に関するものである。
ル成長装置の改良に関するものである。
（ｂ）技術の背景
水銀（Ｈｇ）を含む化合物半導体結晶１例えば水銀・カ
ドミウム・テルル（Ｈｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）や鉛（
ｐｂ）を含む化合物半導体結晶１例えば鉛・錫・テルル
（Ｐｔｇ −ｘ ５ｎＸＴｅ）等はそのエネルギーギャ
ップが狭いため、赤外線検知素子の形成材料として用い
られている。
ドミウム・テルル（Ｈｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）や鉛（
ｐｂ）を含む化合物半導体結晶１例えば鉛・錫・テルル
（Ｐｔｇ −ｘ ５ｎＸＴｅ）等はそのエネルギーギャ
ップが狭いため、赤外線検知素子の形成材料として用い
られている。
このようなＨｇＩ −ｘ ｃａｘＴｅの結晶やＰｂｌ−
Ｘ８ｎ。
Ｘ８ｎ。
Ｔｅの結晶を素子形成に都合の良いように大面積でしか
も薄層の状態で得るようにするには通常カドミウム テ
ルル（’０ｄＴｅ）の基板を用いてその上にＨｇＩ−ｘ
Ｃｄｌ Ｔｅの結晶層を、または鉛・テルル（ＰｂＴｅ
）の基板を用いてその上にＰｂＩ−ｘＳｎＸＴｅの結晶
層を液相エピタキシャル成長法を用いてそれぞれ形成し
ている。
も薄層の状態で得るようにするには通常カドミウム テ
ルル（’０ｄＴｅ）の基板を用いてその上にＨｇＩ−ｘ
Ｃｄｌ Ｔｅの結晶層を、または鉛・テルル（ＰｂＴｅ
）の基板を用いてその上にＰｂＩ−ｘＳｎＸＴｅの結晶
層を液相エピタキシャル成長法を用いてそれぞれ形成し
ている。
（Ｃ）従来技術と問題点
このような液相エビクキシャル成長として従来は直方体
形状のカーボンよりなる支持台とその上をスライドして
移動するスライド部材とよりなり。
形状のカーボンよりなる支持台とその上をスライドして
移動するスライド部材とよりなり。
前記支持台に設けた凹所に例えばＯｅＬ Ｔｅの基板を
埋設し、スライド部材に設けた貫通孔状の液だめ内には
Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴＯの材料を充填する。そして支持台
とスライド部材とを水素（Ｈ２）カス雰囲気内の反応管
中に導入し、該反応管を加熱してＨｍｌ−ｘＯｄＸＴｅ
の材料を溶融後、スライド部材を支持台」二へスライド
させ、スライド部材の液だめを基板上に設置し、加熱炉
の温度を下げて基板上にＨｇ１−エ０ｃｔｘＴθの結晶
層を形成するいわゆるスライド法が用いられている。
埋設し、スライド部材に設けた貫通孔状の液だめ内には
Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴＯの材料を充填する。そして支持台
とスライド部材とを水素（Ｈ２）カス雰囲気内の反応管
中に導入し、該反応管を加熱してＨｍｌ−ｘＯｄＸＴｅ
の材料を溶融後、スライド部材を支持台」二へスライド
させ、スライド部材の液だめを基板上に設置し、加熱炉
の温度を下げて基板上にＨｇ１−エ０ｃｔｘＴθの結晶
層を形成するいわゆるスライド法が用いられている。
しかしこのような方法であると易蒸発性のＨｇが結晶層
を形成する以前に液だめより反応管内に蒸発してし１５
欠点がある。
を形成する以前に液だめより反応管内に蒸発してし１５
欠点がある。
そこで本発明者等は先に第１図に示すような密閉構造で
かつ傾斜法を用いた液相エピタキシャル成長装置を提案
した。
かつ傾斜法を用いた液相エピタキシャル成長装置を提案
