JPH0129242Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0129242Y2 JPH0129242Y2 JP1982165617U JP16561782U JPH0129242Y2 JP H0129242 Y2 JPH0129242 Y2 JP H0129242Y2 JP 1982165617 U JP1982165617 U JP 1982165617U JP 16561782 U JP16561782 U JP 16561782U JP H0129242 Y2 JPH0129242 Y2 JP H0129242Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- recess
- liquid phase
- sectional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は密閉構造で傾斜法を用いた液相エピタ
キシヤル成長装置の改良に関する。
キシヤル成長装置の改良に関する。
(b) 技術の背景
水銀（Hg）を含む化合物半導体結晶、例えば
水銀・カドミウム・テルル（Hg1-xCdxTe）等の
結晶は、その有するエネルギーギヤツプが狭いた
め、赤外線検知素子のような光電変換素子形成材
料に用いられている。
水銀・カドミウム・テルル（Hg1-xCdxTe）等の
結晶は、その有するエネルギーギヤツプが狭いた
め、赤外線検知素子のような光電変換素子形成材
料に用いられている。
このようなHg1-xCdxTeの結晶を素子形成に都
合が良いように大面積で、しかも薄層の状態で得
るようにするには通常カドミウム・テルル
（CdTe）の基板を用いてその上にHg1-xCdxTeの
結晶層を液相エピタキシヤル成長法を用いて形成
している。
合が良いように大面積で、しかも薄層の状態で得
るようにするには通常カドミウム・テルル
（CdTe）の基板を用いてその上にHg1-xCdxTeの
結晶層を液相エピタキシヤル成長法を用いて形成
している。
(c) 従来技術と問題点
このような液相エピタキシヤル成長方法とし
て、従来はCdTeの基板を埋設したカーボンより
なる支持台と、その上をスライドして移動し基板
上に形成すべきHg1-xCdxTeの結晶層形成材料を
収容した液だめを有するスライド部材とからなる
液相エピタキシヤル成長装置を用い、該装置を加
熱して液だめ内のHg1-xCdxTeの材料を溶融後、
スライド部材を移動させて基板上に液だめを静置
してから加熱炉の温度を低下させて基板上に
Hg1-xCdxTeのエピタキシヤル層を形成するボー
トスライド法が用いられている。
て、従来はCdTeの基板を埋設したカーボンより
なる支持台と、その上をスライドして移動し基板
上に形成すべきHg1-xCdxTeの結晶層形成材料を
収容した液だめを有するスライド部材とからなる
液相エピタキシヤル成長装置を用い、該装置を加
熱して液だめ内のHg1-xCdxTeの材料を溶融後、
スライド部材を移動させて基板上に液だめを静置
してから加熱炉の温度を低下させて基板上に
Hg1-xCdxTeのエピタキシヤル層を形成するボー
トスライド法が用いられている。
しかしこのような方法であると易蒸発性のHg
が結晶層を形成する以前に液だめより反応管内に
蒸発してしまう欠点がある。
が結晶層を形成する以前に液だめより反応管内に
蒸発してしまう欠点がある。
そこで本考案者等は先に第１図に示すような密
閉構造で、かつ傾斜法を用いた液相エピタキシヤ
ル成長装置を提案した。
閉構造で、かつ傾斜法を用いた液相エピタキシヤ
ル成長装置を提案した。
第１図は上記既提案にかかる液相エピタキシヤ
ル成長装置の斜視図、第２図は第１図のＡ−
A′線に沿つた断面図、第３図は第１図のＢ−
B′線に沿つた断面図である。
ル成長装置の斜視図、第２図は第１図のＡ−
A′線に沿つた断面図、第３図は第１図のＢ−
B′線に沿つた断面図である。
第１図、第２図、第３図に図示するように従来
の液相エピタキシヤル成長装置は、石英等の耐熱
性の封管１内にCdTeの基板２と該基板を支持す
るような石英製の支持板３とを挾んで保持するよ
うな凹所４を設けた１対の石英棒５より構成さ
れ、この石英棒は前記封管１の内壁面に内接す
る。更に封管１内において１対の支持部材５の間
には基板２上に形成すべきHg1-xCdxTeの材料６
が充填されている。
の液相エピタキシヤル成長装置は、石英等の耐熱
性の封管１内にCdTeの基板２と該基板を支持す
るような石英製の支持板３とを挾んで保持するよ
うな凹所４を設けた１対の石英棒５より構成さ
れ、この石英棒は前記封管１の内壁面に内接す
る。更に封管１内において１対の支持部材５の間
