JPS5976487A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5976487A JPS5976487A JP57188564A JP18856482A JPS5976487A JP S5976487 A JPS5976487 A JP S5976487A JP 57188564 A JP57188564 A JP 57188564A JP 18856482 A JP18856482 A JP 18856482A JP S5976487 A JPS5976487 A JP S5976487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- window
- optical fiber
- header
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光半導体装置、特にそのパッケージに関するも
のである。
のである。
第１図は光半導体装置の１つである発光ダイオードと光
ファイバとの使用時の結合状態を示し、図において、フ
ランジ（１）の内部には発光ダイオード（２）が押し板
（３）で固定されている。この発光ダイオード（２）の
上部には光フアイバボルダ（４）があシ、これは袋ナツ
ト（５）とバネ（６）で固定され、発光ダイオード（２
）に接している。そして、発光ダイオード（２）からの
出射光は、光フアイバホルダ（４）内の光ファイバを通
り、光ケーブル（７）で外部に導かれる。
ファイバとの使用時の結合状態を示し、図において、フ
ランジ（１）の内部には発光ダイオード（２）が押し板
（３）で固定されている。この発光ダイオード（２）の
上部には光フアイバボルダ（４）があシ、これは袋ナツ
ト（５）とバネ（６）で固定され、発光ダイオード（２
）に接している。そして、発光ダイオード（２）からの
出射光は、光フアイバホルダ（４）内の光ファイバを通
り、光ケーブル（７）で外部に導かれる。
従来、この種の光フアイバコネクタに用いられる発光ダ
イオードとして第２図に示すものがあった。同図はその
要部拡大断面図であシ、図において、光フアイバホルダ
（４）内部はその中心に光フアイバ芯線（８）が有シ、
その他は充てん剤（９）で満たされている。発光ダイオ
ード（２）はへラダ００とキャップ０１）とから成る。
イオードとして第２図に示すものがあった。同図はその
要部拡大断面図であシ、図において、光フアイバホルダ
（４）内部はその中心に光フアイバ芯線（８）が有シ、
その他は充てん剤（９）で満たされている。発光ダイオ
ード（２）はへラダ００とキャップ０１）とから成る。
・ヘッダ００）には発光ダイオードチップ（１２＋が固
着され、一方の外部リード（１３ａ）と電気的に接続さ
れている。そして発光ダイオードチップ０りともう一つ
の外部リード（１３ｂ）との間は金属細線圓で配線され
ている。発光ダイオードチップ０り上には集光のためレ
ンズα５）が装着されており、キャップ（１１）には透
過窓０６）が溶着しである。キャップ０１）とヘッダ（
１０）とは溶接等で気密封止しである。上記発光ダイオ
ード（２）と光ファイノ＜（８）とを結合させる場合、
発光ダイオード（２）と光ファイツク（８）先端との距
離を短かくすることが結合効率を向上させる上で大切で
ある。そのため光ファイノ＜（８）の先端はキャップＱ
ｌｌの透過窓０６１に押しつけて普通使用する。
着され、一方の外部リード（１３ａ）と電気的に接続さ
れている。そして発光ダイオードチップ０りともう一つ
の外部リード（１３ｂ）との間は金属細線圓で配線され
ている。発光ダイオードチップ０り上には集光のためレ
ンズα５）が装着されており、キャップ（１１）には透
過窓０６）が溶着しである。キャップ０１）とヘッダ（
１０）とは溶接等で気密封止しである。上記発光ダイオ
ード（２）と光ファイノ＜（８）とを結合させる場合、
発光ダイオード（２）と光ファイツク（８）先端との距
離を短かくすることが結合効率を向上させる上で大切で
ある。そのため光ファイノ＜（８）の先端はキャップＱ
ｌｌの透過窓０６１に押しつけて普通使用する。
また、透過窓０６）の厚さは光ファイノくホルダ（４）
の押しつけに耐え得る強度でなるべく薄いことが必要で
ある。このため透過窓Ｑ６１の材料として従来サファイ
アが使用されていた。しかし、サファイアは高価であシ
、従ってキャップＱｌｌも高価につくという欠点があっ
た。
の押しつけに耐え得る強度でなるべく薄いことが必要で
ある。このため透過窓Ｑ６１の材料として従来サファイ
アが使用されていた。しかし、サファイアは高価であシ
、従ってキャップＱｌｌも高価につくという欠点があっ
た。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、封止用キャップの構造を変更する
ことＫより、透過窓の材料を変更することができ、その
結果、低価格で同等の結合効率を有する光半導体装置を
提供することを目的としている。
めになされたもので、封止用キャップの構造を変更する
ことＫより、透過窓の材料を変更することができ、その
結果、低価格で同等の結合効率を有する光半導体装置を
提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による光半導体装置を示す。
図において、第２図と同一符号は同一のものを示し、そ
の構造はキャップ（１７） 、 ａ過窓０８）を除き従
来例と同様である。本実施例の透過窓０８）はキャップ
ｕ′Ｏの上面と同じ高さかまたはわずかに低くなってい