した。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長装置の斜視図、
第２図は第１図のＡ Ａｌ線に沿った断面図、第３図は
第１図のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
第２図は第１図のＡ Ａｌ線に沿った断面図、第３図は
第１図のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
第１図、第２図、第３図に図示するように従来の液相エ
ピタキシャル成長装置は石英等の耐熱性の封管Ｉ Ｊｌ
、 Ｃ！ｄ、 Ｔｅの基板２を挾んで保持するよう対向
面に凹所３を設けた１対の前記封管１の内壁面に内接す
るような石英製の支持部材４より構成されている。
ピタキシャル成長装置は石英等の耐熱性の封管Ｉ Ｊｌ
、 Ｃ！ｄ、 Ｔｅの基板２を挾んで保持するよう対向
面に凹所３を設けた１対の前記封管１の内壁面に内接す
るような石英製の支持部材４より構成されている。
更に封管１内において１対の支持部材４の間には基板２
上に形成すべきｌ（ｇｌ 、 ＣｄｘＴｅの材料５が充
填されている。
上に形成すべきｌ（ｇｌ 、 ＣｄｘＴｅの材料５が充
填されている。
このようにした封管１を加熱炉内の反応管中に導入し、
該反Ｅ管を加熱して充填されているｋｌ−ｘＣ（ＩＸＴ
ｅの材料を溶融後封管１を矢印Ｃ方向に１８０゜回転す
る。する２基板が溶融したＨｇ１−ｘＣｄ工Ｔθの溶液
中に浸漬されることになり、この状態で加熱炉の温度を
低下させ、溶液の温度を下降させることで基板上にＨｇ
；４−ｘＣｄＸＴｅの結晶層が析出するようになる。
該反Ｅ管を加熱して充填されているｋｌ−ｘＣ（ＩＸＴ
ｅの材料を溶融後封管１を矢印Ｃ方向に１８０゜回転す
る。する２基板が溶融したＨｇ１−ｘＣｄ工Ｔθの溶液
中に浸漬されることになり、この状態で加熱炉の温度を
低下させ、溶液の温度を下降させることで基板上にＨｇ
；４−ｘＣｄＸＴｅの結晶層が析出するようになる。
しかしこのような従来の液相エピタキシャル成長装置に
おいては、基板上に同一成分の結晶層を１層しか形成す
ることができす、Ｐ−Ｎ接合等を形成する際、基板上に
伝導型および組成の異なる結晶層を多層構造にエピタキ
シャル成長する必要がある時、従来の装置を用いたので
は、このよう々多層構造のエピタキシャル成長が不可能
であるといった欠点を生じている。
おいては、基板上に同一成分の結晶層を１層しか形成す
ることができす、Ｐ−Ｎ接合等を形成する際、基板上に
伝導型および組成の異なる結晶層を多層構造にエピタキ
シャル成長する必要がある時、従来の装置を用いたので
は、このよう々多層構造のエピタキシャル成長が不可能
であるといった欠点を生じている。
（ｄ、） 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、上述した密閉型構造で
傾斜方法を用いた液相エピタキシャル成長装置において
も１基板上に組成の異なる結晶層を多層構造にエピタキ
シャル成長でき得るような新規々液相エピタキシャル成
長装置の提供を目的さするものである。
傾斜方法を用いた液相エピタキシャル成長装置において
も１基板上に組成の異なる結晶層を多層構造にエピタキ
シャル成長でき得るような新規々液相エピタキシャル成
長装置の提供を目的さするものである。
（ｅ） 発明の構成
かかる目的を達成するだめの本発明の液相エピタキシャ
ル成長装置は耐熱封管内に内接し、基板を挾んで保持す
る一対の支持部材と、前記封管内において該封管の内径