には基板２上に形成すべきHg1-xCdxTeの材料６
が充填されている。
このようにした封管１を加熱炉内の反応管中に
導入し、該反応管を加熱して充填されている
Hg1-xCdxTeの材料を溶融後封管１を矢印Ｃ方向
に180゜回転する。すると基板が溶融したHg1-x
CdxTeの溶液中に浸漬されることになり、この状
態で加熱炉の温度を低下させ、溶液の温度を下降
させることで基板上にHg1-xCdxTeの結晶層が析
出するようになる。
導入し、該反応管を加熱して充填されている
Hg1-xCdxTeの材料を溶融後封管１を矢印Ｃ方向
に180゜回転する。すると基板が溶融したHg1-x
CdxTeの溶液中に浸漬されることになり、この状
態で加熱炉の温度を低下させ、溶液の温度を下降
させることで基板上にHg1-xCdxTeの結晶層が析
出するようになる。
しかしこのような従来の構造の液相エピタキシ
ヤル成長装置においては、支持部材５の近傍の
CdTeの基板１上には支持部材の熱容量により基
板上に形成すべき溶液の温度が局部的に変動する
のでエピタキシヤル層が異常成長したり、あるい
は基板上にエピタキシヤル層成長後にHg1-xCdx
Teの溶液が支持部材５の凹所４内に溜り込んで
それが基板上に付着して凹所の近傍の基板上に凹
凸状のHg1-xCdxTeの結晶が異常成長したりする
不都合を生じる。このように基板の側縁部にエピ
タキシヤル層が異常成長すると素子形成の際、そ
の部分を取り除かねばならず、そのため素子形成
用の基板の有効面積が低下する欠点を生じる。
ヤル成長装置においては、支持部材５の近傍の
CdTeの基板１上には支持部材の熱容量により基
板上に形成すべき溶液の温度が局部的に変動する
のでエピタキシヤル層が異常成長したり、あるい
は基板上にエピタキシヤル層成長後にHg1-xCdx
Teの溶液が支持部材５の凹所４内に溜り込んで
それが基板上に付着して凹所の近傍の基板上に凹
凸状のHg1-xCdxTeの結晶が異常成長したりする
不都合を生じる。このように基板の側縁部にエピ
タキシヤル層が異常成長すると素子形成の際、そ
の部分を取り除かねばならず、そのため素子形成
用の基板の有効面積が低下する欠点を生じる。
(d) 考案の目的
本考案は上述した欠点を除去して基板上に形成
されるエピタキシヤル層の素子形成用面積を増大
せしめるような新規な液相エピタキシヤル成長用
装置の提供を目的とするものである。
されるエピタキシヤル層の素子形成用面積を増大
せしめるような新規な液相エピタキシヤル成長用
装置の提供を目的とするものである。
(e) 考案の構成
このような目的を達成するための本考案の液相
エピタキシヤル成長装置は、耐熱封管に内接し、
基板を保持する保持具を挟持する一対の支持部材
からなり、前記保持具に基板の結晶成長面を露出
させて基板を保持する窪みを設け、この窪みが、
前記保持具を挟持する支持部材の凹所より隔たつ
た位置に設けられている。
エピタキシヤル成長装置は、耐熱封管に内接し、
基板を保持する保持具を挟持する一対の支持部材
からなり、前記保持具に基板の結晶成長面を露出
させて基板を保持する窪みを設け、この窪みが、
前記保持具を挟持する支持部材の凹所より隔たつ
た位置に設けられている。
(f) 考案の実施例
以下図面を用いながら本考案の一実施例につき
詳細に説明する。第４図は本考案の液相エピタキ
シヤル成長装置の断面図、第５図ａより第６図ｃ
までは本考案の成長装置に用いる基板保持具の平
面図およびその断面図、第７図ａより第７図ｃま
では本考案に用いる基板の平面図およびその断面
図である。
詳細に説明する。第４図は本考案の液相エピタキ
シヤル成長装置の断面図、第５図ａより第６図ｃ
までは本考案の成長装置に用いる基板保持具の平
面図およびその断面図、第７図ａより第７図ｃま
では本考案に用いる基板の平面図およびその断面
図である。
第４図に示すように本考案の液相エピタキシヤ
ル成長装置は対向する１対の側面にテーパを付し
たCdTeの基板１１を埋設して保持する二枚の石
英板よりなる保持具１２と該保持具１２を挾み込
んで支持する凹所１３を有する１対の石英棒より
なる支持部材１４によつて形成され、図には示し
ていないがこれ等支持部材が内接するような耐熱
性の石英よりなる封管に収容されている。図示す
るようにCdTeの基板１１は支持部材１４の凹所
１３より隔つて保持具１２に埋設されて支持され
ている。このような保持具１２を詳細に説明する
と第５図ａより第６図ｃまでのように二枚の下部
石英板１２Ａと上部石英板１２Ｂとよりなつてい
る。第５図ａは下部石英板１２Ａの平面図、第５
図ｂは第５図ａのＤ−D′線に沿つた断面図、第
５図ｃは第５図ａのＥ−E′線に沿つた断面図であ
る。図示するように下部石英板１２Ａは厚さ約１