る。透過窓Ｏ印の面積は光フアイバホルダ（４）の断面
積よシ小さくなっており、これに伴いキャップ０７）の
開口部も従来のものより狭くなっている。また透過窓０
υの材料はサファイアでなく安価なガラスであり、キャ
ップ（１７）と透過窓ＱＢ＋とはロー付等で気密封止さ
れている。
の構造はキャップ（１７） 、 ａ過窓０８）を除き従
来例と同様である。本実施例の透過窓０８）はキャップ
ｕ′Ｏの上面と同じ高さかまたはわずかに低くなってい
る。透過窓Ｏ印の面積は光フアイバホルダ（４）の断面
積よシ小さくなっており、これに伴いキャップ０７）の
開口部も従来のものより狭くなっている。また透過窓０
υの材料はサファイアでなく安価なガラスであり、キャ
ップ（１７）と透過窓ＱＢ＋とはロー付等で気密封止さ
れている。
次に作用効果について説明する。
このキャップＵηで封止した発光ダイオード（２）に光
フアイバホルダ（４）を押し付けると、その荷重はキャ
ップ０ηの金属部にかかり、透過窓０８）には直接かか
らない。このためサファイアより破壊強度の小さいガラ
スでも、その厚さを増すことなく、透過窓として使用で
きる。その結果結合効率が高く、しかも発光ダイオード
（２）は安価となる。
フアイバホルダ（４）を押し付けると、その荷重はキャ
ップ０ηの金属部にかかり、透過窓０８）には直接かか
らない。このためサファイアより破壊強度の小さいガラ
スでも、その厚さを増すことなく、透過窓として使用で
きる。その結果結合効率が高く、しかも発光ダイオード
（２）は安価となる。
なお、上記実施例では、光半導体装置が発光ダイオード
の場合について説明したが、半導体レーザ、あるいはア
バランシェホトダイオード等の受光素子であってもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
の場合について説明したが、半導体レーザ、あるいはア
バランシェホトダイオード等の受光素子であってもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、本発明に係る光半導体装置によれば、封
止用キャップの光透過部をキャップ上面よシ突出させず
、かつ光フアイバホルダーの断面積よシ該光透過部の面
積を小さくしたことによシ、安価で結合効率の高い光半
導体装置が得られる効果がある。
止用キャップの光透過部をキャップ上面よシ突出させず
、かつ光フアイバホルダーの断面積よシ該光透過部の面
積を小さくしたことによシ、安価で結合効率の高い光半
導体装置が得られる効果がある。
第１図は発光ダイオードと光ファイバとを結合した際の
使用状態を示す断面図、第２図は従来の光半導体装置を
示す装部断面図、第３図はこの発明の一実施例による光
半導体装置を示す断面図である。 （２）・・・発光ダイオード（光半導体装置） 、ｔ！
２１・・・発光ダイオードチップ（光半導体素子） 、
ｔＩＯ＋・・・ヘッダ、（１７）・・・キャップ、０８
）・・・透過窓（光透過部）、（４）・・・光フアイバ
ホルダ。 なお図中向−掬号は同−又は相当部分を承す。
使用状態を示す断面図、第２図は従来の光半導体装置を
示す装部断面図、第３図はこの発明の一実施例による光
半導体装置を示す断面図である。 （２）・・・発光ダイオード（光半導体装置） 、ｔ！
２１・・・発光ダイオードチップ（光半導体素子） 、
ｔＩＯ＋・・・ヘッダ、（１７）・・・キャップ、０８
）・・・透過窓（光透過部）、（４）・・・光フアイバ
ホルダ。 なお図中向−掬号は同−又は相当部分を承す。
Claims (4)
- （１）光フアイバホルダと結合して使用される光半導体
装置であって、光半導体素子と、該光半導体素子を固定
するヘッダと、上記光フアイバホルダの断面積より小さ
い面積を有する光透過部がその主面より突出しないよう
設けられ上記ヘッダを封止するキャップとを備えたこと
を特徴とする光半導体装置。 - （２）上記光半導体素子が発光ダイオードであることを
特徴とする特許請求の範囲第１ＪＪ１記載の光半導体素
子峡。 - （３）上記光半導体素子が半導体レーザであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。 - （４）上記光半導体素子が受光素子であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188564A JPS5976487A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188564A JPS5976487A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976487A true JPS5976487A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16225893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188564A Pending JPS5976487A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976487A (ja) |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57188564A patent/JPS5976487A/ja active Pending
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