より短い一対の短辺のそれぞれが前記支持部材の端面に
接触して保持され。
ル成長装置は耐熱封管内に内接し、基板を挾んで保持す
る一対の支持部材と、前記封管内において該封管の内径
より短い一対の短辺のそれぞれが前記支持部材の端面に
接触して保持され。
更に一対の長辺のうち一辺が封管の内壁に接触して保持
されるような長方形状の板状の仕切り板とをそ々えてな
り、さらに前記仕切り板の封管の内壁に接触しない側の
長辺より、該長辺を境として両側に円弧状の一対の受は
皿を封管の内壁と所定の間隔を隔てるようにして、かつ
０＋け皿の長手方向の両端Ｓが上記一対の支持部材の端
面に接触するようにして設けたことを特徴とするもので
ある。
されるような長方形状の板状の仕切り板とをそ々えてな
り、さらに前記仕切り板の封管の内壁に接触しない側の
長辺より、該長辺を境として両側に円弧状の一対の受は
皿を封管の内壁と所定の間隔を隔てるようにして、かつ
０＋け皿の長手方向の両端Ｓが上記一対の支持部材の端
面に接触するようにして設けたことを特徴とするもので
ある。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図面を用いながら詳細に説
明する。
明する。
第４図は本発明の液相エピタキシャル成長装置の一実施
例を示す斜視図、第５図は第４図のＤ−Ｄ’線に沿った
断面図、第６図（ａ）より第６図（ｆ）までは該エピタ
キシャル成長装置の動作状態を示す断面図である。
例を示す斜視図、第５図は第４図のＤ−Ｄ’線に沿った
断面図、第６図（ａ）より第６図（ｆ）までは該エピタ
キシャル成長装置の動作状態を示す断面図である。
第４図、第５図に示すように本発明の液相エピタキシャ
ル成長装置は、耐熱性の石英よりなる封管１１に内接し
て設けられ４例えばＣｄ Ｔｏの基板１２を挾んで保持
すべき凹所１３ｉ有する１対の石英棒支持部材１４Ａ
、 １４Ｂと該封管１１の内壁に長辺の一辺が内接し、
相対する短辺の二辺が石英棒１４Ａ 、 １４Ｂの端面
に接するように設けられている長方形状の石英板よりな
る仕切り板１５と。
ル成長装置は、耐熱性の石英よりなる封管１１に内接し
て設けられ４例えばＣｄ Ｔｏの基板１２を挾んで保持
すべき凹所１３ｉ有する１対の石英棒支持部材１４Ａ
、 １４Ｂと該封管１１の内壁に長辺の一辺が内接し、
相対する短辺の二辺が石英棒１４Ａ 、 １４Ｂの端面
に接するように設けられている長方形状の石英板よりな
る仕切り板１５と。
該仕切り板１５の長辺より分岐して封管の内壁に接触し
ない状態で所定の間隙を設けて円弧状に曲けられている
二層の石英よりなる受は皿１６．１７七より構成されて
いる。
ない状態で所定の間隙を設けて円弧状に曲けられている
二層の石英よりなる受は皿１６．１７七より構成されて
いる。
このような本実施例の液相エピタキシャル成長装置を用
いてＣ！ｄ、Ｔｅの基板上に組成の異なる。すなわちＸ
値の異なる）Ｉｇｌ−Ｘ（！ｄＸＴｅの結晶層を二層構
造に積層して形成する場合について説明する。
いてＣ！ｄ、Ｔｅの基板上に組成の異なる。すなわちＸ
値の異なる）Ｉｇｌ−Ｘ（！ｄＸＴｅの結晶層を二層構
造に積層して形成する場合について説明する。
捷ず受は皿１６内にＣｄ Ｔｅの基板上に形成すべき第
１層のＨｇ１． ＣｄｘＴｅの結晶層形成用材料のＨｇ
、Ｏｄ、Ｔｅのそれぞれを所定の重量、秤量して充填す
る。
１層のＨｇ１． ＣｄｘＴｅの結晶層形成用材料のＨｇ
、Ｏｄ、Ｔｅのそれぞれを所定の重量、秤量して充填す
る。
次いで受は皿１７内に第２層のＨｇ１−ｘ ＣｄｘＴ。