mm程度の長方形状の石英板の中央部にCdTeの基
板１１の底面が設置されるような深さ0.1mm程度
の窪み１５が設けられている。
ル成長装置は対向する１対の側面にテーパを付し
たCdTeの基板１１を埋設して保持する二枚の石
英板よりなる保持具１２と該保持具１２を挾み込
んで支持する凹所１３を有する１対の石英棒より
なる支持部材１４によつて形成され、図には示し
ていないがこれ等支持部材が内接するような耐熱
性の石英よりなる封管に収容されている。図示す
るようにCdTeの基板１１は支持部材１４の凹所
１３より隔つて保持具１２に埋設されて支持され
ている。このような保持具１２を詳細に説明する
と第５図ａより第６図ｃまでのように二枚の下部
石英板１２Ａと上部石英板１２Ｂとよりなつてい
る。第５図ａは下部石英板１２Ａの平面図、第５
図ｂは第５図ａのＤ−D′線に沿つた断面図、第
５図ｃは第５図ａのＥ−E′線に沿つた断面図であ
る。図示するように下部石英板１２Ａは厚さ約１
mm程度の長方形状の石英板の中央部にCdTeの基
板１１の底面が設置されるような深さ0.1mm程度
の窪み１５が設けられている。
また第６図ａは上部石英板１２Ｂの平面図、第
６図ｂは第６図ａのＦ−F′線に沿つた断面図、第
６図ｃは第６図ａのＧ−G′線に沿つた断面図で
ある。図示するように上部石英板１２Ｂは厚さ約
１mm程度の長方形状の石英板の中央部にCdTeの
基板１１の側面のテーパーと同じ角度の傾斜面１
６を有する開孔１７が石英板１２Ｂをくり抜いて
設けられている。
６図ｂは第６図ａのＦ−F′線に沿つた断面図、第
６図ｃは第６図ａのＧ−G′線に沿つた断面図で
ある。図示するように上部石英板１２Ｂは厚さ約
１mm程度の長方形状の石英板の中央部にCdTeの
基板１１の側面のテーパーと同じ角度の傾斜面１
６を有する開孔１７が石英板１２Ｂをくり抜いて
設けられている。
第７図ａは本考案の装置に用いるCdTeの基板
の平面図、第７図ｂは第７図ａのＨ−H′線に沿
つた断面図、第７図ｃは第７図ａのＫ−K′線に
沿つた断面図で、第７図ｂに示すCdTeの基板１
１の１対の側面における傾斜面１８の角度は上部
石英棒１２Ｂの中央の開孔１７の傾斜面１６の角
度に等しくなるように角度研磨器等を用いて研磨
する。
の平面図、第７図ｂは第７図ａのＨ−H′線に沿
つた断面図、第７図ｃは第７図ａのＫ−K′線に
沿つた断面図で、第７図ｂに示すCdTeの基板１
１の１対の側面における傾斜面１８の角度は上部
石英棒１２Ｂの中央の開孔１７の傾斜面１６の角
度に等しくなるように角度研磨器等を用いて研磨
する。
その後該基板１１を下部石英板１２Ａの窪み１
５内に設置したのち、その上へ上部石英板１２Ｂ
の開孔部１７を基板にはめ込むようにして重ね合
せる。このようにした石英板１２Ａ，１２Ｂを重
ね合せた保持具１２を第４図に示すような支持部
材１４の凹所１３内にはめ込み、前述の第１図に
示すように封管１内に封入する。なお封管内の支
持部材１４の間にはHg1-xCdxTeのように基板上
に形成すべき結晶層形成材料を充填したのち封管
１内を排気して封止する。その後このような封管
をヒーター内に挿入して結晶層形成材料を溶融し
たのち、封管を矢印Ｃのように傾けて基板上に
Hg1―xCdxTeの溶液を接触させたのち、ヒータ
ーの温度を低下させて、基板上にHg1-xCdxTeの
エピタキシヤル層を形成する。
５内に設置したのち、その上へ上部石英板１２Ｂ
の開孔部１７を基板にはめ込むようにして重ね合
せる。このようにした石英板１２Ａ，１２Ｂを重
ね合せた保持具１２を第４図に示すような支持部
材１４の凹所１３内にはめ込み、前述の第１図に
示すように封管１内に封入する。なお封管内の支
持部材１４の間にはHg1-xCdxTeのように基板上
に形成すべき結晶層形成材料を充填したのち封管
１内を排気して封止する。その後このような封管
をヒーター内に挿入して結晶層形成材料を溶融し
たのち、封管を矢印Ｃのように傾けて基板上に
Hg1―xCdxTeの溶液を接触させたのち、ヒータ
ーの温度を低下させて、基板上にHg1-xCdxTeの
エピタキシヤル層を形成する。
このようにすれば基板１１と支持部材１４の凹
所１３とは離れており基板１１の側縁部でエピタ
キシヤル層が異常成長するのが避けられ、したが
つて基板の側縁部で凹凸状のエピタキシヤル層が
形成されるのが避けられ、エピタキシヤル層の素
子形成用有効面積が増加する利点を生じる。
所１３とは離れており基板１１の側縁部でエピタ
キシヤル層が異常成長するのが避けられ、したが
つて基板の側縁部で凹凸状のエピタキシヤル層が
形成されるのが避けられ、エピタキシヤル層の素
子形成用有効面積が増加する利点を生じる。
(g) 考案の効果
以上述べたように本考案の液相エピタキシヤル