の結晶層形成用材料を第１層形成材料と伝導型およびＸ
値が変化するようにしてＨｇ、Ｃｄ、Ｔｅのそれぞれを
所定量秤量して充填する、。
値が変化するようにしてＨｇ、Ｃｄ、Ｔｅのそれぞれを
所定量秤量して充填する、。
その後支持棒１４Ａ 、 １４Ｂの凹所１３内へＣ！ｄ
Ｔｅの基板１２を挾み込むようにして設置する。
Ｔｅの基板１２を挾み込むようにして設置する。
次いでこれらＯｅＬ Ｔｅの基板および結晶層形成材料
が充填されたエピタキシャル成長装置を一端を封止して
いない有底の石英管中に挿入し、該石英管内部を排気し
てから他端部を封止して封管１１内に前記エピタキシャ
ル成長装置が設置された状態とする。
が充填されたエピタキシャル成長装置を一端を封止して
いない有底の石英管中に挿入し、該石英管内部を排気し
てから他端部を封止して封管１１内に前記エピタキシャ
ル成長装置が設置された状態とする。
次いでこのようにした封管１１を反応管中に導入し、該
反応管を加熱炉にて加熱して受は皿１６およ０１？内に
充填されているエヒタキシャル層形成用桐料を溶融する
。
反応管を加熱炉にて加熱して受は皿１６およ０１？内に
充填されているエヒタキシャル層形成用桐料を溶融する
。
この状態が第６図（ａｌでＣｄ Ｔｅの基板１２が凹所
１３に設置され、受は皿１６内にはＣｄ Ｔｅの基板１
２上に形成すべき第１層のＨｇｌ ｘ ｃｄｘ Ｔｅの
結晶層形成材料１８が、また受は皿１７内には基板１２
上に形成すべき第２脂のＨＥＩ−ｘＯ（１ｘＴ６の結晶
層形成材料１９がそれぞれ溶融状態で存在している。
１３に設置され、受は皿１６内にはＣｄ Ｔｅの基板１
２上に形成すべき第１層のＨｇｌ ｘ ｃｄｘ Ｔｅの
結晶層形成材料１８が、また受は皿１７内には基板１２
上に形成すべき第２脂のＨＥＩ−ｘＯ（１ｘＴ６の結晶
層形成材料１９がそれぞれ溶融状態で存在している。
次にこのようなエヒタキシャル成長装置ヲ矢印Ｅ方向に
１８０°回転する。すると受は皿内の溶融した材Ｎ１８
．１９は封管内の底部に溜り込み基板１２が上部にくる
ようになる。この状態を第６図（ｂ）に示す。
１８０°回転する。すると受は皿内の溶融した材Ｎ１８
．１９は封管内の底部に溜り込み基板１２が上部にくる
ようになる。この状態を第６図（ｂ）に示す。
次にこのようなエピタキシャル成長装置を矢印Ｆ方向に
１８０°回転する。すると第１層のエピタキシャル層形
成材料１８は受は皿１６と封管１１との間隙Ｌ１を通じ
て封管の底部へ溜甘り込むようになり、このように封管
を回転することで第６図（Ｃ）のように封管の底部へ入
り込んだ基板１２が溶融した第１層のＨＥＩ 、 Ｃｄ
ｘ’Ｔｅの結晶層形成材料の中に浸漬されるようになる
。この状態で加熱炉の温度を低下せしめて基板上に第１
層のＨｇ１−ｘＣｄＸＴｅの結晶層を形成するようにす
る。この場合第２層の１（ｇｌ−ＸａａＸＴｅの結晶層
形成用材ＰＩは堂は罪１７上に存在しているので第１層
のＨｇ１ｘＣｄＸＴｅの材料さ混合し合うようなことは
ない。
１８０°回転する。すると第１層のエピタキシャル層形
成材料１８は受は皿１６と封管１１との間隙Ｌ１を通じ
て封管の底部へ溜甘り込むようになり、このように封管
を回転することで第６図（Ｃ）のように封管の底部へ入
り込んだ基板１２が溶融した第１層のＨＥＩ 、 Ｃｄ
ｘ’Ｔｅの結晶層形成材料の中に浸漬されるようになる
。この状態で加熱炉の温度を低下せしめて基板上に第１
層のＨｇ１−ｘＣｄＸＴｅの結晶層を形成するようにす
る。この場合第２層の１（ｇｌ−ＸａａＸＴｅの結晶層
形成用材ＰＩは堂は罪１７上に存在しているので第１層
のＨｇ１ｘＣｄＸＴｅの材料さ混合し合うようなことは
ない。
次に該封管１１を矢印Ｇ方向に１８０°回転する。
すると第１層の結晶層形成材料１８は叉けｍ１１６と封
管１１との間の間隙１２を通じて受は皿１６内に入りこ
み第６図（ｄ）のようになる。
管１１との間の間隙１２を通じて受は皿１６内に入りこ
み第６図（ｄ）のようになる。
次にこの状態の封管１１を矢印Ｈの方向に１８０゜回転
する。すると第２層のＨｇ４−ｘＣｄＸＴｅの結晶層形
成材料１９は受は皿１７と封管１１との間の間隙ヱ３を
通じて封管の底部に回り込むようになり、第６図（ｅ）
に示すように基１ｙ１２か結晶層形成材料１９の内部に
浸漬されるようになる。なおこのとき第１層の結晶層形
成材料１８は受は皿１６の内部に溜り込むようになり第
１層の結晶層形成材料１９と混合し合うようなととはな
い。この状態で加熱炉の温度を低下させしめて基＆１２
上に第２層のＨｇ、１． ＣｄＸＴｅの結晶層を形成す
る。
する。すると第２層のＨｇ４−ｘＣｄＸＴｅの結晶層形
成材料１９は受は皿１７と封管１１との間の間隙ヱ３を
通じて封管の底部に回り込むようになり、第６図（ｅ）
に示すように基１ｙ１２か結晶層形成材料１９の内部に
浸漬されるようになる。なおこのとき第１層の結晶層形
成材料１８は受は皿１６の内部に溜り込むようになり第
１層の結晶層形成材料１９と混合し合うようなととはな
い。この状態で加熱炉の温度を低下させしめて基＆１２
上に第２層のＨｇ、１． ＣｄＸＴｅの結晶層を形成す
る。
次にこの状態の封管１〕、を矢印にの方向に１８０゜回
転する。
転する。
このようにすると第６図（ｆ）のように第２島の結晶層
形成材料１９は受は皿１７と封管１１との間隙ヱ４を通
じて受けｆｆ１１１７内に入り込み封管の底部に溜着る
ことになる。しだがって基板１２と溶融した結晶層形成
用材料とは分離され基板１２上に第２層のＨｇｌ”、
ＣｄＸ’Ｉ’ｅの結晶層か形成されることになる。
形成材料１９は受は皿１７と封管１１との間隙ヱ４を通
じて受けｆｆ１１１７内に入り込み封管の底部に溜着る
ことになる。しだがって基板１２と溶融した結晶層形成
用材料とは分離され基板１２上に第２層のＨｇｌ”、
ＣｄＸ’Ｉ’ｅの結晶層か形成されることになる。
（ロ））発明の効果
以上述べた上うに本発明の液相エヒタ片シャル成畏装組
によれは、 Ｈｇ、、ｃｄ、、 セレン（Ｓｅ）
、硫黄（Ｓ）等の蒸気圧の高い素材を用いで多層構造に
エピタキシャル層を形成する場合においても、該素材が
エビクキシャル成長中に蒸発して飛散するようなことが
なく、また多層構造に再現性決くエビクＡシャル層か形
成でき得る利点を有ゴる。
によれは、 Ｈｇ、、ｃｄ、、 セレン（Ｓｅ）
、硫黄（Ｓ）等の蒸気圧の高い素材を用いで多層構造に
エピタキシャル層を形成する場合においても、該素材が
エビクキシャル成長中に蒸発して飛散するようなことが
なく、また多層構造に再現性決くエビクＡシャル層か形
成でき得る利点を有ゴる。
また以上の実施例ては基板を挾スで保持する支持棒とし
て石英棒を用いたが、この石英棒の代わりにカーボン製
の支持棒を用いても差」７文えない。
て石英棒を用いたが、この石英棒の代わりにカーボン製
の支持棒を用いても差」７文えない。
第１図より第′３図１では従来の液相Ｊ−ヒタキシャル
成長装散の斜視図およびその断面図、第４図は木発りｊ
の液相エヒクキシャル成長装置の一実施例を示す斜視図
、第５図は第４図のＤ−Ｄ’断面図。 第６図（ａ）より第６図（ｆ＋までは本発明の液相エビ