成長装置によれば、基板を保持する保持具を収容
する支持部材の凹所より離れた状態で基板が保持
されているので基板の側縁部で凹所の中に溜り込
んだ溶液によつて基板の側縁部にエピタキシヤル
層が異常成長するのが避けられ、また支持部材１
４の熱容量によつて基板の側縁部にエピタキシヤ
ル層が異常成長するのが避けられ、素子形成の有
効面積の広いエピタキシヤル層が得られる利点を
生じる。
成長装置によれば、基板を保持する保持具を収容
する支持部材の凹所より離れた状態で基板が保持
されているので基板の側縁部で凹所の中に溜り込
んだ溶液によつて基板の側縁部にエピタキシヤル
層が異常成長するのが避けられ、また支持部材１
４の熱容量によつて基板の側縁部にエピタキシヤ
ル層が異常成長するのが避けられ、素子形成の有
効面積の広いエピタキシヤル層が得られる利点を
生じる。
第１図より第３図までは従来の液相エピタキシ
ヤル成長装置の斜視図およびその断面図、第４図
は本考案の液相エピタキシヤル成長装置の一実施
例を示す断面図、第５図ａは下部保持具の平面
図、第５図ｂは第５図ａのＤ−D′線に沿つた断
面図、第５図ｃは第５図ａのＥ−E′線に沿つた断
面図、第６図ａは上部保持具の平面図、第６図ｂ
は第６図ａのＦ−F′線に沿つた断面図、第６図ｃ
は第６図ａのＧ−G′線に沿つた断面図、第７図
ａより第７図ｃまでは本考案の装置に用いる基板
の平面図およびその断面図である。 図において１は封管、２，１１はCdTe基板、
３，１２は保持具、４，１３は凹所、５，１４は
支持部材、６はHg1-xCdxTeの材料、１５は窪
み、１６，１８は傾斜面、１７は開孔部、Ｃは回
転方向を示す矢印を示す。
ヤル成長装置の斜視図およびその断面図、第４図
は本考案の液相エピタキシヤル成長装置の一実施
例を示す断面図、第５図ａは下部保持具の平面
図、第５図ｂは第５図ａのＤ−D′線に沿つた断
面図、第５図ｃは第５図ａのＥ−E′線に沿つた断
面図、第６図ａは上部保持具の平面図、第６図ｂ
は第６図ａのＦ−F′線に沿つた断面図、第６図ｃ
は第６図ａのＧ−G′線に沿つた断面図、第７図
ａより第７図ｃまでは本考案の装置に用いる基板
の平面図およびその断面図である。 図において１は封管、２，１１はCdTe基板、
３，１２は保持具、４，１３は凹所、５，１４は
支持部材、６はHg1-xCdxTeの材料、１５は窪
み、１６，１８は傾斜面、１７は開孔部、Ｃは回
転方向を示す矢印を示す。
Claims (1)
- 耐熱封管に内接し、基板を保持する保持具を挟
持する一対の支持部材からなり、前記保持具に基
板の結晶成長面を露出させて基板を保持する窪み
を設け、該窪みが、前記保持具を挟持する支持部
材の凹所より隔たつた位置に設けられていること
を特徴とする液相エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16561782U JPS5969968U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16561782U JPS5969968U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969968U JPS5969968U (ja) | 1984-05-12 |
| JPH0129242Y2 true JPH0129242Y2 (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=30362794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16561782U Granted JPS5969968U (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969968U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913697A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-24 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長装置 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP16561782U patent/JPS5969968U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5969968U (ja) | 1984-05-12 |
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