クキシャル成長装置の動作状態を示す断面図である。 図において１．１１は封管、 ２．１２はＣｄ Ｔｅ
の基板、３１３は凹所、４，１４Ａ、１４Ｂは支持部材
。 ５は−Ｈｇｌ 、 ＣｄＸＴｅの相判、１５は支切り板
、１６゜１７は受は皿、１８は第１層のＨｇｌ −ｘ
Ｃｄ４ Ｔｅ 層形成材料２１９は第２層のＨｇＩ−ｘ
ＣｄｘＴｅ層形成拐料、Ｃ，Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ，には回転
方向を示す矢印＋ ’Ｉ ＋ ’２ 、ｉ３ ＋ ’
４け封管上受は皿との間隙。 第 １ 図 第３図 第４図 第６閏（Ｑ） 第６図（ｂ）
成長装散の斜視図およびその断面図、第４図は木発りｊ
の液相エヒクキシャル成長装置の一実施例を示す斜視図
、第５図は第４図のＤ−Ｄ’断面図。 第６図（ａ）より第６図（ｆ＋までは本発明の液相エビ
クキシャル成長装置の動作状態を示す断面図である。 図において１．１１は封管、 ２．１２はＣｄ Ｔｅ
の基板、３１３は凹所、４，１４Ａ、１４Ｂは支持部材
。 ５は−Ｈｇｌ 、 ＣｄＸＴｅの相判、１５は支切り板
、１６゜１７は受は皿、１８は第１層のＨｇｌ −ｘ
Ｃｄ４ Ｔｅ 層形成材料２１９は第２層のＨｇＩ−ｘ
ＣｄｘＴｅ層形成拐料、Ｃ，Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ，には回転
方向を示す矢印＋ ’Ｉ ＋ ’２ 、ｉ３ ＋ ’
４け封管上受は皿との間隙。 第 １ 図 第３図 第４図 第６閏（Ｑ） 第６図（ｂ）
Claims (1)
- 耐熱封管内に内接し、基板を挾んで保持する一対の支持
部材と、前記封管内において該封管の内径より短い一対
の短辺のそれぞれが支持部材の端面に接触して保持され
、更に一対の長辺のうちの一辺が封管の内壁に接触して
保持されるような長方形状の板状の仕切り板とをそなえ
てカリ、さらに前記仕切り板の封管の内壁に接触しない
側の長辺より、該長辺を境として両側に円弧状の一対の
受は皿を封管の内壁と所定の間隔を隔てるようにして、
かつ該う・け皿の長手方向の両端部が上記一対の支持部
材の端面に接触するようにして設けたことを特徴とする
液相エビクキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187746A JPS5976433A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187746A JPS5976433A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976433A true JPS5976433A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16211468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187746A Pending JPS5976433A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976433A (ja) |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57187746A patent/JPS5976433A/ja active Pending
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